JP4610908B2 - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、特許文献1のように、ウェハを昇温・降温するときに、熱伝導率の高いガスに切替えて、より早いウェハの昇温・降温を実現できたとしても、ウェハ面内温度均一性は良好とはならず、なお改善の余地がある。
設定温度が、処理室内で基板の処理を開始後も引続いて、時間とともに処理室内の温度を降下させるように設定されていると、基板面内の温度分布が均一な状態で基板処理を実施することができるため、処理量の基板面内均一性をより向上できる。
設定温度が、処理室内で基板の処理を開始後は、温度降下レートが1℃/min以上になるように設定すると、処理量の基板面内均一性の向上は見られない。温度降下レートを1℃/min未満で降下させるように設定すると、処理量の基板面内均一性が良好になり、±1.0%未満に抑えることができる。
先ず、AGV(自走型搬送車)やOHT(天井吊下式搬送装置)などにより筐体101の外部から搬送されてきたポッド100は、I/Oステージ105に載置される。I/Oステージ105に載置されたポッド100は、カセット移載機114によって、直接ポッドオープナ108上に搬送されるか、または、一旦カセット棚109にストックされた後にポッドオープナ108上に搬送される。ポッドオープナ108上に搬送されたポッド100は、ポッドオープナ108によってポッド100の蓋体を取り外され、ポッド100の内部雰囲気がN2パージ室102の雰囲気と連通される。
外管(以下アウターチューブ205)は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管(以下インナーチューブ204)は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ205内に同心円状に配置されている。アウターチューブ205とインナーチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナーチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。なお、後述する処理炉の制御系は主制御部120で制御される。
ウェハ200の処理は、ウェハ200を処理室201たるインナーチューブ204内に搬入する工程(ボートロード工程)と、処理室201内のウェハ200を所定の温度まで昇温する工程(ランプアップ工程)と、処理室内温度を安定化する工程(ステイブル工程ないし温度安定イベント)と、処理室201内に処理ガスを導入してウェハ200を処理する工程(デポ工程ないし成膜イベント)と、処理室201内のウェハ200を所定の温度まで降温する工程(ランプダウン工程)と、ウェハ200を処理室201たるインナーチューブ204外に搬出する工程(ボートアンロード工程)とを含んだものとなる。
このような温度降下成膜において、温度安定状態と同等の成膜特性を得るには、降下成膜中の面内温度の平均値が安定状態の面内温度に近くなるように炉内温度を制御すればよい。
本擬似温度降下成膜シーケンスでは、温度推移波形は設定温度に対してオーバシュートし、下降状態に差し掛かった状態にて成膜イベントに入ってる。つまり本シーケンスにおいては温度安定に向かう過程にて温度降下成膜と同様な効果を得ており、このことが面内均一性を向上している理由であると推測することができる。この意味から本シーケンスに擬似の名を付けている。
温度降下レート(℃/min)=温度差(℃)÷成膜時間(min)
=(755−745)÷29.5≒0.3(℃/min)
成膜中、温度を変化させる温度降下成膜シーケンスにて成膜すると、従来の温度を安定化する通常シーケンスで成膜する場合と比較して、面内均一性±0.5%の改善が可能である。しかも、成膜中の温度降下レートを微少(1℃/min未満)とすることができるので、膜質への悪影響を防ぐことができる。
また、成膜開始前から温度を変化させ、さらに成膜中も温度を変化させる2段階降下成膜シーケンスにて成膜すると、従来の温度を安定化する通常シーケンスで成膜する場合と比較して、面内均一性±1.0%の改善が可能である。しかも、成膜中の温度降下レートを微少(1℃/min未満)とすることができるので、膜質への悪影響を防ぐことができる。
また、本発明は、設定温度を操作するソフトウェアだけの改善ですむので、装置のタイプやハードウエア構成に依存することなく適応が可能である。さらに、すり鉢分布状にて推移する膜厚分布の全てに適応することが可能で、膜種に依存しない。
図17を見ればわかる通り、降温レート0.1℃/min及び0.2℃/minについては、デポ時間44minでは、設定値は下限減算温度(設定温度下限)−5℃まで到達せずに、デポ時間が終了してしまう。従って、平均温度も目的温度より高くなる。このとき、図14のように平均膜厚はターゲット膜厚500Åより厚くなる。また、図13から膜厚均一牲は±0.5%〜±1.0%となることがわかる。
また、図13より膜厚均一性は±0.2%〜±0.5%となることがわかる。
次に、降温レート1.0℃/minについては、デポ開始後10分で設定値は下限減算温度(設定温度下限)−5℃に達する。従って、平均温度は目的温度より低くなり、膜厚は、ターゲット膜厚より薄くなる。
また、図13より膜厚均一性は逆にバラツキが大きくなり±0.7%〜±0.9%となることがわかる。
(1)温度降下レートを上げることにより、面内均一性について、改善効果が見られる。特に、温度降下レート0.3℃/min〜0.5℃/minについては、面内均一性0.5%以下を満たしている領域も見受けられる。Pos.24においては本温度降下成膜効果によって面内分布形状が凸分布へと変化している。
122 ガス流量制御部(処理ガス供給制御手段)
200 ウェハ(基板)
201 処理室
207 ヒータ(加熱手段)
241 マスフローコントローラ(処理ガス供給手段)
246 真空ポンプ(排気手段)
Claims (3)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室を加熱する加熱手段と、
前記基板に所定の膜を成膜するために前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理室を排気する排気手段と、
前記加熱手段を制御する加熱制御手段と、
前記処理ガス供給手段を制御して前記処理室内に前記処理ガスを供給することで前記基板の処理を開始する処理ガス供給制御手段と、
を備え、
前記加熱制御手段は、少なくとも前記処理室内での基板への成膜前及び成膜中に、前記処理室内の温度をそれぞれ1℃/min未満で降下させるように予め設定されている設定温度に基づき前記加熱手段を制御し、
前記処理室内を所定の温度まで昇温させた後の前記設定温度が、
前記処理室内での基板への成膜開始前は、成膜開始時における前記基板のエッジ部の温度が中央部の温度よりも低い状態となるような第1温度降下レートで降下するように設定されており、
前記基板への成膜開始後は、前記第1温度降下レートより大きく、成膜中における前記基板のエッジ部の温度が中央部の温度よりも低い状態が維持されるような第2温度降下レートで降下するように設定されている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記1℃/min未満が、0.3℃/min以上0.5℃/min以下であることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の温度を加熱手段を用いて所定の温度まで昇温する工程と、
前記処理室内の温度を加熱制御手段を用いて前記加熱手段を制御することにより1℃/min未満の第1温度降下レートで降下させる工程と、
前記処理室内の温度を前記加熱制御手段を用いて前記加熱手段を制御することにより1℃/min未満の第2温度降下レートで降下させつつ、前記基板に所定の膜を成膜するた
めに前記処理室内に処理ガス供給手段を用いて処理ガスを導入して前記基板を処理する工程と、
前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、
前記第1温度降下レートは、前記基板を処理する工程の開始時における前記基板のエッジ部の温度が中央部の温度よりも低い状態となるようなレートであり、
前記第2温度降下レートは、前記第1温度降下レートより大きく、成膜中における前記基板のエッジ部の温度が中央部の温度よりも低い状態が維持されるようなレートである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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