JP6864564B2 - 熱処理方法 - Google Patents

熱処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6864564B2
JP6864564B2 JP2017114254A JP2017114254A JP6864564B2 JP 6864564 B2 JP6864564 B2 JP 6864564B2 JP 2017114254 A JP2017114254 A JP 2017114254A JP 2017114254 A JP2017114254 A JP 2017114254A JP 6864564 B2 JP6864564 B2 JP 6864564B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
susceptor
semiconductor wafer
chamber
heat treatment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017114254A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018207067A (ja
Inventor
行雄 小野
行雄 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2017114254A priority Critical patent/JP6864564B2/ja
Priority to TW107116412A priority patent/TWI712089B/zh
Priority to US16/001,525 priority patent/US10755948B2/en
Priority to KR1020180065939A priority patent/KR102126119B1/ko
Publication of JP2018207067A publication Critical patent/JP2018207067A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6864564B2 publication Critical patent/JP6864564B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H01L21/2686—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation using incoherent radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/761—PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、不純物導入は半導体ウェハー内にｐｎ接合を形成するための必須の工程である。現在、不純物導入は、イオン打ち込み法とその後のアニール法によってなされるのが一般的である。イオン打ち込み法は、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、リン（Ｐ）といった不純物の元素をイオン化させて高加速電圧で半導体ウェハーに衝突させて物理的に不純物注入を行う技術である。注入された不純物はアニール処理によって活性化される。この際に、アニール時間が数秒程度以上であると、打ち込まれた不純物が熱によって深く拡散し、その結果接合深さが要求よりも深くなり過ぎて良好なデバイス形成に支障が生じるおそれがある。
そこで、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するアニール技術として、近年フラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。
このようなキセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置として、例えば特許文献１には、半導体ウェハーの表面側にフラッシュランプを配置し、裏面側にハロゲンランプを配置し、それらの組み合わせによって所望の熱処理を行うものが開示されている。特許文献１に開示の熱処理装置においては、ハロゲンランプによって半導体ウェハーをある程度の温度まで予備加熱し、その後フラッシュランプからのフラッシュ光照射によって半導体ウェハーの表面を所望の処理温度にまで昇温している。
特開２０１０−２２５６４５号公報
一般に、熱処理に限らず半導体ウェハーの処理はロット（同一条件にて同一内容の処理を行う対象となる１組の半導体ウェハー）単位で行われる。枚葉式の基板処理装置では、ロットを構成する複数枚の半導体ウェハーに対して連続して順次に処理が行われる。フラッシュランプアニール装置においても、ロットを構成する複数の半導体ウェハーが１枚ずつチャンバーに搬入されて順次に熱処理が行われる。
稼働停止状態のフラッシュランプアニール装置がロットの処理を開始する場合、概ね室温のチャンバーにロットの最初の半導体ウェハーが搬入されて加熱処理が行われることとなる。加熱処理時には、チャンバー内にてサセプタに支持された半導体ウェハーが所定温度に予備加熱され、さらにフラッシュ加熱によってウェハー表面が処理温度にまで昇温される。その結果、昇温した半導体ウェハーからサセプタ等のチャンバー内構造物に熱伝導が生じ、そのサセプタ等の温度も上昇することとなる。このような、半導体ウェハーの加熱処理に伴うサセプタ等の温度上昇は、ロットの最初から数枚程度継続し、やがて約１０枚の半導体ウェハーの加熱処理が行われたときにサセプタの温度は一定の安定温度に到達する。すなわち、ロットの最初の半導体ウェハーは室温のサセプタに保持されて処理されるのに対して、１０枚目以降の半導体ウェハーは安定温度に昇温しているサセプタに保持されて処理されるのである。
従って、ロットを構成する複数の半導体ウェハーの温度履歴が不均一になるという問題が生じる。特に、ロットの最初から数枚程度の半導体ウェハーについては、比較的低温のサセプタに支持されて処理されるため、フラッシュ光照射時の表面到達温度が処理温度に届かないおそれもある。また、低温のサセプタに保持された半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときに、サセプタと半導体ウェハーとの温度差によってウェハー反りが生じることもあり、その結果として半導体ウェハーが破損するおそれもある。
このため、従来より、ロットの処理を開始する前に、処理対象ではないダミーウェハーをチャンバー内に搬入してサセプタに保持し、処理対象のロットと同一条件にて予備加熱およびフラッシュ加熱処理を行うことにより、事前にサセプタ等のチャンバー内構造物を昇温しておくことが行われていた（ダミーランニング）。約１０枚程度のダミーウェハーについて予備加熱およびフラッシュ加熱処理を行うことにより、サセプタ等のチャンバー内構造物が安定温度に到達するので、その後処理対象となるロットの最初の半導体ウェハーの処理を開始する。このようにすれば、ロットを構成する複数の半導体ウェハーの温度履歴が均一になるとともに、サセプタと半導体ウェハーとの温度差に起因したウェハー反りを防止することもできる。
しかしながら、このようなダミーランニングは、処理とは無関係なダミーウェハーを消費するだけでなく、１０枚程度のダミーウェハーにフラッシュ加熱処理を行うのに相当の時間を要するため、フラッシュランプアニール装置の効率的な運用が妨げられるという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ダミーランニングを省略することができる熱処理方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法において、チャンバー内に基板を搬入してサセプタに載置する搬入工程と、前記サセプタに載置された基板にハロゲンランプから光を照射する光照射工程と、ロットの最初の基板が前記チャンバー内に搬入される前に、前記サセプタに予熱用基板を載置し、前記ハロゲンランプからの光照射によって前記予熱用基板を加熱して前記サセプタを予熱する予熱工程と、を備え、前記サセプタを予熱することなく、ロットの複数の基板に連続して前記ハロゲンランプから光を照射して加熱することにより前記サセプタの温度が上昇して一定となったときの前記サセプタの温度を安定温度とし、前記予熱工程では、前記安定温度よりも高い温度に前記サセプタを予熱し、前記予熱工程の後、前記サセプタの温度を前記安定温度に所定時間維持する安定化工程をさらに備え、前記安定化工程の後、前記予熱用基板を前記チャンバーから搬出することを特徴とする。
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記予熱工程では、前記予熱用基板を前記安定温度よりも高い予熱温度に所定時間維持することを特徴とする。
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記安定化工程の後、前記ハロゲンランプからの光照射を停止して前記サセプタが所定温度にまで降温した時点で前記予熱用基板を前記チャンバーから搬出するとともに前記ロットの最初の基板を前記チャンバーに搬入して前記サセプタに載置することを特徴とする。
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記予熱用基板の放射率は前記ロットの基板の放射率よりも高いことを特徴とする。
請求項１から請求項４の発明によれば、ロットの最初の基板がチャンバー内に搬入される前に、サセプタに予熱用基板を載置し、ハロゲンランプからの光照射によって予熱用基板を加熱してサセプタを安定温度よりも高い温度に予熱するため、サセプタ以外のチャンバー内構造物をも基板の定常処理時の温度に短時間で予熱することができ、ダミーランニングを省略してもロットを構成する全ての基板について温度履歴を均一にすることができる。また、サセプタを安定温度よりも高い温度に予熱した後、サセプタの温度を安定温度に所定時間維持するため、サセプタを含むチャンバー内構造物の温度を基板の定常処理時の温度に安定化させることができる。
特に、請求項３の発明によれば、サセプタの温度を安定温度に所定時間維持した後、ハロゲンランプからの光照射を停止してサセプタが所定温度にまで降温した時点で予熱用基板をチャンバーから搬出するとともにロットの最初の基板をチャンバーに搬入してサセプタに載置するため、ロットを構成する基板の温度履歴をより均一にすることができる。
特に、請求項４の発明によれば、予熱用基板の放射率はロットの基板の放射率よりも高いため、予熱用基板はハロゲンランプから照射された光を効率良く吸収して急速に昇温する。
本発明に係る熱処理方法に使用する熱処理装置の構成を示す縦断面図である。 保持部の全体外観を示す斜視図である。 サセプタの平面図である。 サセプタの断面図である。 移載機構の平面図である。 移載機構の側面図である。 複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。 半導体ウェハーの処理枚数とサセプタの温度との相関を示す図である。 サセプタの温度変化を示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
まず、本発明に係る熱処理方法を実施するための熱処理装置について説明する。図１は、本発明に係る熱処理方法に使用する熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。熱処理装置１に搬入される前の半導体ウェハーＷには不純物が注入されており、熱処理装置１による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。
チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。
また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中にはバルブ８４が介挿されている。バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。
一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中にはバルブ８９が介挿されている。バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。また、処理ガス供給源８５および排気部１９０は、熱処理装置１に設けられた機構であっても良いし、熱処理装置１が設置される工場のユーティリティであっても良い。
また、搬送開口部６６の先端にも熱処理空間６５内の気体を排出するガス排気管１９１が接続されている。ガス排気管１９１はバルブ１９２を介して排気部１９０に接続されている。バルブ１９２を開放することによって、搬送開口部６６を介してチャンバー６内の気体が排気される。
図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。
基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。
図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計１２０（図１参照）が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計１２０が開口部７８を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。
図１に示すように、チャンバー６には放射温度計１２０，１３０および温度センサー１４０が設けられている。上述した通り、放射温度計１２０は、サセプタ７４に設けられた開口部７８を介して半導体ウェハーＷの温度を測定する。放射温度計１３０は、サセプタ７４から放射された赤外光を検知してサセプタ７４の温度を測定する。一方、温度センサー１４０は、チャンバー６内の雰囲気温度を測定する。
チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。
キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する光照射部である。
図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。
また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。
上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
次に、熱処理装置１における処理動作について説明する。まず、処理対象となる半導体ウェハーＷに対する通常の熱処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加されたシリコンの半導体基板である。その不純物の活性化が熱処理装置１によるフラッシュ光照射加熱処理（アニール）により実行される。以下に説明する半導体ウェハーＷの処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。
まず、給気のためのバルブ８４が開放されるとともに、排気用のバルブ８９，１９２が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。
また、バルブ１９２が開放されることによって、搬送開口部６６からもチャンバー６内の気体が排気される。さらに、図示省略の排気機構によって移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気も排気される。なお、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスが熱処理空間６５に継続的に供給されており、その供給量は処理工程に応じて適宜変更される。
続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。
搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に載置される。また、半導体ウェハーＷは、パターン形成がなされて不純物が注入された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて載置された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計１２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を放射温度計１２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計１２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし８００℃程度、好ましくは３５０℃ないし６００℃程度とされる（本実施の形態では６００℃）。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計１２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点にてフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃以上の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。
フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計１２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計１２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。
ところで、典型的には、半導体ウェハーＷの処理はロット単位で行われる。ロットとは、同一条件にて同一内容の処理を行う対象となる１組の半導体ウェハーＷである。本実施形態の熱処理装置１においても、ロットを構成する複数枚（例えば、２５枚）の半導体ウェハーＷが１枚ずつ順次にチャンバー６に搬入されて加熱処理が行われる。
ここで、しばらく処理を行っていなかった熱処理装置１にて事前にサセプタ７４等の予熱を行うことなくロットの処理を開始する場合、概ね室温のチャンバー６にロットの最初の半導体ウェハーＷが搬入されてフラッシュ加熱処理が行われることとなる。このような場合は、例えばメンテナンス後に熱処理装置１が起動されてから最初のロットを処理する場合や先のロットを処理した後に長時間が経過した場合などである。加熱処理時には、昇温した半導体ウェハーＷからサセプタ７４等のチャンバー内構造物に熱伝導が生じるため、初期には室温であったサセプタ７４が半導体ウェハーＷの処理枚数が増えるにつれて徐々に蓄熱により昇温することとなる。
図８は、半導体ウェハーＷの処理枚数とサセプタ７４の温度との相関を示す図である。処理開始前には室温であったサセプタ７４が半導体ウェハーＷの処理枚数が増えるにつれて徐々に半導体ウェハーＷからの伝熱により昇温し、やがて約１０枚の半導体ウェハーＷの加熱処理が行われたときにサセプタ７４の温度が一定の安定温度Ｔｓに到達する。安定温度Ｔｓに到達したサセプタ７４では、半導体ウェハーＷからサセプタ７４への伝熱量とサセプタ７４からの放熱量とが均衡する。サセプタ７４の温度が安定温度Ｔｓに到達するまでは、半導体ウェハーＷからの伝熱量がサセプタ７４からの放熱量よりも多いため、半導体ウェハーＷの処理枚数が増えるにつれてサセプタ７４の温度が徐々に蓄熱により上昇する。これに対して、サセプタ７４の温度が安定温度Ｔｓに到達した後は、半導体ウェハーＷからの伝熱量とサセプタ７４からの放熱量とが均衡するため、サセプタ７４の温度は一定の安定温度Ｔｓに維持されることとなる。
このように室温のチャンバー６にて処理を開始すると、ロットの初期の半導体ウェハーＷと途中からの半導体ウェハーＷとでサセプタ７４等のチャンバー内構造物の温度が異なることに起因して温度履歴が不均一になるという問題があった。それに加えて、初期の半導体ウェハーＷについては低温のサセプタ７４に支持されてフラッシュ加熱処理が行われるためにウェハー反りが生じることもあった。このため、既述したように、従来では、ロットの処理を開始する前に、処理対象ではないダミーウェハーを１０枚程度順次にチャンバー６内に搬入して処理対象の半導体ウェハーＷと同様の予備加熱処理およびフラッシュ加熱処理を行ってサセプタ７４等のチャンバー内構造物を安定温度Ｔｓに昇温するダミーランニングが実施されていた。このようなダミーランニングは、処理とは無関係なダミーウェハーを消費するだけでなく、相当の時間（１０枚のダミーウェハーを処理するのに約１５分）を要するため、熱処理装置１の効率的な運用を阻害することも既述した通りである。
そこで、本実施形態においては、生産用のロットの最初の半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入される前に、予熱用基板を室温のチャンバー６に搬入してサセプタ７４に載置し、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって当該予熱用基板を加熱してサセプタ７４を予熱している。予熱用基板は、上記の半導体ウェハーＷと同様のサイズおよび形状を有する（本実施形態ではφ３００ｍｍの円板形状）。但し、予熱用基板の放射率はシリコンの半導体ウェハーＷの放射率よりも高い。すなわち、予熱用基板は、シリコンよりも放射率の高い材料（例えば、シリコンカーバイド（ＳｉＣ））にて形成されている。
予熱用基板のチャンバー６への搬入手順は、上述した半導体ウェハーＷの搬入手順と同じである。すなわち、装置外部の搬送ロボットによって予熱用基板がチャンバー６内に搬入され、移載機構１０のリフトピン１２が予熱用基板を受け取る。そして、リフトピン１２が下降することにより、予熱用基板がサセプタ７４に載置される。
予熱用基板がサセプタ７４に載置された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬから予熱用基板に光照射を行って当該予熱用基板を加熱する。ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温した予熱用基板から石英のサセプタ７４に熱伝導が生じてサセプタ７４が予熱される。
図９は、サセプタ７４の温度変化を示す図である。予熱用基板が室温のサセプタ７４に載置された後、時刻ｔ１にハロゲンランプＨＬからの光照射が開始される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって予熱用基板が加熱されて昇温する。そして、昇温した予熱用基板からの熱伝導によってサセプタ７４が予熱されてその温度が室温から上昇する。サセプタ７４の温度は放射温度計１３０によって測定されている。測定されたサセプタ７４の温度は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計１３０による測定値に基づいて、サセプタ７４の温度が予熱温度ＴｖとなるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。予熱温度Ｔｖは上述した安定温度Ｔｓよりも高い温度である。例えば、安定温度Ｔｓが４００℃であれば、予熱温度Ｔｖは５００℃とされる。
時刻ｔ２にサセプタ７４の温度が予熱温度Ｔｖに到達した時点にて、制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整してサセプタ７４の温度をほぼ予熱温度Ｔｖに維持する。換言すれば、サセプタ７４の温度が予熱温度Ｔｖを維持するように、制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御する。サセプタ７４が予熱温度Ｔｖに昇温されると、そのサセプタ７４からの熱放射や熱伝導によって、移載アーム１１やチャンバー側部６１等のサセプタ７４以外のチャンバー内構造物も予熱されることとなる。
次に、サセプタ７４の温度が予熱温度Ｔｖに到達してから所定時間が経過した時刻ｔ３に、制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を低下させてサセプタ７４を降温させる。そして、時刻ｔ４にサセプタ７４の温度が安定温度Ｔｓにまで降温した時点にて、制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整してサセプタ７４の温度をほぼ安定温度Ｔｓに維持する。すなわち、サセプタ７４の温度が安定温度Ｔｓを維持するように、制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御する。
安定温度Ｔｓは、サセプタ７４を予熱することなく、チャンバー６内にてロットの複数の半導体ウェハーＷに連続してハロゲンランプＨＬから光を照射して加熱処理を行うことにより、サセプタ７４の温度が上昇して一定となったときの当該サセプタ７４の温度である。安定温度Ｔｓの値は、特に限定されるものではなく、ロットを構成する半導体ウェハーＷの予備加熱温度Ｔ１に応じて異なる。このような安定温度Ｔｓは、予め実験またはシミュレーション等によって求めて制御部３の記憶部に格納しておけば良い。
サセプタ７４の温度が安定温度Ｔｓに維持されることによって、移載アーム１１等のサセプタ７４以外のチャンバー内構造物も半導体ウェハーＷの定常処理時の温度に安定化される。なお、予熱用基板が予熱温度Ｔｖに維持される時間（時刻ｔ２から時刻ｔ３までの時間）は例えば約１分であり、予熱用基板が安定温度Ｔｓに維持される時間（時刻ｔ４から時刻ｔ５までの時間）は例えば約４分である。
その後、サセプタ７４の温度が安定温度Ｔｓに到達してから所定時間が経過した時刻ｔ５に、制御部３がハロゲンランプＨＬからの光照射を停止させる。ハロゲンランプＨＬが光照射を停止することによって、サセプタ７４の温度が降温する。そして、時刻ｔ６にサセプタ７４の温度が入替温度Ｔｗにまで降温した時点で予熱用基板をチャンバー６から搬出するとともに、生産用のロットの最初の半導体ウェハーＷをチャンバー６内に搬入してサセプタ７４に載置する。具体的には、時刻ｔ６に、移載機構１０のリフトピン１２が予熱用基板を突き上げて装置外部の搬送ロボットが当該予熱用基板を受け取って搬出する。続いて、装置外部の搬送ロボットによってチャンバー６内に搬入された生産用のロットの最初の半導体ウェハーＷが移載機構１０によってサセプタ７４に載置される。その後、ロットの最初の半導体ウェハーＷに対しては上述した手順に従って予備加熱処理およびフラッシュ加熱処理が行われる。
入替温度Ｔｗは、ロットを構成する半導体ウェハーＷの定常処理時に、加熱処理後の半導体ウェハーＷを未処理の半導体ウェハーＷと入れ替えるためにチャンバー６から搬出するときのサセプタ７４の温度である。上述した通り、半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理が終了した後にハロゲンランプＨＬが消灯してサセプタ７４の温度も降温する。そして、その加熱処理後の半導体ウェハーＷをチャンバー６から搬出するときのサセプタ７４の温度が入替温度Ｔｗである。
本実施形態においては、生産用のロットの最初の半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入される前に、予熱用基板をサセプタ７４に載置し、その予熱用基板をハロゲンランプＨＬからの光照射で加熱することによってサセプタ７４を予熱している。そして、サセプタ７４を安定温度Ｔｓよりも高温の予熱温度Ｔｖに昇温している。ここで、サセプタ７４のみを予熱するのであれば、単純にサセプタ７４を安定温度Ｔｓにまで昇温すれば足りるようにも考えられる。しかし、目標温度を安定温度Ｔｓとしてサセプタ７４を予熱すると、サセプタ７４を安定温度Ｔｓに昇温させるまでに相応の時間を要することとなり、ダミーランニングに要していた時間から顕著に短縮することは難しい。また、単にサセプタ７４を安定温度Ｔｓに昇温しただけでは、移載アーム１１やチャンバー側部６１等のサセプタ７４以外のチャンバー内構造物を半導体ウェハーＷの定常処理時の温度にまで加熱するのにも長時間を要する。
このため、本実施形態のように、サセプタ７４を安定温度Ｔｓよりも高温の予熱温度Ｔｖに予熱することによって、サセプタ７４を短時間で安定温度Ｔｓ以上に昇温できるとともに、移載アーム１１等のサセプタ７４以外のチャンバー内構造物をもサセプタ７４からの熱放射によって半導体ウェハーＷの定常処理時の温度に短時間で予熱することができる。これにより、予熱後にロットの最初の半導体ウェハーＷの処理を開始すれば、ロットを構成する全ての半導体ウェハーＷにわたってサセプタ７４等のチャンバー内構造物が概ね等しい温度となり、温度履歴を均一にすることができる。また、ロットの初期の半導体ウェハーＷについても、安定温度Ｔｓに昇温したサセプタ７４によって支持されるため、サセプタ７４と半導体ウェハーＷとの温度差に起因したウェハー反りを防止することができる。すなわち、従来のような数枚のダミーウェハーに加熱処理を行うダミーランニングよりも短時間にてサセプタ７４等のチャンバー内構造物を予熱して生産用のロットの処理を開始することができるのである。そして、ダミーランニングを省略してもロットを構成する全ての半導体ウェハーＷについて温度履歴を均一にすることができ、基板処理装置１の効率的な運用が可能となる。
また、サセプタ７４を安定温度Ｔｓよりも高温の予熱温度Ｔｖに昇温した後、サセプタ７４の温度を安定温度Ｔｓに維持しているため、サセプタ７４を含むチャンバー内構造物の温度を半導体ウェハーＷの定常処理時の温度に安定化させることができる。
また、サセプタ７４の温度を安定温度Ｔｓに維持した後、ハロゲンランプＨＬからの光照射を停止してサセプタ７４が入替温度Ｔｗにまで降温した時点で予熱用基板をチャンバー６から搬出するとともにロットの最初の半導体ウェハーＷをチャンバー６内に搬入している。このため、当該最初の半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されたときのサセプタ７４の温度は、半導体ウェハーＷの定常処理時に未処理の半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されるときのサセプタ７４の温度と等しく、ロットを構成する半導体ウェハーＷの温度履歴をより均一にすることができる。
さらに、本実施形態においては、予熱用基板の放射率がロットの半導体ウェハーＷの放射率よりも高い。従って、予熱時に予熱用基板はハロゲンランプＨＬから照射された光を効率良く吸収して急速に昇温する。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、予熱用基板をシリコンカーバイドにて形成していたが、これに限定されるものではなく、例えばシリコンの半導体基板の表面にシリコンナイトライド（Ｓｉ３Ｎ４）の膜を成膜して予熱用基板としても良い。表面にシリコンナイトライドを成膜した予熱用基板の放射率もシリコンの半導体ウェハーＷの放射率より高い。また、シリコンの半導体基板の表面に高濃度の不純物（ドーパント）の膜を成膜したり、高濃度の不純物（ドーパント）を注入して予熱用基板としても良い。かかる予熱用基板の放射率も単なるシリコンの半導体ウェハーＷの放射率より高い。さらに、シリコンの半導体基板を予熱用基板として用いるようにしても良い。もっとも、シリコンよりも放射率の高い予熱用基板を用いた方が予熱用基板を短時間で昇温させることができるため好適である。
また、上記実施形態においては、放射温度計１３０によるサセプタ７４の温度測定値に基づいて、制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御していたが、放射温度計１２０による予熱用基板の温度測定値または温度センサー１４０によるチャンバー６内の雰囲気温度の測定値に基づいて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御するようにしても良い。或いは、放射温度計１２０，放射温度計１３０および温度センサー１４０のうちの複数の温度測定値に基づいて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を制御するようにしても良い。
また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
また、熱処理装置１によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。また、本発明に係る技術は、高誘電率ゲート絶縁膜（High-k膜）の熱処理、金属とシリコンとの接合、或いはポリシリコンの結晶化に適用するようにしても良い。
また、本発明に係る熱処理技術は、フラッシュランプアニール装置に限定されるものではなく、ハロゲンランプを使用した枚葉式のランプアニール装置やＣＶＤ装置などのフラッシュランプ以外の熱源の装置にも適用することができる。特に、チャンバーの下方にハロゲンランプを配置し、半導体ウェハーの裏面から光照射を行って熱処理を行うバックサイドアニール装置に本発明に係る技術は好適に適用することができる。
１ 熱処理装置
３ 制御部
４ ハロゲン加熱部
５ フラッシュ加熱部
６ チャンバー
７ 保持部
１０ 移載機構
６３ 上側チャンバー窓
６４ 下側チャンバー窓
６５ 熱処理空間
７４ サセプタ
７５ 保持プレート
７７ 基板支持ピン
１２０，１３０ 放射温度計
１４０ 温度センサー
ＦＬ フラッシュランプ
ＨＬ ハロゲンランプ
Ｗ 半導体ウェハー

Claims (4)

  1. 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
    チャンバー内に基板を搬入してサセプタに載置する搬入工程と、
    前記サセプタに載置された基板にハロゲンランプから光を照射する光照射工程と、
    ロットの最初の基板が前記チャンバー内に搬入される前に、前記サセプタに予熱用基板を載置し、前記ハロゲンランプからの光照射によって前記予熱用基板を加熱して前記サセプタを予熱する予熱工程と、
    を備え、
    前記サセプタを予熱することなく、ロットの複数の基板に連続して前記ハロゲンランプから光を照射して加熱することにより前記サセプタの温度が上昇して一定となったときの前記サセプタの温度を安定温度とし、
    前記予熱工程では、前記安定温度よりも高い温度に前記サセプタを予熱し、
    前記予熱工程の後、前記サセプタの温度を前記安定温度に所定時間維持する安定化工程をさらに備え、
    前記安定化工程の後、前記予熱用基板を前記チャンバーから搬出することを特徴とする熱処理方法。
  2. 請求項１記載の熱処理方法において、
    前記予熱工程では、前記予熱用基板を前記安定温度よりも高い予熱温度に所定時間維持することを特徴とする熱処理方法。
  3. 請求項１または請求項２記載の熱処理方法において、
    前記安定化工程の後、前記ハロゲンランプからの光照射を停止して前記サセプタが所定温度にまで降温した時点で前記予熱用基板を前記チャンバーから搬出するとともに前記ロットの最初の基板を前記チャンバーに搬入して前記サセプタに載置することを特徴とする熱処理方法。
  4. 請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理方法において、
    前記予熱用基板の放射率は前記ロットの基板の放射率よりも高いことを特徴とする熱処理方法。
JP2017114254A 2017-06-09 2017-06-09 熱処理方法 Active JP6864564B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017114254A JP6864564B2 (ja) 2017-06-09 2017-06-09 熱処理方法
TW107116412A TWI712089B (zh) 2017-06-09 2018-05-15 熱處理方法
US16/001,525 US10755948B2 (en) 2017-06-09 2018-06-06 Heat treatment method by light irradiation
KR1020180065939A KR102126119B1 (ko) 2017-06-09 2018-06-08 열처리 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017114254A JP6864564B2 (ja) 2017-06-09 2017-06-09 熱処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018207067A JP2018207067A (ja) 2018-12-27
JP6864564B2 true JP6864564B2 (ja) 2021-04-28

Family

ID=64564330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017114254A Active JP6864564B2 (ja) 2017-06-09 2017-06-09 熱処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10755948B2 (ja)
JP (1) JP6864564B2 (ja)
KR (1) KR102126119B1 (ja)
TW (1) TWI712089B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP7041594B2 (ja) * 2018-06-20 2022-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
JP7256034B2 (ja) * 2019-03-04 2023-04-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
JP7312020B2 (ja) * 2019-05-30 2023-07-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP7460394B2 (ja) * 2020-02-28 2024-04-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法
US12020958B2 (en) * 2020-02-28 2024-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Light irradiation type heat treatment method
JP7508303B2 (ja) * 2020-07-31 2024-07-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4144057B2 (ja) * 1997-12-11 2008-09-03 旭硝子株式会社 半導体製造装置用部材
JP2001127057A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Applied Materials Inc 半導体製造装置における基板加熱方法
US7231141B2 (en) * 2001-04-23 2007-06-12 Asm America, Inc. High temperature drop-off of a substrate
JP3982402B2 (ja) * 2002-02-28 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US20080220150A1 (en) * 2007-03-05 2008-09-11 Applied Materials, Inc. Microbatch deposition chamber with radiant heating
US8110435B2 (en) * 2008-12-18 2012-02-07 Jusung Engineering Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2010225645A (ja) 2009-03-19 2010-10-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
US9401271B2 (en) * 2012-04-19 2016-07-26 Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) Susceptor assemblies for supporting wafers in a reactor apparatus
JP6560550B2 (ja) * 2015-07-06 2019-08-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
JP6539568B2 (ja) 2015-11-04 2019-07-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
US10727140B2 (en) * 2015-12-30 2020-07-28 Mattson Technology, Inc. Preheat processes for millisecond anneal system

Also Published As

Publication number Publication date
TWI712089B (zh) 2020-12-01
KR20180134769A (ko) 2018-12-19
US10755948B2 (en) 2020-08-25
US20180358234A1 (en) 2018-12-13
TW201903903A (zh) 2019-01-16
KR102126119B1 (ko) 2020-06-23
JP2018207067A (ja) 2018-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6837871B2 (ja) 熱処理方法
JP6864564B2 (ja) 熱処理方法
JP6944347B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
US20170140976A1 (en) Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiation with flash light
JP6837911B2 (ja) 熱処理装置
JP6894256B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP6845730B2 (ja) 熱処理装置
JP6960344B2 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
JP2016225429A (ja) 熱処理装置
KR102093007B1 (ko) 열처리 장치
TW201740438A (zh) 熱處理用承載器及熱處理裝置
JP2021082684A (ja) 熱処理装置
JP2022026758A (ja) 熱処理方法
JP7032947B2 (ja) 熱処理方法
JP6982446B2 (ja) 熱処理装置
JP6814572B2 (ja) 熱処理装置
JP6539498B2 (ja) 熱処理装置
JP2021136376A (ja) 熱処理方法
JP2022106561A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
JP2022045565A (ja) 熱処理装置
JP6899248B2 (ja) 熱処理装置
JP2020136307A (ja) 熱処理方法および熱処理装置
WO2021049283A1 (ja) 熱処理方法および熱処理装置
KR102303332B1 (ko) p형 질화갈륨계 반도체의 제조 방법 및 열처리 방법
JP6791693B2 (ja) 熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210120

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210309

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210402

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6864564

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250