JP4264084B2 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
しかし、前記した従来の酸化膜形成装置においては、酸化膜形成ステップ後のパージステップでは処理ガス供給ラインの残留物を充分にパージしきれない場合がある。パージしきれない残留物は酸化膜形成後のステップにおいてパージガスとともに少しずつ処理室に供給され続けることにより、膜厚変化や膜厚均一性の低下を招くことになる。そこで、従来の酸化膜形成装置においては、処理ガス供給ラインを加熱したり処理ガス供給ラインを短縮したりして、残留物の影響を低減するための対策が講じられている。
ところで、近年の半導体集積回路の微細化に伴い、ウエハに形成する薄膜の膜厚分布の高均一化および薄膜化が進んでおり、特に、ウエハに酸化膜を形成する酸化膜形成工程においてはこれらが顕著である。そのため、酸化膜形成装置においては、膜厚変化や膜厚均一性低下の防止のために行う処理ガス供給ラインの加熱や短縮による残留物の低減対策は限界に近づいている。すなわち、膜厚分布の均一化および薄膜化が進んだ酸化膜形成工程においては、処理ガス供給ラインの加熱や短縮による残留物低減対策では残留物の影響を充分に低減することができないために、膜厚変化や膜厚均一性の低下を招いてしまう。
本発明の目的は、残留物の影響を充分に低減することができる基板処理装置およびそれを使用した半導体装置の製造方法を提供することにある。
前記パージガス供給ラインから供給したパージガスが処理ガス供給ラインの前記処理室側(下流側)とベントライン側(上流側)の両方に流れるように構成されていることを特徴とする。
本発明によれば、パージを行う際に、処理ガス供給ラインにおけるパージガス供給ラインとの接続部よりも上流側(処理ガス源側)の残留物が処理室内に流れ込むのを防止することができる。残留物を確実に排出することができるため、残留物による悪影響を防止することができる。
第2図は処理ガス供給ラインにおけるパージガス供給ラインの接続部付近を示す断面図である。
第3図は酸化ステップを示す一部省略正面図である。
第4図はパージステップを示す一部省略正面図である。
第5図は膜厚均一性の悪化防止効果を示す折れ線グラフであり、(a)は従来例の場合を示しており、(b)は本実施の形態の場合を示している。
第6図は膜厚均一性の悪化防止効果を示す棒グラフであり、(a)群は従来例の場合を示しており、(b)群は本実施の形態の場合を示している。
第7図は本発明の第二の実施の形態の処理ガス供給ラインにおけるパージガス供給ラインの接続部付近を示す断面図である。
第8図は本発明の第三の実施の形態の処理ガス供給ラインにおけるパージガス供給ラインの接続部付近を示す断面図である。
第9図は本発明の第四の実施の形態の処理ガス供給ラインにおけるパージガス供給ラインの接続部付近を示す断面図である。
第10図は本発明の第五の実施の形態の処理ガス供給ラインにおけるパージガス供給ラインの接続部付近を示す断面図である。
第11図は本発明の第六の実施の形態の処理ガス供給ラインにおけるパージガス供給ラインの接続部付近を示す断面図である。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、機能的にはウエハに酸化膜を形成するための酸化膜形成装置の一例であるパイロジェニック酸化装置として構成されており、構造的にはバッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置として構成されている。すなわち、第1図に示されているように、本実施の形態に係る基板処理装置(以下、パイロジェニック酸化装置という。)10は、バッチ式縦形ホットウォール形熱処理装置として構成されている。
パイロジェニック酸化装置10はプロセスチューブ12を備えており、プロセスチューブ12は石英(SiO2)が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。プロセスチューブ12は中心線が垂直になるように縦に配されて筐体11に支持されている。プロセスチューブ12の筒中空部は処理室13を形成しており、処理室13は複数枚のウエハ1を同心的に整列させた状態で保持したボート27が搬入されるように構成されている。プロセスチューブ12の下端開口はボート27を搬入搬出するための炉口14を構成している。プロセスチューブ12の上端の閉塞壁(以下、天井壁という。)には複数個の流通孔15が、ガスを処理室13の全体に分散させるように配置されて厚さ方向に開設されており、プロセスチューブ12の天井壁の上にはガス溜16が流通孔15群を覆うように形成されている。
プロセスチューブ12の外側には均熱チューブ17が同心円に設置されており、均熱チューブ17は炭化シリコン(SiC)が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。均熱チューブ17も筐体11に支持されている。均熟チューブ17の外側にはヒータユニット18が均熱チューブ17を包囲するように同心円に設置されており、ヒータユニット18も筐体11に支持されている。プロセスチューブ12と均熱チューブ17との間には熱電対19が上下方向に敷設されており、ヒータユニット18は熱電対19の温度検出に基づくコントローラ(図示せず)の制御により、処理室13内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熟するように構成されている。
プロセスチューブ12の真下にはシールキャップ21が同心的に配置されており、シールキャップ21はプロセスチューブ12の外径と略等しい円盤形状に形成されている。シールキャップ21は送りねじ機構等によって構成されたボートエレベータ(一部のみが図示されている。)20によって垂直方向に昇降されるようになっている。シールキャップ21の上には石英によって外径がシールキャップ21と略等しい円盤形状に形成されたベース22が設置されている。シールキャップ21がボートエレベータ20によって上昇された状態において、ベース22はプロセスチューブ12の下端面にシールリング23を挟んで密着することにより、処理室13を気密封止(シール)するようになっている。シールキャップ21の下面には電動モータ24が上向きに設置されており、電動モータ24の回転軸25には断熱キャップ26を介してボート27が垂直に立脚されて支持されている。
ボート27は上下で一対の端板28、29と、両端板28、29間に架設されて垂直に配設された複数本(本実施の形態では三本)の保持部材30とを備えており、各保持部材30には複数条の保持溝31が長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻設されている。ちなみに、ウエハ1の外周辺部が三条の保持溝31に同時に挿入されることにより、複数枚のウエハ1がボート27に水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持されるようになっている。ボート27の下側端板29の下には断熱キャップ26が設置されており、断熱キャップ26はベース22に設置されている。
プロセスチューブ12の側壁の下部には排気管32が処理室13に連通するように接続されており、排気管32には排気ライン33の一端が接続されている。排気ライン33の他端には真空ポンプやブロア等によって構成された排気装置34が接続されている。排気ライン33の途中には圧力調節器35が介設されており、圧力調節器35は排気ライン33の途中に接続された圧力センサ36の検出結果に基づいてコントローラ(図示せず)によって制御されることにより、処理室13の圧力を所定の圧力に制御するように構成されている。
プロセスチューブ12の外側には供給管37が敷設されており、供給管37はプロセスチューブ12の一部に沿って上下方向に延在した状態になっているとともに、上端がガス溜16に接続されている。供給管37の下端には処理ガス供給ライン38が接続されており、処理ガス供給ライン38には処理ガス供給装置としての外部燃焼装置39が接続されている。詳細な図示は省略するが、外部燃焼装置39は処理ガス供給ライン38に接続された燃焼室を備えており、燃焼室の処理ガス供給ライン38と反対側には酸素(O2)ガス源40に接続された酸素ガス供給ライン41と、水素(H2)ガス源42に接続された水素ガス供給ライン43とがそれぞれ接続されている。
処理ガス供給ライン38には処理ガスを希釈する不活性ガスを供給する希釈ガス供給ライン45の一端が、外部燃焼装置39よりも下流側に接続されており、希釈ガス供給ライン45の他端は不活性ガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給源44に接続されている。希釈ガス供給ライン45の途中には第一止め弁(ストップバルブ)46が介設されており、第一止め弁46は2ポート・2位置・ノーマルクローズ・スプリングオフセット・電磁切換弁によって構成されている。第一止め弁46のソレノイドはコントローラ60に接続されて、コントローラ60によって開閉を制御されるようになっている。希釈ガス供給ライン45における第一止め弁46の上流側には、処理室13をパージする不活性ガスを供給するパージガス供給ライン47の上流側端が接続されており、パージガス供給ライン47の下流側端は処理ガス供給ライン38の外部燃焼装置39との接続部よりも下流側に接続されている。パージガス供給ライン47の途中には第二止め弁48が介設されており、第二止め弁48は2ポート・2位置・ノーマルクローズ・スプリングオフセット・電磁切換弁によって構成されている。第二止め弁48のソレノイドはコントローラ60に接続されて、コントローラ60によって開閉を制御されるようになっている。
処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47の接続部と外部燃焼装置39の接続部との間には、処理室13をバイパスさせてガスを排気するベントライン49の上流側端が接続されており、ベントライン49の下流側端は排気ライン33に接続されている。ベントライン49の途中には第三止め弁50が介設されており、第三止め弁50は2ポート・2位置・ノーマルクローズ・スプリングオフセット・電磁切換弁によって構成されている。第三止め弁50のソレノイドはコントローラ60に接続されて、コントローラ60によって開閉を制御されるようになっている。ベントライン49における第三止め弁50の下流側には、MFC(マスフローコントローラ)等によって構成された流量制御装置51が介設されている。流量制御装置51はコントローラ60によってベントライン49を流れるガスの流量を制御し得るように構成されている。なお、流量制御装置51の代わりに流量計を設けるようにしてもよい。
第2図に示されているように、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47が接続される部分の内径D47は、供給管37に接続される部分の内径D37およびベントライン49が接続される部分の内径D49よりも小さく設定されている。パージガスライン接続部の内径D47は、外径1/4〜3/8インチ配管の内径相当、すなわち、4.35〜7.52mm程度とするのが望ましく、供給管接続部の内径D37およびベントライン接続部の内径D49やベントライン49の内径は、外径1/4〜3/8インチ配管の内径以上、すなわち、4.35〜7.52mm程度以上に設定することが望ましい。
ここで、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47が接続される部分の内径D47は、供給管37に接続される部分の内径D37またはベントライン49が接続される部分の内径D49の「1/2」以下に設定することが好ましい。すなわち、「D47≦D37/2」または「D47≦D49/2」に設定することが好ましい。例えば、ベントライン49が接続される部分の内径D49および供給管37に接続される部分の内径D37を10〜12mmに設定した場合においては、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47が接続される部分の内径D47は5〜6mmに設定することが好ましい。
本実施の形態においては、ベントライン49が接続される部分の内径D49および供給管37に接続される部分の内径D37を従来の処理ガス供給ライン38の内径と同等に設定し、パージガス供給ライン47が接続される部分の内径D47を従来の処理ガス供給ライン38の内径の「1/2」以下に設定しているが、パージガス供給ライン47が接続される部分の内径D47を従来の処理ガス供給ライン38の内径と同等に設定し、ベントライン49が接続される部分の内径D49および供給管37に接続される部分の内径D37を従来の処理ガス供給ライン38の内径の2倍以上に設定してもよい。
なお、第2図に示されているように、処理ガス供給ライン38の一部はコンダクタンス管38aを構成しており、処理ガス供給ライン38のプロセスチューブ12側の付け根38bにフランジ管継手38cによって着脱自在に接続されている。このコンダクタンス管38aは石英によって形成されており、不純物を抑制し、かつ、耐腐食性を確保するようになっている。
そして、このコンダクタンス管38aにパージガス供給ライン47およびベントライン49が前述したように接続されている。コンダクタンス管38aの内径を前述したように異ならせる理由は、コンダクタンス管38aの内部に圧力差を形成させるためである。パージガス供給ライン47が接続される部分の内径D47を供給管37に接続される部分の内径D37およびベントライン49が接続される部分の内径D49よりも小さく(細く)設定しているのは、その部分(細管部)の圧力を両脇の太管部の圧力よりも高くさせるためである。供給管37に接続される部分の内径D37およびベントライン49が接続される部分の内径D49をパージガス供給ライン47が接続される部分の内径D47よりも大きく(太く)設定しているのは、その太管部の圧力を細管部の圧力よりも低くするためである。これにより、パージガス供給ライン47からのガスがベントライン49側および供給管37側に流れ易くなるように構成している。
次に、半導体装置(デバイス)の製造工程(方法)の一工程としてウエハを処理する方法を、前記構成に係るパイロジェニック酸化装置を用いてウエハに酸化膜を形成する場合を例にして説明する。
第1図に示されているように、酸化膜形成処理に際して、複数枚のウエハ1を整列保持したボート27はシールキャップ21の上のベース22にウエハ1群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、ボートエレベータ20によって差し上げられてプロセスチューブ12の炉口14から処理室13に搬入されて行き、シールキャップ21に支持されたままの状態で処理室13に存置される。この状態で、ベース22はシールリング23を挟んで密着することにより、処理室13を気密に閉じた状態になる。
処理室13がシールリング23によって気密に閉じられた状態で、処理室13の内部が排気ライン33によって排気され、ヒータユニット18によって所定の温度に加熱される。ウエハの温度が処理温度に達して安定化すると、酸素ガスおよび水素ガスが外部燃焼装置39の燃焼室に酸素ガス供給ライン41および水素ガス供給ライン43によってそれぞれ所定の流量ずつ供給される。外部燃焼装置39の燃焼室の温度が水素ガスの燃焼温度以上に加熱されると、酸素ガスと水素ガスとが燃焼反応するため、処理ガス61としての水蒸気(H2O)が生成される。
続いて、第3図に示されているように、コントローラ60は希釈ガス供給ライン45の第一止め弁46を開くとともに、パージガス供給ライン47の第二止め弁48およびベントライン49の第三止め弁50を閉じる。これにより、処理室13には処理ガス61と希釈ガスとしての不活性ガスである窒素ガス62との混合ガス63が処理ガス供給ライン38から供給管37へ送り出され、供給管37によってプロセスチューブ12のガス溜16に供給される。ガス溜16に供給された混合ガス63は流通孔15によって処理室13内の全体にわたって均等に分散される。処理室13に均一に分散された混合ガス63はボート27に保持された複数枚のウエハ1にそれぞれ均一に接触しながら処理室13を流下し、排気管32から排気ライン33の排気力によって処理室13の外部に排気される。混合ガス63のウエハ1の表面への接触による処理ガス61の酸化反応により、ウエハ1の表面には酸化膜が形成される。
予め設定された処理時間が経過すると、第4図に示されているように、コントローラ60は外部燃焼装置39の燃焼室への酸素ガスおよび水素ガスの供給を停止する。続いて、コントローラ60は希釈ガス供給ライン45の第一止め弁46を閉じるとともに、パージガス供給ライン47の第二止め弁48およびベントライン49の第三止め弁50をそれぞれ開く。この際、コントローラ60は希釈ガス供給ライン45の第一止め弁46からは小流量の窒素ガス62が流れるように制御する。
第4図に示されているように、まず、パージガス供給ライン47からベントライン49側へ分流した窒素ガス(以下、パージガスということがある。)62は、処理ガス供給ライン38を逆流し、処理ガス供給ライン38→ベントライン49→排気ライン33を流通する。これにより、処理ガス供給ライン38のパージガス供給ライン47の接続箇所よりも外部燃焼装置39側に残留し処理室13側へ拡散する処理ガスや反応生成物等の残留物をベントライン49を通じて排気ライン33に押し流すことになる。つまり、パージガス供給ライン47との接続箇所よりも外部燃焼装置39側の処理ガス供給ライン38から処理室13の方向へ拡散する残留物は、ベントライン49によって処理室13を完全に迂回して排気ライン33に排出されるために、その残留物が処理室13へ流れ込むことはない。なお、このパージガス62のベントライン49の排気流量と供給管37側への排気流量との分流の割合は、ベントライン49に介設された流量制御装置51によるベントライン49を流れる流量の制御によって調整することができる。
ここで、第3図に示された酸化ステップにおいて、各ガス供給ラインから供給されるトータルガス流量すなわち処理室13に供給されるガスの流量をT、外部燃焼装置39からのガスの流量をA、希釈ガス供給ライン45からのパージガス62の流量をBとすると、T=A+B、である。
第4図に示されたパージステップにおいて、各ガス供給ラインから供給されるトータルガス流量をT’、パージガス供給ライン47からのパージガスの流量をB’、処理室13に供給されるパージガスの流量をD、ベントライン49によって排気される流量をE、希釈ガス供給ライン45からの小流量の不活性ガスの流量をA’、ベントライン49によって排気されるトータルガス流量をFとすると、E+D=B’、E+A’=F、D+F=T’、となる。
このパージステップに際して、処理ガス供給ライン38とパージガス供給ライン47との接続部においては、流量B’のパージガスが処理室13に供給される流量Dと、ベントライン49によって排気される流量Eとに分配されるので、コントローラ60は処理室13へ供給するガスの流量Dを決定し、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47の接続部よりも外部燃焼装置39側(処理ガスのガス流上流側)の位置の圧力P39が、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47の接続部の圧力P47よりも上昇しないように、流量制御装置51は「A’+E」の流量を調整する。
他方、パージガス供給ライン47から供給管37側に分流したパージガス62は、処理ガス供給ライン38→供給管37を流通することにより、プロセスチューブ12のガス溜16に供給される。このとき、処理ガス供給ライン38におけるパージガスライン接続部の内径D47がベントライン接続部の内径D49よりも小さく設定されていることにより、パージガス供給ライン接続部の圧力がベントライン接続部の圧力よりも高くなるので、残留物が処理ガス供給ライン38の外部燃焼装置39側から供給管37側へ拡散して来るのを防止することができる。ガス溜16に供給されたパージガス62は流通孔15によって処理室13内の全体にわたって均等に分散される。処理室13に均一に分散されたパージガス62はボート27に保持された複数枚のウエハ1にそれぞれ均一に接触しながら処理室13を流下し、排気管32から排気ライン33の排気力によって処理室13の外部に排気される。処理室13に残留した処理ガス61や反応生成物等の残留物は、このパージガス62の流れによって押し流される。また、パージガス62には処理ガス供給ライン38の残留物は含まれていないので、前述した酸化ステップによってウエハ1に適正に形成された酸化膜がパージガス62に含まれた残留物によってウエハ面内の膜厚均一性(以下、膜厚均一性という。)が悪化される現象を防止することができる。
以上のパージステップが終了すると、ボートアンローディング(ボート搬出)ステップが実施される。すなわち、シールキャップ21がボートエレベータ20によって下降され、ボート27が処理室13から搬出される。ボートアンローディングステップが終了すると、ボート27から処理済みのウエハ1を取り出すためのウエハディスチャージステップが実行される。
ボートアンローディング後に、処理室13にボート27すなわちウエハ1が無い状態で、コントローラ60は希釈ガス供給ライン45の第一止め弁46を開いて外部燃焼装置39側から不活性ガスを供給することにより、処理ガス供給ライン38のベントライン49よりも上流側(外部燃焼装置39側)の残留物を除去する。外部燃焼装置39側から供給された不活性ガスは処理ガス供給ライン38を流通し、処理室13を通過して排気ライン33から排気される。なお、このアンローディング後のパージステップにおいては、パージガス供給ライン47およびベントライン49を使用してもよい。また、前述したように、酸化ステップ後のパージステップ(処理室13にボート27が存置している状態)において、外部燃焼装置39側から小流量の不活性ガスを流すことにより、処理ガス供給ライン38のベントライン49よりも上流側(外部燃焼装置39側)の残留物を除去することができる。
以降、前述した作用が繰り返されることにより、パイロジェニック酸化装置によってウエハがバッチ処理されて行く。
以上説明したように、本実施の形態によれば、パージステップにおいて処理ガス供給ライン38の残留物が処理室13に流れ込むのを防止することができるので、酸化ステップにおいてウエハに適正に形成された酸化膜の膜厚均一性が残留物によって悪化される現象を未然に防止することができる。
第5図は膜厚均一性の悪化防止効果を示す折れ線グラフであり、(a)は従来例の場合を示しており、(b)は本実施の形態の場合を示している。
第5図において、横軸にはボートにおけるウエハの位置が取られており、topは上端部、cenは中央部、botは下端部をそれぞれ示している。縦の左軸には膜厚(Å)が取られており、縦の右軸には膜厚均一性(標準偏差をÅで示している。)が取られている。
第5図(a)において、実線折れ線A1は膜厚を示しており、破線折れ線A2は膜厚均一性を示している。第5図(b)において、実線折れ線B1は膜厚を示しており、破線折れ線B2は膜厚均一性を示している。
処理条件は従来例と本実施の形態とにおいて同一であり、次の通りである。
150枚のウエハが装填されたボートが600℃に加熱された処理室にボートローディングされ、処理室温度が650℃まで昇温され、基板温度が処理温度まで昇温されて安定化した後に、650℃および大気圧の雰囲気で、処理ガス(水蒸気)が1SLM(スタンダード・リットル毎分)だけ流されて酸化ステップが実施される。続いて、900℃の雰囲気でアニールステップが実施される。処理時間は30分である。その後に、窒素ガスが20SLMで流されて、パージステップが実施される。パージ時間は5分間である。パージステップ後に、処理室の温度が650℃まで降温され、ボートが処理室からボートアンローディングされる。
第5図の(a)と(b)との比較から明らかな通り、本実施の形態の場合には、実線折れ線B1の示す膜厚が実線折れ線A1の示す従来の膜厚よりも増加しているのにも関わらず、破線折れ線B2の示す膜厚均一性が0.2Å以下となっており、破線折れ線A2の示す従来の膜厚均一性(0.3〜0.4Å)よりも大幅に改善されている。
第6図は膜厚均一性の悪化防止効果を示す棒グラフであり、(a)群は従来例の場合を示しており、(b)群は本実施の形態の場合を示している。
第6図において、横軸には1回毎のシーケンス(酸化ステップ〜パージステップ)が取られており、同一のシーケンスが3回繰り返し実施された場合を示している。棒topは上端部、棒cenは中央部、棒botは下端部に配置されたウエハの場合をそれぞれ示している。縦軸には膜厚均一性(標準偏差をÅで示している。)が取られている。破線直線Lは目標値の標準偏差(0.3Å)を示している。
処理条件は従来例と本実施の形態とにおいて同一であり、第5図の場合と同様である。
従来例を示す第6図の(a)群においては、1回目→2回目→3回目と回を増す毎に膜厚均一性は改善されているが、不安定であり、しかも、目標値Lをクリアーすることができていない。これに対して、本実施の形態を示す第6図の(b)群においては、1回目→2回目→3回目と回を増しても膜厚均一性は殆ど安定しており、しかも、いずれの回も膜厚均一性は0.2Å以下となっており、目標値Lを大幅にクリアーすることができている。
また、本実施の形態によれば、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47との接続部の下流側と上流側との両方にパージガスを流すことにより、処理室13にウエハ1が存在する状態で処理室13をパージする際に、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47との接続部よりも上流側(外部燃焼装置39内および処理ガス供給ライン38内)の残留物が処理室13に流れ込む(拡散する)のを防止することができる。
さらに、処理ガス供給ライン38の一部をコンダクタンス管38aとして構成するとともに、パージガス供給ライン47およびベントライン49を接続し、処理ガス供給ライン38のプロセスチューブ12側の付け根38bにフランジ管継手38cによって着脱自在に接続することにより、既存のパイロジェニック酸化装置に容易かつ低コストで適用することができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、処理ガス供給ライン38の一部であるコンダクタンス管38aは、第7図ないし第11図に示されているように構成してもよい。
第7図に示された実施の形態においては、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47との接続部の内径D47は、ベントライン49との接続部の内径D49および供給管37との接続部の内径D37と同等に設定されており、ベントライン49との接続部の内径D49よりも細い内径D49’の細管部38dが一対、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47との接続部とベントライン49との接続部との間およびパージガス供給ライン47との接続部と供給管37との接続部との間の両方にそれぞれ配設されている。
第8図に示された実施の形態においては、処理ガス供給ライン38におけるベントライン49との接続部の内径D49は、パージガス供給ライン47との接続部の内径D47および供給管37との接続部の内径D37よりも大きく(D49>D47,D49>D37)設定されている。本実施の形態においては、ベントライン49に介設した流量制御装置51によって流量を制御することにより、前記実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
第9図に示された実施の形態においては、処理ガス供給ライン38におけるベントライン49との接続部の内径D49およびパージガス供給ライン47との接続部の内径D47は、供給管37との接続部の内径D37よりも大きく(D49>D37,D47>D37)設定されている。本実施の形態においては、ベントライン49に介設した流量制御装置51によって流量を制御することにより、前記実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
第10図に示された実施の形態においては、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47との接続部の内径D47は、ベントライン49との接続部の内径D49および供給管37との接続部の内径D37よりも大きく(D47>D49,D47>D37)設定されている。
第11図に示された実施の形態においては、処理ガス供給ライン38におけるパージガス供給ライン47との接続部の内径D47は、ベントライン49との接続部の内径D49よりも小さく(D47<D49)設定されているが、パージガス供給ライン47の接続部はベントライン49との接続部に隣接されている。
パージガス供給ラインへのパージガスの供給源は、希釈ガス供給ラインに接続された不活性ガスの供給源と別に設置してもよい。
希釈ガス供給ラインは省略してもよい。また、止め弁は必要に応じて配置すればよい。
処理は酸化膜を形成する処理に限らず、窒化シリコン膜やポリシリコン膜等のCVD膜を形成する成膜処理、拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のリフローやアニール処理、その他の熱処理(thermal treatment)等のような処理ガスが使用されたステップ後にパージステップが実施される基板処理全般に適用することができる。
また、パイロジェニック酸化装置に適用するに限らず、その他の酸化装置、拡散装置、アニール装置およびその他の熱処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
さらに、新造の基板処理装置に適用するに限らず、既存の基板処理装置に対し改造により適用することができる。その場合、装置の構成は略そのままで、コンダクタンス管、パージガス供給ライン、ベントラインを設けるだけで、容易にしかも低コストで対応することができる。
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、被処理基板はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
Claims (11)
- 基板を処理する処理室と、
処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、
前記処理室と前記処理ガス供給装置とを接続する処理ガス供給ラインと、
この処理ガス供給ラインに接続されパージガスを供給するパージガス供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインとの接続部よりも前記処理ガス供給装置側に一端が接続され、前記排気ラインに他端が接続され、前記処理室をバイパスするようにガスを排気するベントラインとを備えている基板処理装置において、
前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインが接続された部分の内径が、前記処理ガス供給ラインにおける前記ベントラインが接続された部分の内径よりも小さく設定されていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインとの接続部よりも前記ベントライン側および前記処理室側の両方に、前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインが接続された部分の内径よりも内径を大きく設定した部分が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理室と、
処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、
前記処理室と前記処理ガス供給装置とを接続する処理ガス供給ラインと、
この処理ガス供給ラインに接続されパージガスを供給するパージガス供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインとの接続部よりも前記処理ガス供給装置側に一端が接続され、前記排気ラインに他端が接続され、前記処理室をバイパスするようにガスを排気するベントラインとを備えている基板処理装置において、
前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインとの接続部と前記ベントラインとの接続部との間に、前記処理ガス供給ラインにおける前記ベントラインが接続された部分の内径よりも内径の小さい細管部が設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインとの接続部よりも前記ベントライン側と前記処理室側の両方に、前記処理ガス供給ラインにおける前記ベントラインが接続された部分の内径よりも内径の小さい細管部が設けられていることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインとの接続部よりも前記処理室側に設けられた前記細管部よりも前記処理室側と、前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインとの接続部よりも前記ベントライン側に設けられた前記細管部よりもベントライン側の両方に、前記細管部の内径よりも内径の大きい太管部が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理室と、
処理ガスを供給する処理ガス供給装置と、
前記処理室と前記処理ガス供給装置とを接続する処理ガス供給ラインと、
この処理ガス供給ラインに接続されパージガスを供給するパージガス供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインとの接続部よりも前記処理ガス供給装置側に一端が接続され、前記排気ラインに他端が接続され、前記処理室をバイ パスするようにガスを排気するベントラインとを備えている基板処理装置において、
前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインが接続された部分よりも前記ベントライン側および前記処理室側の両方に、前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインが接続された部分の内径よりも内径を大きく設定した部分がそれぞれ設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理ガス供給ラインのうち、少なくとも前記パージガス供給ラインおよび前記ベントラインが接続された部分は、石英によって形成されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理ガス供給ラインのうち、少なくとも前記パージガス供給ラインおよび前記ベントラインが接続された部分は、着脱自在に設けられることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理ガス供給装置は水素ガスと酸素ガスとを燃焼反応させて水蒸気を発生させる外部燃焼装置であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理ガスは水蒸気であり、前記処理は基板に酸化膜を形成する処理であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板を処理室に搬入するステップと、
前記処理室と処理ガス供給装置とを接続する処理ガス供給ラインによって前記処理室に処理ガスを供給しつつ、前記処理室に接続された排気ラインによって前記処理室を排気して前記基板を処理するステップと、
前記処理ガス供給ラインに接続されたパージガス供給ラインによって前記処理ガス供給ラインにパージガスを供給しつつ、前記処理室を通過させて前記排気ラインによって排気するとともに、前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインとの接続部よりも前記処理ガス供給装置側であって前記処理ガス供給ラインにおける前記パージガス供給ラインが接続された部分の内径よりも内径を大きく設定した部分に一端が接続され前記排気ラインに他端が接続されたベントラインからも排気するステップと、
処理後の前記基板を前記処理室から搬出するステップと、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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