JP2010238803A - 熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 86
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 87
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】フラッシュランプからチャンバー内部に照射された光は石英プローブ18に入射して光ファイバー17によってフォトダイオード21に導かれる。フォトダイオード21は、入射光の強度に応じた光電流を発生させる。その電流は電流電圧変換回路22によって電圧信号に変換される。電流電圧変換回路22から出力された電圧信号は、増幅回路23によって増幅された後、高速A/Dコンバータ24によってデジタル信号に変換される。ワンチップマイコン25は、高速A/Dコンバータ24から出力されたデジタル信号のレベルを一定の間隔で所定時間サンプリングを繰り返して、そのサンプリングしたデータを順次メモリに記憶することにより、照射光の強度の時間波形を取得する。
【選択図】図7
Description
<1−1.全体概略構成>
まず、本発明に係る熱処理装置の全体概略構成について説明する。図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。熱処理装置1は基板として略円形の半導体ウェハーWに光を照射してその半導体ウェハーWを加熱するランプアニール装置である。
図6は、フラッシュランプFLの駆動回路を示す図である。同図に示すように、コンデンサ93と、コイル94と、フラッシュランプFLと、スイッチング素子96とが直列に接続されている。また、図6に示すように、メインコントローラ3は、パルス発生器31およびパルス設定部32を備えるとともに、入力部33に接続されている。入力部33としては、キーボード、マウス、タッチパネル等の種々の公知の入力機器を採用することができる。入力部33からの入力内容に基づいてパルス設定部32がパルス信号の波形を設定し、その波形に従ってパルス発生器31がパルス信号を発生する。
図1、図5に示すように、本実施形態の熱処理装置1は、石英プローブ18および波形計測部20を備える。石英プローブ18は、石英製の導光ロッドであり、チャンバー底部62に立設されている。図5に示すように、石英プローブ18の先端の高さ位置は処理位置に保持される半導体ウェハーWの高さ位置と同じであることが好ましい。また、石英プローブ18の基端はチャンバー底部62を貫通してチャンバー6の外部に面している。
<2−1.熱処理装置における処理手順全体の概要>
次に、上記の構成を有する熱処理装置1の動作について説明する。図8は、熱処理装置1における処理手順全体の概要を示すフローチャートである。
次に、図8のステップS3の光照射熱処理について説明する。まず、保持部7が図5に示す処理位置から図1に示す受渡位置に下降する。「処理位置」とは、フラッシュランプFLから半導体ウェハーWに光照射が行われるときの保持部7の位置であり、図5に示す保持部7のチャンバー6内における位置である。また、「受渡位置」とは、チャンバー6に半導体ウェハーWの搬出入が行われるときの保持部7の位置であり、図1に示す保持部7のチャンバー6内における位置である。熱処理装置1における保持部7の基準位置は処理位置であり、処理前にあっては保持部7は処理位置に位置しており、これが処理開始に際して受渡位置に下降するのである。図1に示すように、保持部7が受渡位置にまで下降するとチャンバー底部62に近接し、支持ピン70の先端が保持部7を貫通して保持部7の上方に突出する。
次に、図8のステップS1の基準波形の取得およびステップS4の処理波形の取得について説明する。ステップS1およびステップS4の波形取得は、いずれも石英プローブ18および波形計測部20によって実行されるものであり、両ステップでの処理内容自体は同じである。
次に、図8のステップS6の処理異常検出処理について説明する。ステップS6に進むまでの時点で、メインコントローラ3の波形記憶部35には基準波形と処理波形とが格納されており、異常検出部37がこれらを比較することによって処理異常検出処理は行われる。
本実施形態においては、応答時間が極めて短いフォトダイオード21によって照射時間の短いフラッシュランプFLからチャンバー6の内部に照射された光の強度変化を確実に検出し、それをワンチップマイコン25によって光の強度の時間波形として取得している。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、熱処理装置1の構成は図17〜図19に示すようなものであっても良い。上記実施形態では石英プローブ18と波形計測部20とを光ファイバー17を介して接続していたが、図17に示す例おいては石英プローブ18と波形計測部20とを直接接続している。図17のように構成しても、上記実施形態と同様の処理を行うことができる。
3 メインコントローラ
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
17 光ファイバー
18 石英プローブ
19 石英窓
20 波形計測部
21 フォトダイオード
22 電流電圧変換回路
23 増幅回路
24 高速A/Dコンバータ
25 ワンチップマイコン
35 波形記憶部
37 異常検出部
60 上部開口
61 チャンバー窓
62 チャンバー底部
63 チャンバー側部
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
96 スイッチング素子
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (7)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板に光照射を行う光照射部と、
前記光照射部から前記チャンバーの内部に照射された光が入射する入射部と、
前記入射部に入射した光の強度の時間波形を計測する波形計測部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記入射部は前記チャンバーの内部に設置された石英のプローブを備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記入射部は前記チャンバーの壁面に設置された石英窓を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記波形計測部はフォトダイオードを備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記波形計測部は、
前記フォトダイオードにて発生した電流を電圧に変換する電流電圧変換回路と、
前記電流電圧変換回路から出力された電圧を増幅する増幅回路と、
前記増幅回路によって増幅された電圧をデジタル信号に変換するA/D変換器と、
前記A/D変換器から出力されたデジタル信号を所定間隔でサンプリングして時間波形を取得する波形取得部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5記載の熱処理装置において、
前記波形取得部によって取得された光の強度の時間波形を処理対象となる基板毎に蓄積する波形記憶部をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記光照射部は発光時間が1秒以下のフラッシュランプを備えることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009083282A JP5562571B2 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009083282A JP5562571B2 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010238803A true JP2010238803A (ja) | 2010-10-21 |
JP5562571B2 JP5562571B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=43092893
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009083282A Active JP5562571B2 (ja) | 2009-03-30 | 2009-03-30 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5562571B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102481474B1 (ko) | 2018-01-10 | 2022-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 레이저 본딩 장치, 반도체 장치들의 본딩 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
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-
2009
- 2009-03-30 JP JP2009083282A patent/JP5562571B2/ja active Active
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JP2009049140A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5562571B2 (ja) | 2014-07-30 |
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A977 | Report on retrieval |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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