JP2005079336A - 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 大面積の被処理基板の全領域に対し、所望の温度分布を得ることが可能で、低コストの熱処理装置及び熱処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板1を収納する処理室2と、一定方向に同一ピッチで配置(配列)され、紫外光をそれぞれ被処理基板1に照射する複数の棒状ランプQi(i=1〜n)と、棒状ランプQiの紫外光を被処理基板1を介してそれぞれ受光する検出器Dij(i=1〜n;j=1〜m)と、光強度の分布に基づいて、光強度の電圧値を電源電圧にフィードバックし、棒状ランプQiの出力をそれぞれ独立且つ同時に制御する制御回路部4とを備える。
【選択図】 図1
【解決手段】 被処理基板1を収納する処理室2と、一定方向に同一ピッチで配置(配列)され、紫外光をそれぞれ被処理基板1に照射する複数の棒状ランプQi(i=1〜n)と、棒状ランプQiの紫外光を被処理基板1を介してそれぞれ受光する検出器Dij(i=1〜n;j=1〜m)と、光強度の分布に基づいて、光強度の電圧値を電源電圧にフィードバックし、棒状ランプQiの出力をそれぞれ独立且つ同時に制御する制御回路部4とを備える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、熱処理装置に係り、特に、ランプ加熱方式の熱処理装置、熱処理方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
液晶表示装置(LCD)等に用いられる多結晶シリコン薄膜トランジスタ(TFT)の製造工程においては、アモルファスシリコン(a−Si)をガラス基板上に成膜し、エキシマレーザを照射してa−Siを多結晶化するエキシマレーザアニール(ELA)法が知られている。
ELA法においては、長軸方向数百mm、短軸方向数百μmの線状に整形されたレーザ光を、繰り返し周波数300Hz程度で、基板上にスキャン照射している。基板サイズと照射時のオーバラップを一定とすると、a−Siの多結晶化の処理時間はレーザの出力と繰り返し周波数に依存する。例えば550×650mmのガラス基板に対し、長軸275mm、短軸0.4mmの整形ビームを用いてオーバラップ率10%(重畳回数10ショット)で照射した場合は、基板全体を照射するために32000ショット程度が必要で、照射に要する時間は110s程度となる。
近年、a−Siを多結晶化する手段として、複数本の棒状ランプを用いたランプアニール装置が提案されている(例えば、特許文献1、2参照。)
特開2001−24476号公報
特開2000−30594号公報
しかしながら、従来、数本以上の棒状ランプを同時に点灯し、全面を一括で照射する熱処理装置及び熱処理方法における温度の制御技術は、未開発である。
特に、複数本の棒状ランプを同時に点灯し、光強度分布を大面積のガラス基板対して、均一に照射し、一様な温度分布を得る熱処理装置及び熱処理方法が待望されている。
上記問題点を鑑み、本発明は、大面積の被処理基板の全領域に対し、所望の温度分布を得ることが可能で、且つ,低コストの熱処理装置及び熱処理方法を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、大面積で面内均一性が高く、高品位の半導体薄膜を低コスト且つ短時間で実現できる半導体装置の製造方法を提供することである。
上記の目的を達するために、本発明の第1の特徴は、(イ)紫外線透過性特性の良好な窓部を備え、被処理基板を収納する処理室;(ロ)処理室外において一定方向に同一ピッチで配置され、被処理基板を窓部を介して、紫外線を含む発光スペクトルの光で加熱する複数本の棒状ランプ;(ハ)複数本の棒状ランプの光を、それぞれ独立に、被処理基板を介して受光するように、複数本の棒状ランプの配列に対向して配置された複数の検出器;(ニ)複数の検出器によって測定される光強度の分布に基づいて、複数本の棒状ランプの出力をそれぞれ独立に同時に制御する制御回路部とを備える熱処理装置であることを要旨とする。
本発明の第2の特徴は、以下の各ステップを含む熱処理方法であることを要旨とする:
(イ)被処理基板を処理室の内部に載置するステップ;
(ロ)処理室の一部に設けられた紫外線透過性特性の良好な窓部を介して、処理室外に一定方向に同一ピッチで配置された複数本の棒状ランプから、紫外線を含む発光スペクトルの光を導入し、被処理基板を加熱するステップ;
(ハ)複数本の棒状ランプの光のそれぞれの光強度を、被処理基板を介して、独立に測定するステップ;
(ニ)測定された光強度に基づいて、複数本の棒状ランプの出力をそれぞれ独立に制御するステップ。
(イ)被処理基板を処理室の内部に載置するステップ;
(ロ)処理室の一部に設けられた紫外線透過性特性の良好な窓部を介して、処理室外に一定方向に同一ピッチで配置された複数本の棒状ランプから、紫外線を含む発光スペクトルの光を導入し、被処理基板を加熱するステップ;
(ハ)複数本の棒状ランプの光のそれぞれの光強度を、被処理基板を介して、独立に測定するステップ;
(ニ)測定された光強度に基づいて、複数本の棒状ランプの出力をそれぞれ独立に制御するステップ。
本発明の第3の特徴は、以下の各ステップを含み、半導体薄膜の少なくとも一部を処理、若しくは半導体薄膜の表面に新たな膜を形成する半導体装置の製造方法であることを要旨とする:
(イ)少なくとも表面に半導体薄膜が形成された被処理基板を設置するステップと
(ロ)被処理基板に形成された半導体薄膜と対向する位置に一定方向に同一ピッチで配置された複数本の棒状ランプから、半導体薄膜に対して紫外線を含む発光スペクトルの光を導入し、被処理基板を加熱するステップ;
(ハ)複数本の棒状ランプの光のそれぞれの光強度を、被処理基板を介して、独立に測定するステップ;
(ニ)測定された光強度に基づいて、複数本の棒状ランプの出力をそれぞれ独立に制御するステップ。
(イ)少なくとも表面に半導体薄膜が形成された被処理基板を設置するステップと
(ロ)被処理基板に形成された半導体薄膜と対向する位置に一定方向に同一ピッチで配置された複数本の棒状ランプから、半導体薄膜に対して紫外線を含む発光スペクトルの光を導入し、被処理基板を加熱するステップ;
(ハ)複数本の棒状ランプの光のそれぞれの光強度を、被処理基板を介して、独立に測定するステップ;
(ニ)測定された光強度に基づいて、複数本の棒状ランプの出力をそれぞれ独立に制御するステップ。
本発明によれば,大面積の被処理基板の全領域に対し、所望の温度分布を得ることが可能で、且つ,低コストの熱処理装置及び熱処理方法を提供することができる。
本発明によれば,大面積で面内均一性が高く、高品位の半導体薄膜を低コスト且つ短時間で実現できる半導体装置の製造方法を提供することができる。
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
〈熱処理装置〉
本発明の実施の形態に係る熱処理装置は、図1に示すように、被処理基板1を収納する処理室2と、処理室2の上方において、一定方向に同一ピッチで配置(配列)された複数の棒状ランプQi(i=1〜n、nは2以上の整数。)と、それぞれの棒状ランプQiの中心軸の位置を複数の棒状ランプQiの配列面に垂直方向に平行投影した位置に配置された複数の検出器Dij(i=1〜n,j=1〜m;n,mは2以上の整数。)と、複数の検出器Dijによって測定される光強度の分布に基づいて、複数の棒状ランプQiの出力をそれぞれ制御する制御回路部4とを備える。複数の棒状ランプQiは、図1に示すように、処理室2の上方に、互いに平行に、且つ離間して配置されている。制御回路部4は、複数の棒状ランプQi及び複数の検出器Dijに接続される。
本発明の実施の形態に係る熱処理装置は、図1に示すように、被処理基板1を収納する処理室2と、処理室2の上方において、一定方向に同一ピッチで配置(配列)された複数の棒状ランプQi(i=1〜n、nは2以上の整数。)と、それぞれの棒状ランプQiの中心軸の位置を複数の棒状ランプQiの配列面に垂直方向に平行投影した位置に配置された複数の検出器Dij(i=1〜n,j=1〜m;n,mは2以上の整数。)と、複数の検出器Dijによって測定される光強度の分布に基づいて、複数の棒状ランプQiの出力をそれぞれ制御する制御回路部4とを備える。複数の棒状ランプQiは、図1に示すように、処理室2の上方に、互いに平行に、且つ離間して配置されている。制御回路部4は、複数の棒状ランプQi及び複数の検出器Dijに接続される。
複数の検出器Dijは、それぞれの棒状ランプQ1,Q2,・・・・・,Qnの中心軸を平行投影した位置に沿って複数個配置され、全体としてマトリクスを構成している。例えば、図2に示すように、棒状ランプQ1の中心軸に沿って、検出器D11,D12,・・・・・,D1mが複数個、1次元配列され、棒状ランプQ2の中心軸に沿って、検出器D21,D22,・・・・・,D2mが複数個、1次元配列されている。更に、棒状ランプQnの中心軸に沿って、検出器Dn1,Dn2,・・・・・,Dnmが複数個、1次元配列されている。
処理室2は、ガス導入ポート22と、ガス排気ポート23と、紫外線透過特性の良好な窓24とを有している。窓24が本発明の「紫外線透過特性の良好な窓部」に対応するが、図11を用いて後述するように、処理室2自体を紫外線透過特性の良好な材料で構成して、その一部に「紫外線透過特性の良好な窓部」の機能を持たせても良いことは勿論である。
ガス導入ポート22は、処理室2の内部に処理用ガスが、導入可能なように、例えば、処理室2の左側面に配置されている。処理用ガスとしては、例えば、窒素(N2)ガス、アルゴン(Ar)ガス、ヘリウム(He)ガス等の不活性ガス、或いはこれらの不活性ガスのいずれかと酸素(O2)との混合ガス等が使用可能である。但し、処理室2でなされる処理の内容に応じて、水素(H2)ガスや四塩化珪素(SiCl4)、トリクロルシラン(SiHCl3)、ジクロルシラン(SiH2Cl2)、有機金属の化合物のガス等、種々のガスが処理用ガスとして採用可能である。ガス排気ポート23は、ガス導入ポートが配置された左側面に対向する右側面に配置されている。処理室2内の処理用ガスの流量と分圧の制御は、ガス導入ポート22及びガス排気ポート23に設けられるバルブ(図示省略)により調整可能である。又、ガス流量を調整するために、ガス導入ポート22側のみにマスフローコントローラ等の流量調整バルブを設けても良い。窓24は、処理室2の上面に配置されるが、紫外線透過特性の良好な材料として、石英ガラスやサファイアガラス等が使用可能である。
更に、処理室2の底面上に大面積の被処理基板1を上面に固定するステージ21を備える。図示を省略しているが、ステージ21には、被処理基板1の反応性を高めるために加温が可能なようなヒータ(抵抗加熱装置)が内蔵されていても良い。図1では、被処理基板1としては、透明基板1aの上面にアモルファス半導体膜(a−Si膜)1dが形成されたものが示されているが、これに限られるものではない。ステージ21は、処理室2の内部において、水平方向(図1の紙面に向かって左右方向)に移動可能である。ステージ21は、図1及び図2に示すように、複数のピンホールHij(i=1〜n,j=1〜m;n,mは2以上の整数。)が、周期的に設けられている。複数のピンホールHijは、複数の検出器Dijの位置に対応して、その上部に配置されている。ピンホールHijの具体的な大きさは、0.05mm〜0.3mm、より好ましくは0.08mm〜0.15mm程度、例えば0.1mm程度で良いが、これに限定されるものではない。ピンホールHijの大きさは、棒状ランプQ1,Q2,・・・・・,Qnの出力や検出器Dijの感度を総合的に考慮して決めれば良い。いずれにせよ、複数のピンホールHijは、それぞれの棒状ランプQ1,Q2,・・・・・,Qnの中心軸を平行投影した位置に沿って複数個配置され、全体としてマトリクスを構成している。即ち、図2に示すように、棒状ランプQ1の中心軸に沿って、ピンホールH11,H12,・・・・・,H1mが複数個、線状に配置され、棒状ランプQ2の中心軸に沿って、ピンホールH21,H22,・・・・・,H2mが複数個配置されている。更に、棒状ランプQnの中心軸に沿って、ピンホールHn1,Hn2,・・・・・,Hnmが複数個配置されている。
複数のピンホールHijの下方に配置された検出器Dijは、棒状ランプQiの光を被処理基板1及びピンホールHijをそれぞれ介して受光し、光強度を測定する。この検出器Dijとしては、フォトダイオードの他、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)系、タンタル酸リチウム(LiTaO3)系、硫酸グリシン(TGS)、ポリフッ化ビニリデン(PVF2)、チタン酸鉛(PbTiO3)等の焦電型検出器が使用可能である。棒状ランプQiの発光出力の大きさや、被処理基板1による光フィルタ特性を鑑みると、大出力を波長依存性なく測定できる焦電型検出器が好ましい。焦電型検出器は被処理基板1の温度を熱線(赤外線)として検知することが可能である。
棒状ランプQiは、直管型フラッシュランプである。この直管型フラッシュランプは、被処理基板1に照射する光のエネルギーを均一化するために、例えば、両端部の直径が細く、中央部の直径が太い異形管を使用しても良い。図1に示すような、透明基板1aの上面に形成されたa−Si膜1dを熱処理し、多結晶化する目的の場合は、図3に示すような発光スペクトルの紫外線ランプが好ましい。図3では、波長400nm以下の波長領域における光強度Iの波長積分値Iaが、波長400nm以上の波長領域における光強度Iの波長積分値Ibに対して20%以上である。
図3に示すような発光スペクトルの紫外線ランプとしては、例えば、キセノン(Xe)フラッシュランプ、若しくはXeフラッシュランプに微量のハロゲン化金属や水銀(Hg)等の金属を含有するものが好適である。特に、エキシマレーザの放電部に比べて低コストで、且つ高い電流密度が得られる棒状ランプとして、微量の水銀を封入する水銀キセノン(Hg−Xe)フラッシュランプを使用するのが好ましい。紫外線フラッシュランプの管球は、石英ガラスやサファイアガラス等の紫外線透過特性の良いものが好ましいが、硬質ガラスを使用しても良い。
Hg−Xeフラッシュランプに含まれる波長400nm以下の発光量は、図4に示すように、Hgを多く含むほど多くなる。このため、a−Si膜1dを多結晶化する目的の棒状ランプQiとしては、水銀含有量の多いHg−Xeフラッシュランプ、好ましくは水銀含有量0.1mg/cc以上のHg−Xeフラッシュランプを使用すると良い。Xeの代わりにクリプトン(Kr)の棒状フラッシュランプを用いても良い。
本発明の実施の形態に係る熱処理装置は、図1に示す複数の棒状ランプQiの上方にそれぞれ配置された複数の反射鏡Mi(i=1〜n、nは2以上の整数。)を更に有する。複数の反射鏡Miは、被処理基板1の方向とは異なる方向に発光する光をそれぞれ反射して、被処理基板1の方向に照射する。複数の反射鏡Miのそれぞれは、放物面型であり、複数の棒状ランプQiの光を反射して被処理基板1の方向に照射する。複数の反射鏡Miのそれぞれは、照度の均一化を図る働きを有し、放物面鏡の焦点位置にそれぞれ棒状ランプQiを配置することにより平行光を得ることができる。なお、放物面鏡の代わりに例えば、球面鏡又は平面鏡を用いても一定の目的を達成できる。
複数の棒状ランプQiと制御回路部4との間には、図5に示すように、複数の電源回路Xi(i=1〜n、nは2以上の整数。)がそれぞれ接続されている。複数の電源回路Xiは、複数の棒状ランプQiにそれぞれ電流を供給する。更に、制御回路部4は、中央処理制御装置(CPU)41と、CPU41に接続されるステージ駆動装置42と、複数の検出器Dij、複数の電源回路Xi及びCPU41にそれぞれ接続される複数の比較演算器Yi(i=1〜n、nは2以上の整数。)と、CPU41に接続される電流測定器44と、複数の電源回路Xi及びCPU41に接続される電圧制御器45とを有する。
CPU41は、ステージ駆動装置42、複数の比較演算器Yi、電流測定器44及び電圧制御器45をそれぞれ制御する。ステージ駆動装置42は、光強度の分布を均一化するために、照射点位置をオーバーラップさせながら複数の棒状ランプQiの光を照射するように、ステージ21を水平方向にスライドさせる。複数の比較演算器Yiは、複数の棒状ランプQiの下方にある複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimによって測定される光強度の分布を基準値と比較する。電流測定器44は、複数の棒状ランプQiにそれぞれ供給する電流のピーク値及び半値を測定する。電圧制御器45は、電流のピーク値が一定になるように複数の電源回路Xiの電源電圧を微調整する。
ここで、i=1〜n(nは2以上の整数。)として、複数の棒状ランプQiの下方にある複数の検出器Di1,Di2,・・・・・,Dimによってそれぞれ測定される光強度をIi1,Ii2,・・・・・,Iimとすると、式(1)から光強度の平均値Iiが求められる:
(Ii1+Ii2+・・・・・+Iim)/m=Ii ・・・(1)
制御回路部4は、複数の比較演算器Yiのそれぞれによって、光強度Ii1,Ii2,・・・・・,Iimの分布を基準値と比較する。この比較により、光強度の平均値Iiが基準値より低い場合に、光強度の平均値Iiの電圧値をそれぞれの電源回路Xiの電源電圧にフィードバックする。例えば、電源電圧の電圧値を100Vずつ上昇させて、複数の棒状ランプQiの出力をそれぞれ制御する。又、電流測定器44には、複数の電流プローブBi(i=1〜n、nは2以上の整数。)が接続されている。電流測定器44は、複数の棒状ランプQiに供給する電流のピーク値及び半値を、複数の電流プローブBiを介して測定する。なお、CPU41には、光強度の分布等が表示できるように、表示装置100が接続されていても良い。この場合、CPU41は、光強度の情報等を表示装置100に入力することを制御する。
(Ii1+Ii2+・・・・・+Iim)/m=Ii ・・・(1)
制御回路部4は、複数の比較演算器Yiのそれぞれによって、光強度Ii1,Ii2,・・・・・,Iimの分布を基準値と比較する。この比較により、光強度の平均値Iiが基準値より低い場合に、光強度の平均値Iiの電圧値をそれぞれの電源回路Xiの電源電圧にフィードバックする。例えば、電源電圧の電圧値を100Vずつ上昇させて、複数の棒状ランプQiの出力をそれぞれ制御する。又、電流測定器44には、複数の電流プローブBi(i=1〜n、nは2以上の整数。)が接続されている。電流測定器44は、複数の棒状ランプQiに供給する電流のピーク値及び半値を、複数の電流プローブBiを介して測定する。なお、CPU41には、光強度の分布等が表示できるように、表示装置100が接続されていても良い。この場合、CPU41は、光強度の情報等を表示装置100に入力することを制御する。
複数の棒状ランプQiの光をそれぞれ出力する放電回路としては、例えば図6に示すように、棒状ランプQiと、棒状ランプQiに接続される電源回路Xiとを備えれば良い。更に、複数の棒状ランプQiは、それぞれ、放電部32と、放電部32に接続されるトリガー回路33とを備える。放電部32は、端子31aを介して接地電位VSSに接続されている。又、放電部32は、端子31bを介して複数の電源回路Xiに接続されている。
更に、複数の電源回路Xiのそれぞれは、直流電源62と、直流電源62に接続される電源スイッチ63と、電源スイッチ63に接続される逆L型回路64と、電源スイッチ63と逆L型回路64との間のノードP1に接続される抵抗R1と、抵抗R1に出力側が接続されるダイオード65とを有する。直流電源62は、端子61aを介して接地電位VSSに接続されている。ダイオード65は、端子61bを介して接地電位VSSに接続されている。逆L型回路64は、端子61cを介して接地電位VSSに接続されている。又、逆L型回路64は、端子61dを介して棒状ランプQiに接続されている。更に、逆L型回路64は、電源スイッチ63に接続される抵抗R2と、抵抗R2と端子61dとの間のノードP2に接続されるキャパシタ66とを有する。キャパシタ66は、端子61cを介して接地電位VSSに接続されている。又、棒状ランプQiに供給する電流のピーク値及び半値は、電流測定器44によって複数の電流プローブBiを介して測定される。
図6に示す放電回路において、先ず電源スイッチ63が閉じられ,逆L型回路64のキャパシタ66に直流電源62からの電荷が蓄積される。次に,電源スイッチ63が開かれ,トリガー回路33からパルス波等の信号が発せられることにより,キャパシタ66に蓄積された電荷が放電部32へ移動し,パルス状の紫外光が過渡的に発生する。
〈熱処理方法〉
(イ)本発明の実施の形態に係る熱処理装置においては、先ず、被処理基板1をステージ21に載置しない、無負荷の状態で、複数の棒状ランプQiの軸出しを行う。図2に示すように、棒状ランプQ1の中心軸に沿って、検出器D11,D12,・・・・・,D1mが複数個、1次元配列され、棒状ランプQ2の中心軸に沿って、検出器D21,D22,・・・・・,D2mが複数個、・・・・・、棒状ランプQnの中心軸に沿って、検出器Dn1,Dn2,・・・・・,Dnmが複数個、1次元配列されているので、先ず、それぞれの棒状ランプQiについて、検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimで測定される光強度が一定となるように、棒状ランプQiのそれぞれの軸出しを行う。このため、図1に示すステージ21は、図2に示すように、複数の棒状ランプQiの軸方向に垂直な回転軸に関して回転可能なゴニオ機能を有する。棒状ランプQiの軸出しをするためには、1次元配列の個数m≧3が好ましい。1次元配列の個数m=3であれば、中央部と両端部の光強度が一定となるように、棒状ランプQiのそれぞれの軸出しを行うことが可能になる。更に、図2において、縦方向に複数の棒状ランプを使用するのであれば、1次元配列の個数mは、その縦方向に配列される棒状ランプの個数に応じて、3の倍数に選ぶことが好ましい。一方、図6に示すように、それぞれの棒状ランプQiの放電電流の電流波形は、電流プローブBiを用い、オシロスコープ等でモニターする。電流プローブBiで測定した電流波形のピーク値をフィードバックし、複数の電源回路Xiのそれぞれ電源電圧をそれぞれ独立に微調整する。均一な温度分布を得る目的の場合であれば、一般には、電流波形のピーク値が一定となるように、複数の電源回路Xiのそれぞれ電源電圧を微調整すれば良い。
(イ)本発明の実施の形態に係る熱処理装置においては、先ず、被処理基板1をステージ21に載置しない、無負荷の状態で、複数の棒状ランプQiの軸出しを行う。図2に示すように、棒状ランプQ1の中心軸に沿って、検出器D11,D12,・・・・・,D1mが複数個、1次元配列され、棒状ランプQ2の中心軸に沿って、検出器D21,D22,・・・・・,D2mが複数個、・・・・・、棒状ランプQnの中心軸に沿って、検出器Dn1,Dn2,・・・・・,Dnmが複数個、1次元配列されているので、先ず、それぞれの棒状ランプQiについて、検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimで測定される光強度が一定となるように、棒状ランプQiのそれぞれの軸出しを行う。このため、図1に示すステージ21は、図2に示すように、複数の棒状ランプQiの軸方向に垂直な回転軸に関して回転可能なゴニオ機能を有する。棒状ランプQiの軸出しをするためには、1次元配列の個数m≧3が好ましい。1次元配列の個数m=3であれば、中央部と両端部の光強度が一定となるように、棒状ランプQiのそれぞれの軸出しを行うことが可能になる。更に、図2において、縦方向に複数の棒状ランプを使用するのであれば、1次元配列の個数mは、その縦方向に配列される棒状ランプの個数に応じて、3の倍数に選ぶことが好ましい。一方、図6に示すように、それぞれの棒状ランプQiの放電電流の電流波形は、電流プローブBiを用い、オシロスコープ等でモニターする。電流プローブBiで測定した電流波形のピーク値をフィードバックし、複数の電源回路Xiのそれぞれ電源電圧をそれぞれ独立に微調整する。均一な温度分布を得る目的の場合であれば、一般には、電流波形のピーク値が一定となるように、複数の電源回路Xiのそれぞれ電源電圧を微調整すれば良い。
(ロ)次に、被処理基板1をステージ21上に載置し、ステージ21上に固定する。そして、複数の検出器D21,D22,・・・・・,D2mで、それぞれの棒状ランプQiのアニール時の強度変化をモニターし、それぞれの棒状ランプQiへの入力エネルギーを調整する。即ち、複数の棒状ランプQiからの紫外光が、図7に示すように、被処理基板1に照射されると、複数の検出器Dijは、複数の棒状ランプQiの光を被処理基板1及び図2に示すピンホールHi1、Hi2、・・・・・、Himを介して、それぞれ受光して光強度Iijを測定する。複数の検出器Dijとして、それぞれ焦電型検出器を用いている場合は、焦電型検出器は、被処理基板1を光フィルタとして棒状ランプQiの発光スペクトルの内、被処理基板1を透過する光の成分と、被処理基板1が加熱されたことによる熱エネルギーを同時に検出する。制御回路部4のそれぞれの比較演算器Yiは、それぞれ測定された光強度Ii1,Ii2,・・・・・,Iimの平均値Iiを、式(1)のように求める。式(1)で示される各光強度平均値Iiは、それぞれの比較演算器Yiにおいて、基準値と比較される。制御回路部4は、対応する電源回路Xpの直流電源62の電圧値を制御し、対応する棒状ランプQpの出力をそれぞれ独立に制御する。均一な温度分布を得る目的の場合であれば、制御回路部4は、特定の棒状ランプQpの光強度平均値Ipが基準値より低い場合に、対応する電源回路Xpの直流電源62の電圧値を一定電圧ステップ、例えば、100Vずつ上昇させて、対応する棒状ランプQpの出力を増大させる。逆に、特定の棒状ランプQqの光強度平均値Iqが基準値より低い場合に、対応する電源回路Xqの直流電源62の電圧値を一定電圧ステップで減少させ、対応する棒状ランプQqの出力を減少させる。すべての棒状ランプQqの出力を均一化するだけでなく、複数の棒状ランプQiの配列の両端部の出力のみを高くするような調整も可能である。いずれにせよ、このようにして、複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimによって測定される光強度を各電源回路Xiにフィードバックすることにより、所望の温度分布を得ることが可能になる。
(ハ)この際、電流プローブBiで測定した電流波形のピーク値をフィードバックし、複数の電源回路Xiのそれぞれ電源電圧をそれぞれ独立に微調整する。均一な温度分布を得る目的の場合であれば、ピーク電流値が一定化するように各電源回路Xiの電源電圧を調整する。即ち、図3に示す電流測定器44は、それぞれの棒状ランプQiに供給する電流のピーク値及び半値を複数の電流プローブBiを介して測定し、電圧制御器45は、電流のピーク値が一定になるように各電源回路Xiの電源電圧を微調整する。
本発明の実施の形態に係る熱処理装置によれば、制御回路部4が、複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimによって測定される光強度Ii1、Ii2、・・・・・、Iimの平均値Iiに基づいて、光強度の平均値Iiを電圧値として各電源回路Xiの電源電圧にフィードバックし、それぞれの棒状ランプQiの出力をそれぞれ制御することができる。更に、電圧制御器45が、電流のピーク値が一定になるように各電源回路Xiの電源電圧を微調整することができる。この結果、本発明の実施の形態の熱処理装置によれば、大面積の被処理基板1に対し、所望の光強度分布を得て、所望の温度分布を実現することができる。例えば、約930mm×720mm程度の大面積の被処理基板1に対して、光強度分布及び温度分布のバラツキを5%以下に押さえることが可能である。
〈半導体装置の製造方法〉
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、a−Si膜の多結晶化を例に説明するが、本発明の半導体装置の製造方法は、a−Si膜の多結晶化に限定されるものではない:
(イ)先ず、図7に示すように、例えば、約930mm×720mmの大面積の透明基板1aを用意する。透明基板1aの具体例は、ガラス基板である。そして、この透明基板(ガラス基板)1aの上面に厚さ20〜100nm程度のシリコン窒化膜(SiNX膜)1b、SiNX膜1bの上に厚さ50〜150nm程度のシリコン酸化膜(SiOX膜)1cを順次CVD法等により堆積する(具体的には、SiNX膜1bはSi3N4膜であることが好ましく、SiOX膜1cはSiO2膜であることが好ましいが、目的によっては、必ずしも化学量論的組成である必要はない。)。更に、SiOX膜1cの上に厚さ20〜100nm程度のa−Si膜(被処理用半導体膜)1dを、CVD法等により堆積し、大面積の被処理基板1を用意する。
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、a−Si膜の多結晶化を例に説明するが、本発明の半導体装置の製造方法は、a−Si膜の多結晶化に限定されるものではない:
(イ)先ず、図7に示すように、例えば、約930mm×720mmの大面積の透明基板1aを用意する。透明基板1aの具体例は、ガラス基板である。そして、この透明基板(ガラス基板)1aの上面に厚さ20〜100nm程度のシリコン窒化膜(SiNX膜)1b、SiNX膜1bの上に厚さ50〜150nm程度のシリコン酸化膜(SiOX膜)1cを順次CVD法等により堆積する(具体的には、SiNX膜1bはSi3N4膜であることが好ましく、SiOX膜1cはSiO2膜であることが好ましいが、目的によっては、必ずしも化学量論的組成である必要はない。)。更に、SiOX膜1cの上に厚さ20〜100nm程度のa−Si膜(被処理用半導体膜)1dを、CVD法等により堆積し、大面積の被処理基板1を用意する。
(ロ)次に、図1に示すステージ21の上面に被処理基板1を、載置し、固定する。大面積の被処理基板1の長手方向と、ステージ21の移動可能な水平方向を一致させ、ステージ21に固定する。ステージ21は、被処理基板1の反応性を高めるために加温等がされていても良い。次に、窒素(N2)ガス、アルゴン(Ar)ガス、ヘリウム(He)ガス等の不活性ガス、或いはこれらの不活性ガスのいずれかと酸素(O2)との混合ガス等の処理用ガスを、ガス導入ポート22からマスフローコントローラ等で制御し、余分なガスをガス排気ポート23から排気しながら、処理室2内のアニール雰囲気ガスの流量と分圧を調整する。なお、処理室10内の雰囲気は真空でも良い。真空の場合は,窓24の直下にダミーのガラス板を配置し,熱処理によるSiの蒸着による窓のくもりを防止するのが好ましい。ダミーのガラス板は,定期的に交換すれば良い。
(ハ)処理用ガスを流した状態(若しくは真空減圧状態)で、図6のトリガー回路33からパルス波等の信号が発せられると、複数の電源回路Xiのそれぞれのキャパシタ66に蓄積されている電荷が、対応する棒状ランプQiの放電部32へ移動する。その結果、それぞれの棒状ランプQiは、第1出力レベルの紫外光を発生し、図7に示すように、第1出力レベルの紫外光がa−Si膜1dを照射し、更に、一部はa−Si膜1dを透過し、複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimまで到達する。即ち、被処理基板1を光フィルタとして棒状ランプQiの発光スペクトルの内、a−Si膜1dを透過する主に赤外光の主成分とする光が、複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimに到達するが、更に、a−Si膜1dが加熱されたことによる熱エネルギーが同時に複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimに到達する。
(ニ)複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimは、対応する棒状ランプQiの第1出力レベルの紫外光と、a−Si膜1dが加熱されたことによる熱エネルギーを被処理基板1及び図2に示すピンホールHi1、Hi2、・・・・・、Himを介してそれぞれ受光して、第1の光強度Ii1、Ii2、・・・・・、Iimを測定する。制御回路部4のそれぞれの比較演算器Yiが、それぞれ測定された第1の光強度Ii1,Ii2,・・・・・,Iimの平均値Iiを求め、各第1の光強度の平均値Iiは、それぞれの比較演算器Yiにおいて、基準値と比較される。特定の棒状ランプQpの第1出力レベルの紫外光の強度平均値Ipが基準値より低い場合に、対応する電源回路Xpの直流電源62の電圧値を一定電圧ステップで上昇させて、対応する棒状ランプQpの出力を増大させる。逆に、特定の棒状ランプQqからの紫外光の強度平均値Iqが基準値より高い場合に、対応する電源回路Xqの直流電源62の電圧値を一定電圧ステップで減少させ、対応する棒状ランプQqの出力を減少させる。このようにして、複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimによって測定される第1出力レベルの紫外光の光強度を各電源回路Xiにフィードバックすることにより、大面積の被処理基板1の全面に対し、所望の温度分布を得ることが可能になる。この際、電流プローブBiを介して測定されたピーク電流値が一定化するように各電源回路Xiの電源電圧を調整する。このように、発光強度分布を調整して、それぞれの棒状ランプQiから出力した第1出力レベルの紫外光は,a−Si膜1dに照射され、紫外光が照射されたa−Si膜1dからa−Siのダングリングボンドに結合した水素が脱離される。
(ホ)更に、処理用ガスを流した状態(若しくは真空減圧状態)で、図5に示す電圧制御器は、各電源回路Xiの電源電圧を第1出力レベルよりもピーク値が高い第2出力レベルの紫外光が、それぞれの棒状ランプQiから出力されるように調整する。この際、図6に示すキャパシタ66を切り替えて、第1出力レベルよりもパルスの半値幅が短いパルスにすることが好ましい。例えば、パルス半値幅として1ms以下が好ましく、50μs以下がより好ましい。第2出力レベルの紫外光がa−Si膜1dを照射すると、一部はa−Si膜1dを透過し、複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimまで到達する。複数の検出器Di1、Di2、・・・・・、Dimが、対応する棒状ランプQiの第2出力レベルの紫外光を被処理基板1及び図2に示すピンホールHi1、Hi2、・・・・・、Himを介してそれぞれ受光して第2の光強度Ii1、Ii2、・・・・・、Iimを測定する。制御回路部4のそれぞれの比較演算器Yiが、それぞれ測定された第2の光強度Ii1,Ii2,・・・・・,Iimの平均値Iiを求め、各第2の光強度の平均値Iiは、それぞれの比較演算器Yiにおいて、基準値と比較され、棒状ランプQiの第2出力レベルの紫外光の光強度が調整される。このようにして、大面積の被処理基板1の全面に対し、所望の温度分布を得ることが可能になる。この際、電流プローブBiを介して測定されたピーク電流値が一定化するように各電源回路Xiの電源電圧を調整されるのは、第1出力レベルの紫外光の場合と同様である。このように、第2出力レベルの紫外光の発光強度分布が調整されて、a−Si膜1dに照射され、紫外光が照射されたa−Si膜1dは、瞬時に溶融し、大面積のa−Si膜1dが多結晶化する。
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、大面積のa−Si膜1dに対して、所望の熱処理の温度分布を実現できる。そのため、短時間で大面積のa−Si膜1dを均一に多結晶化することができる。その結果、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、大面積の全面に渡り、移動度10〜500cm2/Vs,平均粒径0.25〜0.35μm程度のポリシリコン膜を得ることが可能となるので、面内均一性の高い大面積・高品質のポリシリコン膜を、安価で短時間に製造できる。更に、又、エキシマレーザの放電部に比べ安価な棒状ランプを使用しているので、半導体装置の製造コストの低減が可能となる。
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
上記のように、本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、複数の棒状ランプQiからの第2出力レベルの紫外光強度分布は、図9に示すように、それぞれの棒状ランプQiからの距離やランプ光の重なり具合により異なる。このため、光強度Iの照射部分Kでの分布に斑が生じる。そこで、光強度Iの分布を均一化するために、図5に示すステージ駆動装置42を用いて、ステージ21を水平方向にスライドさせて、照射点位置をオーバーラップさせながら対応する棒状ランプQiの第2出力レベルの紫外光を照射するようにしても良い。具体的には、図12に示すように、領域α、領域β、・・・・・に対応する棒状ランプQiから光をそれぞれ照射した後に、ステージ駆動装置42がステージ21を被処理基板1の長手方向にスライドさせる。続いて、図13に示すように、領域αの半分と領域βの半分とからなるオーバーラップ領域αβ、領域βの半分と領域γの半分とからなるオーバーラップ領域βγ、・・・・・に、対応する棒状ランプQiの第2出力レベルの紫外光をそれぞれ照射するようにしても良い。
図1では、処理室2の内部の、処理室2の底面上にステージ21が収納されている場合を説明した。しかし、図9に示すように、ステージ21が処理室2の一部をなすように構成しても良い。図9に示す熱処理装置においては、図1の複数のピンホールHijの位置に対応して、背面窓Wij(i=1〜n,j=1〜m;n,mは2以上の整数。)がオーリング等により、処理室2の機密性を維持するように固定されている。大気圧による熱処理等の場合は、オーリング等による機密性維持は不要である。図9では、処理室2の上方に配置された複数の棒状ランプQi(i=1〜n、nは2以上の整数。)の中心軸の位置を、平行投影した位置において、背面窓Wijを介して、複数の検出器Dij(i=1〜n,j=1〜m;n,mは2以上の整数。)が配置され、複数の検出器Dijによって光強度を測定することが可能である。ステージ21を水平方向(図9の紙面に向かって左右方向)に移動する場合は、処理室2と一体で移動する必要があり、ガス導入ポート22やガス排気ポート23にはベローチューブやフレキシブルパイプ等の可撓性のある配管で接続しておけば良い。
図1を用いて説明した熱処理装置では、ほぼ常圧(大気圧)での熱処理を主に説明した。しかし、本発明のランプ加熱による処理は、単なる熱処理に限定されるものではなく、CVD炉やエピタキシャル成長炉等にも適用可能である。CVD炉やエピタキシャル成長炉の場合は、図1に示したガス導入ポート22からモノシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)、アンモニア(NH3)等の反応性のソースガスをキャリアガスとともに導入すれば良い。更に、アルシン(AsH3)、フォスフィン(PH3)、ジボラン(B2H6)等のドーピングガスをガス導入ポート22から同に導入しても良い。特に、紫外(UV)光を含む棒状ランプQ1で加熱するCVDやエピタキシャル成長の場合は、表面マイグレーション等の表面反応を紫外線エネルギーが促進するので、CVD温度やエピタキシャル成長温度を低温化し、より高品位の半導体膜や絶縁膜を堆積可能になる。
CVD炉やエピタキシャル成長炉に適用する場合は、図10に示すように、処理室2の底部に裏面窓24bを設け、機密性を維持し、この裏面窓24bを介して、複数の検出器Dij(i=1〜n,j=1〜m;n,mは2以上の整数。)が光強度を測定するように構成しても良い。図10の構造の場合も、被処理基板1を熱処理中に水平方向(図9の紙面に向かって左右方向)に移動する必要がある場合は、処理室2と一体で移動する必要があるので、ガス導入ポート22やガス排気ポート23にはベローチューブやフレキシブルパイプ等の可撓性のある配管で接続しておけば良い。図10の構造の場合は、裏面窓24bを介して光が入射するので、図1に示したピンホールHijは不要である。但し、棒状ランプQiの出力や検出器Dijの感度の関係で、入射光を制限する必要があれば、別途ピンホールを、裏面窓24bと検出器Dijの間に挿入すれば良い。
或いは、図11に示すように、全体が透明な材料で、処理室2を構成し、処理室2の壁面(裏面)を介して、複数の検出器Dij(i=1〜n,j=1〜m;n,mは2以上の整数。)が光強度を測定するように構成することも可能である。処理室2を構成する透明な材料としては、石英ガラスやサファイアガラス等の紫外(UV)光に対して透明な材料が好ましい。図11に示す熱処理装置においては、処理室2の一部が紫外線透過性特性の良好な窓部の機能をなしている。図11の構造の場合も、被処理基板1を熱処理中に水平方向(図9の紙面に向かって左右方向)に移動する必要がある場合は、処理室2と一体で移動する必要があるので、ガス導入ポート22やガス排気ポート23にはベローチューブやフレキシブルパイプ等の可撓性のある配管で接続しておけば良い。図11の構造の場合も、処理室2の壁面(裏面)を介して、光が入射するので、図1に示したピンホールHijは不要である。但し、棒状ランプQiの出力や検出器Dijの感度の関係で、入射光を制限する必要があれば、別途ピンホールを、裏面窓24bと検出器Dijの間に挿入すれば良い。なお、図10及び図11に示した構造は、CVD炉やエピタキシャル成長炉に限定されず、酸化炉、拡散炉、等種々の熱処理炉に適用可能である。図11では処理室2の右側面にフランジ25が設けられ、被処理基板1の出し入れと、処理室2の機密性を維持している。図1、図9、図10では、被処理基板1の出し入れのポートを省略しているが、図11に示すフランジ構造等、熱処理の目的に応じて種々の出し入れポートが使用できることは勿論である。
処理圧力は大気圧に限定されず、例えば真空ポンプをガス排気ポート23に接続し、処理室2を大気圧よりやや低い微減圧から5Pa程度、或いは10-3Pa〜10-5Pa程度まで、減圧しても良いことは勿論である。真空ポンプとしては、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等が使用可能である。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態及び変形例等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
1…被処理基板 1a…被処理基板 1b…SiNX膜 1c…SiOX膜 1d…アモルファス半導体(a−Si、被処理用半導体膜)膜 2…処理室 4…制御回路部 21…ステージ 22…ガス導入ポート 23…ガス排気ポート 24…窓 24b…裏面窓 25…フランジ 31a、31b、61a、61b、61c、61d…端子 32…放電部 33…トリガー回路 41…CPU 42…ステージ駆動装置 43…各比較演算器 44…電流測定器 45…電圧制御器 62…直流電源 63…電源スイッチ 64…逆L型回路 65…ダイオード 66…キャパシタ 100…表示装置 α、β、γ…領域 αβ、βγ…オーバーラップ領域 Bi(i=1〜n)…電流プローブ Dij(i=1〜n,j=1〜m)…検出器 I…光強度 K…照射部分 P1、P2…ノード Hij(i=1〜n,j=1〜m)…ピンホール Mi(i=1〜n)…反射鏡 Qi(i=1〜n)…棒状ランプ R1、R2…抵抗 VSS…接地電位 Xi(i=1〜n)…各電源回路 Wij(i=1〜n,j=1〜m)…背面窓
Claims (14)
- 紫外線透過性特性の良好な窓部を備え、被処理基板を収納する処理室と、
前記処理室外において一定方向に同一ピッチで配置され、前記被処理基板を前記窓部を介して、紫外線を含む発光スペクトルの光で加熱する複数本の棒状ランプと、
前記複数本の棒状ランプの光を、それぞれ独立に、前記被処理基板を介して受光するように、前記複数本の棒状ランプの配列に対向して配置された複数の検出器と、
前記複数の検出器によって測定される前記光強度の分布に基づいて、前記複数本の棒状ランプの出力をそれぞれ独立に同時に制御する制御回路部
とを備えることを特徴とする熱処理装置。 - 前記複数本の棒状ランプのそれぞれは、波長400nm以下の波長領域における光強度の波長積分値が、波長400nm以上の波長領域における光強度の波長積分値に対して20%以上となるスペクトルの光を発光することを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記複数の検出器は、前記複数本の棒状ランプの軸方向に沿って、1本の棒状ランプに付き、それぞれ複数個配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の熱処理装置。
- 前記複数の検出器は、それぞれピンホールを介して、前記複数本の棒状ランプの光を受光することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱処理装置。
- 前記制御回路部は、前記複数本の棒状ランプへ供給される電流波形のピーク値を測定する電流測定器を更に備え、前記ピーク値により、前記複数本の棒状ランプへの電源回路の電源電圧をそれぞれ独立に制御することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の熱処理装置。
- 被処理基板を処理室の内部に載置するステップと、
前記処理室の一部に設けられた紫外線透過性特性の良好な窓部を介して、前記処理室外に一定方向に同一ピッチで配置された複数本の棒状ランプから、紫外線を含む発光スペクトルの光を導入し、前記被処理基板を加熱するステップと、
前記複数本の棒状ランプの光のそれぞれの光強度を、前記被処理基板を介して、独立に測定するステップと、
測定された前記光強度に基づいて、前記複数本の棒状ランプの出力をそれぞれ独立に同時に制御するステップ
とを含むことを特徴とする熱処理方法。 - 前記複数本の棒状ランプのそれぞれは、波長400nm以下の波長領域における光強度の波長積分値が、波長400nm以上の波長領域における光強度の波長積分値に対して20%以上となるスペクトルの光を発光することを特徴とする請求項6に記載の熱処理方法。
- 前記複数本の棒状ランプの軸方向に沿って、1本の棒状ランプに付き、それぞれ複数個箇所、前記光強度が測定されることを特徴とする請求項6又は7に記載の熱処理方法。
- 前記複数本の棒状ランプへ供給される電流波形のピーク値を測定するステップと、
前記ピーク値により、前記複数本の棒状ランプへの電源回路の電源電圧をそれぞれ独立に同時に制御するステップ
とを更に含むことを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の熱処理方法。 - 少なくとも表面に半導体薄膜が形成された被処理基板を設置するステップと
前記被処理基板に形成された半導体薄膜と対向する位置に一定方向に同一ピッチで配置された複数本の棒状ランプから、前記半導体薄膜に対して紫外線を含む発光スペクトルの光を導入し、前記被処理基板を加熱するステップと、
前記複数本の棒状ランプの光のそれぞれの光強度を、前記被処理基板を介して、独立に測定するステップと、
測定された前記光強度に基づいて、前記複数本の棒状ランプの出力をそれぞれ独立に制御するステップ
とを含み、前記半導体薄膜の少なくとも一部を処理、若しくは前記半導体薄膜の表面に新たな膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記複数本の棒状ランプのそれぞれは、波長400nm以下の波長領域における光強度の波長積分値が、波長400nm以上の波長領域における光強度の波長積分値に対して20%以上となるスペクトルの光を発光することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数本の棒状ランプの軸方向に沿って、1本の棒状ランプに付き、それぞれ複数個箇所、前記光強度が測定されることを特徴とする請求項10又は11に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数本の棒状ランプへ供給される電流波形のピーク値を測定するステップと、
前記ピーク値により、前記複数本の棒状ランプへの電源回路の電源電圧をそれぞれ独立に制御するステップ
とを更に含むことを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体薄膜は、アモルファス半導体であり、前記光の導入による加熱処理により、前記アモルファス半導体が多結晶半導体になることを特徴とする請求項10〜13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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