JP2009277759A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光照射の総時間が1秒以下の光照射加熱において、発光出力を目標値LPまで増大させつつ半導体ウェハーWに初期光照射を行った後、その目標値LPから±10%以内の変動幅の範囲内で発光出力を維持しつつ半導体ウェハーWに後続光照射を行う。初期光照射における光照射時間は0.1ミリ秒以上10ミリ秒以下であり、後続光照射における光照射時間は5ミリ秒以上1秒未満である。半導体ウェハーWの表面温度を概ね一定の処理温度T2に維持しつつも、表面よりやや深い位置をもある程度昇温することができるため、半導体ウェハーWに熱的なダメージを与えることなく、注入されたイオンの活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる。
【選択図】図9
Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
31 パルス発生器
32 波形設定部
33 入力部
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
91 トリガー電極
92 ガラス管
93 コンデンサ
94 コイル
96 スイッチング素子
97 トリガー回路
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (14)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
発光出力を目標値まで増大させつつ基板に光照射を行う第1光照射工程と、
前記目標値から±20%以内の変動幅の範囲内で発光出力を維持しつつ基板に光照射を行う第2光照射工程と、
を備え、
前記第1光照射工程での光照射時間と前記第2光照射工程での光照射時間との合計が1秒以下であり、
前記第2光照射工程での光照射時間が5ミリ秒以上1秒未満であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記第1光照射工程での光照射時間は0.1ミリ秒以上10ミリ秒以下であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1または請求項2記載の熱処理方法において、
前記第2光照射工程での基板上の照射エネルギーは5J/cm2以上100J/cm2以下であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項3記載の熱処理方法において、
前記第1光照射工程および前記第2光照射工程での光照射はフラッシュランプによって行い、
前記第2光照射工程にて前記フラッシュランプに流れる電流値は100A以上1500A以下であることを特徴とする熱処理方法。 - 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射する光照射手段と、
前記光照射手段の発光出力を制御する発光制御手段と、
を備え、
前記発光制御手段は、発光出力を目標値まで増大させつつ基板に初期光照射を行った後、前記目標値から±20%以内の変動幅の範囲内で発光出力を維持しつつ基板に後続光照射を行うように前記光照射手段の発光出力を制御し、かつ、前記初期光照射での光照射時間と前記後続光照射での光照射時間との合計が1秒以下となり、前記後続光照射での光照射時間が5ミリ秒以上1秒未満となるように前記光照射手段を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5記載の熱処理装置において、
前記発光制御手段は、前記初期光照射での光照射時間が0.1ミリ秒以上10ミリ秒以下となるように前記光照射手段を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5または請求項6記載の熱処理装置において、
前記発光制御手段は、前記後続光照射での基板上の照射エネルギーを5J/cm2以上100J/cm2以下とすることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項7記載の熱処理装置において、
前記光照射手段はフラッシュランプを備え、
前記発光制御手段は、前記後続光照射にて前記フラッシュランプに流れる電流値を100A以上1500A以下とすることを特徴とする熱処理装置。 - 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプ、コンデンサおよびコイルと直列に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子をオンオフすることによって前記フラッシュランプへの通電を制御する通電制御手段と、
を備え、
前記通電制御手段は、前記フラッシュランプからの発光出力が目標値まで増大するように前記スイッチング素子をオン状態とした後、前記フラッシュランプからの発光出力が前記目標値から±20%以内の変動幅の範囲内に維持される安定状態となるように前記スイッチング素子のオンオフを繰り返すことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項9記載の熱処理装置において、
前記通電制御手段は、前記安定状態のときに所定時間のオン状態とそれに続く前記所定時間よりも短い複数のオン状態との組み合わせを複数回繰り返すように前記スイッチング素子のオンオフを繰り返すことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項9記載の熱処理装置において、
前記通電制御手段は、前記安定状態における最初のオン状態の時間よりも最後のオン状態の時間の方が長くなるように前記スイッチング素子のオンオフを繰り返すことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項11記載の熱処理装置において、
前記通電制御手段は、前記安定状態における前記最初のオン状態から前記最後のオン状態に向けて時間が漸次長くなるように前記スイッチング素子のオンオフを繰り返すことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項9から請求項12のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記スイッチング素子はトランジスタであり、
前記通電制御手段は、1以上のパルスを含むパルス信号を発生して前記トランジスタのゲートに出力するパルス信号発生手段を含むことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項13記載の熱処理装置において、
前記トランジスタは絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする熱処理装置。
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