JP2013149916A - 熱処理装置及び熱処理装置の制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理体Wを収納する処理室4と、被処理体Wを加熱する加熱部52と、前記処理室4内の温度を検出する温度検出部60と、前記温度検出部60によって検出された温度が、外乱で、予め設定された第1の設定温度より低くなった時に、前記温度検出部60によって検出された温度と等しい第2の設定温度を設定し、かつ、前記第2の設定温度と前記第1の設定温度との間の第3の設定温度と、前記温度検出部60が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部52を制御し、かつ前記第3の設定温度と前記温度検出部60が検出した温度とが等しくなった後に、前記第1の設定温度と、前記温度検出部60が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部52を制御する、制御部70と、を備える熱処理装置に依る。
【選択図】図1
Description
前記処理室に収納された被処理体を加熱する加熱部と、
前記処理室内の温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された第1の設定温度より低くなった場合に、前記温度検出部によって検出された温度と等しい第2の設定温度を設定し、かつ、
前記第2の設定温度と前記第1の設定温度との間にある第3の設定温度と、前記温度検出部が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部を制御し、かつ
前記第3の設定温度と前記温度検出部が検出した温度とが等しくなった後に、前記第1の設定温度と、前記温度検出部が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部を制御する、制御部と、
を備える熱処理装置。
まず、本発明に係る熱処理装置の構成例について説明する。図1は、本発明の熱処理装置の構成例を示す概略図である。しかしながら、本発明の熱処理装置は、基板を処理する処理室と、前記処理室に収納された被処理体を加熱する加熱部と、前記処理室内の温度を検出する温度検出部と、前記加熱部を制御する制御部と、を有し、後述する熱処理方法を実行することができれば、図1の構成に限定されない。また、図1では、被処理体として半導体ウエハW(以後、ウエハWと称する)を処理する熱処理装置について説明するが、本発明はこの点において限定されない。
次に、図1で説明した熱処理装置などの熱処理装置の制御方法を、図2を参照して説明する。図2(a)に、本発明に係る熱処理装置の制御方法を説明するための図であって、従来の制御方法を説明する図を示す。なお、図2(a)における縦軸は熱処理装置内の温度を指し、横軸は時間を指す。また、図2(a)における実線は、図1における熱電対60などによって検出された熱処理装置内(即ち内筒8内)の温度(以後、アクチャル温度と称する)を指し、点線は熱処理装置の設定温度(特許請求の範囲における、第1の設定温度)を指す。さらに、図2では、予め設定された熱処理装置内の温度が700℃であり、外乱によって700℃未満になった熱処理装置の温度を制御する例について説明するが、本発明はこの点において限定されない。
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された第1の設定温度より低くなった場合に、前記温度検出部によって検出された温度と等しい第2の設定温度を設定するステップと、
前記第2の設定温度と前記第1の設定温度との間にある第3の設定温度と、前記温度検出部が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部を制御するステップと、
前記第3の設定温度と前記温度検出部が検出した温度とが等しくなった後に、前記第1の設定温度と、前記温度検出部が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部を制御するステップと、
を有して、熱処理装置を制御することによって、外乱によって熱処理装置内部の温度が低下した場合においても、熱処理装置の出力の大幅な上昇を抑制することができ、オーバーシュートを抑制する(又は無くす)ことができるため、熱処理装置内部の温度を、自動で、かつ、速やかにリカバリさせることができる。
4 処理容器
6 外筒
8 内筒
28 ウエハボート
48 ヒータ装置
50 断熱層
51 保護カバー
52 ヒータエレメント
60 熱電対
70 制御部
W 半導体ウエハ
Claims (9)
- 被処理体を収納する処理室と、
前記処理室に収納された被処理体を加熱する加熱部と、
前記処理室内の温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された第1の設定温度より低くなった場合に、前記温度検出部によって検出された温度と等しい第2の設定温度を設定し、かつ、
前記第2の設定温度と前記第1の設定温度との間にある第3の設定温度と、前記温度検出部が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部を制御し、かつ
前記第3の設定温度と前記温度検出部が検出した温度とが等しくなった後に、前記第1の設定温度と、前記温度検出部が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部を制御する、制御部と、
を備える熱処理装置。 - 前記制御部は、
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された前記第1の設定温度より低くなった場合であって、前記温度検出部が検出した温度の時間に対する変化率が所定の閾値を超えたときに、前記第2の設定温度を設定する、請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記制御部は、
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された前記第1の設定温度より低くなった場合であって、前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、前記第1の設定温度よりも連続して低くなる時間が、所定の閾値を超えたときに、前記第2の設定温度を設定する、請求項1又は2に記載の熱処理装置。 - 前記制御部は、
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された前記第1の設定温度より低くなった場合であって、前記温度検出部によって検出された温度と、前記第1の設定温度と、の差が、所定の閾値を超えたときに、前記第2の設定温度を設定する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の熱処理装置。 - 前記制御部は、前記被処理体を加熱するランピングレートを変更するように、前記加熱部を制御する、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室に収納された被処理体を加熱する加熱部と、
前記処理室内の温度を検出する温度検出部と、
予め設定された設定温度と前記温度検出部が検出した温度とが等しくなるように、前記加熱部を制御する制御部と、
を有する熱処理装置の制御方法であって、
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された第1の設定温度より低くなった場合に、前記温度検出部によって検出された温度と等しい第2の設定温度を設定する、第1のステップと、
前記第2の設定温度と前記第1の設定温度との間にある第3の設定温度と、前記温度検出部が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部を制御する、第2のステップと、
前記第3の設定温度と前記温度検出部が検出した温度とが等しくなった後に、前記第1の設定温度と、前記温度検出部が検出した温度と、が等しくなるように前記加熱部を制御する、第3のステップと、
を有する熱処理装置の制御方法。 - 前記第1のステップは、
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された第1の設定温度より低くなった場合であって、前記温度検出部が検出した温度の時間に対する変化率が所定の閾値を超えたときに、前記第2の設定温度を設定する、請求項6に記載の熱処理装置の制御方法。 - 前記第1のステップは、
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された第1の設定温度より低くなった場合であって、前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、前記第1の設定温度よりも連続して低くなる時間が、所定の閾値を超えたときに、前記第2の設定温度を設定する、請求項6又は7に記載の熱処理装置の制御方法。 - 前記第1のステップは、
前記温度検出部によって検出された温度が、外乱によって、予め設定された第1の設定温度より低くなった場合であって、前記温度検出部によって検出された温度と、前記第1の設定温度と、の差が、所定の閾値を超えたときに、前記第2の設定温度を設定する、請求項6乃至8のいずれか一項に記載の熱処理装置の制御方法。
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