JP5847905B2 - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 105
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 103
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 11
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 11
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
31 パルス発生器
32 波形設定部
33 入力部
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
91 トリガー電極
92 ガラス管
93 コンデンサ
94 コイル
96 スイッチング素子
97 トリガー回路
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (6)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
発光出力を目標値まで増大させつつ基板に光照射を行う第1光照射工程と、
前記目標値から±20%以内の変動幅の範囲内で発光出力を維持しつつ基板に光照射を行う第2光照射工程と、
を備え、
前記第1光照射工程での光照射時間が0.1ミリ秒以上10ミリ秒以下、前記第2光照射工程での光照射時間が5ミリ秒以上1秒未満であり、
前記第1光照射工程での光照射時間と前記第2光照射工程での光照射時間との合計が1秒以下であり、
前記第1光照射工程および前記第2光照射工程の光照射によって前記基板の表面温度を1000℃〜1300℃の処理温度に昇温して当該処理温度に10ミリ秒以上維持することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記第2光照射工程での基板上の照射エネルギーは5J/cm2以上100J/cm2以下であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項2記載の熱処理方法において、
前記第1光照射工程および前記第2光照射工程での光照射はフラッシュランプによって行い、
前記第2光照射工程にて前記フラッシュランプに流れる電流値は100A以上1500A以下であることを特徴とする熱処理方法。 - 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射する光照射手段と、
前記光照射手段の発光出力を制御する発光制御手段と、
を備え、
前記発光制御手段は、発光出力を目標値まで増大させつつ基板に初期光照射を行った後、前記目標値から±20%以内の変動幅の範囲内で発光出力を維持しつつ基板に後続光照射を行うように前記光照射手段の発光出力を制御し、かつ、前記初期光照射での光照射時間が0.1ミリ秒以上10ミリ秒以下で前記後続光照射での光照射時間が5ミリ秒以上1秒未満となり、前記初期光照射での光照射時間と前記後続光照射での光照射時間との合計が1秒以下となるように前記光照射手段を制御して前記初期光照射および前記後続光照射により前記基板の表面温度を1000℃〜1300℃の処理温度に昇温して当該処理温度に10ミリ秒以上維持することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記発光制御手段は、前記後続光照射での基板上の照射エネルギーを5J/cm2以上100J/cm2以下とすることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5記載の熱処理装置において、
前記光照射手段はフラッシュランプを備え、
前記発光制御手段は、前記後続光照射にて前記フラッシュランプに流れる電流値を100A以上1500A以下とすることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014199874A JP5847905B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014199874A JP5847905B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013116674A Division JP5627736B2 (ja) | 2013-06-03 | 2013-06-03 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015026854A JP2015026854A (ja) | 2015-02-05 |
JP5847905B2 true JP5847905B2 (ja) | 2016-01-27 |
Family
ID=52491222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014199874A Active JP5847905B2 (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5847905B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI313059B (ja) * | 2000-12-08 | 2009-08-01 | Sony Corporatio | |
JP4092541B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP4272418B2 (ja) * | 2002-12-16 | 2009-06-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
CN101288035B (zh) * | 2005-09-14 | 2013-06-19 | 马特森技术有限公司 | 可重复热处理的方法和设备 |
CN101702950B (zh) * | 2007-05-01 | 2012-05-30 | 加拿大马特森技术有限公司 | 辐照脉冲热处理方法和设备 |
-
2014
- 2014-09-30 JP JP2014199874A patent/JP5847905B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015026854A (ja) | 2015-02-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151022 |
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