JP2009099758A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】予備加熱温度T1に予備加熱されている半導体ウェハーに時刻Aにてフラッシュランプから光照射を行う。フラッシュランプの発光によって半導体ウェハーの表面温度を回復温度T2に時間t2(10ミリ秒〜100ミリ秒)維持し、シリコン結晶中に導入された欠陥の回復を実行する。続いて、フラッシュランプからの閃光照射によって半導体ウェハーの表面温度を処理温度T3にまで到達させ、不純物の活性化を実行する。また、一旦半導体ウェハーの表面温度を回復温度T2にまで昇温してから閃光照射によって処理温度T3にまで昇温することにより、半導体ウェハーWの割れをも防止することができる。
【選択図】図7
Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
31 パルス発生器
32 波形設定部
33 入力部
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
91 トリガー電極
92 ガラス管
93 コンデンサ
94 コイル
96 スイッチング素子
97 トリガー回路
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (5)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射するフラッシュランプと、
1以上のパルスを含むパルス信号を発生するパルス信号発生手段と、
前記パルス信号発生手段が発生するパルス信号の波形を設定する波形設定手段と、
を備え、
コンデンサと、コイルと、前記フラッシュランプと、スイッチング素子とを直列に接続し、
前記フラッシュランプを発光させる際に、前記パルス信号発生手段が前記スイッチング素子にパルス信号を出力することによって前記スイッチング素子の駆動を制御し、
前記波形設定手段は、前記フラッシュランプの発光によって前記基板保持手段に保持された基板の表面温度が回復が生じる第1の温度域に所定時間維持された後、前記フラッシュランプからの閃光照射によって前記基板の表面温度が前記第1の温度域よりも高温で活性化が生じる第2の温度に到達する波形を設定することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記基板の表面温度は前記第1の温度域に10ミリ秒〜100ミリ秒維持されることを特徴とする熱処理装置。 - フラッシュランプから基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
1以上のパルスを含むパルス信号の波形を設定する波形設定工程と、
コンデンサ、コイルおよびフラッシュランプに直列に接続されたスイッチング素子に前記パルス信号を出力して前記スイッチング素子の駆動を制御し、前記フラッシュランプを発光させる発光工程と、
を備え、
前記波形設定工程は、前記フラッシュランプの発光によって基板の表面温度が回復が生じる第1の温度域に所定時間維持された後、前記フラッシュランプからの閃光照射によって前記基板の表面温度が前記第1の温度域よりも高温で活性化が生じる第2の温度に到達する波形を設定することを特徴とする熱処理方法。 - フラッシュランプから基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュランプを発光させることによって、基板の表面温度を回復が生じる第1の温度域に所定時間維持する第1加熱工程と、
前記第1加熱工程の後、前記フラッシュランプから基板に閃光を照射することによって、前記基板の表面温度を前記第1の温度域よりも高温で活性化が生じる第2の温度に到達させる第2加熱工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項3または請求項4に記載の熱処理方法において、
前記基板の表面温度は前記第1の温度域に10ミリ秒〜100ミリ秒維持されることを特徴とする熱処理方法。
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