JP6058733B2 - 熱処理方法 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 106
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 105
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 18
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 17
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Images
Description
まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す側断面図である。熱処理装置1は基板として略円形の半導体ウェハーWに閃光(フラッシュ光)を照射してその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置の全体構成は概ね図1,5に示した第1実施形態の装置構成と同じであり、また第2実施形態の熱処理装置における半導体ウェハーWの処理手順についても第1実施形態と同一である。第2実施形態の熱処理装置が第1実施形態と相違するのは、フラッシュランプFLの配置態様である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の熱処理装置の全体構成も概ね図1,5に示した第1実施形態の装置構成と同じであり、また第3実施形態の熱処理装置における半導体ウェハーWの処理手順についても第1実施形態と同一である。第3実施形態の熱処理装置が第1実施形態と相違するのは、フラッシュランプFLの形状および配置態様である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、フラッシュランプFL1の発光開始タイミングとフラッシュランプFL2の発光開始タイミングとを同時としていたが、これをずらすようにしても良い。図13は、パルス幅の短いフラッシュランプFL1の発光開始タイミングをパルス幅の長いフラッシュランプFL2よりも早くしたときの半導体ウェハーW表面における光強度の推移を示す図である。具体的には、制御部3がトリガー制御回路38を制御してフラッシュランプFL1に接続されたショートパルス回路SPのトリガースイッチSWをON状態とした後にフラッシュランプFL2に接続されたロングパルス回路LPのトリガースイッチSWをON状態とする。
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
52 リフレクタ
53 ランプ光放射窓
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
FL,FL1,FL2 フラッシュランプ
LP ロングパルス回路
SP ショートパルス回路
W 半導体ウェハー
Claims (3)
- 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
前記基板にフラッシュ光を照射して前記基板の表面温度を所定値以上の処理温度にまで昇温する昇温工程と、
前記昇温工程の後、フラッシュ光照射の保温効果によって前記基板の表面温度を前記処理温度に所定時間以上維持する保温工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記昇温工程は、第1のピーク強度を有するフラッシュ光の照射によって行われ、
前記保温工程は、前記第1のピーク強度よりも弱い第2のピーク強度を有するフラッシュ光の照射によって行われることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記所定値は、前記基板に注入されたイオンが活性化される温度であることを特徴とする熱処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015094091A JP6058733B2 (ja) | 2015-05-01 | 2015-05-01 | 熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015094091A JP6058733B2 (ja) | 2015-05-01 | 2015-05-01 | 熱処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011243238A Division JP6062145B2 (ja) | 2011-11-07 | 2011-11-07 | 熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015159326A JP2015159326A (ja) | 2015-09-03 |
JP6058733B2 true JP6058733B2 (ja) | 2017-01-11 |
Family
ID=54183061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015094091A Active JP6058733B2 (ja) | 2015-05-01 | 2015-05-01 | 熱処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6058733B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4092541B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP4171399B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2008-10-22 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ照射装置 |
JP2005167005A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 半導体基板の熱処理方法、半導体装置の製造方法、及び熱処理装置 |
JP2006278532A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | 熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2006351871A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Toshiba Corp | 熱処理装置、熱処理方法および半導体装置の製造方法 |
JP4825459B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 |
JP5186764B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2013-04-24 | ウシオ電機株式会社 | 閃光放射装置 |
-
2015
- 2015-05-01 JP JP2015094091A patent/JP6058733B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015159326A (ja) | 2015-09-03 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160330 |
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