JP2015130423A - 熱処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】ハロゲンランプHLから出射されて半導体ウェハーWの下面周縁部で反射された反射光を導光ロッド45で受光してフォトダイオード41に導く。導光ロッド45が1回転しつつ、フォトダイオード41で受光した反射光の強度を検出部20が測定することによって半導体ウェハーWの周縁部全周にわたって反射光強度を取得できる。このような反射光強度の測定をフラッシュ光照射の前後にそれぞれ行い、得られた反射光強度の差分からフラッシュ光照射における半導体ウェハーWの割れを検出する。半導体ウェハーWが割れるときには必ず周縁部に欠損が生じるため、周縁部からの反射光の強度を測定することによって確実にウェハー割れを検出することができる。
【選択図】図13
Description
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
20 検出部
24 判定部
27 フラッシュ前データ
28 フラッシュ後データ
29 差分データ
40 受光部
41 フォトダイオード
44 回転モータ
45 導光ロッド
46 切替ミラー
48 レーザユニット
65 熱処理空間
74 サセプター
75 支持ピン
149 分岐ファイバー
HL ハロゲンランプ
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (10)
- 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記基板に光を照射する照明手段と、
前記照明手段から出射されて前記基板の周縁部にて反射された光を受光する受光手段と、
前記受光手段によって受光された光に基づいて前記基板の割れを検出する検出手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記検出手段は、前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射する前に前記受光手段によって受光した反射光とフラッシュ光の照射後に前記受光手段によって受光した反射光との比較から前記基板の割れを検出することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の熱処理装置において、
前記受光手段は、
前記保持手段に保持された基板の中心直下に配置され、当該基板の周縁部のうちの所定位置からの反射光を受光して導く導光部と、
前記導光部を前記基板の中心線を回転中心として回転させる回転部と、
を含むことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
前記受光手段は、前記導光部によって導かれた反射光を受光して電気信号に変換して前記検出手段に伝達するフォトダイオードをさらに含むことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記導光部にレーザ光を入射して前記保持手段に保持された基板の周縁部に向けてレーザ光を出射させるレーザ光照射部と、
前記基板の周縁部からの反射光を前記導光部から前記フォトダイオードに到達させる受光モードと前記レーザ光照射部から出射された光を前記導光部に入射させる照射モードとのいずれかに切り替える切替手段と、
をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記導光部にレーザ光を入射して前記保持手段に保持された基板の周縁部に向けてレーザ光を出射させるレーザ光照射部と、
前記基板の周縁部からの反射光を前記導光部から前記フォトダイオードに到達させるとともに、前記レーザ光照射部から出射された光を前記導光部に入射させる分岐ファイバーと、
をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記照明手段は、フラッシュ光照射前に前記基板を予備加熱するハロゲンランプであることを特徴とする熱処理装置。 - 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュ光照射前に照明手段から出射されて基板の周縁部にて反射された光を受光する第1受光工程と、
フラッシュランプから前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュ加熱工程と、
フラッシュ光照射後に前記照明手段から出射されて前記基板の周縁部にて反射された光を受光する第2受光工程と、
前記第1受光工程にて受光された反射光と前記第2受光工程にて受光された反射光との比較から前記基板の割れを検出する検出工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項8記載の熱処理方法において、
前記第1受光工程および前記第2受光工程では、前記基板の中心直下に配置されて当該基板の周縁部のうちの所定位置からの反射光を受光して導く導光部を回転させることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項9記載の熱処理方法において、
前記導光部にレーザ光を入射して前記基板の周縁部に向けてレーザ光を出射させる工程をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。
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