JP5356725B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
31 パルス発生器
32 波形設定部
33 入力部
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
91 トリガー電極
92 ガラス管
93 コンデンサ
94 コイル
96 スイッチング素子
97 トリガー回路
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (5)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプ、コンデンサおよびコイルと直列に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子をオンオフすることによって前記フラッシュランプへの通電を制御する通電制御手段と、
を備え、
前記通電制御手段は、前記フラッシュランプからの発光出力が目標値まで増大するように前記スイッチング素子をオン状態とした後、前記フラッシュランプからの発光出力が前記目標値から±20%以内の変動幅の範囲内に維持される安定状態となるように前記スイッチング素子のオンオフを繰り返し、
前記通電制御手段は、前記安定状態のときに所定時間のオン状態とそれに続く前記所定時間よりも短い複数のオン状態との組み合わせを複数回繰り返すように前記スイッチング素子のオンオフを繰り返すことを特徴とする熱処理装置。 - 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプ、コンデンサおよびコイルと直列に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子をオンオフすることによって前記フラッシュランプへの通電を制御する通電制御手段と、
を備え、
前記通電制御手段は、前記フラッシュランプからの発光出力が目標値まで増大するように前記スイッチング素子をオン状態とした後、前記フラッシュランプからの発光出力が前記目標値から±20%以内の変動幅の範囲内に維持される安定状態となるように前記スイッチング素子のオンオフを繰り返し、
前記通電制御手段は、前記安定状態における最初のオン状態の時間よりも最後のオン状態の時間の方が長くなるように前記スイッチング素子のオンオフを繰り返すことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記通電制御手段は、前記安定状態における前記最初のオン状態から前記最後のオン状態に向けて時間が漸次長くなるように前記スイッチング素子のオンオフを繰り返すことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記スイッチング素子はトランジスタであり、
前記通電制御手段は、1以上のパルスを含むパルス信号を発生して前記トランジスタのゲートに出力するパルス信号発生手段を含むことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記トランジスタは絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする熱処理装置。
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