JP2010238789A

JP2010238789A - 熱処理用サセプタおよび熱処理装置

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Publication number: JP2010238789A
Application number: JP2009082929A
Authority: JP
Inventors: Hiroyoshi Kiyama; 弘喜樹山; Kimihide Nozaki; 仁秀野崎
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2009-03-30
Filing date: 2009-03-30
Publication date: 2010-10-21
Anticipated expiration: 2029-03-30
Also published as: JP5543123B2

Abstract

【課題】フラッシュランプからのフラッシュ光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理用サセプタおよび熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して加熱処理を行うときに半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７はヒータを内蔵するホットプレート７１の上にサセプタ７２を載置して構成される。サセプタ７２はパイロリティックボロンナイトライド（ＰＢＮ）にて形成されている。パイロリティックボロンナイトライドは比較的たわみやすく、しかも熱伝導率も高い。このため、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷが激しく振動したとしてもウェハーに与える衝撃を緩和することができ、半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。また、フラッシュ光照射前の予備加熱時にホットプレート７１から半導体ウェハーＷに良好な熱伝達がなされる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）に対してフラッシュ光（閃光）を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置およびその処理対象となる基板を保持する熱処理用サセプタに関する。

従来より、イオン注入後の半導体ウェハーのイオン活性化工程においては、ハロゲンランプを使用したランプアニール装置が一般的に使用されていた。このようなランプアニール装置においては、半導体ウェハーを、例えば、１０００℃ないし１１００℃程度の温度に加熱（アニール）することにより、半導体ウェハーのイオン活性化を実行している。そして、このような熱処理装置においては、ハロゲンランプより照射される光のエネルギーを利用することにより、毎秒数百度程度の速度で基板を昇温する構成となっている。

一方、近年、半導体デバイスの高集積化が進展し、ゲート長が短くなるにつれて接合深さも浅くすることが望まれている。しかしながら、毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハーを昇温する上記ランプアニール装置を使用して半導体ウェハーのイオン活性化を実行した場合においても、半導体ウェハーに打ち込まれたボロンやリン等のイオンが熱によって深く拡散するという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、接合深さが要求よりも深くなり過ぎ、良好なデバイス形成に支障が生じることが懸念される。

このため、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面に閃光を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリセカンド以下）に昇温させる技術が提案されている。キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーに閃光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリセカンド以下の極めて短時間の閃光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンを深く拡散させることなく、イオン活性化のみを実行することができるのである。

キセノンフラッシュランプを使用した熱処理装置においては、極めて高いエネルギーを有する光を瞬間的に半導体ウェハーに照射するため、一瞬で半導体ウェハーの表面温度が急速に上昇し、ウェハー表面に急激な熱膨張が生じて半導体ウェハーが高い確率で割れていた。このようなキセノンフラッシュランプを使用した熱処理特有の割れを解決するために、例えば特許文献１，２には半導体ウェハーを保持するサセプタのウェハポケットの周縁部にテーパを形成する技術が開示されている。

特開２００４−１７９５１０号公報特開２００４−２４７３３９号公報

特許文献１，２に開示されているような技術を用いることによって、キセノンフラッシュランプを使用した場合における半導体ウェハーの割れをある程度は防止できるようになったものの、半導体ウェハーの種類や熱処理条件（予備加熱温度、照射エネルギー）によって依然として相当な頻度で割れが生じていた。

また、半導体ウェハーの表面が急激に熱膨張したときに、サセプタに傷が付いてパーティクルが発生するという問題も生じていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、フラッシュランプからのフラッシュ光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理用サセプタおよび熱処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、基板を水平姿勢に載置して支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、を備え、前記基板支持部をパイロリティックボロンナイトライド（ＰＢＮ）にて形成することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射する前に基板を予備加熱するホットプレートをさらに備え、前記基板支持部は前記ホットプレートに載置されるサセプタであることを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射する前に基板を予備加熱するホットプレートと、前記ホットプレートに載置される石英のサセプタと、をさらに備え、前記基板支持部は前記サセプタに載置されるシート部材であることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項３の発明に係る熱処理装置において、基板の端縁部の位置を規制するガイド部をさらに備え、前記ガイド部をパイロリティックボロンナイトライドにて形成することを特徴とする。

また、請求項５の発明は、フラッシュランプから基板にフラッシュ光を照射することによって該基板の熱処理を行うときに該基板を保持する熱処理用サセプタにおいて、前記熱処理用サセプタをパイロリティックボロンナイトライドにて形成することを特徴とする。

請求項１から請求項４の発明によれば、フラッシュランプからフラッシュ光が照射される基板を水平姿勢に載置して支持する基板支持部を比較的たわみやすいパイロリティックボロンナイトライドにて形成しているため、フラッシュ光照射時に基板が激しく振動しても基板に与える衝撃を緩和することができ、基板の割れを防止することができる。

特に、請求項２の発明によれば、比較的高い熱伝導率を有するパイロリティックボロンナイトライドにて形成されたサセプタがホットプレートに載置されており、基板を速やかに予備加熱することができる。

特に、請求項４の発明によれば、基板の端縁部の位置を規制するガイド部をパイロリティックボロンナイトライドにて形成しているため、フラッシュ光照射時に基板がガイド部に接していても基板の割れを防止することができる。

また、請求項５の発明によれば、フラッシュランプから基板にフラッシュ光を照射するときに基板を保持する熱処理用サセプタをパイロリティックボロンナイトライドにて形成しているため、フラッシュ光照射時に基板が激しく振動しても基板に与える衝撃を緩和することができ、基板の割れを防止することができる。

本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置のガス路を示す断面図である。保持部の構成を示す断面図である。ホットプレートを示す平面図である。図１の熱処理装置の構成を示す縦断面図である。半導体ウェハーを載置した保持部を示す図である。第２実施形態の保持部の構成を示す図である。第３実施形態の保持部の構成を示す図である。第４実施形態の保持部の構成を示す図である。保持部の構成の他の例を示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１．第１実施形態＞
まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。熱処理装置１は基板として略円形の半導体ウェハーＷにフラッシュ光を照射してその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。

熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容する略円筒形状のチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するランプハウス５と、を備える。また、熱処理装置１は、チャンバー６およびランプハウス５に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。

チャンバー６は、ランプハウス５の下方に設けられており、略円筒状の内壁を有するチャンバー側部６３、および、チャンバー側部６３の下部を覆うチャンバー底部６２によって構成される。また、チャンバー側部６３およびチャンバー底部６２によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。熱処理空間６５の上方は上部開口６０とされており、上部開口６０にはチャンバー窓６１が装着されて閉塞されている。

チャンバー６の天井部を構成するチャンバー窓６１は、石英により形成された円板形状部材であり、ランプハウス５から出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５に透過する石英窓として機能する。チャンバー６の本体を構成するチャンバー底部６２およびチャンバー側部６３は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されており、チャンバー側部６３の内側面の上部のリング６３１は、フラッシュ光照射による劣化に対してステンレススチールより優れた耐久性を有するアルミニウム（Ａｌ）合金等で形成されている。

また、熱処理空間６５の気密性を維持するために、チャンバー窓６１とチャンバー側部６３とはＯリングによってシールされている。すなわち、チャンバー窓６１の下面周縁部とチャンバー側部６３との間にＯリングを挟み込むとともに、クランプリング９０をチャンバー窓６１の上面周縁部に当接させ、そのクランプリング９０をチャンバー側部６３にネジ止めすることによって、チャンバー窓６１をＯリングに押し付けている。

チャンバー底部６２には、保持部７を貫通して半導体ウェハーＷをその下面（ランプハウス５からのフラッシュ光が照射される側とは反対側の面）から支持するための複数（本実施の形態では３本）の支持ピン７０が立設されている。支持ピン７０は、例えば石英により形成されており、チャンバー６の外部から固定されているため、容易に取り替えることができる。

チャンバー側部６３は、半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部６６を有し、搬送開口部６６は、軸６６２を中心に回動するゲートバルブ１８５により開閉可能とされる。チャンバー側部６３における搬送開口部６６とは反対側の部位には熱処理空間６５に処理ガス（例えば、窒素（Ｎ₂）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス、あるいは、酸素（０₂）ガス等）を導入する導入路８１が形成され、その一端は弁８２を介して図示省略の給気機構に接続され、他端はチャンバー側部６３の内部に形成されるガス導入バッファ８３に接続される。また、搬送開口部６６には熱処理空間６５内の気体を排出する排出路８６が形成され、弁８７を介して図示省略の排気機構に接続される。

図２は、チャンバー６をガス導入バッファ８３の位置にて水平面で切断した断面図である。図２に示すように、ガス導入バッファ８３は、図１に示す搬送開口部６６の反対側においてチャンバー側部６３の内周の約１／３に亘って形成されており、導入路８１を介してガス導入バッファ８３に導かれた処理ガスは、複数のガス供給孔８４から熱処理空間６５内へと供給される。

また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部において半導体ウェハーＷを水平姿勢にて保持しつつフラッシュ光照射前にその保持する半導体ウェハーＷの予備加熱を行う略円板状の保持部７と、保持部７をチャンバー６の底面であるチャンバー底部６２に対して昇降させる保持部昇降機構４と、を備える。図１に示す保持部昇降機構４は、略円筒状のシャフト４１、移動板４２、ガイド部材４３（本実施の形態ではシャフト４１の周りに３本配置される）、固定板４４、ボールネジ４５、ナット４６およびモータ４０を有する。チャンバー６の下部であるチャンバー底部６２には保持部７よりも小さい直径を有する略円形の下部開口６４が形成されており、ステンレススチール製のシャフト４１は、下部開口６４を挿通して、保持部７（厳密には保持部７のホットプレート７１）の下面に接続されて保持部７を支持する。

移動板４２にはボールネジ４５と螺合するナット４６が固定されている。また、移動板４２は、チャンバー底部６２に固定されて下方へと伸びるガイド部材４３により摺動自在に案内されて上下方向に移動可能とされる。また、移動板４２は、シャフト４１を介して保持部７に連結される。

モータ４０は、ガイド部材４３の下端部に取り付けられる固定板４４に設置され、タイミングベルト４０１を介してボールネジ４５に接続される。保持部昇降機構４により保持部７が昇降する際には、駆動部であるモータ４０が制御部３の制御によりボールネジ４５を回転し、ナット４６が固定された移動板４２がガイド部材４３に沿って鉛直方向に移動する。この結果、移動板４２に固定されたシャフト４１が鉛直方向に沿って移動し、シャフト４１に接続された保持部７が図１に示す半導体ウェハーＷの受渡位置と図５に示す半導体ウェハーＷの処理位置との間で滑らかに昇降する。

移動板４２の上面には略半円筒状（円筒を長手方向に沿って半分に切断した形状）のメカストッパ４５１がボールネジ４５に沿うように立設されており、仮に何らかの異常により移動板４２が所定の上昇限界を超えて上昇しようとしても、メカストッパ４５１の上端がボールネジ４５の端部に設けられた端板４５２に突き当たることによって移動板４２の異常上昇が防止される。これにより、保持部７がチャンバー窓６１の下方の所定位置以上に上昇することはなく、保持部７とチャンバー窓６１との衝突が防止される。

また、保持部昇降機構４は、チャンバー６の内部のメンテナンスを行う際に保持部７を手動にて昇降させる手動昇降部４９を有する。手動昇降部４９はハンドル４９１および回転軸４９２を有し、ハンドル４９１を介して回転軸４９２を回転することより、タイミングベルト４９５を介して回転軸４９２に接続されるボールネジ４５を回転して保持部７の昇降を行うことができる。

チャンバー底部６２の下側には、シャフト４１の周囲を囲み下方へと伸びる伸縮自在のベローズ４７が設けられ、その上端はチャンバー底部６２の下面に接続される。一方、ベローズ４７の下端はベローズ下端板４７１に取り付けられている。べローズ下端板４７１は、鍔状部材４１１によってシャフト４１にネジ止めされて取り付けられている。保持部昇降機構４により保持部７がチャンバー底部６２に対して上昇する際にはベローズ４７が収縮され、下降する際にはべローズ４７が伸張される。そして、保持部７が昇降する際にも、ベローズ４７が伸縮することによって熱処理空間６５内の気密状態が維持される。

図３は、保持部７の構成を示す断面図である。保持部７は、フラッシュ光照射前に半導体ウェハーＷを予備加熱（いわゆるアシスト加熱）するホットプレート（加熱プレート）７１、および、ホットプレート７１の上面（保持部７が半導体ウェハーＷを保持する側の面）に載置されるサセプタ７２を有する。保持部７の下面には、既述のように保持部７を昇降するシャフト４１が接続される。

第１実施形態のサセプタ７２はパイロリティックボロンナイトライド（ＰＢＮ）にて形成されている。パイロリティックボロンナイトライドは正確には六方晶構造窒化硼素（Hexagonal Structure Pyrolytic Boron Nitride）と称される窒素と硼素との化合物のセラミックスである。パイロリティックボロンナイトライドは、窒素と硼素が交互に正六角形の頂点に位置して網目状に形成される面を多層に積層した構造を有する。そのような面を二層周期にて（つまり積層方向に沿って窒素と硼素が交互に位置するように）積層することによって六方晶系の窒化硼素、すなわち本実施形態のパイロリティックボロンナイトライドが形成される。積層面の面内の結合は共有結合であり、面間の結合はファンデルワールス結合である。

パイロリティックボロンナイトライドのヤング率は約２２ＧＰａである。鉄のヤング率が約２００ＧＰａ、アルミ合金のそれが約７０ＧＰａであるのと比較すると、パイロリティックボロンナイトライドはセラミックスであるにもかかわらず一般的な金属材料よりもたわみやすい素材であると言える。

また、パイロリティックボロンナイトライドの熱伝導率は約２０〜１２０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1である。アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）の熱伝導率が約２０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1であり、一般的なガラスの熱伝導率が約１Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1であることを考慮すると、パイロリティックボロンナイトライドは比較的大きな熱伝導率を有すると言える。また、セラミックスであるパイロリティックボロンナイトライドは耐熱性も高い。

パイロリティックボロンナイトライドにて形成されたサセプタ７２は、その下面をホットプレート７１の上面に面接触させてホットプレート７１上に設置される。また、サセプタ７２の上面には周縁をテーパ面とした凹部１７６が形設されており、半導体ウェハーＷはその凹部１７６内（凹部１７６の底面）に載置される。さらに、サセプタ７２の上面であって凹部１７６の外側には半導体ウェハーＷの位置ずれを防止するピン７５が設けられる。ピン７５はパイロリティックボロンナイトライドにて形成するようにしても良いし、石英にて形成するようにしても良い。

ホットプレート７１は、ステンレススチール製の上部プレート７３および下部プレート７４にて構成される。上部プレート７３と下部プレート７４との間には、ホットプレート７１を加熱するニクロム線等の抵抗加熱線７６が配設され、導電性のニッケル（Ｎｉ）ロウが充填されて封止されている。また、上部プレート７３および下部プレート７４の端部はロウ付けにより接着されている。

図４は、ホットプレート７１を示す平面図である。図４に示すように、ホットプレート７１は、保持される半導体ウェハーＷと対向する領域の中央部に同心円状に配置される円板状のゾーン７１１および円環状のゾーン７１２、並びに、ゾーン７１２の周囲の略円環状の領域を周方向に４等分割した４つのゾーン７１３〜７１６を備え、各ゾーン間には若干の間隙が形成されている。また、ホットプレート７１には、支持ピン７０が挿通される３つの貫通孔７７が、ゾーン７１１とゾーン７１２との隙間の周上に１２０°毎に設けられる。

６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、相互に独立した抵抗加熱線７６が周回するように配設されてヒータが個別に形成されており、各ゾーンに内蔵されたヒータにより各ゾーンが個別に加熱される。保持部７に保持された半導体ウェハーＷは、６つのゾーン７１１〜７１６に内蔵されたヒータにより加熱される。また、ゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、熱電対を用いて各ゾーンの温度を計測するセンサ７１０が設けられている。各センサ７１０は略円筒状のシャフト４１の内部を通り制御部３に接続される。

ホットプレート７１が加熱される際には、センサ７１０により計測される６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が予め設定された所定の温度になるように、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が制御部３により制御される。制御部３による各ゾーンの温度制御はＰＩＤ(Proportional,Integral,Derivative)制御により行われる。ホットプレート７１では、半導体ウェハーＷの熱処理（複数の半導体ウェハーＷを連続的に処理する場合は、全ての半導体ウェハーＷの熱処理）が終了するまでゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が継続的に計測され、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が個別に制御されて、すなわち、各ゾーンに内蔵されたヒータの温度が個別に制御されて各ゾーンの温度が設定温度に維持される。なお、各ゾーンの設定温度は、基準となる温度から個別に設定されたオフセット値だけ変更することが可能とされる。

６つのゾーン７１１〜７１６にそれぞれ配設される抵抗加熱線７６は、シャフト４１の内部を通る電力線を介して電力供給源（図示省略）に接続されている。電力供給源から各ゾーンに至る経路途中において、電力供給源からの電力線は、マグネシア（マグネシウム酸化物）等の絶縁体を充填したステンレスチューブの内部に互いに電気的に絶縁状態となるように配置される。なお、シャフト４１の内部は大気開放されている。

次に、ランプハウス５は、チャンバー６内の保持部７の上方に設けられている。ランプハウス５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなるフラッシュ光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、ランプハウス５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。ランプハウス５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状部材である。ランプハウス５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３がチャンバー窓６１と相対向することとなる。ランプハウス５は、チャンバー６内にて保持部７に保持される半導体ウェハーＷにランプ光放射窓５３およびチャンバー窓６１を介してフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射することにより半導体ウェハーＷを加熱する。

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気が両端電極間の放電によってガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を保持部７の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。このような粗面化加工を施しているのは、リフレクタ５２の表面が完全な鏡面であると、複数のフラッシュランプＦＬからの反射光の強度に規則パターンが生じて半導体ウェハーＷの表面温度分布の均一性が低下するためである。

また、制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にフラッシュランプＦＬおよびホットプレート７１から発生する熱エネルギーによるチャンバー６およびランプハウス５の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６のチャンバー側部６３およびチャンバー底部６２には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ランプハウス５は、内部に気体流を形成して排熱するための気体供給管５５および排気管５６が設けられて空冷構造とされている（図１参照）。また、チャンバー窓６１とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、ランプハウス５およびチャンバー窓６１を冷却する。

次に、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加された半導体基板であり、添加された不純物の活性化が熱処理装置１による光照射加熱処理（アニール）により実行される。以下に説明する熱処理装置１の処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。

まず、保持部７が図５に示す処理位置から図１に示す受渡位置に下降する。「処理位置」とは、フラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに光照射が行われるときの保持部７の位置であり、図５に示す保持部７のチャンバー６内における位置である。また、「受渡位置」とは、チャンバー６に半導体ウェハーＷの搬出入が行われるときの保持部７の位置であり、図１に示す保持部７のチャンバー６内における位置である。熱処理装置１における保持部７の基準位置は処理位置であり、処理前にあっては保持部７は処理位置に位置しており、これが処理開始に際して受渡位置に下降するのである。図１に示すように、保持部７が受渡位置にまで下降するとチャンバー底部６２に近接し、支持ピン７０の先端が保持部７を貫通して保持部７の上方に突出する。

次に、保持部７が受渡位置に下降したときに、弁８２および弁８７が開かれてチャンバー６の熱処理空間６５内に常温の窒素ガスが導入される。続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入され、複数の支持ピン７０上に載置される。

半導体ウェハーＷの搬入時におけるチャンバー６への窒素ガスのパージ量は約４０リットル／分とされ、供給された窒素ガスはチャンバー６内においてガス導入バッファ８３から図２中に示す矢印ＡＲ４の方向へと流れ、図１に示す排出路８６および弁８７を介してユーティリティ排気により排気される。また、チャンバー６に供給された窒素ガスの一部は、べローズ４７の内側に設けられる排出口（図示省略）からも排出される。なお、以下で説明する各ステップにおいて、チャンバー６には常に窒素ガスが供給および排気され続けており、窒素ガスの供給量は半導体ウェハーＷの処理工程に合わせて様々に変更される。

半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されると、ゲートバルブ１８５により搬送開口部６６が閉鎖される。そして、保持部昇降機構４により保持部７が受渡位置からチャンバー窓６１に近接した処理位置にまで上昇する。保持部７が受渡位置から上昇する過程において、半導体ウェハーＷは支持ピン７０から保持部７のサセプタ７２へと渡され、サセプタ７２の凹部１７６に水平姿勢に載置・支持される。図６は、半導体ウェハーＷを載置した保持部７を示す図である。同図においては、サセプタ７２の凹部１７６の中央に半導体ウェハーＷが載置されているが、半導体ウェハーＷが多少横滑りしてその端部が凹部１７６のテーパ面に接触していても良い。保持部７が処理位置にまで上昇するとサセプタ７２に支持された半導体ウェハーＷも処理位置に保持されることとなる。

ホットプレート７１の６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれは、各ゾーンの内部（上部プレート７３と下部プレート７４との間）に個別に内蔵されたヒータ（抵抗加熱線７６）により所定の温度まで加熱されている。保持部７が処理位置まで上昇して半導体ウェハーＷが保持部７と接触することにより、その半導体ウェハーＷはホットプレート７１に内蔵されたヒータによって予備加熱されて温度が次第に上昇する。

この処理位置にて約６０秒間の予備加熱が行われ、半導体ウェハーＷの温度が予め設定された予備加熱温度Ｔ１まで上昇する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし８００℃程度、好ましくは３５０℃ないし５５０℃程度とされる。

約６０秒間の予備加熱時間が経過した後、保持部７が処理位置に位置したまま制御部３の制御によりランプハウス５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷへ向けてフラッシュ光が照射される。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内の保持部７へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。

すなわち、ランプハウス５のフラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリ秒ないし１０ミリ秒程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに添加された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに添加された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、添加不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。

また、フラッシュ加熱の前に保持部７により半導体ウェハーＷを予備加熱しておくことにより、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によって半導体ウェハーＷの表面温度を処理温度Ｔ２まで速やかに上昇させることができる。

フラッシュ加熱が終了し、処理位置における約１０秒間の待機の後、保持部７が保持部昇降機構４により再び図１に示す受渡位置まで下降し、半導体ウェハーＷが保持部７から支持ピン７０へと渡される。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、支持ピン７０上に載置された半導体ウェハーＷは装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理が完了する。

既述のように、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスがチャンバー６に継続的に供給されており、その供給量は、保持部７が処理位置に位置するときには約３０リットル／分とされ、保持部７が処理位置以外の位置に位置するときには約４０リットル／分とされる。

ところで、フラッシュランプＦＬからの数ミリ秒程度の閃光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は瞬間的に１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで上昇する一方、その瞬間の裏面温度は３５０℃ないし５５０℃程度の予備加熱温度Ｔ１からさほどには上昇しない。このため、ウェハー表面側のみに急激な熱膨張が生じ、半導体ウェハーＷが上面を凸面とするように反る。そして、次に瞬間には、半導体ウェハーＷの表面温度が急速に下降する一方、表面から裏面への熱伝導により裏面温度も若干上昇するため、半導体ウェハーＷには上記とは逆向きに反ろうとする応力が作用する。その結果、半導体ウェハーＷがサセプタ７２の上で激しく振動し、そのときの衝撃で半導体ウェハーＷの割れが生じるおそれがあった。

第１実施形態においては、パイロリティックボロンナイトライドにて形成されたサセプタ７２に水平姿勢に載置して支持した半導体ウェハーＷにフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射している。パイロリティックボロンナイトライドは、ヤング率が約２２ＧＰａと比較的たわみやすい素材であり、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷが激しく振動したとしてもウェハーに与える衝撃を緩和することができる。その結果、フラッシュ光照射時における半導体ウェハーＷの割れを防止することができ、それに伴ってフラッシュ加熱の歩留まりを向上させることができる。また、ウェハー割れの頻度が低下すれば、従来よりも大きなエネルギーにてフラッシュランプＦＬからフラッシュ光照射を行うことができるため、より良好な活性化処理を促進することができる。

また、パイロリティックボロンナイトライドは、比較的滑らかな表面性状を有しており、半導体ウェハーＷが激しく振動したとしてもサセプタ７２に傷が付きにくく、その結果パーティクルの発生を抑制することもできる。

また、半導体ウェハーＷを支持するサセプタ７２は、フラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射する前に半導体ウェハーＷを予備加熱するヒータを有するホットプレート７１に載置される。すなわち、半導体ウェハーＷはホットプレート７１からサセプタ７２を介して予備加熱される。パイロリティックボロンナイトライドは、熱伝導率が比較的大きいため、予備加熱時にホットプレート７１から半導体ウェハーＷに良好な熱伝達がなされ、半導体ウェハーＷを速やかに予備加熱温度Ｔ１まで昇温することができる。

＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態における熱処理装置の全体構成および半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と同様である。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持して予備加熱を行う保持部の構成である。

図７は、第２実施形態の保持部７ａの構成を示す図である。同図において、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付している。保持部７ａは、ホットプレート７１の上面に石英製のサセプタ１７２を載置し、さらにそのサセプタ１７２の上面に緩衝シート１７３を載置して構成されている。サセプタ１７２は、材質が石英であること以外は第１実施形態のサセプタ７２と同じであり、上面に凹部１７６とピン７５とを備えている。

緩衝シート１７３は、パイロリティックボロンナイトライドにて形成されたシート部材であり、サセプタ１７２の凹部１７６内に載置される。緩衝シート１７３は半導体ウェハーＷと同等以上の平面サイズを有しており、半導体ウェハーＷは緩衝シート１７３上に載置される。

第２実施形態においては、パイロリティックボロンナイトライドにて形成された緩衝シート１７３に水平姿勢に載置して支持した半導体ウェハーＷにフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射している。このようにしても、パイロリティックボロンナイトライドが比較的たわみやすい素材であるため、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷが激しく振動したとしてもウェハーに与える衝撃を緩和することができる。その結果、フラッシュ光照射時における半導体ウェハーＷの割れを防止することができる。また、パイロリティックボロンナイトライドは比較的滑らかな表面性状を有しているため、半導体ウェハーＷが激しく振動したとしても緩衝シート１７３に傷が付きにくく、パーティクルの発生を抑制することもできる。さらに、パイロリティックボロンナイトライドは熱伝導率が比較的大きいため、予備加熱時に半導体ウェハーＷを速やかに予備加熱温度Ｔ１まで昇温することができる。

＜３．第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態における熱処理装置の全体構成および半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と同様である。第３実施形態が第１実施形態と相違するのは、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持して予備加熱を行う保持部の構成である。

図８は、第３実施形態の保持部７ｂの構成を示す図である。同図において、第１実施形態および第２実施形態と同一の要素については同一の符号を付している。保持部７ｂは、ホットプレート７１の上面に石英製のサセプタ２７２を載置し、さらにそのサセプタ２７２の上面に緩衝シート１７３を載置するとともに、ウェハガイド１７４を設置して構成されている。第３実施形態のサセプタ２７２は石英にて形成された平板状部材である。また、緩衝シート１７３は第２実施形態と同一のものである。

第３実施形態のサセプタ２７２には凹部やピンが設けられていないため、緩衝シート１７３の周囲に半導体ウェハーＷの端縁部の位置を規制するためのウェハガイド１７４を設けている。ウェハガイド１７４はパイロリティックボロンナイトライドにて形成されている。ウェハガイド１７４の形状は、ピン状であっても良いし、図８に示すようなテーパ部が形成されたものであっても良い。

保持部７ｂが受渡位置から処理位置に上昇して支持ピン７０から半導体ウェハーＷを受け取ったときに、半導体ウェハーＷが横滑りすることもあるが、ウェハガイド１７４によって半導体ウェハーＷが緩衝シート１７３よりも外に滑り出ることは防止される。このときには、半導体ウェハーＷの端部がウェハガイド１７４に接触した状態のままフラッシュ加熱を行うようにしても良い。

第３実施形態においては、パイロリティックボロンナイトライドにて形成された緩衝シート１７３に水平姿勢に載置して支持した半導体ウェハーＷにフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射している。このようにすれば、第１実施形態および第２実施形態と同様の効果を得ることができる。また、半導体ウェハーＷの端縁部の位置を規制するウェハガイド１７４もパイロリティックボロンナイトライドにて形成しているため、半導体ウェハーＷの端部がウェハガイド１７４に接触した状態のままフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射しても、半導体ウェハーＷの割れやパーティクルの発生を防止することができる。

＜４．第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。第４実施形態における熱処理装置の全体構成および半導体ウェハーＷの処理手順は第１実施形態と同様である。第４実施形態が第１実施形態と相違するのは、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持して予備加熱を行う保持部の構成である。

図９は、第４実施形態の保持部７ｃの構成を示す図である。同図において、第１実施形態から第３実施形態と同一の要素については同一の符号を付している。保持部７ｃは、ホットプレート７１の上面に、凹面形状の凹部３７６を形設したサセプタ３７２を載置して構成されている。サセプタ３７２には、平面視で半導体ウェハーＷの直径よりも大きな外径を有する凹面形状の凹部３７６が形設されている。すなわち、サセプタ３７２を上方から見ると凹部３７６の凹面形状は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。凹部３７６を規定する凹面形状は所定の曲率半径を有している。第４実施形態のサセプタ３７２はパイロリティックボロンナイトライドにて形成されている。

保持部７ｃが受渡位置から処理位置に上昇して支持ピン７０から半導体ウェハーＷを受け取ると、図９に示すように、凹部３７６の内壁面によって半導体ウェハーＷの周端部が支持されることとなる。その結果、半導体ウェハーＷの下面とサセプタ３７２の表面と間に気体層を挟み込んだ隙間が形成される。

第４実施形態においては、パイロリティックボロンナイトライドにて形成されたサセプタ３７２に水平姿勢に載置して支持した半導体ウェハーＷにフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射している。このようにしても、サセプタ３７２がパイロリティックボロンナイトライドにて形成されているため、フラッシュ光照射時に半導体ウェハーＷが激しく振動したとしてもその割れを防止できるとともに、サセプタ３７２に傷が付くことによるパーティクルの発生を抑制することもできる。

また、サセプタ３７２の表面と半導体ウェハーＷの下面との間に気体層の隙間が形成されるため、フラッシュ光の照射時に半導体ウェハーＷが激しく振動したとしても半導体ウェハーＷの下面がサセプタ３７２の表面に衝突することは無く、半導体ウェハーＷの割れをより確実に防止することができる。

＜５．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第１および第４実施形態においてはパイロリティックボロンナイトライドにて形成されたサセプタ７２，３７２に半導体ウェハーＷを載置し、第２および第３実施形態においてはパイロリティックボロンナイトライドにて形成された緩衝シート１７３に半導体ウェハーＷを載置していたが、半導体ウェハーＷを載置する部材はこれらに限定されるものではない。すなわち、フラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射する半導体ウェハーＷを水平姿勢に載置して支持する基板支持部をパイロリティックボロンナイトライドにて形成する形態であれば良い。

また、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持して予備加熱を行う保持部を図１０のようにしても良い。図１０に示す保持部７ｄは、第３実施形態の保持部７ｂから緩衝シート１７３を取り除いたものであり、第３実施形態と同一の要素については同一の符号を付している。図１０に示す保持部７ｄにおいては、半導体ウェハーＷは直接的には石英のサセプタ２７２に載置されるのであるが、保持部７ｄが受渡位置から処理位置に上昇して半導体ウェハーＷを受け取ったときに、半導体ウェハーＷが横滑りしてウェハガイド１７４に接触した状態のままフラッシュランプＦＬからフラッシュ光照射が行われることがある。このような場合に、半導体ウェハーＷの端部がパイロリティックボロンナイトライドにて形成されたウェハガイド１７４に接触しているとウェハー割れを低減することができる。

また、半導体ウェハーＷを水平姿勢に載置して支持する基板支持部をパイロリティックボロンナイトライドに代えて、例えばシリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、または、鉛（Ｐｂ）にて形成するようにしても良い。これらの素材はいずれも比較的たわみやすく、しかも熱伝導率が高い。もっとも、耐熱性に優れたパイロリティックボロンナイトライドやシリコンが４００℃以上の高温域での熱処理にも使用可能であるのに対して、アルミニウムや鉛は融点が低いため２００℃〜４００℃の中温域の熱処理での使用が望ましい。また、２００℃以下の熱処理であるならば基板支持部をポリテトラフルオロエチレン、塩化ビニル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂材料にて形成するようにしても良い。

また、上記実施形態においては、ランプハウス５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。

また、本発明に係る熱処理装置によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などに用いるガラス基板であっても良い。

１熱処理装置
３制御部
４保持部昇降機構
５ランプハウス
６チャンバー
７，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ保持部
６０上部開口
６１チャンバー窓
６５熱処理空間
７１ホットプレート
７２，１７２，２７２，３７２サセプタ
７５ピン
７６抵抗加熱線
１７３緩衝シート
１７４ウェハガイド
ＦＬフラッシュランプ
Ｗ半導体ウェハー

Claims

基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を水平姿勢に載置して支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
を備え、
前記基板支持部をパイロリティックボロンナイトライド（ＰＢＮ）にて形成することを特徴とする熱処理装置。
請求項１記載の熱処理装置において、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射する前に基板を予備加熱するホットプレートをさらに備え、
前記基板支持部は前記ホットプレートに載置されるサセプタであることを特徴とする熱処理装置。
請求項１記載の熱処理装置において、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射する前に基板を予備加熱するホットプレートと、
前記ホットプレートに載置される石英のサセプタと、
をさらに備え、
前記基板支持部は前記サセプタに載置されるシート部材であることを特徴とする熱処理装置。
請求項３記載の熱処理装置において、
基板の端縁部の位置を規制するガイド部をさらに備え、
前記ガイド部をパイロリティックボロンナイトライドにて形成することを特徴とする熱処理装置。
フラッシュランプから基板にフラッシュ光を照射することによって該基板の熱処理を行うときに該基板を保持する熱処理用サセプタであって、
前記熱処理用サセプタをパイロリティックボロンナイトライドにて形成することを特徴とする熱処理用サセプタ。