JP2006019625A

JP2006019625A - 熱処理装置

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Publication number: JP2006019625A
Application number: JP2004197935A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Inaba; 豊稲葉; Hikari Matsuzaki; 光松崎; Masao Sogawa; 政雄十川
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2004-07-05
Filing date: 2004-07-05
Publication date: 2006-01-19

Abstract

【課題】熱処理装置において、基板を支持する支持機構とウェハとの接触により生じるウェハの温度変化を抑える。
【解決手段】処理室と、処理室内において基板を支持する支持機構と、処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段とを有する熱処理装置において、支持機構は、基板の外周縁部において基板を支持するようにする。また、支持機構は、基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、基板と接する面が、基板表面に対して斜めの方向に形成されたものとする。
【選択図】図１

Description

この発明は、熱処理装置に関するものである。更に、具体的には、処理室内に基板を収納して、基板を加熱することができる熱処理装置として好適なものである。

一般に、熱処理装置を用いて基板を加熱する場合、まず、処理室内に設けられた支持機構により、基板を所定の位置に載置する。この基板に、加熱手段により熱処理を加える。例えば、ＲＴＰ(Rapid Thermal Process)の場合、載置された基板に対向するように、複数のランプが、加熱手段として備えられている。そして、この装置により、基板に熱処理を施す場合には、チャンバ内に、窒素や酸素等の所定のガスを導入し、圧力を制御した状態で、ランプからの光の照射により加熱を行う。

ところで、基板全面に均一に光を照射しても、基板面内の温度は、不均一となる場合がある。基板面内の温度が不均一となり、この温度差が大きくなると、スリップ（あるいは、転位）と呼ばれる結晶欠陥の原因となり、半導体装置のデバイス特性を劣化させる場合がある。

従って、例えば、ＲＴＰ装置においては、基板の背面の、基板の直径方向に、基板の温度を検出する温度センサを、複数並べて設置したものがある。また、加熱手段であるランプの配置についても、上面から見た場合に、複数のランプを直径方向に一列に並べて配置したものと、同心円上に配置したものとがある。そして、基板表面の温度を一定に制御するため、各温度センサにより、基板の温度を検出して、このそれぞれの温度センサの検出結果に応じて、コントローラにより、各センサに対応する位置のランプ出力を制御する。また、この際、レシピと呼ばれる計画された処理手順（シーケンス）に従って温度制御されている。これにより、基板の低温となっている部分に対応する位置付近のランプ出力を大きくする等といった制御、即ち、直列方向、あるいは、同心円上に配置されたランプに対応する領域ごとに、それぞれ制御を行うことができる。従って、基板面内の温度を、比較的に均一に制御することができる。

また、特に、基板外周縁からの熱放射により、外周部において温度が低温となりやすいことに着目し、基板の周辺部にガードリングが使用されているものがある。このガードリングは、自らも光放射を受けて、高温となるものであり、基板外周縁からの熱放射を補償するものである。更に、確実に熱放射を補償するため、基板表面とほぼ同じ高さになるような形状としたガードリング等が考案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０００−５８４７０号公報

ところで、基板を支持する支持機構の材料と、熱処理の対象となる基板との熱容量は、異なり、支持機構の材料の方が、熱容量が大きい場合が多い。そして、支持機構の単位面積当たりの熱容量が、基板の熱容量より大きい場合、支持機構は、基板に対して温度が低くなっている。このため、支持機構と接触する部分付近では、基板の温度が低温となりやすい。上述したようなランプ出力を制御するような方法では、このような局部的に生じる基板の温度変化まで確実に制御するのは困難である。また、上述のガードリングは、外周縁部から生じる熱放射を補償するものであり、支持機構との接触による温度変化を制御することは困難である。

従って、この発明は、特に、基板と支持機構との接触部付近において生じる基板の温度変化を抑えて、基板全面に均一に熱処理を加えることができるように改良した熱処理装置を提供するものである。

この発明の熱処理装置は、
処理室と、
前記処理室内において基板を支持する支持機構と、
前記処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段と、を備え、
前記支持機構は、前記基板の外周縁部において基板を支持し、
前記基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、
前記基板と接する面が、前記基板表面に対して斜めの方向に形成されているものである。

あるいは、この発明の熱処理装置は、
処理室と、
前記処理室内において基板を支持する支持機構と、
前記処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段と、を備え、
前記基板の中心を基準として、前記基板のオリエンテーションフラットあるいはノッチの中心の方向を０度とする場合、
前記支持機構は、約０度、約９０度、約１８０度、及び、約２７０度の４箇所において、前記基板と接するものである。

あるいは、この発明の熱処理装置は、
処理室と、
前記処理室内において基板を支持する支持機構と、
前記処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段と、を備え、
前記支持機構は、前記基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、
前記基板と接する面とは反対側の面が、前記基板の表面に対して斜めに形成されているものである。

あるいは、この発明の熱処理装置は、
処理室と、
前記処理室内において基板を支持する支持機構と、
前記処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段と、
支持機構の温度を制御する温度制御機構と、を備えるものである。

この発明において、支持機構が、基板の外周縁部を、基板の表面に対して斜めに支持するものについては、基板と、支持機構との接触面積を最小限に抑えることができる。従って、支持機構との接触による基板の温度変化を抑えることができ、基板全面に、均一な熱処理を施すことができる。

また、この発明において、支持機構が、４点で基板と接するものについては、基板の結晶方位を考慮して、基板を支持することができ、従って、基板の結晶欠陥が生じやすい部分における支持機構と基板との接触を避けることができる。従って、基板面内の温度の不均一を抑えつつ、結晶欠陥の発生を、より効果的に抑えることができる。

また、この発明において、支持機構の、基板と接触しない面側が、斜めに形成されているものについては、支持機構の体積をより小さくすることができる。従って、基板と支持機構との熱容量の差を小さく抑えることができ、基板と、支持機構との接触により生じる、基板面内における温度のばらつきを抑えることができる。

また、この発明において、支持機構の温度が制御されているものについては、支持機構の温度の低下や温度変化を抑えることができる。従って、基板と支持機構との接触に起因する基板の温度変化を小さく抑えることができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を簡略化ないし省略する。

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１における熱処理装置を説明するための模式図である。また、図２は、実施の形態１における熱処理装置におけるランプの出力制御を説明するためのグラフである。
図１に示すように、この発明の実施の形態１における熱処理装置は、ランプ加熱式の熱処理装置である。この実施の形態１においては、ウェハ２が、熱処理装置の被加熱対象となる。

熱処理装置には、処理室４が設けられている。処理室４には、ウェハ回転機構６が設けられ、ウェハ回転機構には、支持機構８が設けられている。また、ウェハ２の裏面下方には、ウェハ２の直径方向に、温度センサが複数個配列されている。また、処理室４の一面を貫通するように、供給管１２が設けられている。供給管１２は、Ｎ_２等の不活性ガス、あるいは、Ｏ_２ガスなどの、必要なガスの供給源（図示せず）に接続できるようになっている。また、処理室４内の供給管と対抗する面側には、排気管１４が設けられている。排気管１４は、真空ポンプ（図示せず）に接続することができる。

処理室４のウェハ２表面と対向する部分には、ランプ１６が配置されている。具体的に、ランプ１６は、ウェハ２の中心上方を中心にして、同心円上に複数個配置されている。各ランプ１６は、それぞれ、コントローラ２４に接続されている。一方、コントローラ２４には、ウェハ２の裏面側に設けられた各温度センサ１０も接続されている。コントローラ２４には、図２に示すようなレシピに従って、ランプ出力を制御するようなプログラムが組み込まれている。

図３は、熱処理装置の支持機構８とウェハ２との支持状態を説明するための模式図であり、図３（ａ）は、上面から見た状態を示し、図３（ｂ）は、ウェハ２表面に垂直な平面できった場合の断面を示す。
図３（ａ）、３（ｂ）に示すように、支持機構８は、ウェハ２表面に垂直な面で切った断面が台形であり、かつ、上面から見た場合、中空の円形状の部材である。また、上面から見た場合、支持機構８の最も小さい内円は、ウェハ２の直径よりも小さい。また、支持機構８の最も大きい、外円は、ウェハ２の直径よりも大きくなっている。支持機構８は、例えば、カーボン等を主成分とする材料により構成されている。

支持機構８は、ウェハ２の外縁部であるベベル部２ａに接触することにより、ウェハ２を支持する。即ち、支持機構８は、ウェハ２を支持した状態において、ベベル部２ａを取り囲むように配置されている。また、図３（ｂ）に示すように、支持機構８のウェハ２と接する面は、ウェハ２の表面に対して斜めになっており、ウェハ２の表面に対して、斜めに接して支持するようになっている。また、このウェハ２と接する面の、先端部の角度θ_８は、ウェハ２の表面に垂直な方向に対して、６０度（９０度−３０度）以下の角度となっている。なお、ウェハ２のベベル部２ａの角度θ_２は、ウェハ２の表面方向に対して、１０〜３０度の範囲となっている。

このような構造の熱処理装置を用いて、実際に、ウェハ２に熱処理を施す場合について説明する。
まず、ウェハ２は、処理室４内に収納され、処理室４内において、支持機構８により、所定の位置に固定されて保持される。この時、上述したように、支持機構８は、ウェハ２のベベル部２ａに接し、このベベル部２ａを一周に渡り囲むようにして支持する。

また、処理室４内には、供給管１２から、Ｎ_２等の不活性ガス、あるいは、Ｏ_２ガスが、必要に応じて供給される。一方、処理室４内の雰囲気は、排気管１４に接続された真空ポンプ（図示せず）により、排気管１４から排出される。

この状態で、ウェハ２の裏面側に設けられた温度センサ１０により、ウェハ２裏面の各箇所の温度が検出される。この温度センサ１０の検出結果は、コントローラ２４に送られる。コントローラ２４は、それぞれの温度センサ１０に対応する位置のランプ１６の出力を、温度検出の結果に応じて制御する。

具体的には、例えば、１０５０℃の熱処理を施す場合、図２に示すようなレシピがコントローラ２４に組み込まれる。例えば、温度センサ１０が、検知不可能な５００℃以下の温度領域では、コントローラ２４は、ランプ１６の出力を一定値で制御するOPEN LOOP方式で、ウェハ２を加熱する。その後、５００℃以上の温度領域では、温度センサ１０がウェハ２の温度を検知しながら、所定の昇温速度で加熱されるように、CLOSED LOOP方式で、ランプ１６の出力制御を随時行う。そして、ウェハ２が所定の熱処理温度、この場合は、１０５０℃に達してから、所定の時間の熱処理を行う。その後、レシピに組み込まれた所定の降温速度で、ウェハ２を降温し、熱処理を終了する。

ウェハ２の温度は、直径方向に配置された複数の温度センサ１０によって、複数箇所において検出される。そして、コントローラ２４が、その検出結果に応じて、それぞれの箇所に対応するランプ１６の出力を、それぞれ、独立して制御することにより、ウェハ２の温度が、全体として均一となるように制御している。

支持機構８には、熱容量が存在するため、ウェハ２と支持機構８との接触により、ウェハ外周縁部の温度は、低下しやすい。従って、従来の熱処理装置において、上述のような温度制御のみでは、ウェハ２の温度は、特に、ウェハ２外周部で不均一になってしまう。
しかしながら、上述したように、支持機構８は、断面テーパ形状に加工され、ウェハ２のベベル部２ａにおいて、接触するようにして、ウェハ２を支持する。従って、ウェハ２を確実に支持しつつ、かつ、支持機構８と、ウェハ２との接触は、小さな部分に抑えることができる。従って、上述のような方法により、ウェハ２のベベル部２ａ付近における、温度低下を抑え、ウェハ２全面に渡り、温度均一性を向上させることができる。これにより、スリップなどの欠陥の発生を抑え、かつ、所望の拡散プロファイルや抵抗値などを制御して、デバイス性能のよい半導体装置を得ることができる。

なお、この実施の形態１においては、ランプ加熱式の熱処理装置について説明した。しかし、この発明は、ランプ加熱式の熱処理装置に限るものではなく、他の加熱方式による熱処理装置にも適用することができる。また、熱処理のみを目的とする装置に限るものではなく、基板を処理室内に保持して、加熱した状態での処理を行うことを必要とするような装置、例えば、熱ＣＶＤ装置等、様々な装置に広く適用することができる。

また、実施の形態１においては、ウェハ２の表面に垂直な面において切った場合に、その断面が、テーパ形状に加工された支持機構８とし、支持機構８が、ベベル部２ａに、一周に渡って接触するようにして、ウェハ２を支持する場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、ウェハ２のべベル部２ａの少なくとも一部に、点接触、あるいはそれに近い接触をして、ウェハ２を支持できるような構造を有するものであればよい。このような構造としては、例えば、ウェハ２を挟み込み、ベベル部２ａの一部あるいは一周に接触するような構造等も考えられる。

また、実施の形態１においては、支持機構８のテーパ部分の角θ_８は、６０度以下である場合について説明した。これは、ウェハ２のべベル部２ａの角度θ_２が、水平方向に対して、１０〜３０度の範囲であることを考慮して、ウェハ２と支持機構８との接触面積を小さく抑えつつ、ウェハ２を支持するように設定した角度である。しかし、この発明において、テーパ部の角度は、これに限るものではない。この角度は、ウェハ２のベベル部２ａの角度が異なる場合には、その角度を考慮して、適宜、決定すればよい。

また、この発明において、支持機構８の材質は、実施の形態１において説明したものに限るものではない。支持機構８の材料は、ウェハ２と熱容量と近いもの、あるいは、可能であれば、被加熱処理の対象となる基板と同じ材料であることが好ましい。このような材料を用いることにより、熱容量の差による、ウェハ２の温度変化を抑えることができる。ただし、この実施の形態１においては、ウェハ２と支持機構８との接触は、ベベル部２ａのみに抑えられている。従って、従来どおりの材料で、支持機構８を形成したものであっても、効果的に、熱容量の差による、ウェハ２の温度の変化を抑えることができる。

その他、この発明において、熱処理装置の各部材構造、また温度制御のシーケンス等は、この実施の形態１に説明したものに限定されるものではない。これらは、この発明の範囲内で、適宜選択し得るものである。

実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２における熱処理装置を説明するための断面模式図である。また、図５は、実施の形態２における熱処理装置内の、支持機構を説明するための上面図である。

図４に示すように、実施の形態２における熱処理装置は、実施の形態１において説明した熱処理装置と類似するものである。但し、実施の形態２の熱処理装置における支持機構３０は、実施の形態１において説明した支持機構８とは異なっている。

具体的に、支持機構８が、ウェハ２外周縁を一周取り囲んで支持する構造であるのに対して、支持機構３０は、ウェハ２を４点において支持する構造となっている。この支持機構３０の支持位置は、ウェハ２の中心に対して、ウェハ２のオリエンテーションフラット２ｂ（あるいはノッチ）の中心を１８０度とした場合に、約０度、約９０度、約１８０度、約２７０度の４箇所となっている。

この支持位置は、ウェハ２において、特に、結晶欠陥を生じやすい箇所における支持を避けるように考慮したものである。具体的には、実施の形態２において、ウェハ２は、現在一般的に用いられている、結晶面方位＜１００＞のウェハを用いた場合を考慮しており、このウェハの場合、上述のように角度を決めた場合、４５度、１３５度、２２５度、３１５度の方向に、結晶の欠陥が発生しやすいためである。即ち、実施の形態２における支持機構３０の、支持位置は、この欠陥が生じやすい方向において、特に、支持機構３０とウェハ２との接触を避け、この部分から遠い箇所において、バランスよくウェハ２を支持するようにしたものである。

以上説明したように、実施の形態２においては、支持機構３０とウェハ２とは、４点でのみ接触する。また、この接触箇所は、ウェハ２において、結晶欠陥の発生しやすい箇所を避けて配置されている。従って、より確実に、スリップ等の結晶欠陥の発生を抑えることができ、デバイス特性の良好な半導体装置を得ることができる。

なお、この実施の形態２においては、ウェハ２の中心に対して、オリエンテーションフラット２ｂ（ノッチ部）の中心の方向を、１８０度とした場合、約０度、約９０度、約１８０度、約２７０度の４点で支持する場合について説明した。これは、上述したように、面方位＜１００＞のウェハ２の場合には、４５度、１３５度、２２５度、３１５度の方向で、スリップが発生しやすいためである。ただし、この発明において、支持位置はこの位置に限るものではなく、支持位置は、被加熱対象となる基板のスリップが発生しやすい箇所を特定し、特に、その箇所における支持を避けるようにしたものであればよい。

また、実施の形態２においては、支持機構３０の各部材は、ウェハ２に表面に垂直な面で切った場合に、断面矩形であり、ウェハ２の裏面からウェハ２を支持するものについて説明した。しかし、この発明において、支持機構３０の形状は、これに限るものではない。この発明において、支持機構３０は、例えば実施の形態１において説明したように、断面をテーパ形状のものとして、ベベル部２ａにおいて、支持するようにしてもよい。このようにすることにより、より確実にウェハ２との接触面積を小さくすることができ、支持機構３０とウェハ２との熱容量の差による、ウェハ２の温度変化を抑えることができる。
その他の部分は、実施の形態１において説明したのと同様であり、説明を省略する。

実施の形態３．
図６は、この発明の実施の形態３における熱処理装置を説明するための模式図である。また、図７は、実施の形態３における熱処理装置における支持機構の他の例を説明するための模式図である。
図６に示すように、実施の形態３における熱処理装置は、実施の形態１において説明した熱処理装置と類似するものである。

但し、実施の形態１における熱処理装置の支持機構８が、断面テーパ形状に加工され、ウェハ２のベベル部２ａに斜めに接触して支持する。これに対して、実施の形態３における支持機構４０は、上面から見て、中空の円形状に形成され、ウェハ２の外周部一周を下方から支えるよう形状となっている。

一方、ウェハ２と接触しない、支持機構４０の外周側の面は、上方を、テーパ形状に切り欠いた状態となっている。即ち、ウェハ２表面に対して垂直な面で切った場合の断面において、支持機構４０は、向かい合わせにおいたＬ字形上の部材の、外側上方部４０ａを斜めに切り欠いた形状となっている。ウェハ２を支持する際には、Ｌ字形状の下面部分４０ｂにおいて、ウェハ２を下方から支持するようになっている。

以上説明したように、実施の形態３においては、支持機構４０の外側上方部４０ａをテーパ形状に切り欠いている。これにより、支持機構の体積を、全体として小さくすることができる。従って、支持機構４０の熱容量を、小さくすることができ、ウェハ２の支持機構４０と接触する部分における温度低下を、比較的小さく抑えることができる。これにより、スリップなどの結晶欠陥の発生を抑えることができ、デバイス特性の良好な半導体装置を得ることができる。

また、実施の形態３においては、ウェハ２を下方で支える構造について説明した。しかし、この発明においてはこれに限るものではない。例えば、図７に示すように、支持機構５０のウェハ２と接する面は、実施の形態１で説明したように、テーパ形状に形成して、ベベル部２ａにおいて、ウェハ２を支持するものであってもよい。このようにすることにより、ウェハ２との接触面積を小さくすることができ、ウェハ２内の温度の均一化を図ることができる。

また、例えば、実施の形態２において説明したように、図７、あるいは図６に説明した断面形状を有する支持機構を、約０℃、約９０度、約１８０度、約２７０度の４箇所に設けたものであっても良い。このようにすることにより、更に、ウェハ２との接触面積を小さくすることができるため、熱容量の差による、ウェハ２の温度低下を、効果的に抑えることができる。
その他は、実施の形態１、２と同じであるから説明を省略する。

実施の形態４．
図８は、この発明の実施の形態４における熱処理装置を説明するための断面模式図である。
図８に示すように、実施の形態４における熱処理装置は、従来の熱処理装置の支持機構に、温度制御機構を設けたものである。具体的に、支持機構６０は、断面Ｌ字型の従来の支持機構と同じ形状を有し、ウェハ２を下方から支える構造となっている。この支持機構６０には、温度制御機構６２が設けられている。この温度制御機構６２は、支持機構６０内に設けられたヒーター（図示せず）を制御して、支持機構６０の温度が、所定の温度、例えば、５００℃程度に保たれるように制御する。

以上のように、支持機構６０の温度を制御することにより、支持機構６０とウェハ２との熱容量の差により生じるウェハ２の温度低下を抑えることができる。これにより、スリップ等の結晶欠陥を抑えることができる。

なお、実施の形態４においては、５００℃程度の温度に保つ場合について説明した。しかし、この発明において、温度制御の方法は、これに限るものではなく、支持機構６０の材質等を考慮して、適宜決定すればよい。例えば、温度制御の方法としては、図２に説明したシーケンスに従って、支持機構６０の温度をも、同時に制御するもの等が考えられる。このような温度制御を行うことにより、更に、ウェハ２面内の温度を均一とすることができる。

また、実施の形態４では、従来の支持機構に、温度制御機構６２を設けて、ヒーターにより、温度を制御する場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、例えば、実施の形態１〜３において説明した熱処理装置の支持機構８、３０、４０、５０に、温度制御機構を設けて制御するものであっても良い。
その他は実施の形態１〜３と同様であるから説明を省略する。

なお、例えば、実施の形態１〜４において、ウェハ２、処理室４、ランプ１６は、それぞれ、この発明における、「基板」、「処理室」、「加熱手段」に該当する。また、実施の形態１におけるベベル部２ａは、この発明における「基板の外周縁部」に該当する。

また、実施の形態２におけるオリエンテーションフラット２ｂは、この発明の「基板のオリエンテーションフラットあるいはノッチ」に該当する。ただし、この発明において、オリエンテーションフラットやノッチを基準とした方向は、現在におけるオリエンテーションフラットやノッチ部が、中心から見た場合に、面方位に対して水平あるいは垂直の方向に設けられていることを考慮したものである。従って、面方位を表す基準マークが、このようなものでない場合、その方位を基準として、結晶欠陥が生じやすい方向を避けて、支持機構の支持位置を設定する必要がある。

この発明の実施の形態１における熱処理装置を説明するための模式図である。この発明の実施の形態１における熱処理装置における、ランプの温度制御を説明するためのグラフ図である。この発明の実施の形態１における熱処理装置における、支持機構を説明するための模式図である。この発明の実施の形態２における熱処理装置を説明するための模式図である。この発明の実施の形態２における熱処理装置における支持機構を説明するための上面模式頭図である。この発明の実施の形態３における熱処理装置を説明するための模式図である。この発明の実施の形態３における他の熱処理装置を説明するための模式図である。この発明の実施の形態４における他の熱処理装置を説明するための模式図である。

符号の説明

２ウェハ
２ａベベル部
２ｂオリエンテーションフラット
４処理室
６ウェハ回転機構
８支持機構
１０温度センサ
１２供給管
１４排気管
１６ランプ
２４コントローラ
３０支持機構
４０支持機構
５０支持機構
６０支持機構
６２温度制御機構

Claims

処理室と、
前記処理室内において基板を支持する支持機構と、
前記処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段と、を備え、
前記支持機構は、前記基板の外周縁部において基板を支持し、
前記基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、
前記基板と接する面が、前記基板表面に対して斜めの方向に形成されていることを特徴とする熱処理装置。
前記支持機構の断面形状において、前記基板と接する面は、前記基板の表面に対して垂直な方向に対して、６０度以下であることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
前記支持機構は、上面から見て、中空の円形状を有し、前記基板の外周を囲んで支持することを特徴とする請求項１又は２に記載の熱処理装置。
前記基板の中心を基準として、前記基板のオリエンテーションフラットあるいはノッチの中心の方向を０度とする場合、
前記支持機構は、約０度、約９０度、約１８０度、及び、約２７０度の４箇所において、前記基板と接することを特徴とする請求項１又は２に記載の熱処理装置。
前記支持機構は、前記基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、
前記基板と接する面とは反対側の面が、前記基板の表面に対して斜めに形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の熱処理装置。
前記熱処理装置は、更に、前記支持機構の温度を制御する温度制御機構を備えることを特徴とする請求項１から５に記載の熱処理装置。
処理室と、
前記処理室内において基板を支持する支持機構と、
前記処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段と、を備え、
前記基板の中心を基準として、前記基板のオリエンテーションフラットあるいはノッチの中心の方向を０度とする場合、
前記支持機構は、約０度、約９０度、約１８０度、及び、約２７０度の４箇所において、前記基板と接することを特徴とする熱処理装置。
処理室と、
前記処理室内において基板を支持する支持機構と、
前記処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段と、を備え、
前記支持機構は、前記基板表面に対して垂直な面で切った断面形状において、
前記基板と接する面とは反対側の面が、前記基板の表面に対して斜めに形成されていることを特徴とする熱処理装置。
処理室と、
前記処理室内において基板を支持する支持機構と、
前記処理室内に支持された基板を加熱する加熱手段と、
支持機構の温度を制御する温度制御機構と、
を備えることを特徴とする熱処理装置。