JP2019220565A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。図1の熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである(本実施形態ではφ300mm)。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置1の構成および半導体ウェハーWの処理手順は第1実施形態と概ね同様である。第1実施形態では、予熱時のハロゲンランプHLの出力を制御するために放射温度計130によってサセプタ74の温度を測定していた。また、半導体ウェハーWの熱処理のハロゲンランプHLの出力を制御するために放射温度計120によって半導体ウェハーWの温度を測定していた。さらに、放射温度計140によって下側チャンバー窓64の温度も測定される。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第1実施形態において、制御部3は、ダミーウェハーDWの温度に基づいてハロゲンランプHLの出力を制御した後、放射温度計140が測定した下側チャンバー窓64の温度に基づいてハロゲンランプHLの出力を制御するようにしても良い。さらにその後、制御部3は、放射温度計130が測定したサセプタ74の温度に基づいてハロゲンランプHLの出力を制御するようにしても良い。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
74 サセプタ
75 保持プレート
77 基板支持ピン
120,130,140 放射温度計
135 偏光素子
137 角度調整機構
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (4)
- 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて前記基板を載置して保持する石英のサセプタと、
前記サセプタに保持された前記基板に光を照射する光照射部と、
前記サセプタの温度を測定する第1放射温度計と、
を備え、
前記第1放射温度計は、4μmよりも長い波長の赤外光を受光して前記サセプタの温度を測定することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記光照射部からの光照射を制御する制御部をさらに備え、
前記サセプタにダミー基板を保持させた状態で前記光照射部から光照射を行って前記サセプタを加熱するときに、前記制御部は、前記第1放射温度計が測定した前記サセプタの温度に基づいて、前記光照射部の出力を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記サセプタに保持された前記基板の温度を測定する第2放射温度計をさらに備え、
前記制御部は、前記第2放射温度計が測定した前記基板の温度に基づいて前記光照射部の出力を制御した後、前記第1放射温度計が測定した前記サセプタの温度に基づいて前記光照射部の出力を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記サセプタと前記第1放射温度計との間に設けられた偏光素子をさらに備え、
前記第1放射温度計は、前記サセプタの表面にブリュースター角で入射した光の反射光の進行方向に沿った位置に設けられ、
前記偏光素子は、p偏光のみを通過させることを特徴とする熱処理装置。
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