CN112530826A - 半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备，其中，承载装置包括测温装置和用于承载待加工件的承载主体，测温装置包括支撑件和多个测温组件，支撑件与承载主体连接，位于承载主体的外侧，并沿承载主体的轴向延伸设置；多个测温组件沿支撑件的轴向间隔设置在支撑件上，并向承载主体的内部延伸，用于对承载主体所承载的待加工件进行测温。本发明提供的半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备，能够提高对待加工件测温的准确性，从而无需与其它测温元件配合使用，以提高待加工件的良品率，降低成本，提高半导体热处理设备的使用率。

Description

半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备。
背景技术
在半导体热处理设备中，工艺腔室内的温度均匀性，对于间隔放置在工艺腔室内的多个晶片的良品率具有重要影响，因此，如何能够准确的检测各晶片的温度，对于半导体工艺极为重要。
如图1所示，半导体立式炉设备包括装卸腔室11和位于装卸腔室11上方的工艺腔室12，工艺腔室12内设置有石英管121，石英管121内安装有测温装置14，用于承载多个晶片的晶舟13可升降的设置在炉体中，晶舟13装卸晶片时下降至装卸腔室11中，舟承载晶片进行工艺时上升至石英管121中，晶舟13承载多个晶片时，多个晶片自上而下间隔放置于晶舟13中。工艺腔室12内部自上而下划分为多个测温区域，测温装置14上设置有与测温区域数量相同的测温热偶，各测温热偶用于一一对应的对各测温区域进行测温，从而对位于各测温区域中的晶片的温度进行检测。为了避免测温装置14对晶舟13的升降造成影响，测温装置14只能安装在石英管121内的边缘，而这就导致测温装置14只能位于晶舟13的外侧，测温装置14测得的温度与晶片的实际温度之间会有较大误差，因此，在半导体立式炉设备正式使用之前，还需要将能够测温且形状与晶片类似的晶片热电偶(TC Wafer)放置于晶舟13中，并模拟半导体工艺，通过将晶片热电偶测得的温度，与测温装置14测得的温度进行比较，以获得测温装置14测得的温度与晶片的实际温度之间的误差，从而在半导体立式炉设备正式使用之后，通过获得的误差对测温装置14测得的温度进行补偿，以获得晶片的实际温度。
但是，上述测温方式需要测温装置14与晶片热电偶配合使用，导致成本较高，并且获得的误差样本较小，准确性较低，仅具有参考意义，无法准确的对测温装置14测得的温度进行补偿，导致晶片的良品率较低，另外，石英管121在长时间使用后，其内部环境会发生变化，例如经过多次沉积工艺后，石英管121的内壁上会沉积工艺副产物，而石英管121内环境的变化又会对误差产生影响，此时就需要对半导体立式炉设备停产校正，重新测算误差，导致半导体立式炉设备使用率低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备，其能够提高对待加工件测温的准确性，从而无需与其它测温元件配合使用，以提高待加工件的良品率，降低成本，提高半导体热处理设备的使用率。
为实现本发明的目的而提供一种半导体热处理设备的承载装置，包括用于承载待加工件的承载主体，还包括测温装置，所述测温装置包括支撑件和多个测温组件，其中，所述支撑件与所述承载主体连接，位于所述承载主体的外侧，并沿所述承载主体的轴向延伸设置；
多个所述测温组件沿所述支撑件的轴向间隔设置在所述支撑件上，并向所述承载主体的内部延伸，用于对所述承载主体所承载的所述待加工件进行测温。
优选的，所述测温组件包括壳体和测温部件，所述支撑件中设置有信号传输部件，其中，所述壳体一端与所述支撑件连接，另一端延伸至所述承载主体内部，位于所述待加工件的上方，所述测温部件设置在所述壳体内，位于所述另一端处，并与所述信号传输部件电连接。
优选的，各所述测温部件与所述待加工件的中心相对设置。
优选的，所述测温部件包括热电偶，所述热电偶包括第一电极和第二电极，所述信号传输部件包括第一导电件和第二导电件，其中，所述第一电极通过第一连接件与所述第一导电件电连接，所述第二电极通过第二连接件与所述第二导电件电连接；
所述测温装置还包括绝缘部件，所述绝缘部件设置在所述壳体和所述支撑件内，用于对所述第一导电件和所述第二导电件、所述第一连接件和所述第二连接件进行绝缘。
优选的，所述绝缘部件包括绝缘套管，所述绝缘套管内设置有相互绝缘的第一通道和第二通道，其中，所述第一通道供所述第一导电件或所述第一连接件穿过，所述第二通道供所述第二导电件或所述第二连接件穿过。
优选的，所述支撑件上设置有限位部件，所述限位部件与所述承载主体相配合，用于限制所述支撑件相对于所述承载主体转动。
优选的，所述限位部件套设在所述支撑件上，所述承载主体上开设有供所述限位部件插入的限位槽，所述限位部件的外轮廓与所述限位槽的内轮廓相配合，以限制所述限位部件相对于所述限位槽转动。
优选的，所述支撑件上设置有固定结构，所述承载主体上设置有固定部，所述承载装置还包括固定组件，用于可拆卸地连接所述固定结构与所述固定部，以将所述支撑件可拆卸的固定在所述承载主体上。
优选的，所述固定结构包括设置在所述支撑件上的凸台，所述固定部中开设有供所述凸台穿过的固定孔，所述固定部的外周壁上设置有外螺纹；
所述固定组件包括固定件、第一弹性件、第二弹性件、压紧件和弹性密封件，其中，
所述固定件中开设有固定槽，所述固定槽的内周壁上设置有与所述外螺纹配合的内螺纹，所述第一弹性件、所述第二弹性件、所述压紧件和所述弹性密封件叠置在所述固定槽中，且均套设在所述支撑件上，所述弹性密封件位于所述压紧件与所述固定部伸入至所述固定槽中的一端之间。
本发明还提供一种半导体热处理设备，包括装载腔室、工艺腔室和如本发明提供的所述承载装置，其中，所述装载腔室和所述工艺腔室相互连通，所述承载装置可在所述装载腔室和所述工艺腔室之间移动。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的半导体热处理设备的承载装置，通过使沿支撑件的轴向间隔设置在支撑件上的多个测温组件，向承载主体的内部延伸，以减小各测温组件与承载主体所承载的待加工件之间的距离，使各测温组件所测得的承载主体所承载的待加工件的温度，与承载主体所承载的待加工件的实际温度之间的误差减小，从而能够提高对待加工件测温的准确性，以使各测温组件所测得的承载主体所承载的待加工件的温度，与承载主体所承载的待加工件的实际温度接近甚至相同，能够作为承载主体所承载的待加工件的实际温度使用，进而无需与其它测温元件配合使用，以提高待加工件的良品率，降低成本，提高半导体热处理设备的使用率，并且，通过将测温装置的支撑件与承载主体连接，并位于承载主体的外侧，且沿承载主体的轴向延伸设置，以使测温装置能够随承载主体的移动而移动，避免测温装置的向承载主体的内部延伸的各测温组件对承载主体的移动造成干涉，从而使承载装置能够顺利的在半导体热处理设备中传输。
本发明提供的半导体热处理设备，借助本发明提供的承载装置，以能够提高对待加工件测温的准确性，从而无需与其它测温元件配合使用，以提高待加工件的良品率，降低成本，提高半导体热处理设备的使用率，并且，可以避免测温装置的向承载主体的内部延伸的各测温组件对承载主体的移动造成干涉，从而使承载装置能够顺利的在半导体热处理设备中传输。
附图说明
图1为现有的半导体立式炉设备及晶舟的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的半导体热处理设备的承载装置的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的半导体热处理设备的承载装置位于工艺腔室时的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的半导体热处理设备的承载装置位于装载腔室时的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的半导体热处理设备的承载装置中测温装置的结构示意图；
图6为图5中A处的局部放大结构示意图；
图7为本发明实施例提供的半导体热处理设备的承载装置中测温装置的结构示意图；
图8为图7中B处的局部放大结构示意图；
图9为本发明实施例提供的半导体热处理设备的承载装置中限位部件与法兰盘配合时的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的半导体热处理设备的承载装置的结构示意图；
图11为图10中C处的局部放大结构示意图；
附图标记说明：
11-装卸腔室；12-工艺腔室；121-石英管；13-晶舟；14-测温装置；201-装载腔室；202-工艺腔室；203-工艺管；204-升降装置；21-承载主体；211-承载区域；22-支撑件；23-测温组件；231-壳体；232-测温部件；241-第一导电件；242-第二导电件；243-第一连接件；244-第二连接件；25-绝缘部件；26-限位部件；271-固定部；272-固定孔；273-外螺纹；28-固定组件；281-固定件；282-固定槽；283-第一弹性件；284-第二弹性件；285-压紧件；286-弹性密封件；29-凸台；30-法兰盘；31-保温装置；32-待加工件。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备进行详细描述。
如图2所示，本实施例提供一种半导体热处理设备的承载装置，包括测温装置和用于承载待加工件32的承载主体21，其中，测温装置包括支撑件22和多个测温组件23，支撑件22与承载主体21连接，位于承载主体21的外侧，并沿承载主体21的轴向延伸设置；多个测温组件23沿支撑件22的轴向间隔设置在支撑件22上，并向承载主体21的内部延伸，用于对承载主体21所承载的待加工件32进行测温。
本实施例提供的半导体热处理设备的承载装置，通过使沿支撑件22的轴向间隔设置在支撑件22上的多个测温组件23，向承载主体21的内部延伸，以减小各测温组件23与承载主体21所承载的待加工件32之间的距离，使各测温组件23所测得的承载主体21所承载的待加工件32的温度，与承载主体21所承载的待加工件32的实际温度之间的误差减小，从而能够提高对待加工件32测温的准确性，以使各测温组件23所测得的承载主体21所承载的待加工件32的温度，与承载主体21所承载的待加工件32的实际温度接近甚至相同，能够作为承载主体21所承载的待加工件32的实际温度使用，进而无需与其它测温元件配合使用，以提高待加工件32的良品率，降低成本，提高半导体热处理设备的使用率，并且，通过将测温装置的支撑件22与承载主体21连接，并位于承载主体21的外侧，且沿承载主体21的轴向延伸设置，以使测温装置能够随承载主体21的移动而移动，避免测温装置的向承载主体21的内部延伸的各测温组件23对承载主体21的移动造成干涉，从而使承载装置能够顺利的在半导体热处理设备中传输。
如图2所示，以适用于半导体立式炉设备的承载装置为例，承载主体21竖向设置，承载主体21上沿其轴向划分为间隔的多个各承载区域211，即，多个承载区域211沿竖向间隔分布在承载主体21上，各承载区域211均用于承载多个待加工件32，多个待加工件32沿竖向间隔放置于各承载区域211中。可选的，待加工件32可以为晶片。但是，承载装置的结构并不以此为限，例如，适用于半导体卧式炉设备的承载装置，则承载主体21横向设置，多个承载区域211沿横向间隔分布在承载主体21上，多个待加工件32沿横向间隔放置于各承载区域211中。
如图2所示，承载主体21上沿其轴向间隔分布有五个承载区域211，测温组件23的数量与承载区域211的数量相同也为五个，多个测温组件23向承载主体21的内部延伸，并一一对应的延伸至多个承载区域211的上方，用于对对应的承载区域211所承载的待加工件32进行测温，即，对承载主体21所承载的待加工件32进行测温，例如，若各承载区域211分别承载一个待加工件32，则各测温组件23用于对对应的承载区域211所承载的一个待加工件32进行测温，若各承载区域211分别承载多个待加工件32，则各测温组件23用于对对应的承载区域211所承载的多个待加工件32进行测温。需要说明的是，在适用于半导体卧式炉设备的承载装置中，各测温组件23向承载主体21的内部延伸，可以一一对应的延伸至各承载区域211的左侧或右侧。
另外，测温组件23与承载区域211并不限于一一对应关系，例如，也可以是一个测温组件23对应多个承载区域211，即，多个测温组件23向承载主体21的内部延伸，并延伸至多个承载区域211的上方，且相邻的两个测温组件23之间可以具有多个承载区域211，此时，一个测温组件23可以对多个承载区域211所承载的待加工件32进行测温，这样借助多个测温组件23也可以对承载主体21所承载的待加工件32进行测温。
如图3和图4所示，以半导体热处理设备为半导体立式炉设备为例，半导体立式炉设备中可以设置有相互连通的装载腔室201和工艺腔室202，其中，装载腔室201位于工艺腔室202的下方，承载装置可以在装载腔室201中对待加工件32进行装卸，装载腔室201中可以设置有升降装置204，通过将承载装置放置于升降装置204上，以借助升降装置204驱动承载装置上升至工艺腔室202中，或下降至装载腔室201中，工艺腔室202中可以设置有工艺管203，可选的，工艺管203的制作材料可以采用石英，工艺管203用于在承载装置上升至工艺腔室202中后，将承载装置罩设在其中，由于本实施例提供的承载装置，测温装置的支撑件22与承载主体21相连接，因此，测温装置可以随承载装置的升降而升降，即，测温装置可以随承载装置上升至工艺腔室202中，或下降至装载腔室201中，从而避免测温装置的延伸至各承载区域211上方的各测温组件23，即，测温装置的向承载主体21的内部延伸的各测温组件23对承载主体21的升降造成干涉，从而使承载装置能够顺利的在半导体立式炉设备中升降。但是，半导体立式炉设备的结构并不以此为限，例如，装载腔室201也可以位于工艺腔室202的上方。
另外，半导体热处理设备的类型也并不限于半导体立式炉设备，例如，半导体热处理设备也可以为半导体卧式炉设备，半导体卧式炉设备中也可以设置有相互连通的装载腔室201和工艺腔室202，此时，装载腔室201可以位于工艺腔室202的右侧，也可以位于工艺腔室202的左侧，装载腔室201中可以设置有传输装置，通过将承载装置放置于传输装置上，以借助传输装置驱动承载装置向左或向右平移至工艺腔室202中，由于本实施例提供的承载装置，测温装置的支撑件22与承载主体21相连接，因此，测温装置可以随承载装置的左右平移而左右平移，从而避免测温装置的延伸至各承载区域211的左侧或右侧的各测温组件23，即，测温装置的向承载主体21的内部延伸的各测温组件23对承载主体21的左右平移造成干涉，从而使承载装置能够顺利的在半导体卧式炉设备中左右平移。
如图5和图6所示，在本发明一优选实施例中，测温组件23可以包括壳体231和测温部件232，支撑件22中可以设置有信号传输部件，其中，壳体231的一端与支撑件22连接，另一端延伸至承载主体21内部，位于待加工件32的上方，测温部件232设置在壳体231内，位于另一端处，并与信号传输部件电连接。
如图5和图6所示，支撑件22和壳体231可以均为中空结构，测温部件232设置在壳体231的内部空间中，信号传输部件设置在支撑件22的内部空间中，壳体231与支撑件22在连接处相互连通，以使测温部件232能够与信号传输部件电连接，壳体231用于对设置在其中测温部件232进行支撑以及保护。测温部件232用于对承载主体21所承载的待加工件32的温度进行检测，通过将测温部件232设置在壳体231延伸至承载主体21内部，位于待加工件32的上方的另一端处，以使测温部件232更加靠近承载主体21所承载的待加工件32的中心，使测温部件232所测得的承载主体21所承载的待加工件32的温度，与承载主体21所承载的待加工件32的实际温度进一步接近，从而进一步提高对待加工件32测温的准确性。信号传输部件用于将测温部件232在检测温度时所产生的电信号传输至测温装置外的接收处理部件(图中未显示)上，通过接收处理部件对测温部件232在检测温度时所产生的电信号进行处理，以显示各测温部件232所测得的温度。
可选的，壳体231的制作材料可以包括石英。
在本发明一优选实施例中，各测温部件232可以与待加工件32的中心相对设置。例如，待加工件32为晶圆时，各测温部件232与晶圆的圆心相对位置。这样可以使各测温部件232能够对待加工件32的中心的温度进行检测，从而使各测温部件232所测得的承载主体21所承载的待加工件32的温度，与承载主体21所承载的待加工件32的实际温度更加接近，进而进一步提高对待加工件32测温的准确性。
如图6所示，在本发明一优选实施例中，测温部件232可以包括热电偶，热电偶可以包括第一电极和第二电极，信号传输部件可以包括第一导电件241和第二导电件242，其中，第一电极通过第一连接件243与第一导电件241电连接，第二电极通过第二连接件244与第二导电件242电连接；测温装置可以还包括绝缘部件25，绝缘部件25设置在壳体231和支撑件22内，用于对第一导电件241和第二导电件242、第一连接件243和第二连接件244进行绝缘。
如图6所示，热电偶中的第一电极和第二电极电导通，第一连接件243通过支撑件22与壳体231的连通处，伸入至壳体231的内部空间中与第一电极电连接，并伸入至支撑件22的内部空间中与第一导电件241电连接，以使第一电极与第一导电件241电连接，第二连接件244通过支撑件22与壳体231的连通处，伸入至壳体231的内部空间中与第二电极电连接，并伸入至支撑件22的内部空间中与第二导电件242电连接，以使第二电极与第二导电件242电连接，这样就使第一电极、第二电极电、第一连接件243、第二连接件244、第一导电件241和第二导电件242形成一个完整的电回路，在该电回路中具有两个电导通处，其中一个是位于壳体231中的第一电极和第二电极的电导通处，另一个是位于支撑件22外的第一导电件241和第二导电件242通过接收处理部件的电导通处，由于热电偶的第一电极和第二电极的材料不同，因此，当该电回路中的两个电导通处的温度不同时，该回路中就会产生电动势，而接收处理部件通过接收并对该电动势进行处理，就可以将各测温部件232所测得的温度显示出来。
借助设置在壳体231和支撑件22内的绝缘部件25对第一导电件241和第二导电件242、第一连接件243和第二连接件244进行绝缘，以避免由于在由第一电极、第二电极、第一连接件243、第二连接件244、第一导电件241和第二导电件242所形成的电回路中除在两个电导通处之外还存在其余电导通处，导致第一电极、第二电极、第一连接件243、第二连接件244、第一导电件241和第二导电件242所形成的电回路所产生的电动势不准确，从而提高测温装置的测温准确性。
可选的，第一电极的制作材料和第二电极的制作材料可以包括贵金属。
优选的，第一电极的制作材料可以为铂铑合金，第二电极的制作材料可以为铂。
可选的，铂铑合金中铑的占比范围可以为10％-13％，铂的占比范围可以为90％-87％。
优选的，铂铑合金中铑的占比可以为13％，铂的占比可以为87％。
可选的，第一连接件243的制作材料可以包括贵金属。优选的，第一连接件243的制作材料可以为铂铑合金。
可选的，第二连接件244的制作材料可以包括贵金属。优选的，第二连接件244的制作材料可以为铂铑合金。
可选的，第一导电件241的制作材料可以包括贵金属。优选的，第一导电件241的制作材料可以为铂铑合金。
可选的，第二导电件242的制作材料可以包括贵金属。优选的，第二导电件242的制作材料可以为铂铑合金。
可选的，第一连接件243的制作材料和第一导电件241的制作材料可以相同，第二连接件244的制作材料和第二导电件242的制作材料可以相同。
如图6所示，在本发明一优选实施例中，绝缘部件25可以包括绝缘套管，绝缘套管内设置有相互绝缘的第一通道和第二通道，其中，第一通道供第一导电件241或第一连接件243穿过，第二通道供第二导电件242或第二连接件244穿过。
如图6所示，绝缘套管可以分别设置在支撑件22的内部空间中，以及壳体231的内部空间中，绝缘套管内设置有相互绝缘的第一通道和第二通道，从而使在支撑件22的内部空间中分别穿过第一通道和第二通道的第一导电件241和第二导电件242绝缘，并使在壳体231的内部空间中分别穿过第一通道和第二通道的第一连接件243和第二连接件244绝缘。
如图7所示，在本发明一优选实施例中，支撑件22上设置有限位部件26，限位部件26与承载主体21相配合，用于限制支撑件22相对于承载主体21转动，即，使支撑件22无法相对于承载主体21转动，从而避免设置支撑件22上的测温部件232相对于承载主体21所承载的待加工件32的位置发生变化，进而提高测温装置测温的稳定性。
如图8和图9所示，在本发明一优选实施例中，限位部件26可以套设在支撑件22上，承载主体21上开设有供限位部件26插入的限位槽，限位部件26的外轮廓与限位槽的内轮廓相配合，以限制限位部件26相对于限位槽转动，即，通过限位槽的内轮廓对限位部件26的外轮廓进行限制，以限制限位部件26在限位槽中相对于限位槽转动，从而限制支撑件22相对于承载主体21转动。
如图9所示，可选的，在承载主体21的底部可以设置有法兰盘30，限位槽可以开设在法兰盘30的边缘。
如图2所示，可选的，法兰盘30上可以设置有保温装置31，以在半导体热处理工艺中对承载于承载主体21上的待加工件32进行保温，避免承载于承载主体21上的待加工件32在半导体热处理工艺中快速散热。
可选的，限位部件26的高度可以为8毫米-10毫米。
可选的，限位部件26的长度可以为12毫米-16毫米。
可选的，限位部件26的宽度可以为12毫米-16毫米。
如图10和图11所示，在本发明一优选实施例中，支撑件22上可以设置有固定结构，承载主体21上可以设置有固定部271，承载装置可以还包括固定组件28，用于可拆卸地连接固定结构与固定部271，以将支撑件22可拆卸的固定在承载主体21上。借助固定组件28可拆卸地连接固定结构与固定部271，使支撑件22可拆卸的固定在承载主体21上，以能够便于对测温装置进行维护或者更换。
如图11所示，在本发明一优选实施例中，固定结构可以包括设置在支撑件22上的凸台29，固定部271中可以开设有供凸台29穿过的固定孔272，固定部271的外周壁上设置有外螺纹273，固定组件28可以包括固定件281、第一弹性件283、第二弹性件284、压紧件285和弹性密封件286，其中，固定件281中开设有固定槽282，固定槽282的内周壁上设置有与外螺纹273配合的内螺纹，第一弹性件283、第二弹性件284、压紧件285和弹性密封件286叠置在固定槽282中，且均套设在支撑件22上，弹性密封件286位于压紧件285与固定部271伸入至固定槽282中的一端之间。
如图10和图11所示，固定部271可以设置在承载主体21底部的法兰盘30上，固定部271沿法兰盘30向下延伸，其中开设有供凸台29穿过的固定孔272，其外周壁上设置有外螺纹273，固定槽282的内周壁上的内螺纹与固定部271外周壁上的外螺纹273螺纹配合，以使固定件281与固定部271可拆卸的连接，第一弹性件283设置在固定槽282的底部，并套设在支撑件22上，第二弹性件284叠置在第一弹性件283上，并套设在支撑件22上，压紧件285叠置在第二弹性件284上，并套设在支撑件22上，弹性密封件286叠置在压紧件285上，并套设在支撑件22上，且位于压紧件285与固定部271伸入至固定槽282中的一端之间，通过固定件281与固定部271的螺纹配合，将第一弹性件283、第二弹性件284、压紧件285和弹性密封件286压紧固定在固定槽282中，并通过第一弹性件283、第二弹性件284、压紧件285和弹性密封件286均套设在支撑件22上，以通过第一弹性件283、第二弹性件284、压紧件285和弹性密封件286将支撑件22夹紧其中，从而将支撑件22可拆卸的固定在承载主体21上，并避免支撑件22相对于固定孔272和固定槽282晃动，从而避免设置在支撑件22上的测温部件232相对于承载主体21所承载待加工件32的位置发生变化，进而提高测温装置测温的稳定性。
可选的，弹性密封件286可以包括O型橡胶圈。
可选的，第一弹性件283的制作材料可以包括聚四氟乙烯(Poly tetrafluoroethylene，简称PTFE)。
可选的，第二弹性件284的制作材料可以包括聚四氟乙烯。
可选的，压紧件285的制作材料可以包括不锈钢。
如图2和图3所示，作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体热处理设备，包括装载腔室201、工艺腔室202和如本发明实施例提供的承载装置，其中，装载腔室201和工艺腔室202相互连通，承载装置可在装载腔室201和工艺腔室202之间移动。
本发明实施例提供的半导体热处理设备，借助本发明实施例提供的承载装置，以能够提高对待加工件32测温的准确性，从而无需与其它测温元件配合使用，以提高待加工件32的良品率，降低成本，提高半导体热处理设备的使用率，并且，可以避免测温装置的向承载主体21的内部延伸的各测温组件23对承载主体21的移动造成干涉，从而使承载装置能够顺利的在半导体热处理设备中传输。
综上所述，本发明实施例提供的半导体热处理设备的承载装置及半导体热处理设备，能够提高对待加工件32测温的准确性，从而无需与其它测温元件配合使用，以提高待加工件32的良品率，降低成本，提高半导体热处理设备的使用率，并能够避免测温装置的向承载主体21的内部延伸的各测温组件23对承载主体21的移动造成干涉，从而使承载装置能够顺利的在半导体热处理设备中传输。
可以解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体热处理设备的承载装置，包括用于承载待加工件的承载主体，其特征在于，还包括测温装置，所述测温装置包括支撑件和多个测温组件，其中，所述支撑件与所述承载主体连接，位于所述承载主体的外侧，并沿所述承载主体的轴向延伸设置；
多个所述测温组件沿所述支撑件的轴向间隔设置在所述支撑件上，并向所述承载主体的内部延伸，用于对所述承载主体所承载的所述待加工件进行测温。
2.根据权利要求1所述的半导体热处理设备的承载装置，其特征在于，所述测温组件包括壳体和测温部件，所述支撑件中设置有信号传输部件，其中，所述壳体一端与所述支撑件连接，另一端延伸至所述承载主体内部，位于所述待加工件的上方，所述测温部件设置在所述壳体内，位于所述另一端处，并与所述信号传输部件电连接。
3.根据权利要求2所述的半导体热处理设备的承载装置，其特征在于，各所述测温部件与所述待加工件的中心相对设置。
4.根据权利要求2所述的半导体热处理设备的承载装置，其特征在于，所述测温部件包括热电偶，所述热电偶包括第一电极和第二电极，所述信号传输部件包括第一导电件和第二导电件，其中，所述第一电极通过第一连接件与所述第一导电件电连接，所述第二电极通过第二连接件与所述第二导电件电连接；
所述测温装置还包括绝缘部件，所述绝缘部件设置在所述壳体和所述支撑件内，用于对所述第一导电件和所述第二导电件、所述第一连接件和所述第二连接件进行绝缘。
5.根据权利要求4所述的半导体热处理设备的承载装置，其特征在于，所述绝缘部件包括绝缘套管，所述绝缘套管内设置有相互绝缘的第一通道和第二通道，其中，所述第一通道供所述第一导电件或所述第一连接件穿过，所述第二通道供所述第二导电件或所述第二连接件穿过。
6.根据权利要求1所述的半导体热处理设备的承载装置，其特征在于，所述支撑件上设置有限位部件，所述限位部件与所述承载主体相配合，用于限制所述支撑件相对于所述承载主体转动。
7.根据权利要求6所述的半导体热处理设备的承载装置，其特征在于，所述限位部件套设在所述支撑件上，所述承载主体上开设有供所述限位部件插入的限位槽，所述限位部件的外轮廓与所述限位槽的内轮廓相配合，以限制所述限位部件相对于所述限位槽转动。
8.根据权利要求1所述的半导体热处理设备的承载装置，其特征在于，所述支撑件上设置有固定结构，所述承载主体上设置有固定部，所述承载装置还包括固定组件，用于可拆卸地连接所述固定结构与所述固定部，以将所述支撑件可拆卸的固定在所述承载主体上。
9.根据权利要求8所述的半导体热处理设备的承载装置，其特征在于，所述固定结构包括设置在所述支撑件上的凸台，所述固定部中开设有供所述凸台穿过的固定孔，所述固定部的外周壁上设置有外螺纹；
所述固定组件包括固定件、第一弹性件、第二弹性件、压紧件和弹性密封件，其中，
所述固定件中开设有固定槽，所述固定槽的内周壁上设置有与所述外螺纹配合的内螺纹，所述第一弹性件、所述第二弹性件、所述压紧件和所述弹性密封件叠置在所述固定槽中，且均套设在所述支撑件上，所述弹性密封件位于所述压紧件与所述固定部伸入至所述固定槽中的一端之间。
10.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括装载腔室、工艺腔室和如权利要求1-9任意一项所述承载装置，其中，所述装载腔室和所述工艺腔室相互连通，所述承载装置可在所述装载腔室和所述工艺腔室之间移动。
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