JP2010177496A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コンデンサ93と、可変コイル94と、フラッシュランプFLと、IGBT等のスイッチング素子96とが直列に接続されている。制御部3は、オンオフ周期が10マイクロ秒以上500マイクロ秒以下であってオン時間とオフ時間とが1:10〜10:1の範囲内の一定比率となるパルスをスイッチング素子96のゲートに出力してそのオンオフ動作を制御し、フラッシュランプFLが発光を開始してから発光出力が最大値に到達するまでの時間が10ミリ秒以上100ミリ秒以下となり、フラッシュランプFLの総発光時間が20ミリ秒以上1000ミリ秒以下となるようにフラッシュランプFLへの通電を制御する。
【選択図】図6
Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
31 パルス発生器
32 波形設定部
33 入力部
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
91 トリガー電極
92 ガラス管
93 コンデンサ
94 可変コイル
95 電源ユニット
96 スイッチング素子
97 トリガー回路
194,195 コイル
196 バイパススイッチ
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (7)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプ、コンデンサおよびコイルと直列に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のゲートにパルスを出力して前記スイッチング素子をオンオフすることによって前記フラッシュランプへの通電を制御する通電制御手段と、
を備え、
前記通電制御手段は、オンオフ周期が10マイクロ秒以上500マイクロ秒以下であってオン時間とオフ時間とが1:10〜10:1の範囲内の一定比率となるパルスを前記スイッチング素子のゲートに出力し、前記フラッシュランプが発光を開始してから発光出力が最大値に到達するまでの時間が10ミリ秒以上100ミリ秒以下となり、前記フラッシュランプの総発光時間が20ミリ秒以上1000ミリ秒以下となるように前記フラッシュランプへの通電を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記通電制御手段が出力するパルスのオン時間とオフ時間との比率は10:13〜13:10の範囲内であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1または請求項2記載の熱処理装置において、
前記コイルは、インダクタンスを調整可能な可変コイルであることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記スイッチング素子は絶縁ゲートバイポーラトランジスタであることを特徴とする熱処理装置。 - フラッシュランプから基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
前記フラッシュランプ、コンデンサおよびコイルと直列に接続されたスイッチング素子のゲートに、オンオフ周期が10マイクロ秒以上500マイクロ秒以下であってオン時間とオフ時間とが1:10〜10:1の範囲内の一定比率となるパルスを出力し、前記フラッシュランプが発光を開始してから発光出力が最大値に到達するまでの時間を10ミリ秒以上100ミリ秒以下にするとともに、前記フラッシュランプの総発光時間を20ミリ秒以上1000ミリ秒以下とすることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項5記載の熱処理方法において、
前記スイッチング素子のゲートに出力するパルスのオン時間とオフ時間との比率は10:13〜13:10の範囲内であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項5または請求項6記載の熱処理方法において、
前記コイルのインダクタンスを可変とすることを特徴とする熱処理方法。
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