JP6802881B2 - 半導体装置の製造方法、基板装填方法、記録媒体、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
半導体装置の製造方法、基板装填方法、記録媒体、基板処理装置およびプログラム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6802881B2 JP6802881B2 JP2019107737A JP2019107737A JP6802881B2 JP 6802881 B2 JP6802881 B2 JP 6802881B2 JP 2019107737 A JP2019107737 A JP 2019107737A JP 2019107737 A JP2019107737 A JP 2019107737A JP 6802881 B2 JP6802881 B2 JP 6802881B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- loading
- product
- surface area
- loaded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 319
- 238000011068 loading method Methods 0.000 title claims description 214
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 119
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 152
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 19
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 16
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 289
- 239000010408 film Substances 0.000 description 167
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 5
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 210000003254 palate Anatomy 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWVDYRRUAODGNC-UHFFFAOYSA-N CCN([Ti])CC Chemical compound CCN([Ti])CC PWVDYRRUAODGNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLOKVAIRQVQRGC-UHFFFAOYSA-N CN(C)[Ti] Chemical compound CN(C)[Ti] ZLOKVAIRQVQRGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004356 Ti Raw Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- -1 carbonic acid nitride Chemical class 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N tetrakis(dimethylamido)titanium Chemical compound CN(C)[Ti](N(C)C)(N(C)C)N(C)C MNWRORMXBIWXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J titanium tetraiodide Chemical compound I[Ti](I)(I)I NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
複数の支持部を有する基板装填領域を備え、複数の基板を前記支持部に装填して支持する基板支持具であって前記基板の最大装填枚数がX枚(X≧3)である基板支持具にベア基板と比較して大きな表面積を有するプロダクト基板をY枚(Y<X)装填する際、
前記プロダクト基板の最大連続装填枚数Zを、前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布が、Z=Yの場合における前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布よりも均一になるように、前記最大連続装填枚数Zを小さくして前記プロダクト基板を当該Z枚数ずつ連続して装填する工程と、
前記プロダクト基板を装填した前記基板支持具を処理室に収容して、前記プロダクト基板を処理する工程と、
を有する技術が提供される。
図1に示すように、処理炉202は加熱系(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
続いて、ウエハ装填領域600へのウエハ200の分散装填について説明する。
25≦X≦200では、n=1〜6のとき、(1)式のように、スロット(1)〜スロット(11)の平均値で表される。
LADn=(LA1+LA2+LA3+LA4+LA5+LA6+LA7+LA8+
LA9+LA10+LA11)/11 ・・・(1)
LADn=(LAn−5+LAn−4+LAn−3+LAn−2+LAn−1+LAn+
LAn+1+LAn+2+LAn+3+LAn+4+LAn+5)/11 ・・・(2)
LADn=(LAX−10+LAX−9+LAX−8+LAX−7+LAX−6+LAX―5+
LAX−4+LAX−3+LAX−2+LAX−1+LAX)/11 ・・・(3)
11≦X≦24では、n=1〜3のとき、(4)式のように、スロット(1)〜スロット(5)の平均値で表される。
LADn=(LA1+LA2+LA3+LA4+LA5)/5 ・・・(4)
LADn=(LAn−2+LAn−1+LAn+LAn+1+LAn+2)/5 ・・・(5)
LADn=(LAX−4+LAX−3+LAX−2+LAX−1+LAX)/5 ・・・(6)
5≦X≦10では、n=1〜2のとき、(7)式のように、スロット(1)〜スロット(3)の平均値で表される。
LADn=(LA1+LA2+LA3)/3 ・・・(7)
LADn=(LAn−1+LAn+LAn+1)/3 ・・・(8)
LADn=(LAX−2+LAX−1+LAX)/3 ・・・(9)
ULAD=((LADmax−LADmin)/LADave)×100[%] ・・・(10)
ここで、LADmaxは、ウエハ装填領域600間における大表面積基板密度の最大値である。LADminは、ウエハ装填領域600間における大表面積基板密度の最小値である。LADaveは、ウエハ装填領域600間における大表面積基板密度の平均値である。
(a)25≦X≦200では、各スロットおよび各スロットの隣接する10スロットの計11スロットから計算される大表面積基板密度平均値の基板装填領域均一性の値(すなわち、ULADであって、基板装填領域における大表面積基板の密度平均値の均一性の値)、
(b)11≦X≦24では、各スロットおよび各スロットの隣接する4スロットの計5スロットから計算される大表面積基板密度平均値の基板装填領域均一性の値、
(c)5≦X≦10では、各スロットおよび各スロットの隣接する2スロットの計3スロットから計算される大表面積基板密度平均値の基板装填領域均一性の値、
が、Z=Yとした場合における大表面積基板密度平均値の基板装填領域均一性の値より小さくなるようXの値を調整する。
上述の基板処理装置10を用い、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図23を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、シャッタ開閉機構115sによりシャッタ219sが移動させられて、マニホールド209の下端開口が開放される(シャッタオープン)。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200が収容されたボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220bを介してマニホールド209の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ243がフィードバック制御される(圧力調整)。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によりボート217およびウエハ200の回転を開始する。回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、反応ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップをこの順で所定回数行う。
バルブ314を開き、ガス供給管310へTiCl4ガスを流す。TiCl4ガスは、MFC312により流量調整され、ノズル410に開口するガス供給孔410aからウエハ200に対して供給される。すなわちウエハ200はTiCl4ガスに暴露される。ガス供給孔410aから供給されたTiCl4ガスは、排気管231から排気される。このとき同時に、バルブ514を開き、ガス供給管510内にキャリアガスとしてN2ガスを流す。N2ガスは、MFC512により流量調整され、TiCl4ガスと一緒にノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
Ti含有層が形成された後、バルブ314を閉じ、TiCl4ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応又はTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する。バルブ514,524は開いた状態でN2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応又はTi含有層形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ324を開き、ガス供給管320内に反応ガスであるNH3ガスを流す。NH3ガスは、MFC322により流量調整され、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内のウエハ200に対して供給され、排気管231から排気される。すなわちウエハ200はNH3ガスに暴露される。このとき、バルブ524を開き、ガス供給管520内にN2ガスを流す。N2ガスは、MFC522により流量調整され、NH3ガスと共に処理室201内に供給されて、排気管231から排気される。このとき、ノズル410内へのNH3ガスの侵入を防止(逆流を防止)するために、バルブ514を開き、ガス供給管510内へN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管510、ノズル410を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
TiN層が形成された後、バルブ324を閉じて、NH3ガスの供給を停止する。そして、原料ガス供給ステップ後の残留ガス除去ステップと同様の処理手順により、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層の形成に寄与した後のNH3ガスや反応副生成物を処理室201内から排除する。
上述の原料ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、反応ガス供給ステップ、残留ガス供給ステップを順に行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、ウエハ200上にTiN膜が形成される。このサイクルの回数は、最終的に形成するTiN膜において必要とされる膜厚に応じて適宜選択されるが、このサイクルは、複数回繰り返すことが好ましい。TiN膜の厚さ(膜厚)は、例えば、0.5nm〜3μm、好ましくは0.8nm〜2μm、より好ましくは1nm〜1μmとする。3μm以下とすることでウエハ200上に形成されたTiN膜(堆積膜)によるボート217とウエハ200との固着を防止することができ、0.5nm以上とすることで成膜初期に島状となって形成されるTiN同士の隙間がほぼなくなり、連続膜を形成することが可能となる。
成膜ステップが終了したら、バルブ514,524を開き、ガス供給管310,320のそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留するガスや副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気がN2ガスに置換され(N2ガス置換)、処理室201内の圧力は常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、マニホールド209の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。ボートアンロードの後は、シャッタ219sが移動させられ、マニホールド209の下端開口がOリング220cを介してシャッタ219sによりシールされる(シャッタクローズ)。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出されるウエハディスチャージ)。
上述の実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果が得られる。
(h)大表面積基板をバッチ処理装置で処理する際、大表面積基板の1枚当りの表面積および装填枚数の少なくともいずれか一方による影響を低減し、良好な基板装填領域間の膜厚均一性を達成することができる。また、被処理基板への所望の膜厚を形成することが可能となる。
200 ウエハ(基板)
201 処理室
Claims (18)
- 複数の支持部を有する基板装填領域を備え、複数の基板を前記支持部に装填して支持する基板支持具であって前記基板の最大装填枚数がX枚(X≧3)である基板支持具にベア基板と比較して大きな表面積を有するプロダクト基板をY枚(Y<X)装填する際、
前記プロダクト基板の最大連続装填枚数Zを、前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布が、Z=Yの場合における前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布よりも均一になるように、前記最大連続装填枚数Zを小さくして前記プロダクト基板を当該Z枚数ずつ連続して装填する工程と、
前記プロダクト基板を装填した前記基板支持具を処理室に収容して、前記プロダクト基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 25≦X≦200では、前記プロダクト基板の各支持部の隣接する10支持部の計11支持部における密度の分布が、Z=Yの場合における前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布よりも均一になるように、前記最大連続装填枚数Zを小さくする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 11≦X≦24では、前記プロダクト基板の各支持部および各支持部の隣接する4支持部の計5支持部における密度の分布が、Z=Yの場合における前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布よりも均一になるように、前記最大連続装填枚数Zを小さくする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 5≦X≦10では、前記プロダクト基板の各支持部および各支持部の隣接する2支持部の計3支持部における密度の分布が、Z=Yの場合における前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布よりも均一になるように、前記最大連続装填枚数Zを小さくする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロダクト基板を処理する工程では、前記処理室へ複数の処理ガスを交互供給するサイクルを所定回数行い、前記プロダクト基板の表面に所定の膜厚の膜を形成する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロダクト基板は、半径rに対して上面の表面積が3πr2以上となるようなパターンが上面に形成された大表面積基板である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロダクト基板を処理する工程では、前記プロダクト基板の上面の表面積の値と、前記プロダクト基板の装填枚数Yの値との積からなる前記基板装填領域に装填される前記プロダクト基板の総表面積に応じて、前記プロダクト基板に対して複数の処理ガスを交互供給するサイクルの数を補正することにより、前記プロダクト基板に所定の膜厚の膜を形成する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロダクト基板が装填されていないX−Y個の支持部に、フィルダミー基板およびモニター基板の少なくともいずれかを装填する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プロダクト基板が装填されていない複数の支持部に、前記プロダクト基板が装填された支持部との間の距離が均等となるよう複数のモニター基板をそれぞれ装填する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の支持部を有する基板装填領域を備え、複数の基板を前記支持部に装填して支持する基板支持具であって前記基板の最大装填枚数がX枚(X≧3)である基板支持具にベア基板と比較して大きな表面積を有するプロダクト基板をY枚(Y<X)装填する際、
前記プロダクト基板の最大連続装填枚数Zを、前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布が、Z=Yの場合における前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布よりも均一になるように、前記最大連続装填枚数Zを小さくして前記プロダクト基板を当該Z枚数ずつ連続して装填する工程を有する基板装填方法。 - 前記プロダクト基板は、半径rに対して上面の表面積が3πr2以上となるようなパターンが上面に形成された大表面積基板である請求項10に記載の基板装填方法。
- 前記プロダクト基板が装填されていないX−Y個の支持部に、フィルダミー基板およびモニター基板の少なくともいずれかを装填する請求項10に記載の基板装填方法。
- 前記プロダクト基板が装填されていない複数の支持部に、前記プロダクト基板が装填された支持部との間の距離が均等となるよう複数のモニター基板をそれぞれ装填する請求項10に記載の基板装填方法。
- 複数の支持部を有する基板装填領域を備え、複数の基板を前記支持部に装填して支持する基板支持具であって前記基板の最大装填枚数がX枚(X≧3)である基板支持具にベア基板と比較して大きな表面積を有するプロダクト基板をY枚(Y<X)装填する際、
前記プロダクト基板の最大連続装填枚数Zを、前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布が、Z=Yの場合における前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布よりも均一になるように、前記最大連続装填枚数Zを小さくして前記プロダクト基板を当該Z枚数ずつ連続して装填する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - 前記プロダクト基板は、半径rに対して上面の表面積が3πr2以上となるようなパターンが上面に形成された大表面積基板である請求項14に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
- 前記プロダクト基板を分散装填した基板支持具を処理室に収容して、前記プロダクト基板を処理する手順をさらに有し、
前記プロダクト基板を処理する手順では、前記処理室へ複数の処理ガスを交互供給するサイクルを所定回数行い、前記プロダクト基板の表面に所定の膜厚の膜を形成する際、前記プロダクト基板の上面の表面積の値と、前記プロダクト基板の装填枚数Yの値との積からなる前記基板装填領域に装填される前記プロダクト基板の総表面積に応じて、前記サイクルの数を補正する手順をコンピュータに実行させるプログラムを記録した請求項14に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。 - 複数の支持部を有する基板装填領域を備え、複数の基板を前記支持部に装填して支持する基板支持具が収容される処理室と、
前記基板支持具に、前記基板を搬送する基板搬送機構と、
前記基板の最大装填枚数がX枚(X≧3)である基板支持具にベア基板と比較して大きな表面積を有するプロダクト基板をY枚(Y<X)装填する際、
前記プロダクト基板の最大連続装填枚数Zを、前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布が、Z=Yの場合における前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布よりも均一になるように、前記最大連続装填枚数Zを小さくして前記プロダクト基板を当該Z枚数ずつ連続して装填する様に、前記基板搬送機構を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。 - 複数の支持部を有する基板装填領域を備え、複数の基板を前記支持部に装填して支持する基板支持具であって前記基板の最大装填枚数がX枚(X≧3)である基板支持具にベア基板と比較して大きな表面積を有するプロダクト基板をY枚(Y<X)装填する際、
前記プロダクト基板の最大連続装填枚数Zを、前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布が、Z=Yの場合における前記プロダクト基板の前記基板装填領域における密度の分布よりも均一になるように、前記最大連続装填枚数Zを小さくして前記プロダクト基板を当該Z枚数ずつ連続して装填する手順をコンピュータに実行させるプログラム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019107737A JP6802881B2 (ja) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 半導体装置の製造方法、基板装填方法、記録媒体、基板処理装置およびプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019107737A JP6802881B2 (ja) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 半導体装置の製造方法、基板装填方法、記録媒体、基板処理装置およびプログラム |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018508271A Division JP6560818B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 半導体装置の製造方法、基板装填方法、プログラムおよび基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019192924A JP2019192924A (ja) | 2019-10-31 |
JP6802881B2 true JP6802881B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=68390967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019107737A Active JP6802881B2 (ja) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 半導体装置の製造方法、基板装填方法、記録媒体、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6802881B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001338883A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2003051497A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP3904497B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2007-04-11 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法 |
JP5708843B2 (ja) * | 2014-02-18 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 支持体構造及び処理装置 |
JP2015173154A (ja) * | 2014-03-11 | 2015-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置、縦型熱処理装置の運転方法及び記憶媒体 |
TWI506702B (zh) * | 2014-07-28 | 2015-11-01 | Powerchip Technology Corp | 爐管製程的派工控制方法 |
WO2017168675A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板装填方法および記録媒体 |
-
2019
- 2019-06-10 JP JP2019107737A patent/JP6802881B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019192924A (ja) | 2019-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6560818B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板装填方法、プログラムおよび基板処理装置 | |
JP6647260B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
JP6818087B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、記録媒体およびプログラム | |
US11201054B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device having higher exhaust pipe temperature and non-transitory computer-readable recording medium | |
JP2020057769A (ja) | 半導体装置の製造方法、プログラム、及び基板処理装置 | |
WO2019188037A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP6802881B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板装填方法、記録媒体、基板処理装置およびプログラム | |
US20200411330A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
WO2023012872A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
TWI840839B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法、基板處理方法及程式 | |
WO2023042386A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及びコーティング方法 | |
WO2024034172A1 (ja) | 基板処理装置、基板支持具、基板処理方法、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
JP7175375B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム。 | |
US20230037898A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, recording medium, and method of processing substrate | |
CN114901864A (zh) | 基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200423 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200612 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20201102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6802881 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |