JP2017092102A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理対象となるロットの最初の半導体ウェハーWがチャンバー6に搬入される前に、ハロゲンランプHLからの光照射によってサセプター74を予熱する。サセプター74の温度は放射温度計27によって測定される。制御部3は、放射温度計27がサセプター74の温度を測定した測定結果に基づいて、サセプター74の温度が安定温度に到達するようにハロゲンランプHLの出力を制御する。サセプター74の安定温度とは、サセプター74を加熱することなく、チャンバー6内にて複数の半導体ウェハーWに連続して光照射加熱を行うことによりサセプター74の温度が上昇して一定となったときの当該サセプター74の温度である。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置の全体概略構成および半導体ウェハーWの処理手順は概ね第1実施形態と同様であるが、サセプター74の温度を測定する放射温度計の個数が異なる。第1実施形態ではサセプター74の中心部の温度を測定する放射温度計27を1個設けていたのに対し、第2実施形態においてはサセプター74の複数箇所の温度を測定する複数の放射温度計を設けている。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、半導体ウェハーWを予備加熱するためのハロゲンランプHLによってサセプター74を加熱するようにしていたが、これに限定されるものではなく、抵抗加熱式のヒータなど専用の加熱機構によって石英のサセプター74を加熱するようにしても良い。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
27 放射温度計
65 熱処理空間
74 サセプター
CZ 中心ゾーン
EZ 周縁ゾーン
MZ 中間ゾーン
HL ハロゲンランプ
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (10)
- 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
チャンバー内に基板を搬入してサセプターに載置する搬入工程と、
前記サセプターに載置された基板に光を照射する光照射工程と、
ロットの最初の基板がチャンバー内に搬入される前に、前記サセプターの温度を測定する温度測定工程と、
前記温度測定工程での測定結果に基づいて、前記サセプターを加熱する加熱工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記サセプターを加熱することなく、ロットの複数の基板に連続して光を照射して加熱することにより前記サセプターの温度が上昇して一定となったときの前記サセプターの温度を安定温度とし、
前記加熱工程では、前記サセプターの温度が前記安定温度に到達するように前記サセプターを加熱することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1または請求項2記載の熱処理方法において、
前記温度測定工程では、前記サセプターの複数箇所の温度を測定し、
前記加熱工程では、前記複数箇所のそれぞれを含む領域毎に加熱制御を行うことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記光照射工程では、前記チャンバーの一方側からフラッシュランプによって基板にフラッシュ光を照射することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項4記載の熱処理方法において、
前記光照射工程では、さらに前記チャンバーの他方側からハロゲンランプによって基板に光を照射し、
前記加熱工程では、前記ハロゲンランプからの光照射によって前記サセプターを加熱することを特徴とする熱処理方法。 - 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、基板を載置して支持するサセプターと、
前記サセプターに載置された基板に光を照射する光照射部と、
前記サセプターの温度を測定する温度測定部と、
ロットの最初の基板が前記チャンバーに搬入される前に、前記温度測定部が前記サセプターの温度を測定した測定結果に基づいて、前記光照射部からの光照射によって前記サセプターを加熱するように前記光照射部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6記載の熱処理装置において、
前記サセプターを加熱することなく、ロットの複数の基板に前記光照射部から連続して光を照射して加熱することにより前記サセプターの温度が上昇して一定となったときの前記サセプターの温度を安定温度とし、
前記制御部は、前記サセプターの温度が前記安定温度に到達するように前記光照射部を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6または請求項7記載の熱処理装置において、
前記温度測定部は、前記サセプターの複数箇所の温度を測定する複数の温度センサーを含み、
前記制御部は、前記複数箇所のそれぞれを含む領域毎に前記光照射部からの光照射を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項6から請求項8のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記光照射部は、前記チャンバーの一方側から基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプを含むことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項9記載の熱処理装置において、
前記光照射部は、前記チャンバーの他方側から基板に光を照射するハロゲンランプをさらに含み、
前記ハロゲンランプからの光照射によって前記サセプターを加熱することを特徴とする熱処理装置。
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