JP2009508337A - 繰返し可能な熱処理方法および機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2005年9月14日出願の米国特許出願第60/716,488号からの優先権の利益をクレームする。
本発明は、熱処理に関するものであって、より特定すると、工作物を熱処理する方法および装置に関するものである。
熱処理装置の効率は、時間と共に変わることがある。例えば、装置の効率は、構成要素の劣化や汚染や老化により低下したり、構成要素の交換により向上したりすることがある。本発明の実施の形態の第1の態様は、この問題を補償することに関する。
本発明の実施の形態の第4の態様は、工作物の面に入射する放射フラッシュを作る放射装置に適切な形の電気パルスを供給することに関する。
装置の熱効率パラメータの自動監視に応じて放射フラッシュを作るのに用いる制御情報を自動的に更新することにより、この装置は、例えば、劣化や汚染や老化または装置の構成要素の交換などにより装置の効率が時間と共に変わるのを正しく自動的に補償することができる。このように自動調整装置を備えることにより、頻繁に手動で再較正する必要がなくなる。
このようにして放射フラッシュを事前調整することにより、測定加熱パラメータ(加熱面の反射率を含んでよい)の工作物の間の変動を補償するようにフラッシュを事前調整することができる。したがって、工作物の間の熱サイクルの繰返し性は、向上する。更に、かかる方法により、熱特性がまだ決定されていない工作物の熱処理を容易にすることができる。
本発明の別の態様または実施の形態では、熱処理装置を制御してここに述べた方法の任意の1つ以上を実行するよう構成したプロセッサ回路を含む機器を提供する。
本発明の別の態様または実施の形態では、ここに述べた種々の機能の1つまたは全てを実行する手段を含む機器を提供する。
本発明の別の態様または実施の形態では、プロセッサ回路が実行すると、ここに述べた方法の任意の1つ以上を実行するコード手段を備えるコンピュータ・プログラムを提供する。
ここに述べた機能の任意の組合せを実行させるために、かかる機器、媒体、または信号を含む任意の数のかかる実施の形態を提供する。
本発明の他の態様および特徴は、添付の図面と共に本発明の特定の実施の形態に関する以下の説明を見れば、当業者に明らかになる。
この実施の形態では、プロセッサ回路110は、面104の加熱パラメータの測定値に応じて放射フラッシュの加熱効果を予測する。この実施の形態では、プロセッサ回路110は、また予測加熱効果に応じて放射フラッシュの事前調整を行う。
この実施の形態では、装置100は、工作物106を熱処理するのに用いる。この実施の形態では、工作物106は、半導体ウェーハ120を含む。より特定すると、この実施の形態のウェーハ120は、例えば、マイクロプロセッサなどの半導体チップの製造に用いる300mm径のシリコン半導体ウェーハである。この実施の形態では、工作物106の第1の面104は、ウェーハ120の上側、すなわち、素子側122を含む。同様に、この実施の形態の工作物106の第2の面118は、ウェーハ120の裏側、すなわち、基板側124を含む。
この実施の形態では、アーク・ランプ152は、カナダ、バンクーバのマットソン・テクノロジ・カナダ社(Mattson Technology Canada, Inc.)製の500kWの水壁アルゴン・プラズマ・アーク・ランプである。かかるアーク・ランプの例は、共有米国特許第4,700,102号、第4,937,490号および第6,621,199号に開示されており、これらをここに援用する。上に示した米国特許に説明されているように、かかるアーク・ランプは、タングステン・フィラメント・ランプ源に比べて半導体の焼きなまし用として多くの利点を有する。温度を更に高くするには、単一のアーク・ランプ152の代わりに多数のアーク・ランプを用いてよい。または、例えば、フラッシュ・ランプ、タングステン・フィラメント・ランプ源、これらのランプ源のアレイなどの他のタイプの予熱装置を代わりに用いてよい。
図1および図2に関連して、RTPシステム・コンピュータ(RSC)112を図2に詳細に示す。この実施の形態では、RSCは、プロセッサ回路110を含む。これは、この実施の形態ではマイクロプロセッサ210を含む。しかし、より一般に、この明細書では、「プロセッサ回路」という用語は、ここに述べる機能を実行することができる任意のタイプの装置または装置の組合せを広く含むものであって、例えば、他のタイプのマイクロ・プロセッサ、マイクロ・コントローラ、他の集積回路、他のタイプの回路または回路の組合せ、論理ゲートまたはゲート・アレイまたは任意の種類のプログラム可能な装置を、例えば、単独で、または同じ場所でまたは互いに離れた場所にある他の同様の装置と組み合せて含む(制限なしに)。追加のタイプのプロセッサ回路は、この明細書を見れば当業者に明らかであり、任意のかかる他のタイプのプロセッサ回路を代わりに用いることは、本発明の範囲から逸れるものではないと考える。
図1に戻って、一般に放射装置180は、工作物106の面104(この実施の形態ではウェーハ120の素子側122)を照射する。この実施の形態では、放射装置180は、図1に示すフラッシュ・ランプ182,183,185,187および反射装置184を含む。より特定すると、この実施の形態の各フラッシュ・ランプ182は、共有米国特許出願公開第US2005/0179354号およびPCT公開第WO2005/078762号(共にここに援用する)に述べられているものと同様のカナダ、バンクーバのマットソン・テクノロジ・カナダ社製の液体冷却フラッシュ・ランプを含む。これについて、この特定のタイプのフラッシュ・ランプは、従来のフラッシュ・ランプに比べて、例えば、熱処理の一貫性および繰返し性の向上を含む多くの利点を有することが分かっている。または、他のタイプのフラッシュ・ランプを代わりに用いてよい。または別の態様として、例えば、マイクロ波フラッシュまたはマイクロ波パルス発生器などの他のタイプの放射装置をフラッシュ・ランプの代わりに用いてよい。より一般に、望ましくは、他の加熱装置を放射装置180の代わりに用いてよい。
図1および図3に関連して、例示の電力制御回路を図3に全体的に300で示す。この実施の形態では、電源装置188の個々の電源装置189,191,193,195は、それぞれ、各フラッシュ・ランプ182,183,185,187と通信し、300で示す電力制御回路を含む。または、望ましくは、代わりに単一の電力制御回路を単一の共通電源または多重の電源と組み合わせて、また同様に単一のフラッシュ・ランプまたは多重のフラッシュ・ランプと組み合わせて、用いてよい。また別の態様として、他のタイプの電力制御回路を代わりに用いてよい。
この実施の形態では、サイリスタ336およびサイリスタ332の制御ゲートは、共にプロセッサ回路110と通信し、プロセッサ回路110がゲート電圧を与えるまでは、それぞれ非導通状態にある。
図1および図4に関連して、測定装置を図4に全体的に102で示す。この実施の形態では、測定装置102は、広いダイナミック・レンジおよび超高速時間応答を有するよう設計され、共有PCT公開第WO03/060447号に開示されているものと一般に同様の超高速放射計400を含む。この実施の形態の超高速放射計400は、1450nmの狭帯域フィルタ402、光学的スタック404、高速InGaAs PINフォトダイオード406、フォトダイオード406の温度を20ミリケルビン以内に制御する統合熱電クーラ408、増幅器410およびアナログ・デジタル(A/D)変換器412を含む。
望ましくは、超高速放射計400は、熱的に制御され、非常に安定な較正信号および基準信号を作るのに用いることができる内部基準素子450も含むことができる。かかる実施の形態では、かかる較正信号および基準信号に応じて放射計400は、A/D変換器412から受ける16ビットのサンプルを調整するオン・ボード回路も含み、超高速放射計の種々の電子構成要素内で起こる可能性のある予測できないドリフトがあれば動的に補償してよい。
図1および図5に関連して、第2の測定装置を図5に全体的に500で示す。この実施の形態の第2の測定装置500は、工作物106の面104に放射フラッシュが当たる前に面104の加熱パラメータの最初の測定値を得るのに用いる。
この実施の形態では、RSC112のプロセッサ回路110は、第2の測定装置500と、より特定すると、照射源502および検出器504と、光ファイバ網(図示せず)を介して通信する。
この実施の形態では、高速熱処理サイクルの一貫性および繰返し性を高めるために複数の方法を組み合わせて用いる。
第1の方法では、工作物106の面104に入射する放射フラッシュの加熱効果を面104の加熱パラメータの測定に応じて予測する。次に、開始する前に、予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前調整する。したがって、例えば、加熱パラメータは、工作物106の面104の放射率を含んでよく、また見かけが同じ2つの工作物が実際には少し異なる放射率を有する場合は、放射フラッシュのエネルギ出力を事前調整して、2つの工作物の面が吸収する放射フラッシの異なる割合を補償してよい。
或る特定の実施の形態では、これらの全ての方法を組み合わせて用いてよいが、例示の別の実施の形態では、これらの方法の任意の1つを用いて、残りの任意または全ての方法を必ずしも用いなくてよい。これらの方法の全てを組み合せると、誤差は、最小また再現性は最大になる。ただし、これらの方法の1つ以上の部分的な組合せでも、極端な再現性を必要としない応用には十分である。
図1および図2に関連して、この実施の形態の主RTPルーチン221は、プロセッサ回路110に装置100を制御して工作物106に望ましい熱サイクルを行うよう指示する。このため、この実施の形態の主RTPルーチン221は、プロセッサ回路110に望ましい熱サイクルを定義するユーザ指定のパラメータを受けて記憶するよう指示する。このパラメータは、例えば、キーボードなどのユーザ入力装置(図示せず)を用いてユーザが入力してよい。より特定すると、この実施の形態のユーザ指定のパラメータは、特有の工作物タイプ識別子WID、放射フラッシュを開始する直前に工作物106全体を加熱すべき望ましい中間温度TINTおよび工作物106の面104だけを加熱して工作物のバルクは中間温度TINTまたはその近くに実質的に保つときの望ましい温度ジャンプΔTを含む。プロセッサ回路110は、このユーザ指定のパラメータをRTPパラメータ記憶284内に記憶するよう指示される。
主RTPルーチン221は、この調整済みの電気エネルギの値EADJを充電パラメータ記憶278に記憶するようプロセッサ回路110に指示する。望ましければドリフト訂正は省略してよい。
図1、図2および図5に関連して、この実施の形態のプロセッサ回路110は、工作物106の面104に入射する放射フラッシュの加熱効果を面104の加熱パラメータの測定値に応じて予測するようプログラムまたは構成される。プロセッサ回路110は、予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前調整するよう構成される。この実施の形態では、加熱効果は、面104の放射率の測定値および放射フラッシュが面104に伝達するエネルギの量に応じて予測する。
または、上に述べたように、工作物に入射する照射強度を任意の他の適当な方法で測定または予測してよい。
この実施の形態では、放射フラッシュの加熱効果を予測することは、面104が吸収する放射フラッシュのエネルギの量を予測することを含む。より特定すると、この実施の形態の事前調整ルーチン222は、面104の放射率の測定値と放射フラッシュが面104に伝達するエネルギの量とに応じて加熱効果を予測するようプロセッサ回路110を構成する。
プロセッサ回路110は、これらの値Eiをメモリ装置260の吸収エネルギ記憶272に記憶するよう指示される。
この実施の形態では、電源装置188の蓄積電気エネルギは、工作物106についてのエネルギ・インディケータの値ETOTと基準片の前に記憶済みのエネルギ・インディケータの値EREFとの比較に応じて事前調整する。これについては、後でより詳細に説明する。
図1および図2に関連して、この実施の形態では、フラッシュ・フィードバック制御ルーチン224は、測定装置102と協力して、工作物106の面104に入射する放射フラッシュの最初の部分の間面104の温度を測定するようプロセッサ回路110を構成する。フラッシュ・フィードバック制御ルーチン224は、更に放射装置180と協力して、最初の部分の間の温度に応じて放射フラッシュの残りの部分の電力を制御するようプロセッサ回路110を構成する。
この実施の形態では、フラッシュ・フィードバック制御ルーチン224は、次にプロセッサ回路110に測定温度と予想温度とを事実上比較するよう指示する。より特定すると、この実施の形態のプロセッサ回路は、複数の記憶済みの温度測定値の少なくとも1つと予想温度軌跡とを比較するよう指示される。
この実施の形態では、ドリフト制御ルーチン236は、工作物106の面104に入射する放射フラッシュを作る放射装置(この実施の形態では装置100)に関連する少なくとも1つの熱効率パラメータを監視するようプロセッサ回路110に指示する。ドリフト制御ルーチン236は、更に熱効率パラメータの監視に応じて、放射フラッシュを作る放射装置が用いる制御情報を自動的に更新するようプロセッサ回路110に指示する。したがって、装置100の熱効率が時間と共に徐々に変化する場合は、ドリフト制御ルーチン236は、かかる変化を自動的に補償するようにプロセッサ回路を事実上構成する。
Ceff=Ceo*Co
である。ただし、Ceffは、全体効率、Ceoは、放射装置180の電光変換効率、Coは、放射を面104に伝達するときの装置100の光効率である。(この実施の形態では、Ceff=0.44*0.36=0.16である。)
Ceff(N)=Sd(n-1)*N+Od(n-1)
ただし、
Sd(n-1)は、最新の効率劣化傾斜(最初に或る推定値に設定する)、
Nは、ショット回数、すなわち、作られた放射フラッシュの数、
Od(n-1)は、最新の効率オフセットの値(最初に或る推定値に設定する)。
ただし、
ECHMは、上に示した式で計算し、
EADJ_ECは、充電パラメータ記憶278に記憶されている効率調整済みかつ放射率訂正済みの電気エネルギの値であって、事前調整ルーチン222の指示の下にプロセッサ回路が計算したもので、放射フラッシュを作るのに用いるコンデンサ・バンクの充電電圧を決定するのに用いたものであり、
CTEは、工作物106に対応する工作物パラメータ記憶240のレコードから工作物特性化の値STEおよびOTEを計算して記憶したときの装置効率であり、
Fは、前にここで説明したように、フラッシュ・フィードバック制御ルーチン224の指示の下にプロセッサ回路がフラッシュ介入効果レジスタ290に記憶したフラッシュ介入効果インディケータである。
で計算する。
図1、図9、図10に関連して、この実施の形態のプロセッサ回路110は、放射装置180および電源装置188と協力して、図10に1010で示すような電気パルスを工作物106に入射する放射フラッシュを作る放射装置に供給するよう構成される。この実施の形態では、電気パルス1010は、立ち上り時間(t1−t0)より短い立ち下り時間(t3−t1)を有する。
逆に、別の実施の形態では、図3に示す電力増強回路330だけ、または図11に示すその変更した回路を備えてよい。望ましくは、かかる実施の形態では、工作物パラメータ記憶240に記憶されている工作物特性化の値を変更して、放射フラッシュを作るのに用いる電荷が望ましいピーク温度を達成するのにやや不十分であって、電力増強回路330による介入を常に必要とするようにしてよい。
同様に、再び図12に関連して、望ましくは、複数の並列のスイッチ要素を単一のスイッチ要素1204の代わりに用いてよい。
図2に戻って、望ましくは、熱処理のために室130内に現在支持している工作物に関する情報を記憶するための「現在」の領域と、現在室の外で測定していて「現在」の工作物の処理が終わったときに室130内に挿入して処理する工作物に関する情報を記憶する「次」の領域とに処理量を高めるためにメモリ装置260を分割してよい。
Claims (68)
- a) 工作物の面に入射する放射フラッシュを作る放射装置に関連する少なくとも1つの熱効率パラメータを監視する段階と、
b) 熱効率パラメータの監視に応じて、前記放射フラッシュを作る放射装置が用いる制御情報を自動的に更新する段階と、
ことを含む方法。 - 請求項1記載の方法であって、前記監視する段階は放射フラッシュにより起こる工作物の面の実際の温度上昇の測定に応じて少なくとも1つの熱効率パラメータを計算する段階を含む前記方法。
- 請求項1または2記載の方法であって、前記監視する段階は、前記面に到着するフラッシュの放射エネルギのエネルギ密度を監視する段階を含む前記方法。
- 請求項1から3のいずれかに記載の方法であって、前記自動的に更新する段階は、少なくとも1つの記憶済みの効率パラメータを自動的に更新する段階を含む前記方法。
- 請求項1から4のいずれかに記載の方法であって、前記自動的に更新する段階は、放射フラッシュの出力エネルギを自動的に変える段階を含む前記方法。
- 請求項5記載の方法であって、前記自動的に変える段階は、放射フラッシュを作るのに用いる蓄積電荷の量を自動的に変える段階を含む前記方法。
- 請求項1記載の方法であって、さらに、
a) 前記面の加熱パラメータの測定に応じて工作物の面への放射フラッシュの加熱効果を予測する段階と、
b) 予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前調整する段階と、
を含む前記方法。 - a) 工作物の面に入射する放射フラッシュの加熱効果を前記面の加熱パラメータの測定に応じて予測する段階と、
b) 予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前調整する段階と、
c) 工作物の面に入射する事前調整済みの放射フラッシュを生成する段階と、
d) 前記面に入射する放射フラッシュの最初の部分の間の工作物の面の温度を測定する段階と、
e) 前記温度に応じて放射フラッシュの残りの部分の電力を制御する段階と、
を含む方法。 - 請求項7または8記載の方法であって、前記予測する段階は、複数の同様の工作物の各面に入射する同様の放射フラッシュの各加熱効果を各面の各加熱パラメータの各測定に応じて予測する段階を含む前記方法。
- 請求項9記載の方法であって、前記工作物は、見かけ上同じである前記方法。
- 請求項7から10のいずれかに記載の方法であって、前記放射フラッシュの加熱効果を予測する段階は、前記面のピーク温度を予測する段階を含む前記方法。
- 請求項7から10のいずれかに記載の方法であって、前記放射フラッシュの加熱効果を予測する段階は、前記面が吸収する放射フラッシュのエネルギの量を予測する段階を含む前記方法。
- 請求項7から12のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記面の加熱パラメータを測定する段階を含む前記方法。
- 請求項13記載の方法であって、前記加熱パラメータを測定する段階は、前記面の反射率を測定する段階を含む前記方法。
- 請求項13記載の方法であって、前記加熱パラメータを測定する段階は、前記面の放射率を測定する段階を含む前記方法。
- 請求項13から15のいずれかに記載の方法であって、前記測定する段階は、放射フラッシュに対応する波長スペクトル内の加熱パラメータを測定する段階を含む前記方法。
- 請求項16記載の方法であって、前記測定する段階は、前記スペクトルの複数の各波長での加熱パラメータの複数の値を測定する段階を含む前記方法。
- 請求項13から17のいずれかに記載の方法であって、前記加熱パラメータを測定する段階は、加熱パラメータ内の小規模の角変動を補償する段階を含む前記方法。
- 請求項18記載の方法であって、前記補償する段階は、前記面の十分大きな領域にわたって加熱パラメータを測定して小規模の角変動を事実上平均化する段階を含む前記方法。
- 請求項19記載の方法であって、前記面は、半導体ウェーハの素子面を含み、また十分大きな領域にわたって前記加熱パラメータを測定する段階は、少なくとも約1cm幅の領域にわたって加熱パラメータを測定する段階を含む前記方法。
- 請求項20記載の方法であって、前記測定する段階は、少なくとも約2cm幅の領域にわたって加熱パラメータを測定する段階を含む前記方法。
- 請求項18記載の方法であって、前記測定する段階は、光ファイバ・プローブで加熱パラメータを測定する段階を含む前記方法。
- 請求項15記載の方法であって、前記放射率を測定する段階は、放射フラッシュの波長を含む放射スペクトルで前記面を照射する段階を含む前記方法。
- 請求項23記載の方法であって、前記照射する段階は、放射フラッシュの放射源以外の照射源が作る放射スペクトルで前記面を照射する段階を含む前記方法。
- 請求項24記載の方法であって、さらに、前記照射源は、放射フラッシュの放射源の放射スペクトルをシミュレートするよう構成されたフィルタを含む前記方法。
- 請求項23から25のいずれかに記載の方法であって、前記事前調整する段階は、第1の工作物の第1の面に入射する将来の放射フラッシュを第2の工作物の同様の面に現在の放射フラッシュを入射させるのと同時に事前調整する段階を含む前記方法。
- 請求項7から13のいずれかに記載の方法であって、前記加熱効果を予測する段階は、前記面の放射率の測定値および放射フラッシュが前記面に伝達するエネルギの量に応じて加熱効果を予測する段階を含む前記方法。
- 請求項17記載の方法であって、前記加熱効果を予測する段階は、前記スペクトルの複数の各波長での加熱パラメータの複数の値と、前記フラッシュが前記面に伝達する各波長での放射の各量を表す複数の放射の値とを畳み込む段階を更に含む前記方法。
- 請求項28記載の方法であって、前記畳み込む段階は、複数の各波長での前記面の複数の吸収率の値と、前記フラッシュが前記面に伝達する各波長での放射エネルギの各量を表す複数の放射エネルギの値とを畳み込む段階を含む前記方法。
- 請求項29記載の方法であって、さらに、前記加熱効果を予測する段階は、畳み込みから得られる複数の吸収エネルギの値を合計する段階を含む前記方法。
- 請求項7から30のいずれかに記載の方法であって、前記事前調整する段階は、放射フラッシュを生成するのに用いる蓄積電気エネルギの量を事前調整する段階を含む前記方法。
- 請求項31記載の方法であって、前記蓄積電気エネルギは、コンデンサ・バンクに蓄積された電荷を含む前記方法。
- 請求項1から6のいずれかに記載の方法であって、さらに、
a) 工作物の面に入射する放射フラッシュを生成する段階と、
b) 前記面に入射する放射フラッシュの最初の部分の間の工作物の面の温度を測定する段階と、
c) 前記温度に応じて放射フラッシュの残りの部分の電力を制御する段階と、
を含む前記方法。 - 請求項8から33のいずれかに記載の方法であって、前記放射フラッシュは、工作物の熱伝導時間より短い継続時間を有する前記方法。
- 請求項8から33のいずれか一項記載の方法であって、前記放射フラッシュは、エネルギを前記面に少なくとも約1MWの速度で伝達する前記方法。
- 請求項8から33のいずれかに記載の方法であって、前記最初の部分は、約1msより短い継続時間を有する前記方法。
- 請求項8から33のいずれかに記載の方法であって、前記最初の部分は、約1/2msより短い継続時間を有する前記方法。
- 請求項8から33のいずれかに記載の方法であって、前記測定する段階は、放射フラッシュの最初の部分の間の複数の各時刻に前記面の温度の複数の測定値を得ることを含む前記方法。
- 請求項8から33のいずれかに記載の方法であって、前記測定する段階は、前記温度を高速放射計で測定することを含む前記方法。
- 請求項39記載の方法であって、前記放射計は、InGaAsフォトダイオードを含む前記方法。
- 請求項8から33のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記温度と予想温度とを比較することを含む前記方法。
- 請求項38記載の方法であって、さらに、複数の温度測定値の少なくとも1つと予想温度軌跡とを比較することを含む前記方法。
- 請求項8から33のいずれかに記載の方法であって、前記制御する段階は、放射フラッシュの残りの部分を変更して前記面のピーク温度を下げることを含む前記方法。
- 請求項43記載の方法であって、前記変更する段階は、放射フラッシュの残りの部分のエネルギ出力を減らすことを含む前記方法。
- 請求項44記載の方法であって、前記減らす段階は、放射フラッシュの放射源および放射源の電源と通信するグローバ回路を点火することを含む前記方法。
- 請求項44記載の方法であって、前記減らす段階は、フラッシュ・ランプまたはコンデンサ・バンクに並列に接続するグローバ回路を点火することを含む前記方法。
- 請求項8から33のいずれかに記載の方法であって、前記制御する段階は、放射フラッシュの残りの部分を変更して前記面のピーク温度を上げることを含む前記方法。
- 請求項47記載の方法であって、前記制御する段階は、放射フラッシュの残りの部分のピーク電力出力を増やすことを含む前記方法。
- 請求項48記載の方法であって、前記増やす段階は、放射フラッシュの放射源および放射源の電源と通信する誘導グローバー回路を点火することを含む前記方法。
- 請求項48記載の方法であって、前記放射フラッシュは、放電電流により電力を供給されたアーク・ランプが作り、放電電流は、第1のインダクタンスを有する第1の電気路を通して流れて放射フラッシュの最初の部分を作り、また前記増やす段階は、第1のインダクタンスより小さな第2のインダクタンスを有する第2の電気路を通して放電電流を流すことを含む前記方法。
- 請求項50記載の方法であって、前記増やす段階は、アーク・ランプを通してコンデンサを放電することを更に含む前記方法。
- 請求項1から51のいずれか一項記載の方法であって、さらに、前記工作物に入射する放射フラッシュを作る放射装置に電気パルスを供給する段階を含み、前記パルスの立ち下り時間は、パルスの立ち上がり時間より短い前記方法。
- 請求項52記載の方法であって、前記パルスは、のこぎり歯形パルスを含む前記方法。
- 請求項52または53記載の方法であって、前記供給する段階は、パルスを立ち上がり時間から立ち下り時間に急に移行させることを含む前記方法。
- 請求項54記載の方法であって、前記移行させる段階は、クローバ回路を点火してパルスを立ち上がり時間から立ち下り時間に移行させることを含む前記方法。
- 請求項54または55記載の方法であって、前記移行させる段階は、放射装置の両端を短絡してパルスを立ち上がり時間から立ち下り時間に移行させることを含む前記方法。
- 工作物の面に入射する放射フラッシュを作る放射装置に関連する少なくとも1つの熱効率パラメータを監視する手段と、
熱効率パラメータの監視に応じて放射フラッシュを作る放射装置が用いる制御情報を自動的に更新する手段と、
を含む機器。 - 請求項57記載の機器であって、さらに、
前記工作物の面に入射する放射フラッシュの加熱効果を前記面の加熱パラメータの測定値に応じて予測する手段と、
予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前調整する手段と、
を含む前記機器。 - 請求項57または58記載の機器であって、さらに、
前記工作物の面に入射する放射フラッシュを生成する手段と、
前記面に入射する放射フラッシュの最初の部分の間に工作物の面の温度を測定する手段と、
前記温度に応じて放射フラッシュの残りの部分の電力を制御する手段と、
を含む前記機器。 - 請求項57から59のいずれかに記載の機器であって、さらに、
前記工作物に入射する放射フラッシュを作る放射装置に電気パルスを供給する手段を含み、前記パルスの立ち下り時間は、パルスの立ち上がり時間より短い前記機器。 - a) 前記工作物の面に入射する前記放射フラッシュを作る放射装置に関連する少なくとも1つの熱効率パラメータを監視する測定装置と、
b) 前記測定装置と通信するプロセッサ回路であって、前記熱効率パラメータの監視に応じて、前記放射フラッシュを作る放射装置が用いる制御情報を自動的に更新するプロセッサ回路と、
を備える機器。 - 請求項61記載の機器であって、前記工作物の面に入射する放射フラッシュを作る放射装置を更に含み、前記プロセッサ回路は、放射装置と通信し、前記プロセッサ回路は、
1) 前記面の加熱パラメータの測定値に応じて放射フラッシュの加熱効果を予測し、
2) 予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前調整する、
よう構成される前記機器。 - 請求項61または62記載の機器であって、
前記測定装置は、前記面に入射する放射フラッシュの最初の部分の間の工作物の面の温度を測定し、前記プロセッサ回路は、測定装置および放射装置と通信し、前記プロセッサ回路は、前記温度に応じて放射フラッシュの残りの部分の電力を制御する前記機器。 - 請求項61から63のいずれかに記載の方法であって、前記機器は、工作物の面に入射する放射フラッシュを作る放射装置に電気パルスを供給する電気パルス供給装置を備え、前記パルスの立ち下がり時間は前記パルスの立ち上がり時間より短い前記機器。
- 熱処理装置を制御して請求項1から56のいずれかに記載の方法を実行するプロセッサ回路を含む機器。
- 熱処理装置を制御して請求項1から56のいずれかに記載の方法を実行するようプロセッサ回路に指示する命令コードを記憶するコンピュータ読取り可能な媒体。
- プロセッサ回路が実行すると請求項1から56のいずれかに記載の方法を実行するコード手段を備えるコンピュータ・プログラム。
- 媒体内で実現される信号であって、熱処理装置を制御して請求項1から56のいずれかに記載の方法を実行するようプロセッサ回路に指示するコード・セグメントを備える信号。
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