JP7460394B2 - 熱処理方法 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 266
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 140
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 89
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 89
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 55
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 33
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 33
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
図1は、本発明に係る熱処理方法を実施する熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。図1の熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである(本実施形態ではφ300mm)。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置1の構成は第1実施形態と同様である。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第1実施形態では時刻t3のダミーウェハーの裏面温度T4によって安定化を判定していたのに対して、第2実施形態ではフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射したときのダミーウェハーの表面の最高到達温度(表面到達温度)によって安定化を判定している。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第1実施形態ではダミーウェハーの裏面温度に基づいて安定化を判定し、第2実施形態ではダミーウェハーの表面到達温度に基づいて安定化を判定していたが、これらの双方に基づいて安定化を判定するようにしても良い。すなわち、フラッシュランプFLおよびハロゲンランプHLが消灯してから所定時間が経過した時点でのダミーウェハーの裏面温度およびフラッシュランプFLからフラッシュ光を照射したときのダミーウェハーの表面到達温度の双方が一定となるまでダミー処理を繰り返して継続するようにしても良い。このようにすれば、サセプタ74等のチャンバー内構造物の温度がより確実に安定化してからロットの最初の半導体ウェハーWの処理を開始することができる。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
20 下部放射温度計
25 上部放射温度計
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
74 サセプタ
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (2)
- 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
ロットの最初の基板がチャンバー内に搬入される前に複数のダミーウェハーを順次に前記チャンバー内に搬入してサセプタに載置する搬入工程と、
前記サセプタに載置された複数のダミーウェハーのそれぞれの裏面に連続点灯ランプから光を照射して当該ダミーウェハーを加熱した後に、当該ダミーウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該ダミーウェハーを加熱する加熱工程と、
前記フラッシュランプおよび前記連続点灯ランプが消灯してから所定時間が経過した時点での前記複数のダミーウェハーのそれぞれの裏面温度を測定する裏面温度測定工程と、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射したときの前記複数のダミーウェハーのそれぞれの表面到達温度を測定する表面温度測定工程と、
を備え、
前記複数のダミーウェハーについて前記裏面温度測定工程にて測定された裏面温度および前記表面温度測定工程にて測定された表面到達温度の双方が一定となるまで前記搬入工程および前記加熱工程を繰り返した後に前記ロットの最初の基板の処理を開始することを特徴とする熱処理方法。 - 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
ロットの最初の基板がチャンバー内に搬入される前に複数のダミーウェハーを順次に前記チャンバー内に搬入してサセプタに載置する搬入工程と、
前記サセプタに載置された複数のダミーウェハーのそれぞれの裏面に連続点灯ランプから光を照射して当該ダミーウェハーを加熱した後に、当該ダミーウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該ダミーウェハーを加熱する加熱工程と、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射したときの前記複数のダミーウェハーのそれぞれの表面到達温度を測定する表面温度測定工程と、
を備え、
前記複数のダミーウェハーについて前記表面温度測定工程にて測定された表面到達温度が一定となるまで前記搬入工程および前記加熱工程を繰り返した後に前記ロットの最初の基板の処理を開始することを特徴とする熱処理方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020033003A JP7460394B2 (ja) | 2020-02-28 | 2020-02-28 | 熱処理方法 |
US17/167,217 US20210272823A1 (en) | 2020-02-28 | 2021-02-04 | Light irradiation type heat treatment method |
KR1020210026369A KR102424748B1 (ko) | 2020-02-28 | 2021-02-26 | 열처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020033003A JP7460394B2 (ja) | 2020-02-28 | 2020-02-28 | 熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021136376A JP2021136376A (ja) | 2021-09-13 |
JP7460394B2 true JP7460394B2 (ja) | 2024-04-02 |
Family
ID=77661627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020033003A Active JP7460394B2 (ja) | 2020-02-28 | 2020-02-28 | 熱処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7460394B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022026758A (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-10 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018148201A (ja) | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2018535542A (ja) | 2015-12-30 | 2018-11-29 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | ミリ秒アニールシステムのための予熱方法 |
JP2018207067A (ja) | 2017-06-09 | 2018-12-27 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP2019220565A (ja) | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
-
2020
- 2020-02-28 JP JP2020033003A patent/JP7460394B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018535542A (ja) | 2015-12-30 | 2018-11-29 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | ミリ秒アニールシステムのための予熱方法 |
JP2018148201A (ja) | 2017-03-03 | 2018-09-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2018207067A (ja) | 2017-06-09 | 2018-12-27 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP2019220565A (ja) | 2018-06-20 | 2019-12-26 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021136376A (ja) | 2021-09-13 |
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