JP2021150566A - 熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明に係る熱処理方法を実施する熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。図1の熱処理装置1は、基板として円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーWのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ300mmやφ450mmである(本実施形態ではφ300mm)。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置1の構成は第1実施形態と同様である。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。さらに、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理後の手順も第1実施形態(図9)と概ね同様である。第1実施形態ではダミーウェハーを用いてステップS6のダミー処理を行っていたのに対して、第2実施形態ではダミーウェハーを用いることなくダミー処理を実行する。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、下部放射温度計20の測定温度に基づいて降下温度を算出していたが、これに限定されるものではなく、サセプタ温度計91または雰囲気温度計95の測定温度に基づいて降下温度を算出するようにしても良い。すなわち、先行ウェハーをチャンバー6から搬出した後にサセプタ温度計91によってサセプタ74の温度を測定し、そのサセプタ74の温度が時刻t2から時刻t3までに降下した差分を降下温度としても良い。或いは、先行ウェハーをチャンバー6から搬出した後に雰囲気温度計95によってチャンバー6内の雰囲気温度を測定し、その雰囲気温度が時刻t2から時刻t3までに降下した差分を降下温度としても良い。いずれの場合であっても、降下温度が所定の閾値よりも大きいときには、ダミー処理を実行し、降下温度が所定の閾値以下のときには、ダミー処理を行うことなく後続ウェハーに対する処理を開始する。これにより、第1実施形態と同じく、後続ウェハー以降の温度履歴が不均一となるのを防ぎつつ消費するダミーウェハーの枚数を低減することができる。
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
20 下部放射温度計
25 上部放射温度計
63 上側チャンバー窓
64 下側チャンバー窓
65 熱処理空間
74 サセプタ
91 サセプタ温度計
95 雰囲気温度計
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (7)
- 基板に光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
先行する基板の処理が終了して当該先行する基板がチャンバーから搬出された後に、前記チャンバー内の温度を測定する温度測定工程と、
前記先行する基板が前記チャンバーから搬出されたときの前記チャンバー内の温度である搬出時温度と前記温度測定工程にて測定された測定温度との差分である降下温度を算定する算定工程と、
前記算定工程にて算定された前記降下温度と所定の閾値とを比較する比較工程と、
を備え、
前記降下温度が前記閾値よりも大きいときには、連続点灯ランプおよびフラッシュランプからの光照射によって前記チャンバー内の構造物を予熱するダミー処理を実行するとともに、前記降下温度が前記閾値以下のときには、前記ダミー処理を実行することなく後続の基板を前記チャンバー内に搬入して当該後続の基板に対する処理を開始することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記ダミー処理では、前記チャンバー内にダミーウェハーを搬入し、前記連続点灯ランプおよび前記フラッシュランプから前記ダミーウェハーに光照射を行って前記チャンバー内の構造物を予熱することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記ダミー処理では、前記チャンバー内にダミーウェハーを搬入することなく、前記連続点灯ランプおよび前記フラッシュランプからの光照射によって前記チャンバー内の構造物を予熱することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項3記載の熱処理方法において、
前記連続点灯ランプおよび前記フラッシュランプからダミーウェハーに光照射を行うときのそれぞれの条件を第1条件および第2条件とし、
前記ダミー処理では、前記連続点灯ランプから前記第1条件にて光照射を行うとともに、前記フラッシュランプから前記第2条件にて光照射を行うことを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記温度測定工程では、サセプタ用温度計によって基板を保持するサセプタの温度を測定することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記温度測定工程では、雰囲気温度計によって前記チャンバー内の雰囲気の温度を測定することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記温度測定工程では、基板の下面の温度を測定する放射温度計によって前記チャンバー内の温度を測定することを特徴とする熱処理方法。
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