KR101617217B1 - 열처리 장치 및 열처리 장치의 제어 방법 - Google Patents

열처리 장치 및 열처리 장치의 제어 방법 Download PDF

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Abstract

(과제) 외란에 의해 열처리 장치 내부의 온도가 바뀐 경우에, 열처리 장치 내부의 온도를 신속하게 리커버리시킬 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것이다.
(해결 수단) 피(被)처리체를 수납하는 처리실과, 상기 처리실에 수납된 피처리체를 가열하는 가열부와, 상기 처리실 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와, 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 미리 설정된 제1 설정 온도보다 낮아진 경우에, 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도와 동일한 제2 설정 온도를 설정하고, 그리고, 상기 제2 설정 온도와 상기 제1 설정 온도 사이에 있는 제3 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하고, 그리고 상기 제3 설정 온도와 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해진 후에, 상기 제1 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하는 제어부를 구비하는 열처리 장치.

Description

열처리 장치 및 열처리 장치의 제어 방법{HEAT TREATMENT APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME}
본 발명은 열처리 장치 및 열처리 장치의 제어 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 웨이퍼에 대하여 성막 처리, 산화 처리, 확산 처리와 같은 열처리를 행하는 장치의 예로서, 종형 열처리 장치나 횡형 열처리 장치가 알려져 있다. 이 중에서도, 대기의 유입이 적다는 등의 이유에서, 종형 열처리 장치가 주류로 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1).
이들 열처리 장치에서는, 통상 설정 온도나 램핑 레이트(ramping rate)가 변경된 경우, 램핑의 개시 온도는 전회(前回)의 타겟 온도로부터 개시된다.
일본공개특허공보 제2002-334844호
종래의 열처리 장치에서는, 예를 들면 웨이퍼 보트의 반입시 등의 외란(外亂)에 의해 액츄얼 온도가 일시적으로 내려간 경우에, 타겟 온도와 액츄얼 온도 사이에 큰 온도차가 발생하여 열처리 장치의 출력이 커진다. 그 결과, 액츄얼 온도가 오버슈트(overshoot)되고, 이에 대응하여 열처리 장치의 내부 온도 및 반도체 웨이퍼의 온도가 목표 온도로 리커버리(recovery)하는 데 필요로 하는 시간이 길어진다는 문제점이 있었다.
그래서, 본 발명에 있어서는, 외란에 의해 열처리 장치 내부의 온도가 변화된 경우에, 열처리 장치 내부의 온도를 신속하게 리커버리시킬 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
피(被)처리체를 수납하는 처리실과,
상기 처리실에 수납된 피처리체를 가열하는 가열부와,
상기 처리실 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와,
상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 미리 설정된 제1 설정 온도보다 낮아진 경우에, 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도와 동일한 제2 설정 온도를 설정하고, 그리고,
상기 제2 설정 온도와 상기 제1 설정 온도와의 사이에 있는 제3 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하고, 그리고
상기 제3 설정 온도와 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해진 후에, 상기 제1 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하는 제어부를 구비하는 열처리 장치.
본 발명에 의하면, 외란에 의해 열처리 장치 내부의 온도가 변화된 경우에, 열처리 장치 내부의 온도를 신속하게 리커버리시킬 수 있는 열처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 열처리 장치의 구성예를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 열처리 장치의 제어 방법의 예를 설명하기 위한 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따른 열처리 장치의 제어 방법의 예의 플로우도이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다.
[열처리 장치]
우선, 본 발명에 따른 열처리 장치의 구성예에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 발명의 열처리 장치의 구성예를 나타내는 개략도이다. 그러나, 본 발명의 열처리 장치는, 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 수납된 피처리체를 가열하는 가열부와, 상기 처리실 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와, 상기 가열부를 제어하는 제어부를 갖고, 후술하는 열처리 방법을 실행할 수 있다면, 도 1의 구성으로 한정되지 않는다. 또한, 도 1에서는, 피처리체로서 반도체 웨이퍼(W)(이후, 웨이퍼(W)라고 함)를 처리하는 열처리 장치에 대해서 설명하지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되지 않는다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 열처리 장치(2)는, 길이 방향이 수직으로 배치된 원통 형상의 처리 용기(4)를 갖는다. 처리 용기(4)는 주로, 외통(6)과, 이 내측에 동심적으로 배치된 내통(8)(특허 청구의 범위에 있어서의, 처리실에 대응)으로 구성되며, 2중관 구조로 되어 있다. 외통(6) 및 내통(8)은, 내열성 재료, 예를 들면 석영으로 형성된다. 외통(6) 및 내통(8)은, 스테인리스 등으로 이루어지는 매니폴드(10)에 의해, 그의 하단부(下端部)가 지지(holding)된다. 또한, 매니폴드(10)는 베이스 플레이트(12)에 고정된다.
매니폴드(10)의 하단부의 개구부에는, 예를 들면 스테인리스 스틸 등으로 이루어지는 원반 형상의 캡부(14)가, O링 등의 시일(seal) 부재(16)를 통하여 기밀 봉지 가능하게 부착되어 있다. 또한, 캡부(14)의 대략 중심부에는, 예를 들면 자성 유체 시일(18)에 의해 기밀 상태에서 회전 가능한 회전축(20)이 삽입되어 있다. 이 회전축(20)의 하단은 회전 기구(22)에 접속되어 있고, 그의 상단은 예를 들면 스테인리스 스틸로 이루어지는 테이블(24)이 고정되어 있다.
테이블(24) 상에는, 예를 들면 석영제의 보온통(26)이 설치되어 있다. 또한, 보온통(26) 상에는, 지지구로서, 예를 들면 석영제의 웨이퍼 보트(28)가 올려놓여진다. 웨이퍼 보트(28)에는, 예를 들면 50∼150매의 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)가 소정의 간격, 예를 들면 10㎜ 정도 간격의 피치로 수용된다. 웨이퍼 보트(28), 보온통(26), 테이블(24) 및 캡부(14)는, 예를 들면 보트 엘리베이터인 승강 기구(30)에 의해, 처리 용기(4) 내에 일체가 되어 로드, 언로드된다.
매니폴드(10)의 하부에는 처리 용기(4) 내로 필요한 가스를 도입하기 위한, 가스 도입 수단(32)이 설치된다. 가스 도입 수단(32)은 매니폴드(10)를 기밀하게 관통시켜 설치한 가스 노즐(34)을 갖는다.
통상, 가스 노즐(34)로부터 처리 용기(4)로 도입되는 가스는, 도시하지 않는 유량 제어 기구에 의해 유량 제어된다. 또한, 가스 노즐(34)은, 도 1에 있어서는 1개만 기재되어 있지만, 이용하는 가스종에 따라서 복수개 설치해도 좋다.
매니폴드(10)의 상부에는 가스 출구(36)가 설치되어 있고, 가스 출구(36)에는 배기계(38)가 연결된다. 배기계(38)는, 가스 출구(36)에 접속된 배기 통로(40)와, 배기 통로(40)의 도중에 순서대로 접속된, 압력 조정 밸브(42)와 진공 펌프(44)를 포함한다. 배기계(38)에 의해, 처리 용기(4) 내의 분위기를 압력 조정하면서 배기할 수 있다.
또한, 매니폴드(10)를 설치하지 않고, 처리 용기(4) 전체를, 예를 들면 석영에 의해 형성하는 구성이라도 좋다.
처리 용기(4)의 외주측에는, 처리 용기(4)를 둘러싸도록 하여 웨이퍼(W) 등의 피처리체를 가열하는 히터 장치(48)가 설치된다. 히터 장치(48)는, 원통체 형상으로 형성된 천정이 있는 단열층(50)을 갖는다. 단열층(50)은, 예를 들면 열전도성이 낮고, 부드러운 무정형(無定形)의 실리카 및 산화 알루미나의 혼합물에 의해 형성된다. 단열층(50)의 두께는, 통상 30㎜∼40㎜ 정도이다. 또한, 단열층(50)의 내면은, 처리 용기(4)의 외면보다도 소정의 거리만큼 이간(separation)되어 있다. 또한, 단열층(50)의 외주면에는, 예를 들면 스테인리스 스틸로 이루어지는 보호 커버(51)가, 단열층(50) 전체를 덮도록 부착되어 있다.
단열층(50)의 내주측에는, 히터 엘리먼트(heating element; 52)(특허 청구의 범위에 있어서의, 가열부에 대응)가, 나선 형상으로 권회되어 배치되어 있다. 히터 엘리먼트(52)는, 예를 들면 단열층(50)의 측면의 전체에 걸쳐 권회되어 설치되어 있으며, 처리 용기(4)의 높이 방향의 전체를 커버할 수 있는 구성으로 되어 있다. 즉, 히터 엘리먼트(52)의 외주측에 단열층(50)을 설치한 구조로 되어 있다.
또한, 내통(8)의 내측에는, 열전대(60)(특허 청구의 범위에 있어서의, 온도 검출부에 대응)가 삽입되어, 내통(8) 내의 온도(즉, 웨이퍼(W)의 온도)를 측정할 수 있는 구성으로 되어 있다.
히터 엘리먼트(52) 및 열전대(60)는, 높이 방향에 있어서, 1 또는 2 이상의 존(zone)으로 분할되어 있고(도 1에서는 편의상, 존으로 분할하고 있지 않는 예를 나타냄), 각 존마다 제어부(70)에 의해, 각 존마다 독립적으로 개별로 온도 제어할 수 있는 구성으로 되어 있다. 또한, 히터 엘리먼트(52) 및 열전대(60)는, 높이 방향에 있어서, 복수의 존으로 분할되는 구성의 경우, 단일의 제어부(70)가 온도 제어하는 구성으로 해도 좋고, 각각의 존에 대응하는 제어부를 준비하여 온도 제어하는 구성이라도 좋다. 각각의 존에 대응하여(존 수에 따른 복수의) 제어부를 준비하는 구성의 경우, 각각의 제어부가, 후술하는 열처리 장치의 제어 방법을 실행하도록 구성하는 것이 바람직하다.
제어부(70)는, 예를 들면 도시하지 않는 연산 처리부, 기억부 및 표시부를 갖는다. 연산 처리부는, 예를 들면 CPU(Central Processing Unit)를 갖는 컴퓨터이다. 기억부는, 연산 처리부에, 각종의 처리를 실행시키기 위한 프로그램을 기록한, 예를 들면 하드 디스크에 의해 구성되는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체이다. 표시부는, 예를 들면 컴퓨터의 화면으로 이루어진다. 연산 처리부는, 기억부에 기록된 프로그램을 판독하고, 그 프로그램에 따라, 가열부를 제어하는 구성으로 되어 있다.
[열처리 장치의 제어 방법]
다음으로, 도 1에서 설명한 열처리 장치 등의 열처리 장치의 제어 방법을, 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2(a)에, 본 발명에 따른 열처리 장치의 제어 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 종래의 제어 방법을 설명하는 도면을 나타낸다. 또한, 도 2(a)에 있어서의 종축은 열처리 장치 내의 온도를 가리키고, 횡축은 시간을 가리킨다. 또한, 도 2(a)에 있어서의 실선은, 도 1에 있어서의 열전대(60) 등에 의해 검출된 열처리 장치 내(즉, 내통(8) 내)의 온도(이후, 액츄얼 온도라고 함)를 가리키고, 점선은 열처리 장치의 설정 온도(특허 청구의 범위에 있어서의, 제1 설정 온도)를 가리킨다. 또한, 도 2에서는, 미리 설정된 열처리 장치 내의 온도가 700℃이며, 외란에 의해 700℃ 미만이 된 열처리 장치의 온도를 제어하는 예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 이 점에 있어서 한정되지 않는다.
도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 종래의 열처리 장치의 제어 방법에서는, 외란이 발생하면, 액츄얼 온도가 설정 온도에 대하여 저하되기 시작한다. 액츄얼 온도가 설정 온도보다도 저하되면, 액츄얼 온도를 설정 온도로 되돌리도록 히터에 큰 전력이 공급되기 때문에, 열처리 장치 내의 온도 저하에 보다 늦게 히터의 발열량이 커져 액츄얼 온도가 오버슈트된다. 액츄얼 온도가 오버슈트되면, 이에 대응하여 열처리 장치 내의 온도가 목표 온도로 안정될 때까지 긴 시간이 걸려, 스루풋이 저하된다.
또한, 여기에서 말하는 외란이란, 열처리 장치 내의 설정 온도보다도, 액츄얼 온도를 저하시키는 요인을 가리킨다. 구체적으로는 도 1에 있어서, 웨이퍼 보트(28)에 보유지지된 반도체 웨이퍼(W)가, 승강 기구(30)에 의해 처리 용기(4) 내에 로드(또는 언로드)되는 경우나, 프로세스 조건의 변화 등을 들 수 있다. 프로세스 조건의 변화란, 예를 들면 가스 도입 수단(32)을 통하여 가스 노즐(34)을 지나 처리 용기(4) 내로 도입된 가스에 의해, 액츄얼 온도가 저하되는 것, 가스의 배출에 의한 처리 용기(4) 내의 압력의 변화를 수반하여, 액츄얼 온도가 저하되는 것 등을 들 수 있다.
도 2(b)에, 본 발명에 따른 열처리 장치의 제어 방법의 예를 설명하는 도면을 나타낸다. 도 2(b)에 있어서의 종축은 열처리 장치 내의 온도를 가리키고, 횡축은 시간을 가리킨다. 또한, 도 2(b)에 있어서의 실선은, 액츄얼 온도를 가리키고, 점선은 열처리 장치의 설정 온도 또는 타겟 온도를 가리킨다. 또한 도 3에, 본 발명에 따른 열처리 장치의 제어 방법의 예의 플로우도를 나타낸다.
도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 따른 열처리 장치의 제어 방법에서는, 미리 설정된 설정 온도(S101)와 비교하여, 외란에 의해 액츄얼 온도가 저하된 경우(S102： Yes), 제어부는, 우선 설정 온도를 액츄얼 온도와 동일한 온도(특허 청구의 범위에 있어서의 제2 설정 온도에 대응)로 설정한다(S103).
제1 설정 온도로부터 제2 설정 온도로 설정 온도를 바꾸는 판정 기준으로서는, 외란에 의해 액츄얼 온도가 설정 온도에 대하여 저하된 후라면 특별히 한정되지 않는다. 외란의 요인에 따라서도 바람직한 판정 기준은 상이하지만, 일 예로서는, 액츄얼 온도의 시간에 대한 변화율이 소정의 문턱값을 초과했을 때, 제2 설정 온도를 설정하거나; 액츄얼 온도가, 제1 설정 온도보다도 연속해서 낮아지는 시간이, 소정의 문턱값을 초과했을 때, 제2 설정 온도를 설정하거나; 액츄얼 온도와 제1 설정 온도와의 차가, 소정의 문턱값을 초과했을 때, 제2 설정 온도를 설정하거나; 전술한 판정 기준을 조합하여 제2 설정 온도를 설정하는; 경우 등을 들 수 있지만, 본 발명은 이들 판정 기준으로 한정되지 않는다.
제1 설정 온도로부터 제2 설정 온도로 설정 온도를 바꾼 후, 제어부는, 제2 설정 온도와 제1 설정 온도와의 사이에 있는 제3 설정 온도를 설정하고, 제3 설정 온도와 액츄얼 온도가 동일해지도록 히터(특허 청구의 범위에 있어서의 가열부)를 제어한다(S104).
제3 설정 온도로서는, 제1 설정 온도와 제2 설정 온도와의 사이라면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 제1 설정 온도와 제2 설정 온도와의 사이의 한가운데의 온도를 제3 설정 온도로 해도 좋고; 제1 설정 온도와 제2 설정 온도와의 사이를, x：y(x 및 y는 각각 독립된 자연수이며, x＝y의 경우를 제외함)로 나누는 온도를 제3 설정 온도로 해도 좋고; 액츄얼 온도와 제1 설정 온도의 차가, 소정의 문턱값을 초과하고 있는 경우에, 제1 설정 온도보다 상기 소정의 문턱값만큼 낮은 온도를 제3 설정 온도로 해도 좋다.
액츄얼 온도를 제3 설정 온도와 동일해지도록 히터를 제어하는 방법으로서, 특별히 한정되지 않지만, 통상 램핑 레이트를 변경하여 제어한다. 이 경우, 램핑 레이트를 소정의 값(예를 들면, 2℃／min, 10℃／min 등)으로 설정해도 좋고, 제2 설정 온도로부터 제3 설정 온도로 리커버리하는 시간이, 소정의 시간(예를 들면, 10min)이 되도록, 제3 설정 온도(또는, 제1 설정 온도 및 상기 소정의 문턱값)와, 액츄얼 온도와, 상기 소정의 시간으로부터 램핑 레이트를 설정해도 좋다.
액츄얼 온도가 제3 설정 온도와 동일해진 후에, 제어부는 재차 제1 설정 온도를 설정하고, 제1 설정 온도와 액츄얼 온도가 동일해지도록 히터를 제어한다(S105).
액츄얼 온도를 제1 설정 온도와 동일해지도록 히터를 제어하는 방법으로서, 특별히 한정되지 않지만, 전술과 동일하게, 통상 램핑 레이트를 변경하여 제어한다. 이 경우도, 램핑 레이트를 소정의 값(예를 들면, 2℃／min, 10℃／min 등)으로 설정해도 좋고, 제3 설정 온도로부터 제1 설정 온도로 리커버리하는 시간이, 소정의 시간(예를 들면, 10min)이 되도록, 제1 설정 온도와, 액츄얼 온도와, 상기 소정의 시간으로부터 램핑 레이트를 설정해도 좋다.
본 발명에서는, 외란이 발생하여 열처리 장치 내의 온도가 제1 설정 온도로부터 저하된 경우에, 제1 설정 온도로 신속하고 그리고 오버슈트 없이(또는 억제하여) 리커버리하기 위해, 우선 제2 설정 온도를 설정하고, 그 후 제1 설정 온도와 제2 설정 온도 사이에 제3 설정 온도를 설정하는 예에 대해서 서술했다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되지 않고, 제1 설정 온도와 제2 설정 온도 사이에, 제3 설정 온도를 설정하여 액츄얼 온도와 제3 설정 온도가 동일해지도록 가열부를 제어하고, 그 후 제3 설정 온도와 제1 설정 온도 사이에, 제4 설정 온도(나아가서는 제n(n은 5 이상의 자연수)의 설정 온도)를 설정하고, 액츄얼 온도와 제4 설정 온도가 동일해지도록 가열부를 제어하고, 그 후 액츄얼 온도를 제1 설정 온도로 리커버리하는 다단 스텝의 구성이라도 좋다.
또한, 제어부가 기억부를 갖는 실시 형태의 경우는, 프로세스 조건 또는 반도체 웨이퍼(W)의 로드 속도에 따라서, 전술한 제어 방법을 기억하는 구성이라도 좋다. 그러한 구성으로 함으로써, 열처리 장치의 제어 방법이 동일하거나 또는 예측성이 높을 때, 및/또는, 웨이퍼 보트(28)에 보유지지된 반도체 웨이퍼(W)의 로드 속도가 동일하거나 또는 예측성이 높을 때, 기억부에 기억된 이전의 제어 방법을 불러내어 실행하는 구성으로 할 수 있다.
본 발명은, 기판을 처리하는 처리실과, 상기 처리실에 수납된 피처리체를 가열하는 가열부와, 상기 처리실 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와, 미리 설정된 설정 온도와 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록, 상기 가열부를 제어하는 제어부를 갖는 열처리 장치에 대하여,
상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 미리 설정된 제1 설정 온도보다 낮아진 경우에, 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도와 동일한 제2 설정 온도를 설정하는 스텝과,
상기 제2 설정 온도와 상기 제1 설정 온도 사이에 있는 제3 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하는 스텝과,
상기 제3 설정 온도와 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해진 후에, 상기 제1 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하는 스텝을 갖고, 열처리 장치를 제어함으로써, 외란에 의해 열처리 장치 내부의 온도가 저하된 경우에 있어서도, 열처리 장치의 출력의 대폭적인 상승을 억제할 수 있어, 오버슈트를 억제할(또는 없앨) 수 있기 때문에, 열처리 장치 내부의 온도를 자동으로, 그리고 신속하게 리커버리시킬 수 있다.
2 : 열처리 장치
4 : 처리 용기
6 : 외통
8 : 내통
28 : 웨이퍼 보트
48 : 히터 장치
50 : 단열층
51 : 보호 커버
52 : 히터 엘리먼트
60 : 열전대
70 : 제어부
W : 반도체 웨이퍼

Claims (9)

  1. 피(被)처리체를 수납하는 처리실과,
    상기 처리실에 수납된 피처리체를 가열하는 가열부와,
    상기 처리실 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와,
    제어부를 구비하며,
    상기 제어부는,
    상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 미리 설정된 제1 설정 온도보다 낮아진 경우로서, 상기 온도 검출부가 검출한 온도의 시간에 대한 변화율이 소정의 제1 문턱값을 초과했을 때, 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도와 동일한 제2 설정 온도를 설정하고, 그리고,
    상기 제2 설정 온도와 상기 제1 설정 온도와의 사이에 있는 제3 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하고,
    그 후, 상기 제3 설정 온도와 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해진 후에, 상기 제1 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하도록 구성되는, 열처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 미리 설정된 상기 제1 설정 온도보다 낮아진 경우로서, 상기 온도 검출부가 검출한 온도의 시간에 대한 변화율이 상기 소정의 제1 문턱값을 초과할 뿐만 아니라, 또한 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 상기 제1 설정 온도보다도 연속해서 낮아지는 시간이, 소정의 제2 문턱값을 초과했을 때, 상기 제2 설정 온도를 설정하는 열처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 미리 설정된 상기 제1 설정 온도보다 낮아진 경우로서, 상기 온도 검출부가 검출한 온도의 시간에 대한 변화율이 상기 소정의 제1 문턱값을 초과할 뿐만 아니라, 또한 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도와, 상기 제1 설정 온도의 차가, 소정의 제3 문턱값을 초과했을 때, 상기 제2 설정 온도를 설정하는 열처리 장치.
  5. 제1항, 제3항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 피처리체를 가열하는 램핑 레이트를 변경하도록, 상기 가열부를 제어하는 열처리 장치.
  6. 기판을 처리하는 처리실과,
    상기 처리실에 수납된 피처리체를 가열하는 가열부와,
    상기 처리실 내의 온도를 검출하는 온도 검출부와,
    미리 설정된 설정 온도와 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록, 상기 가열부를 제어하는 제어부를 갖는 열처리 장치의 제어 방법으로서,
    상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 미리 설정된 제1 설정 온도보다 낮아진 경우로서, 상기 온도 검출부가 검출한 온도의 시간에 대한 변화율이 소정의 제1 문턱값을 초과했을 때, 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도와 동일한 제2 설정 온도를 설정하는 제1 스텝과,
    상기 제2 설정 온도와 상기 제1 설정 온도 사이에 있는 제3 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하는 제2 스텝과,
    그 후, 상기 제3 설정 온도와 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해진 후에, 상기 제1 설정 온도와, 상기 온도 검출부가 검출한 온도가 동일해지도록 상기 가열부를 제어하는 제3 스텝을 가지는 열처리 장치의 제어 방법.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 스텝은,
    상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 미리 설정된 제1 설정 온도보다 낮아진 경우로서, 상기 온도 검출부가 검출한 온도의 시간에 대한 변화율이 상기 소정의 제1 문턱값을 초과할 뿐만 아니라, 또한 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 상기 제1 설정 온도보다도 연속해서 낮아지는 시간이, 소정의 제2 문턱값을 초과했을 때, 상기 제2 설정 온도를 설정하는 열처리 장치의 제어 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 스텝은,
    상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도가, 외란에 의해, 미리 설정된 제1 설정 온도보다 낮아진 경우로서, 상기 온도 검출부가 검출한 온도의 시간에 대한 변화율이 상기 소정의 제1 문턱값을 초과할 뿐만 아니라, 또한 상기 온도 검출부에 의해 검출된 온도와, 상기 제1 설정 온도와의 차가, 소정의 제3 문턱값을 초과했을 때, 상기 제2 설정 온도를 설정하는 열처리 장치의 제어 방법.
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