JP4610908B2 - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

基板処理装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、処理室内に処理ガスを供給させながら処理室内を加熱手段で加熱して基板を処理するCVD装置等の基板処理装置に係り、特に、その加熱手段を制御する加熱制御手段に関するものである。
基板(ウェハ)に対して成膜処理を行う場合は、ウェハ面内の膜厚を均一にする必要がある。膜厚のウェハ面内均一性は、ガス流量や圧力といったプロセス条件にもよるが、主にウェハを支持するボートの溝ピッチ間隔や、処理炉形状、ボートの下部に設ける断熱板の配置方法といったハードウエアに頼るところが大きい。
一方、膜厚のウェハ面内均一性を決定する要素として、ウェハの加熱温度も挙げられるが、従来まではウェハの加熱温度は一定に保った状態で、処理室内での化学反応(CVD反応)をさせることで、反応速度を一定として成膜を実施している。
なお、一度に多数のウェハを処理する縦型CVD装置にあっては、ウェハを昇温・降温するときに、熱伝導率の高いガス(Heガス)に切替えて、より早いウェハの昇温・降温を実現し、単位時間あたりのウェハ処理枚数を増大することも考えられている(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−289602公報
上記のことから膜厚の基板面内均一性は、ハードウエアとプロセス条件によってほぼ決定づけられており、良好な基板面内均一性を得ようとすると何かしらのハードウエアによる変更、もしくは良好な基板面内均一性を得られるプロセス条件に変更する必要があった。しかし、これらの改善方法は、目的とする成膜特性を得られない可能性も含んでおり、有効性が低い。その理由は次の通りである。
例えば、縦型CVD装置において、基板上に成膜されるパターンとしては、エッジ側が厚く、センタ側が薄い、すり鉢状の形状にて分布するのが一般的である。これはガスの廻り込みによる特性と、基板上の温度分布が起因している。成膜速度は温度が高くなることで早くなることから、もしウェハの加熱温度を一定に保った状態で、ウェハ上の温度分布がエッジ側で高く、センタ側が低い分布となる場合、成膜されるパターンは、より顕著なすり鉢状となる。随って、上記改善方法が成膜パターンのすり鉢状化を助長するのであれば、基板面内均一性の悪化を招くことになる。また、上記改善方法が成膜パターンのすり鉢状化を是正しないのであれば、基板面内均一性の改善はみられないことになる。
また、特許文献1のように、ウェハを昇温・降温するときに、熱伝導率の高いガスに切替えて、より早いウェハの昇温・降温を実現できたとしても、ウェハ面内温度均一性は良好とはならず、なお改善の余地がある。
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、処理量の基板面内均一性の良好な基板処理装置を提供することにある。
第1の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室を排気する排気手段と、前記加熱手段を予め設定された設定温度に基づき制御する加熱制御手段と、前記処理ガス供給手段を制御して前記処理室内で前記基板の処理を開始する処理ガス供給制御手段とを備え、前記設定温度は、前記処理室内で前記基板の処理を開始する以前から、時間とともに前記処理室内の温度が降下するように設定されていることを特徴とする基板処理装置である。
設定温度が、基板処理開始以前から、時間とともに処理室内の温度が降下するように設定されていると、この設定温度に基づき加熱手段を制御する加熱制御手段によって、基板処理開始以前から、時間とともに処理室内の温度が降下している状態となる。処理室内の温度が降下している状態では、基板のエッジ部の温度が先に低くなり、センタ部へはその変動が遅れて伝わるため、基板面内の温度分布は、エッジ部が低くなりセンタ部で高くなる。従って、温度が安定した状態で示される、エッジ部で高くセンタ部で低いすり鉢状の温度分布が是正されて、基板面内の温度分布が均一な状態に近くなる。その結果、膜厚などの処理量の基板面内均一性を向上できる。
第2の発明は、第1の発明において、前記設定温度は、前記処理室内で前記基板の処理を開始後も引続いて、時間とともに前記処理室内の温度を降下させるように設定されていることを特徴とする基板処理装置である。
設定温度が、処理室内で基板の処理を開始後も引続いて、時間とともに処理室内の温度を降下させるように設定されていると、基板面内の温度分布が均一な状態で基板処理を実施することができるため、処理量の基板面内均一性をより向上できる。
第3の発明は、第2の発明において、前記設定温度は、前記処理室内で前記基板の処理を開始後は、時間とともに前記処理室内の温度を1℃/min未満で降下させるように設定されていることを特徴とする基板処理装置である。
設定温度が、処理室内で基板の処理を開始後は、温度降下レートが1℃/min以上になるように設定すると、処理量の基板面内均一性の向上は見られない。温度降下レートを1℃/min未満で降下させるように設定すると、処理量の基板面内均一性が良好になり、±1.0%未満に抑えることができる。
第4の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室を加熱する加熱手段と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室を排気する排気手段と、前記加熱手段を予め設定された設定温度に基づき制御する加熱制御手段と、前記処理ガス供給手段を制御して前記処理室内で前記基板の処理を開始する処理ガス供給制御手段とを備え、前記設定温度は、前記処理室内で前記基板の処理を開始する以前から、時間とともに前記処理室内の温度が降下するように設定されている基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法において、前記設定温度に基づき加熱制御手段により前記加熱手段を制御して、前記処理室内で前記基板の処理を開始する以前から、時間とともに前記処理室内の温度を降下する第1の工程と、前記第1の工程後引続き、前記処理ガス供給制御手段により前記処理ガス供給手段を制御して、前記処理室内に前記処理ガスを供給開始し、前記処理室内で前記基板の処理を開始する第2の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
設定温度が、基板処理開始以前から、時間とともに処理室内の温度が降下するように設定されていると、この設定温度に基づき加熱手段を制御する加熱制御手段によって、基板処理開始以前から、時間とともに処理室内の温度が降下している状態となる。処理室内の温度が降下している状態では、基板のエッジ部の温度が先に低くなり、センタ部へはその変動が遅れて伝わるため、基板面内の温度分布は、エッジ部が低くなりセンタ部で高くなる。従って、温度が安定した状態で示される、エッジ部で高くセンタ部で低いすり鉢状の温度分布が是正されて、基板面内の温度分布が均一な状態に近くなる。その結果、膜厚などの処理量の基板面内均一性を向上できる。
本発明によれば、処理室内で基板の処理を開始する以前から、時間とともに処理室内の温度が降下するようにしたので、膜厚などの処理量の基板面内均一性を向上できる。
本発明の基板処理装置の構成を図面を用いて説明する。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やCVD処理などを行う縦型の装置(以下、単に処理装置という)に適用した場合について述べる。図2は、本発明に適用される処理装置の外観斜視図である。尚、この図は透視図として描かれている。また、図3は図2に示す処理装置の側面図である。
処理装置は、シリコン等からなるウェハ(基板)200を収納したポッド(基板収納容器)100を、外部から筐体101内へ挿入するため、およびその逆に筐体101内から外部へ払出すためのI/Oステージ(保持具授受部材)105が筐体101の前面に付設され、筐体101内には挿入されたポッド100を保管するためのカセット棚(載置手段)109が敷設されている。また、ウェハ200の搬送エリアであり、後述のボート(基板保持手段)217のローディング、アンローディング空間となるN2パージ室(気密室)102が設けられている。ウェハ200に処理を行なうときのN2パージ室102の内部は、ウェハ200の自然酸化膜を防止するためにN2ガスなどの不活性ガスが充満されるように、N2パージ室102は密閉容器となっている。
上述したポッド100としては、現在FOUPというタイプが主流で使用されており、ポッド100の一側面に設けられた開口部を蓋体(図示せず)で塞ぐことで大気からウェハ200を隔離して搬送でき、蓋体を取り去る事でポッド100内へウェハ200を入出させることができる。このポッド100の蓋体を取外し、ポッド内の雰囲気とN2パージ室102の雰囲気とを連通させるために、N2パージ室102の前面側には、ポッドオープナ(開閉手段)108が設けられている。ポッドオープナ108、カセット棚109、およびI/Oステージ105間のポッド100の搬送は、カセット移載機114によって行なわれる。このカセット移載機114によるポッド100の搬送空間には、筐体101に設けられたクリーンユニット(図示せず)によって清浄化した空気をフローさせるようにしている。
2パージ室102の内部には、複数のウェハ200を多段に積載するボート217と、ウェハ200のノッチ(又はオリエンテーションフラット)の位置を任意の位置に合わせる基板位置合わせ装置106と、ポッドオープナ108上のポッド100と基板位置合わせ装置106とボート217との間でウェハ200の搬送を行なうウェハ移載機(搬送手段)112とが設けられている。また、N2パージ室102の上部にはウェハ200を処理するための処理炉202が設けられており、ボート217はボートエレベータ(昇降手段)115によって処理炉202へローディング、又は処理炉202からアンローディングすることができる。
次に、本発明の処理装置の動作について説明する。
先ず、AGV(自走型搬送車)やOHT(天井吊下式搬送装置)などにより筐体101の外部から搬送されてきたポッド100は、I/Oステージ105に載置される。I/Oステージ105に載置されたポッド100は、カセット移載機114によって、直接ポッドオープナ108上に搬送されるか、または、一旦カセット棚109にストックされた後にポッドオープナ108上に搬送される。ポッドオープナ108上に搬送されたポッド100は、ポッドオープナ108によってポッド100の蓋体を取り外され、ポッド100の内部雰囲気がN2パージ室102の雰囲気と連通される。
次に、ウェハ搬送機112によって、N2パージ室102の雰囲気と連通した状態のポッド100内からウェハ200を取り出す。取り出されたウェハ200は、基板位置合わせ装置106によって任意の位置にノッチが定まる様に位置合わせが行なわれ、位置合わせ後、ボート217へ搬送される。
ボート217へのウェハ200の搬送が完了したならば、処理室201の炉口シャッタ116を開けて、ボートエレベータ115によりウェハ200を搭載したボート217をローディングする。
ローディング後は、処理炉202にてウェハ200に任意の処理が実施され、処理後は上述の逆の手順で、ウェハ200およびポッド100は筐体101の外部へ払出される。
次に、上述した処理炉202の具体例を、図1に示した減圧CVD処理炉について説明する。
外管(以下アウターチューブ205)は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管(以下インナーチューブ204)は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ205内に同心円状に配置されている。アウターチューブ205とインナーチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナーチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。なお、後述する処理炉の制御系は主制御部120で制御される。
アウターチューブ205およびインナーチューブ204の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド209が係合され、このマニホールド209にアウターチューブ205およびインナーチューブ204が保持されている。このマニホールド209は保持手段(以下ヒータベース251)に固定される。アウターチューブ205の下端部およびマニホールド209の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材(以下、Oリング220)が配置され、両者の間が気密にシールされている。
マニホールド209の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体(以下シールキャップ219)がOリング220を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。アウタチューブ205の下方側には、ガスの供給管232が設けられている。これらのガスの供給管232により、処理用のガスがアウターチューブ205内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管232はガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)241)に連結されており、MFC241は処理ガス供給制御手段としてのガス流量制御部122に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。
マニホールド209の上部には、圧力調節器(例えばAPC、N2バラスト制御器があり、以下ここではAPC242とする)及び、排気装置(以下真空ポンプ246)に連結されたガスの排気管231が接続されており、アウターチューブ205とインナーチューブ204との間の筒状空間250を流れるガスを排出し、アウターチューブ205内をAPC242により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段(以下圧力センサ245)により検出し、主制御部120の圧力制御部123により制御する。
シールキャップ219には、回転手段(以下回転軸254)が連結されており、回転軸254により、基板保持手段(以下ボート217)及びボート217上に保持されている基板(以下ウェハ200)を回転させる。又、シールキャップ219は昇降手段(以下ボートエレベータ115)に連結されていて、ボート217を昇降させる。回転軸254、及びボートエレベータ115を所定のスピードにするように、主制御部120の駆動制御部124により制御する。
アウターチューブ205の外周には加熱手段(以下ヒータ207)が同心円状に配置されている。ヒータ207は、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段(以下熱電対263)により温度を検出し、加熱制御手段としての温度制御部121により制御する。
図1に示した処理炉による減圧CVD処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ115によりボート217を下降させる。ボート217に複数枚のウェハ200を保持する。次いで、ヒータ207により加熱しながら、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管232に接続されたMFC241により予めアウターチューブ205内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ115により、ボート217を上昇させてアウターチューブ205内に移し、アウターチューブ205の内部温度を所定の処理温度に維持する。アウターチューブ205内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸254により、ボート217及びボート217上に保持されているウェハ200を回転させる。同時にガスの供給管232から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ205内を上昇し、ウェハ200に対して均等に供給される。
減圧CVD処理中のアウターチューブ205内は、排気管231を介して排気され、所定の真空になるようAPC242により圧力が制御され、所定時間減圧CVD処理を行う。
このようにして減圧CVD処理が終了すると、次のウェハ200の減圧CVD処理に移るべく、アウターチューブ205内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ115によりボート217を下降させて、ボート217及び処理済のウェハ200をアウターチューブ205から取出す。アウターチューブ205から取出されたボート217上の処理済のウェハ200は、未処理のウェハ200と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ205内に上昇され、減圧CVD処理が成される。
ところで、前述したように、縦型CVD装置において、基板上に成膜される膜の面内パターンとしては、エッジ側が厚く、センタ側が薄い、すり鉢状の形状にて分布するのが一般的であり、従来は、ハードウエア又はソフトウェアを変更することによって、これの不均一分布を解消している。
本実施の形態では、ハードウエアを変更することなく、ソフトウェアのみを変更することによって、基板面内の膜厚を有効に均一化させるものであり、つぎのような3つの手段を備えて実現している。処理室で所定のガスを化学反応させることにより基板上にCVD膜を形成する手段、成膜前の温度安定状態を破り、温度を降下状態としておくことで、より良好なウェハ面内均一性を得ることができる手段、及び処理温度を降下させながら成膜することで良好なウェハ面内均一性を得ることができる手段である。
以下、図1を用いて具体的に説明する。
ウェハ200の処理は、ウェハ200を処理室201たるインナーチューブ204内に搬入する工程(ボートロード工程)と、処理室201内のウェハ200を所定の温度まで昇温する工程(ランプアップ工程)と、処理室内温度を安定化する工程(ステイブル工程ないし温度安定イベント)と、処理室201内に処理ガスを導入してウェハ200を処理する工程(デポ工程ないし成膜イベント)と、処理室201内のウェハ200を所定の温度まで降温する工程(ランプダウン工程)と、ウェハ200を処理室201たるインナーチューブ204外に搬出する工程(ボートアンロード工程)とを含んだものとなる。
このボートロード、ランプアップ、ステイブル、デポ、ランプダウン、ボートアンロードといった諸工程との関連で見ると、ウェハ200はボート217に積載されて搬入された後、ヒータ207により加熱昇温され、処理室201たるインナーチューブ204内に供給される処理ガスにより所定のデポが行なわれる。そして、このデポ工程の前、及びデポ工程開始後で処理室201内の温度を降下したりしている。
このような処理室201内の温度制御は、予め設定された設定温度に基づきヒータ207を制御する温度制御部121によって行われる。この設定温度は、図5のようにデポ開始後とともに処理室201内の温度を降下するように設定したり(実施例1)、図6のようにデポ開始前に処理室内の温度を降下するように設定したり(実施例2)、あるいは図7に示すように、処理室201内でデポを開始後も引続いて時間とともに処理室201内の温度を降下するように設定したりしている(実施例3)。
ここで、図5、図6、図7に示す実施例1、実施例2、実施例3の設定温度に基づく制御を、それぞれ、温度降下成膜シーケンス、擬似降下成膜シーケンス及び2段階温度降下成膜シーケンスと呼ぶことにする。なお、参考までに示した図4は、常シーケンスと呼ばれる従来型のもので、ランプアップ後の設定温度は一定である。なお、シーケンスはレシピともいう。
さて、処理室201内の温度が安定した状態である場合、ウェハ面内のエッジ部とセンタ部の温度差は一定に保たれている。処理室201内の温度に変化が生じた場合、ウェハ面内においてはエッジ部に最初にその変化が伝わり、徐々にセンタ部へとその変化が伝わっていく。つまり炉内の温度変化に対してウェハ200のエッジ部の温度は敏感に変動し、センタ部の温度はそれから若干遅れて変動することとなる。
炉内安定状態のウェハ面内の温度分布がエッジ部で高くセンタ部で低いすり鉢状の温度分布をしていたとする。本実施の形態は、炉内の温度にウェハ200のエッジ部が敏感に変動する特性を利用することで、炉内の温度を少しずつ温度降下させることで、ウェハ200のエッジ部もそれにあわせて温度降下する。ウェハ200のエッジ部の温度が低くなりセンタ部へはその変動が遅れて伝わり、ウェハ面内の温度分布は均一な状態に近くなる。このウェハ面内温度均一状態で成膜を実施することでエッジ部の成膜速度を抑えることが可能となり、すり鉢伏の膜厚面内分布を緩和させることが可能である。
このような温度降下成膜において、温度安定状態と同等の成膜特性を得るには、降下成膜中の面内温度の平均値が安定状態の面内温度に近くなるように炉内温度を制御すればよい。
図5の温度降下成膜シーケンス(実施例1)は、600℃でのボートロード、20分間のランプアップ、30分間のステイブル、及び29分30秒のデポ工程からなっている。ここでは、化学反応させる前(デポ開始前)に目的とする成膜温度(ターゲット温度)、例えば750℃より若干高めの温度、例えば最大5℃加算した温度にて安定させておく。化学反応開始時(デポ開始)からこの温度を下降させて、化学反応終了時(デポ終了時)には目的とする成膜温度750℃より若干低めの温度、例えば最大5℃減算した温度にて完了させる。この場合の降下レート(ランプレート)は温度差の10℃から成膜時間で除算した値(−0.3℃/min)を設定することで、従来例の安定状態と同等の成膜特性が得られ、ウェハ面内温度均一性、ひいてはウェハ面内膜厚均一性を改善することが可能である。
また図6の擬似温度降下成膜シーケンス(実施例2)は、600℃でのボートロード、20分間のランプアップ、70分間のステイブル、及び29分30秒のデポ工程からなっている。ここでは、成膜前(デポ前)に面内分布でエッジ部の温度を常シーケンスに比べ低い状態にしておくことで、実施例1の効果に近い効果を得ることができる。つまり成膜前における温度安定イベントにて温度降下状態とする。ここでは、化学反応させる前(デポ開始前)に目的とする成膜温度(ターゲット温度)、例えば750℃より若干高めの温度、例えば最大5℃加算した温度までランプアップする。ステイブル期間、この温度を下降させて、化学反応開始時(デポ開始時)には目的とする成膜温度750にもってくる。この場合の降下レート(ランプレート)は温度差の5℃から成膜時間で除算した値(−0.1℃/min)を設定する。デポ開始後は、図4の従来例の場合と同様に目的温度に安定化させて、成膜する。
本擬似温度降下成膜シーケンスでは、温度推移波形は設定温度に対してオーバシュートし、下降状態に差し掛かった状態にて成膜イベントに入ってる。つまり本シーケンスにおいては温度安定に向かう過程にて温度降下成膜と同様な効果を得ており、このことが面内均一性を向上している理由であると推測することができる。この意味から本シーケンスに擬似の名を付けている。
また図7の2段階温度降下成膜シーケンス(実施例3)は、600℃でのボートロード、70分間のステイブル、及び29分30秒のデポ工程からなっている。ここでは、成膜前(デポ前)に面内分布でエッジ部の温度を常シーケンスに比べ低い状態にしておくことで、実施例2の効果が加わり、実施例1の効果をより高めることができる。あるいは、成膜開始後(デポ後)も引続いて、面内分布でエッジ部の温度を低い状態にしておくことで、実施例1の効果が加わり、実施例2の効果をより高めることができる。つまり成膜前における温度安定イベントにて温度降下状態とする。化学反応させる前(デポ開始前)に目的とする成膜温度(ターゲット温度)、例えば750℃より若干高めの温度、例えば最大10℃加算した温度までランプアップする。ステイブル期間、この温度を下降させて、化学反応開始時(デポ開始時)には目的とする成膜温度750℃より若干高めの温度、例えば最大5℃加算した温度にもってくる。この場合の降下レート(ランプレート)は温度差の5℃から成膜時間で除算した値(−0.1℃/min)を設定する。デポ開始後は、図5の実施例1の場合と同様である。図5の温度降下成膜シーケンスであれば、成膜開始時からエッジ部の温度変動をさせているが、実施例3の2段階温度降下シーケンスでは、成膜開始時には既にエッジ部の温度が低い状態にあることから、すり鉢状分布となる膜厚分布を緩和して、より良好な面内均一性を得ることが可能となる。
従来の通常シーケンスと、実施の形態による温度降下成膜及び2段階温度降下成膜シーケンスとで、ボートのTOP、CENTER、BOTTOMの3つのウェハ積載領域について、ウェハ面内均一性の比較評価を実施した。その結果を図8〜図12に示す。
図8はウェハ面内膜厚平均データ、図9はウェハ面内均一性データ、図10はウェハ面内均一性グラフ、図11は通常シーケンスウェハマップ、図12は温度降下シーケンスウェハマップである。
ここで、各シーケンスの設定温度による成膜状況をまとめて説明する。通常シーケンス(図4)では、目的温度(750℃)で炉内を充分安定させて成膜した。また、温度降下成膜シーケンス(図5)では、目的温度より+5℃加算した755℃にて充分安定させ、成膜開始時から0.3℃/minにて温度降下開始し、膜終了時には目的温度より−5℃減算した745℃にて成膜完了した。なお、温度降下成膜における温度降下レートは以下の式にて算出した。
温度降下レート(℃/min)=温度差(℃)÷成膜時間(min)
=(755−745)÷29.5≒0.3(℃/min)
また、2段階温度降下成膜シーケンス(図7)では、目的温度より+10℃加算した760℃を設定して昇温し、成膜前に目的温度より+5℃加算した755℃になるよう温度降下させ、成膜開始時から0.3℃/minにて温度降下開始し、成膜終了時には目的温度より−5℃減算した745℃にて成膜完了した。
図8に示すように、温度降下成膜、2段階温度降下成膜では、全ウェハ積載領域において、通常シーケンスよりも、面内膜厚分布の改善が見られた。また、図9及び図10の結果の示すとおり、温度降下成膜では、全ウェハ積載領域において、温度を一定に保った通常シーケンスよりも約±0.5%の面内均一性の改善が見られた。また、2段階温度降下成膜では通常シーケンスよりも約±10%の改善が見られた。さらに、図11および図12に示す通り、通常シーケンス及び温度降下成膜シーケンスのいずれのシーケンスも、すり鉢分布状であるが、温度降下成膜シーケンスでは通常シーケンスと比べて大きく改善されているのがわかる。同図においてはウェハマップ上の等高線は5Åと固定としてあるので、等高線の数が減っていることで確認できる。
このように本実施の形態によれば次のような効果を得ることができる。
成膜中、温度を変化させる温度降下成膜シーケンスにて成膜すると、従来の温度を安定化する通常シーケンスで成膜する場合と比較して、面内均一性±0.5%の改善が可能である。しかも、成膜中の温度降下レートを微少(1℃/min未満)とすることができるので、膜質への悪影響を防ぐことができる。
また、成膜開始前から温度を変化させ、さらに成膜中も温度を変化させる2段階降下成膜シーケンスにて成膜すると、従来の温度を安定化する通常シーケンスで成膜する場合と比較して、面内均一性±1.0%の改善が可能である。しかも、成膜中の温度降下レートを微少(1℃/min未満)とすることができるので、膜質への悪影響を防ぐことができる。
また、本発明は、設定温度を操作するソフトウェアだけの改善ですむので、装置のタイプやハードウエア構成に依存することなく適応が可能である。さらに、すり鉢分布状にて推移する膜厚分布の全てに適応することが可能で、膜種に依存しない。
また、本発明を縦型CVD装置に適用した場合には、ウェハを昇温・降温するときに、熱伝導率の高いガス(He)に切替えて、より早いウェハの昇温・降温を実現するときにも、ウェハ面内温度均一性を良好とすることができ、したがって、目的とする成膜特性をもつウェハの単位時間あたりの処理枚数を増大できる。
成膜中の温度降下レートを0.1℃/min〜1.0℃/minと変動させて、温度降下レート0℃/min(温度降下成膜無し、すなわち温度がフラットで安定した状態)との比較評価を実施した。ここで、評価内容は、ウェハ面内均一性、ウェハ面内膜厚分布の温度降下レート依存性であり、ウェハ積載領域の所定のポジション(Pos.)について行なった。また、温度設定範囲のバランスは、目的温度に対して上限加算温度+5℃、下限減算温度−5℃とした。その結果を図13〜図15に示す。
装置構成は、縦型CVD装置を用い、ボート溝ピッチは7.5mm、製品ウェハ枚数は50枚、ダミーウェハは上部に5枚下部に10枚、断熱板は6枚(上詰め1枚おき)、ボート回転速度は1.0rpmである。
プロセス条件は、次の通りである。温度制御は、ヒータ207とアウタチューブ205との間に、熱電対263と同様な熱電対を配置し、この熱電対を用いて、熱電対263と同様に温度制御することとし、ヒータ207は、4ゾーンに分割制御される。この4ゾーンはヒータ207の上方からUゾーン、ULゾーン、CLゾーン、Lゾーンとし、この時の目的温度をそれぞれ、Uゾーン;742.4℃,ULゾーン;742.0℃、CLゾーン;736.0℃,Lゾーン;732.4℃とする。ガスはDCS/NH=80/800ccm、圧力30Pa、デポ時間44minである。
また、図16に示すように、CENTER領域に投入した3枚のモニタウェハ(ボートポジションPos.50,Pos.37,Pos.24)について、評価した。CENTER領域のモニタウェハとしたのは、UPPER領域およびLOWER領域は処理室外の外乱に影響を受けやすいため、このような外乱の影響を受けにくいCENTER領域を選んだためである。
図13は面内均一性の降温レート依存性、図14は膜厚付着量の降温レート依存性、図15は面内分布の降温レート依存性を示す。図17はCUゾーンにおける各0.1℃/min〜1.0℃/minまでのそれぞれの降下成膜時のヒータ207とアウタチューブ205との間に設けられた熱電対が検知する温度推移のグラフである。
図17を見ればわかる通り、降温レート0.1℃/min及び0.2℃/minについては、デポ時間44minでは、設定値は下限減算温度(設定温度下限)−5℃まで到達せずに、デポ時間が終了してしまう。従って、平均温度も目的温度より高くなる。このとき、図14のように平均膜厚はターゲット膜厚500Åより厚くなる。また、図13から膜厚均一牲は±0.5%〜±1.0%となることがわかる。
次に、降温レート0.3℃/minについては、デポ開始後33minで設定値は下限減算温度(設定温度下限)−5℃に達する。従って、平均温度は目的温度より低くなることになる。しかし、図14のように平均膜厚はターゲット膜厚500Åより厚くなる。これは、図17に示す温度が、ヒータ207とアウタチューブ205との間に設けられた熱電対にて測定しており、ウェハの位置よりヒータに近いことから、設定値に比較的素早く反応する。そのため、実際のウェハ周辺は、遅れて降温することからターゲット膜厚より厚くなると推定される。また、図13より膜厚均一性は±0.4%〜±0.6%となることがわかる。
次に、降温レート0.4℃/min及び0.5℃/minについては、デポ開始後25分及び20分で設定値は下限減算温度(設定温度下限)−5℃に達する。従って、平均温度は目的温度より低くなり、膜厚は、ターゲット膜厚より薄くなる。
また、図13より膜厚均一性は±0.2%〜±0.5%となることがわかる。
次に、降温レート1.0℃/minについては、デポ開始後10分で設定値は下限減算温度(設定温度下限)−5℃に達する。従って、平均温度は目的温度より低くなり、膜厚は、ターゲット膜厚より薄くなる。
また、図13より膜厚均一性は逆にバラツキが大きくなり±0.7%〜±0.9%となることがわかる。
これらの結果により次のことが言える。
(1)温度降下レートを上げることにより、面内均一性について、改善効果が見られる。特に、温度降下レート0.3/min〜0.5/minについては、面内均一性0.5%以下を満たしている領域も見受けられる。Pos.24においては本温度降下成膜効果によって面内分布形状が凸分布へと変化している。
(2)(1)より徐々に温度降下レートを上げていくことで、面内均一性が向上していく結果が得られたが、必ずしも降下レートを上げることが、面内均一性の向上につながるわけではない。降下レート1.0℃/minの結果に見られるように、本評価の成膜時間においては、降下レートを上げすぎて安定時間が長くなってしまい、再度エッジ部の温度が安定してしまい、温度降下成膜の恩恵が無くなってしまう結果となった。
(3)温度降下レート0.3℃/min〜0.5℃/minの結果に挙げられるように、下限側の設定温度に到達後ある程度の安定時間を用いたほうが良好な結果が得られる。すなわち、少なくとも成膜下限減算温度で維持される安定時間を設けることが好ましい。
(4)本評価によって、膜質に影響を与えないよう微少範囲(1.0℃/min未満)で温度降下レートを設定してデポすることにより、面内均一性を±0.5%まで改善可能であることが分かった。
実施の形態による基板処理装置を構成する減圧CVD処理炉の縦断面図である。 本発明に適用される処理装置の外観斜視図である。 本発明に適用される処理装置の側面図である。 従来型シーケンスの説明図である。 実施例1の温度降下成膜シーケンスの説明図である。 実施例2の擬似降下成膜シーケンスの説明図である。 実施例3の2段階温度降下成膜シーケンスの説明図である。 ウェハ面内膜厚の比較データを示す図である。 ウェハ面内均一性の比較データを示す図である。 ウェハ面内均一性の比較グラフを示す図である。 従来(通常)のシーケンスウェハマップである。 実施例1の温度降下成膜シーケンスウェハマップである。 ウェハ面内均一性の降温レート依存性を示す図である。 ウェハ膜厚付着量の降温レート依存性を示す図である。 ウェハ面内膜厚分布の降下レート依存性を示すウェハマップである。 モニタウェハのボートポジションの説明図である。 CUゾーンにおける降下レート温度推移のグラフである。
符号の説明
121 温度制御部(加熱制御手段)
122 ガス流量制御部(処理ガス供給制御手段)
200 ウェハ(基板)
201 処理室
207 ヒータ(加熱手段)
241 マスフローコントローラ(処理ガス供給手段)
246 真空ポンプ(排気手段)

Claims (3)

  1. 基板を処理する処理室と、
    前記処理室を加熱する加熱手段と、
    前記基板に所定の膜を成膜するために前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
    前記処理室を排気する排気手段と、
    前記加熱手段を制御する加熱制御手段と、
    前記処理ガス供給手段を制御して前記処理室内に前記処理ガスを供給することで前記基板の処理を開始する処理ガス供給制御手段と、
    を備え、
    前記加熱制御手段は、少なくとも前記処理室内での基板への成膜前及び成膜中に、前記処理室内の温度をそれぞれ1℃/min未満で降下させるように予め設定されている設定温度に基づき前記加熱手段を制御し、
    前記処理室内を所定の温度まで昇温させた後の前記設定温度が、
    前記処理室内での基板への成膜開始前は、成膜開始時における前記基板のエッジ部の温度が中央部の温度よりも低い状態となるような第1温度降下レートで降下するように設定されており、
    前記基板への成膜開始後は、前記第1温度降下レートより大きく、成膜中における前記基板のエッジ部の温度が中央部の温度よりも低い状態が維持されるような第2温度降下レートで降下するように設定されている
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記1℃/min未満が、0.3℃/min以上0.5℃/min以下であることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 基板を処理室内に搬入する工程と、
    前記処理室内の温度を加熱手段を用いて所定の温度まで昇温する工程と、
    前記処理室内の温度を加熱制御手段を用いて前記加熱手段を制御することにより1℃/min未満の第1温度降下レートで降下させる工程と、
    前記処理室内の温度を前記加熱制御手段を用いて前記加熱手段を制御することにより1℃/min未満の第2温度降下レートで降下させつつ、前記基板に所定の膜を成膜するた
    めに前記処理室内に処理ガス供給手段を用いて処理ガスを導入して前記基板を処理する工程と、
    前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、
    前記第1温度降下レートは、前記基板を処理する工程の開始時における前記基板のエッジ部の温度が中央部の温度よりも低い状態となるようなレートであり、
    前記第2温度降下レートは、前記第1温度降下レートより大きく、成膜中における前記基板のエッジ部の温度が中央部の温度よりも低い状態が維持されるようなレートである
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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