JP2013206896A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013206896A JP2013206896A JP2012070624A JP2012070624A JP2013206896A JP 2013206896 A JP2013206896 A JP 2013206896A JP 2012070624 A JP2012070624 A JP 2012070624A JP 2012070624 A JP2012070624 A JP 2012070624A JP 2013206896 A JP2013206896 A JP 2013206896A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- heat treatment
- chamber
- support
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title abstract 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 125
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 172
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 56
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 39
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 13
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】石英にて形成された円環形状の支持リング72は連結部材73を介して基台リング71と連結される。支持リング72の内周には炭化ケイ素にて形成された3個の支持部材75が固設されている。各支持部材75は水平面に対して15°以上30°以下傾斜して設けられる。3個の支持部材75によって半導体ウェハーの外周端を支持した状態にてハロゲンランプからハロゲン光を照射して加熱処理を行う。炭化ケイ素は石英よりもハロゲン光をよく吸収する。また、支持部材75は半導体ウェハーの外周端を点接触にて支持しており、保持部7と半導体ウェハーとの接触は最小限なものとなる。このため、支持部材75によって半導体ウェハーの温度分布が乱れるのを最小限に抑制することができ、半導体ウェハーを均一に加熱することができる。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。本実施形態の熱処理装置1は、基板としてφ300mmの円板形状の半導体ウェハーWに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。熱処理装置1に搬入される前の半導体ウェハーWには不純物が注入されており、熱処理装置1による加熱処理によって注入された不純物の活性化処理が実行される。なお、図1および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と同様である。また、第2実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、保持部7の支持部材75の形状である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の熱処理装置の全体構成は第1実施形態と同様である。また、第3実施形態における半導体ウェハーWの処理手順も第1実施形態と同じである。第3実施形態では、保持部7に半導体ウェハーWの周囲を取り囲む均熱リングを備えている。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第1実施形態の支持部材75は円柱形状であったが、図12に示すような形状であっても良い。図12(a)の支持部材75は四角柱形状を有する。図12(b)の支持部材75は短冊状の四角柱形状を有する。いずれであっても、支持部材75は、四角柱の軸線方向が保持対象となる半導体ウェハーWの外方から中心に向かって斜め下方に傾斜するように支持リング72に設けられる。支持部材75が水平面に対してなす角度は15°以上30°以下である。そして、傾斜して設けられた支持部材75が半導体ウェハーWの外周端に当接して半導体ウェハーWを支持する。
2 シャッター機構
3 制御部
4 ハロゲン加熱部
5 フラッシュ加熱部
6 チャンバー
7 保持部
10 移載機構
65 熱処理空間
71 基台リング
72 支持リング
73 連結部材
75,175 支持部材
79,179 突起
120 放射温度計
176 第1支持体
177 第2支持体
278 均熱リング
FL フラッシュランプ
HL ハロゲンランプ
W 半導体ウェハー
Claims (10)
- 基板にフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板の一方面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
前記保持手段に保持された基板の他方面に光照射を行うハロゲンランプと、
前記ハロゲンランプからの光照射によって加熱される基板の温度を測定する温度測定手段と、
を備え、
前記保持手段は、基板の外周端側から支持する複数の支持部材を含み、
前記複数の支持部材は、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素で被覆されたグラファイト、または、窒化ケイ素にて形成されることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記複数の支持部材のそれぞれは、基板の外方から中心に向かって斜め下方に傾斜し、基板の外周端に当接する第1支持体を有することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項2記載の熱処理装置において、
前記第1支持体は、水平面に対して15°以上30°以下傾斜して設けられることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記複数の支持部材のそれぞれは、
基板の外方から中心に向かって斜め下方に傾斜する第1支持体と、
前記第1支持体の先端から水平方向に沿って延びるように設けられ、基板の下面に当接する第2支持体と、
を有することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記第2支持体は、基板の下面に点接触する突起を備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4または請求項5に記載の熱処理装置において、
前記第2支持体に載置され、基板の周囲を非接触にて取り囲む環状部材をさらに備え、
前記環状部材は炭化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素で被覆されたグラファイト、または、窒化ケイ素にて形成されることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記複数の支持部材は、基板の直径よりも大きな内径を有する石英リングに固設されることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項7記載の熱処理装置において、
前記石英リングは前記チャンバーに固定設置されることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1から請求項8のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記チャンバー内を50Pa以上500Pa以下の気圧に維持する圧力維持手段をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項9記載の熱処理装置において、
前記圧力維持手段は、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給するガス供給手段と、
を含み、前記チャンバー内から排気を行いつつ、前記チャンバー内に不活性ガスを供給して前記チャンバー内を50Pa以上500Paの気圧に維持することを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012070624A JP5964630B2 (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 熱処理装置 |
US13/792,419 US9330949B2 (en) | 2012-03-27 | 2013-03-11 | Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiating substrate with flash of light |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012070624A JP5964630B2 (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013206896A true JP2013206896A (ja) | 2013-10-07 |
JP5964630B2 JP5964630B2 (ja) | 2016-08-03 |
Family
ID=49525737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012070624A Active JP5964630B2 (ja) | 2012-03-27 | 2012-03-27 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5964630B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150059072A (ko) * | 2013-11-21 | 2015-05-29 | 고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤 | 기판 지지구조체 |
WO2016075980A1 (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-19 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの支持方法及びその支持装置 |
JP2018148129A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP2020061589A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-04-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2020077893A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-05-21 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59112938U (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-30 | 日本電信電話株式会社 | 板状試料均一加熱用治具 |
JPS63257217A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Hitachi Ltd | 熱処理用治具 |
JPH06163444A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウエハ熱処理方法およびこれに用いるガードリング構造 |
JP2003142421A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2004304075A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハ熱処理治具およびシリコンウェーハ熱処理方法 |
JP2005340488A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスの製造装置 |
JP2006019625A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Renesas Technology Corp | 熱処理装置 |
JP2009246061A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2009260025A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
-
2012
- 2012-03-27 JP JP2012070624A patent/JP5964630B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59112938U (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-30 | 日本電信電話株式会社 | 板状試料均一加熱用治具 |
JPS63257217A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Hitachi Ltd | 熱処理用治具 |
JPH06163444A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | ウエハ熱処理方法およびこれに用いるガードリング構造 |
JP2003142421A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2004304075A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハ熱処理治具およびシリコンウェーハ熱処理方法 |
JP2005340488A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスの製造装置 |
JP2006019625A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Renesas Technology Corp | 熱処理装置 |
JP2009246061A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2009260025A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150059072A (ko) * | 2013-11-21 | 2015-05-29 | 고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤 | 기판 지지구조체 |
JP2015103565A (ja) * | 2013-11-21 | 2015-06-04 | 光洋サーモシステム株式会社 | 基板支持構造 |
KR102182046B1 (ko) * | 2013-11-21 | 2020-11-23 | 고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤 | 기판 지지구조체 |
WO2016075980A1 (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-19 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの支持方法及びその支持装置 |
JP2016096166A (ja) * | 2014-11-12 | 2016-05-26 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの支持方法及びその支持装置 |
JP2020061589A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-04-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2020077893A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-05-21 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP2021177571A (ja) * | 2015-08-26 | 2021-11-11 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP7128944B2 (ja) | 2015-08-26 | 2022-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2018148129A (ja) * | 2017-03-08 | 2018-09-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
US10861720B2 (en) | 2017-03-08 | 2020-12-08 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment apparatus of light irradiation type |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5964630B2 (ja) | 2016-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017017277A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
US10249519B2 (en) | Light-irradiation heat treatment apparatus | |
JP5977038B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2009164451A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2010225645A (ja) | 熱処理装置 | |
JP5977162B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2017041468A (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
JP6622617B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2016225429A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2018207067A (ja) | 熱処理方法 | |
TWI652739B (zh) | 熱處理裝置 | |
JP6647892B2 (ja) | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 | |
JP5964630B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP6138610B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP6438330B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP6438331B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2009260046A (ja) | 熱処理装置および基板温度測定方法 | |
JP6814572B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP6469479B2 (ja) | 基板温度調整方法 | |
JP6438326B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP6637321B2 (ja) | 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 | |
JP2012191110A (ja) | 熱処理装置 | |
TW201843741A (zh) | 棒狀燈及熱處理裝置 | |
JP6026124B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2018133424A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160614 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160630 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5964630 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |