JP2013070007A - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フラッシュ加熱後に支持ピン70に支持された半導体ウェハーから放射された放射光は、支持ピン70の先端70aから入射して基端70bに向けて導かれる。その放射光は光ケーブル16を介して受光部12によって受光されて電気信号に変換されてからアンプ13によって増幅され、さらに積分回路14を通って高周波ノイズが除去された後、コンパレータ15に送信される。コンパレータ15は、その電気信号の電圧と予め定められた閾値との比較を行うことにより支持ピン70上の半導体ウェハーの有無を検出する。半導体ウェハーからの放射光を用いて検出処理を行っているため、ウェハー裏面の反射率に関わらず、半導体ウェハーの有無を確実に検出することができる。
【選択図】図6
Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
12 受光部
13 アンプ
14 積分回路
15 コンパレータ
16 光ケーブル
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
70 支持ピン
71 ホットプレート
72 サセプタ
76 抵抗加熱線
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (6)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
透光性材料にて形成された支持ピンに基板を載置する載置工程と、
前記支持ピンに対して相対的に保持部が上昇して前記基板を受け取る保持工程と、
前記保持部に保持された前記基板に光を照射して加熱する光照射工程と、
前記保持部が前記支持ピンに対して相対的に下降して前記支持ピンに前記基板を渡す移載工程と、
前記移載工程の後に、前記支持ピンによって導光される前記基板からの放射光を受光し、当該放射光の強度を所定の閾値と比較する比較工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記保持工程と前記光照射工程との間に、前記保持部に備えられた加熱機構によって前記基板を所定温度にまで加熱する予備加熱工程をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1または請求項2記載の熱処理方法において、
前記光照射工程では、フラッシュランプから前記基板にフラッシュ光を照射することを特徴とする熱処理方法。 - 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
透光性材料にて形成され、前記チャンバー内にて先端に前記基板を載置して支持する支持ピンと、
前記支持ピンに対して相対的に上昇して前記支持ピンから前記基板を受け取るとともに、相対的に下降して前記支持ピンに前記基板を渡す保持部と、
前記保持部に保持された前記基板に光を照射して加熱する光照射手段と、
前記光照射手段が前記基板に光を照射してから前記保持部が相対的に下降した後に、前記支持ピンによって導光される前記基板からの放射光を受光する受光手段と、
前記受光手段によって受光された放射光の強度を所定の閾値と比較する比較手段と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記保持部は、前記光照射手段が光照射を行う前に保持する基板を予備加熱する加熱機構を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4または請求項5記載の熱処理装置において、
前記光照射手段はフラッシュランプを備えることを特徴とする熱処理装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015130423A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
CN108630561A (zh) * | 2017-03-15 | 2018-10-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基片表面的检测装置和检测方法、传片腔室 |
WO2018236201A1 (ko) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | 주성엔지니어링(주) | 기판 지지장치 |
CN115791460A (zh) * | 2022-11-18 | 2023-03-14 | 中国矿业大学 | 岩石类材料内部爆破裂纹扩展速度传感器及其测试方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04193951A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 保持装置 |
JP2004296625A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、熱処理装置および熱処理方法 |
JP2005340591A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2009260046A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および基板温度測定方法 |
JP2009278069A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2010153847A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-07-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板の製造方法、半導体基板、電子デバイスの製造方法、および反応装置 |
JP2010238804A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP2011159713A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
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2011
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04193951A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 保持装置 |
JP2004296625A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、熱処理装置および熱処理方法 |
JP2005340591A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2009260046A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および基板温度測定方法 |
JP2009278069A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2010153847A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-07-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板の製造方法、半導体基板、電子デバイスの製造方法、および反応装置 |
JP2010238804A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP2011159713A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015130423A (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
CN108630561A (zh) * | 2017-03-15 | 2018-10-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基片表面的检测装置和检测方法、传片腔室 |
CN108630561B (zh) * | 2017-03-15 | 2021-10-15 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 基片表面的检测装置和检测方法、传片腔室 |
WO2018236201A1 (ko) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | 주성엔지니어링(주) | 기판 지지장치 |
US11417562B2 (en) | 2017-06-23 | 2022-08-16 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Substrate supporting apparatus |
CN115791460A (zh) * | 2022-11-18 | 2023-03-14 | 中国矿业大学 | 岩石类材料内部爆破裂纹扩展速度传感器及其测试方法 |
CN115791460B (zh) * | 2022-11-18 | 2023-08-22 | 中国矿业大学 | 岩石类材料内部爆破裂纹扩展速度传感器及其测试方法 |
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