CN114355998A - 半导体热处理设备的补偿参数获取方法和设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种半导体热处理设备的补偿参数获取方法和设备，应用于半导体装备技术领域，该方法包括：确定目标参考温度，通过与目标参考温度对应的历史温度补偿参数对第一温度传感器采集到的温度值进行补偿，持续通过补偿后的温度值和第二温度传感器采集到的温度值进行恒温控制，在温控区域内的温度达到稳定条件的情况下，将相邻的两个温度传感器采集的温度值之间的温度差值作为与目标参考温度对应的目标温度补偿参数更新到补偿参数配置表中。在获取温度补偿参数的过程中，采用历史温度补偿参数持续对温控区域进行恒温控制，可以避免温控区域内的温度出现较大的波动，可以解决由于温度波动导致无法获取温度补偿参数的问题。

Description

半导体热处理设备的补偿参数获取方法和设备

技术领域

本发明涉及半导体装备技术领域，特别是涉及一种半导体热处理设备的补偿参数获取方法和设备。

背景技术

随着半导体行业的飞速发展，对半导体热处理设备的生产效率及良品率等性能提出了更高的要求。半导体热处理设备通常用于晶圆(wafer)的氧化、化学气相沉积、扩散、退火等工艺处理，对温度控制的准确性要求较高。

半导体热处理设备中的加热空间通常被划分为多个温控区域，在每个温控区域，通常在距晶圆不同距离的多个位置分别设置温度传感器，以采集不同位置的温度值。在工艺处理过程中，可以根据不同的温控需求，选择其中一个位置的温度传感器采集到的温度值作为温控过程中的控制温度。由于不同位置处的温度传感器采集到的温度值与晶圆表面的温度存在差偏差，为了获取到更准确的控制温度，需要根据温度传感器所在的位置，以及目标温度对应的温度补偿参数，对温度传感器采集的温度值进行补偿。

在温度补偿参数的获取过程中，半导体热处理设备采用预设温控方式对温控区域进行恒温控制，在温控区域的温度达到预设的稳定条件时，通过不位置的温度传感器采集到的温度值计算温度补偿参数。现有技术中，在温度补偿参数的获取过程中，温控区域内的温度会出现较大的波动，导致无法获取温度补偿参数。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是温控区域内的温度会出现较大波动，导致无法获取温度补偿参数的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种半导体热处理设备的补偿参数获取方法，，所述半导体热处理设备中包括至少一个用于对晶圆进行加热的温控区域；在所述温控区域中，从靠近所述晶圆的目标位置起，沿远离所述晶圆的方向，间隔设置有多个温度传感器；所述方法包括：

确定需要获取温度补偿参数的目标参考温度；

从补偿参数配置表中获取与所述目标参考温度对应、且与所述温控区域对应的历史温度补偿参数；所述历史温度补偿参数对应第一温度传感器与第二温度传感器之间的温度差；所述第一温度传感器为所述温控区域中与所述晶圆相距最远的温度传感器，所述第二温度传感器为所述温控区域中与所述晶圆相距最近的温度传感器；

通过所述历史温度补偿参数对所述第一温度传感器采集到的温度值进行补偿，并以所述目标参考温度为控制目标，通过补偿后的温度值和所述第二温度传感器采集到的温度值对所述温控区域进行恒温控制；

在所述温控区域内的温度达到预设的稳定条件的情况下，继续所述恒温控制步骤，并获取相邻的两个所述温度传感器采集的温度值之间的温度差值；

将所述温度差值作为与所述目标参考温度对应、且与所述温控区域对应的目标温度补偿参数更新到所述补偿参数配置表中。

本发明实施例公开了一种半导体热处理设备，所述半导体热处理设备中包括控制器；所述控制器被配置为执行如上所述的半导体热处理设备的补偿参数获取方法。

本发明包括以下优点：控制器确定需要获取温度补偿参数的目标参考温度，从补偿参数配置表中获取与目标参考温度对应、且与温控区域对应的历史温度补偿参数，通过历史温度补偿参数对第一温度传感器采集到的温度值进行补偿，并以目标参考温度为控制目标，通过补偿后的温度值和第二温度传感器采集到的温度值对温控区域进行恒温控制，在温控区域内的温度达到预设的稳定条件的情况下，继续恒温控制步骤，并获取相邻的两个温度传感器采集的温度值之间的温度差值，将温度差值作为与目标参考温度对应、且与温控区域对应的目标温度补偿参数更新到补偿参数配置表中。在获取温度补偿参数的过程中，采用历史温度补偿参数持续对温控区域进行恒温控制，可以避免温控区域内的温度出现较大的波动，可以解决由于温度波动导致无法获取温度补偿参数的问题。

附图说明

图1示出了本实施例提供的一种半导体热处理设备的结构示意图；

图2示出了本实施例提供的一种温度补偿参数配置过程中的温度和功率曲线的示意图；

图3示出了本实施例提供的一种半导体热处理设备的补偿参数获取方法实施例的步骤流程图；

图4示出了本实施例提供的一种工艺配方的检测流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明实施例作进一步详细的说明。

首先以半导体热处理设备中的立式炉为例，对半导体热处理设备进行简要介绍。如图1所示，图1示出了本实施例提供的一种半导体热处理设备的结构示意图，立式炉可以对晶圆进行氧化、化学气相沉积、扩散、退火等工艺处理，立式炉包括炉体101，以及设置在炉体101内部的工艺管102，工艺管102例如为石英管，工艺管102内部可以放置承载晶圆的晶舟。沿工艺管102的轴线，整个加热空间从上至下依次被划分为多个温控区域，每个温控区域设置有对应的加热器和温度传感器，加热器例如为加热丝，加热丝可以绕设在炉体101的内壁上。图1所示的立式炉具体被划分为8个温控区域，以位于顶端的第一温控区域为例，第一温控区域内从靠近晶圆的目标位置起，沿远离晶圆的方向，间隔设置有温度传感器103、温度传感器104和温度传感器105，以及加热器(图中未示出)。温度传感器103设置在工艺管102内部，温度传感器103可以贴近晶圆设置，温度传感器103采集到的实际温度值接近晶圆表面的温度，温度传感器103采集的实际温度值可以用符号ProfileTC表示。温度传感器104贴近工艺管102设置，温度传感器104可以设置在工艺管102的内侧，或者当工艺管102由内管和外管组成时，温度传感器104可以设置在内管和外管之间，温度传感器104采集的实际温度值可以用符号InnerTC表示。温度传感器105贴近炉体101上的加热器设置，温度传感器105采集的实际温度值接近加热器的温度值，温度传感器105采集的实际温度值可以用符号OuterTC表示。以此类推，每个温控区域内设置有对应的温度传感器103、温度传感器104、温度传感器105和加热器。每个温控区域内的温度传感器103均位于所在温控区域的目标位置，目标位置在温控区域内的具体位置可以根据需求设置，远离晶圆的方向即从工艺管的中心起，朝向立式炉侧壁的方向。

其中，立式炉可以采用不同的温控模式进行温度控制，具体可以设置有第一温控模式、第二温控模式、第三温控模式和第四温控模式，第一温控模式用于温度补偿参数的获取，在第一温控模式下，可以采用如表1所示的公式一计算控制温度。第二温控模式用于正常工艺处理过程中的升温控制和恒温控制，在第二温控模式下，可以采用如表1所示的公式二计算控制温度。第三温控模式用于空闲状态和晶圆装载过程中的温度控制，在第三温控模式下，可以采用如表1所示的公式三计算控制温度。第四温控模式用于晶圆装载过程中的温度控制，在第四温控模式下，可以采用如表1所示的公式四计算控制温度。

公式一	ControlTemp＝ProfileRevise＝ProfileTC+ProfileTCCal
		公式二	ControlTemp＝InnerRevise＝InnerTC+InnerTCCal+Offset+WaferTC
公式三	ControlTemp＝ratio/100×＝InnerTC+(1-ratio/100)×OuterTC
		公式四	ControlTemp＝OuterRevise＝OuterTC+OuterTCCal+Profile+Offset+WaferTC
公式五	Profile＝InnerTC+InnerTCCal–(OuterTC+OuterTCCal)
		公式六	Offset＝ProfileTC+ProfileTCCal–(InnerTC+InnerTCCal)

表1

表1中，符号ProfileTCCal表示温度传感器103自身的温度补偿值，符号ProfileRevise表示温度传感器103采集的实际温度值在加上温度补偿参数之后，得到的补偿温度值，温度补偿参数包括温度传感器103自身的温度补偿值。符号InnerRevise表示温度传感器104采集的实际温度值在加上温度补偿参数之后，得到的补偿温度值。符号InnerTCCal表示温度传感器104自身的温度补偿值，符号Offset表示温度传感器104采集的温度值与温度传感器103采集的温度值之间的偏差补偿值，WaferTC表示根据恒温测量结果得到修正补偿值。符号ratio表示比例参数。符号OuterRevise表示温度传感器105采集的实际温度值在加上温度补偿参数之后，得到的补偿温度值。符号OuterTCCal表示温度传感器105自身的温度补偿值，符号Profile表示温度传感器104采集的温度值与温度传感器105采集的温度值之间的偏差补偿值。符号ControlTemp表示控制温度，在温控过程中，可以计算目标温度与控制温度之间的差值，将差值输入控制算法中，得到加热器的输出功率。

需要说明的是，在半导体热处理设备的温控过程中，在同一时刻，半导体热处理设备中不同温控区域的温度之间存在差异，因此每个温控区域对应的温度补偿参数不同，并且当温控过程中的目标温度不同时，温度补偿参数也不同。可以根据温控过程中的目标温度和温控区域，从补偿参数配置表中获取与温控区域对应，并且与目标温度匹配的温度补偿参数。以第一温控区域的温度补偿参数Profile为例，第一温控区域对应的温度补偿参数Profile可以如表2所示。

参考温度	Profile
		650	A
750	B
		800	C
950	D

表2

表2中包括参考温度650度、参考温度750度，参考温度800和参考温度950，符号A、B、C和D分别表示不同参考温度对应的Profile。示例性地，当目标温度为640度时，可以选择表2中与640度之间的差值最小的参考温度650度对应的A作为第一温控区域在温控过程中的温度补偿参数Profile。同理，当目标温度为640度时，可以从补偿参数配置表中获取650度对应的所有温度补偿参数Offset，并从650度对应的所有温度补偿参数Offset中获取第一温控区域对应的温度补偿参数Offset。以上仅为补偿参数配置表的一部分，补偿参数配置表的具体形式可以根据需求设置，本实施例对此不做限制。

其中，上述温度补偿参数Offset和Profile需要由半导体热处理设备在恒温控制过程中获取。例如，可以将参考温度作为温控过程中的目标温度，以目标温度为控制目标，采用第一温控模式对立式炉中的多个温控区域分别进行恒温控制。针对其中的任意一个温控区域，在温控区域内的温度到目标温度，并且温控区域内的温度达到预设的稳定条件时，采用表1中的公式五计算温度补偿参数Profile，采用表1中的公式六计算温度补偿参数Offset，得到与温控区域对应、且与参考温度对应的温度补偿参数Profile和Offset。其中，温度补偿参数Profile也可以采用公式Profile＝InnerRevise-OuterRevise计算，温度补偿参数Offset也可以采用公式Offset＝ProfileRevise-InnerRevise计算。

在先技术中，在每次获取上述温度补偿参数时，通常会一次性获取多个参考温度对应的温度补偿参数，针对多个参考温度，需要分别将每个参考温度作为目标温度，进行一次恒温控制，在恒温控制过程中获取对应的温度补偿参数。如图2所示，图2示出了本实施例提供的一种温度补偿参数获取过程中的温度和功率曲线的示意图，图2中横坐标表示时间，纵坐标表示温度和功率，左侧表示温控区域内的温度，右侧表示加热器的功率。区域201为表2中参考温度650对应的恒温控制过程中的温度曲线，区域202为表2中参考温度750对应的恒温控制过程中的温度曲线，区域203为表2中参考温度800对应的恒温控制过程中的温度曲线，区域204为表2中参考温度950对应的恒温控制过程中的温度曲线。曲线205为整个温度控制过程中，加热器的加热功率。以参考温度750度为例，虚线框206内加热器的功率波动较大，达到了100，导致温度出现波动。当温度出现较大波动时，可能会导致温控区域内的温度无法在预期的时间内达到稳定条件，进而无法进行温度补偿参数的获取。

需要说明的是，半导体热处理设备也可以为其它类型的具有多个温控区域的半导体热处理设备，半导体热处理设备的具体类型和结构可以根据需求设置，本实施例对此不做限制。

参照图3，示出了本实施例提供的一种半导体热处理设备的补偿参数获取方法实施例的步骤流程图，该方法应用于半导体热处理设备中的控制器，半导体热处理设备中包括至少一个用于对晶圆进行加热的温控区域；在温控区域中，从靠近晶圆的目标位置起，沿远离晶圆的方向，间隔设置有多个温度传感器。该方法可以包括如下步骤：

步骤301、确定需要获取温度补偿参数的目标参考温度。

步骤302、从补偿参数配置表中获取与目标参考温度对应、且与温控区域对应的历史温度补偿参数。

其中，历史温度补偿参数对应第一温度传感器与第二温度传感器之间的温度差；第一温度传感器为温控区域中与晶圆相距最远的温度传感器，第二温度传感器为温控区域中与晶圆相距最近的温度传感器。以图1为例，第一温度传感器即温度传感器105，第二温度传感器即温度传感器103。

本实施例中，半导体热处理设备的补偿参数获取方法可以由半导体热处理设备中的控制器实施，控制器例如为可编程逻辑控制器(Programmable Logic Controller，PLC)，或者具有控制功能的计算机。控制器首先可以确定需要获取温度补偿参数的目标参考温度，然后将目标参考温度作为温控过程中的目标温度，对半导体热处理设备中的温控区域进行恒温控制，并在恒温控制过程中，获取标参考温度对应的温度补偿参数。

示例性地，针对多个需要获取温度补偿参数的目标参考温度度，用户可以预先在上位机编辑工艺配方(Recipe)，上位机例如为计算机。工艺配方中包括顺序设置的多个工艺步骤(Step)的工艺配置，针对每个目标参考温度，可以将目标参考温度作为目标温度，编辑一个用于恒温控制的恒温工艺步骤，使控制器对温控区域进行恒温控制，并在恒温控制过程中，当温控区域内的温度达到目标参考温度、且达到预设的稳定条件时，获取目标参考温度对应的温度补偿参数Profile和Offset。以表2中的目标参考温度为例，工艺配方中可以设置8个工艺步骤，工艺步骤1和工艺步骤2依次为目标参考温度650度的升温工艺步骤和恒温工艺步骤，工艺步骤3和工艺步骤4依次为目标参考温度750度的升温工艺步骤和恒温工艺步骤，工艺步骤5和工艺步骤6依次为目标参考温度800度的升温工艺步骤和恒温工艺步骤，工艺步骤7和工艺步骤8依次为目标参考温度950度的升温工艺步骤和恒温工艺步骤。在升温工艺步骤的工艺配置中，可以配置升温工艺步骤的结束条件、升温速率、加热器的功率上限和功率下限等参数。在恒温工艺步骤的工艺配置中，可以配置恒温工艺步骤的结束条件、加热器的功率上限和功率下限等参数，并且在恒温工艺步骤的工艺配置中，可以配置稳定条件和补偿参数获取标识，补偿参数获取标识用于标识该工艺步骤，使控制器在执行该工艺步骤时，执行获取温度补偿参数Profile和Offset的操作。稳定条件用于判断是否开始获取温度补偿参数。同时，在每个工艺步骤的工艺配置中，可以配置温控模式为上述举例中的第一温控模式，采用表1的公式一计算控制温度，并且在每个目标参考温度对应的升温工艺步骤和恒温工艺步骤中，配置升温过程和恒温过程中的目标温度为目标参考温度。

在另一种实施例中，可以将每个目标参考温度对应的升温工艺步骤和恒温工艺步骤合并为一个步骤，此时每个目标参考温度对应的工艺步骤的工艺配置中包括上述举例中的升温工艺步骤和恒温工艺步骤的工艺配置，并且在工艺配置中可以配置升温过程的升温时长，在执行工艺步骤的过程中，先对温控区域进行升温控制，在升温过程的时长达到工艺配置中的升温时长之后，对温控区域进行恒温控制，在恒温控制过程中执行获取温度补偿参数Profile和Offset的操作。

需要说明的是，工艺配方中还可以包括其他类型的工艺步骤，每个工艺步骤的工艺配置中还可以包括其它类型的参数，每个工艺步骤的具体功能可以根据需求设置。其中，为了降低参数获取过程中的功耗，上述举例中的工艺配方中按目标参考温度从小到大的顺序依次设置每个目标参考温度的升温工艺步骤和恒温工艺步骤，因此可以避免不必要的升温过程和降温过程，降低功耗。实际应用中，也可以按目标参考温度从大到小的顺序设置工艺配方，此时可以为每个目标参考温度配置降温步骤和恒温工艺步骤。或者，也可随机设置每个参考温度的工艺步骤顺序，使每个目标参考温度具有一个恒温工艺步骤即可。工艺配方的具体设置可以根据需求设置，本实施例对此不做限制。

本实施例中，控制器可以预先从上位机获取上述举例中的工艺配方，然后按多个工艺步骤的步骤顺序，以及每个工艺步骤的工艺配置控制半导体热处理设备动作。以上述举例中的目标参考温度750度对应的工艺步骤3和工艺步骤4为例，控制器在执行工艺步骤2的过程中，在达到工艺步骤2的工艺配置中配置的结束条件时，可以按多个工艺步骤的顺序，从工艺配方包括的多个工艺步骤中获取工艺步骤2之后的工艺步骤3的工艺配置，工艺步骤3即当前时刻即将执行的目标工艺步骤。工艺步骤3的工艺配置中包括目标温度为目标参考温度750度，以及结束条件、升温速率、加热器的功率上限和功率下限等参数。此时，控制器可以获取温度传感器103采集的实际温度值ProfileTC，并从补偿参数配置表中获取预先存储的温度补偿参数ProfileTCCal，利用表1所示的公式一计算控制温度ControlTemp，通过控制温度、目标温度、升温速率、加热器的功率上限和功率下限等参数控制立式炉中每个温控区域内的加热器对所在的温控区域进行加热，对每个温控区域分别进行升温控制。

其中，控制器在升温控制和恒温控制过程中，可以采用双环比例积分微分(Proportional Integral Differential,PID)算法对温控区域内的温度进行控制。以第一温控区域为例，工艺步骤中配置的温控模式为第一温控模式，在升温过程中，控制器可以获取第一温控区域内的第二温度传感器采集的实际温度值ProfileTC，第二温度传感器即图1中的温度传感器103，并从补偿参数配置表中获取温度补偿参数ProfileTCCal，然后采用表1所示的公式一计算第一温控区域的控制温度。同时，可以获取第一温度传感器采集的实际温度值OuterTC，第一温度传感器即图1中的温度传感器105，并从补偿参数配置表中获取的温度补偿参数InnerTCCal和WaferTC，以及基于工艺配置中的目标温度750度从参数配置表中获取预先存储的与目标温度750度匹配的温度补偿参数Profile和Offset，然后采用表1所示的公式四计算补偿温度值OuterRevise。此时，可以计算控制温度与目标温度750度之间的差值，将控制温度与目标温度之间的差值作为双环PID控制中外环控制的输入，通过外环控制中的比例参数、微分参数和积分参数，计算得到外环控制的输出值，然后计算外环控制的输出值与补偿温度值OuterRevise之间的差值，将该差值作为内环控制的输入，得到内环控制的输出值，内环控制的输出值即第一温控区域内加热器的加热功率，然后通过功率输出单元控制第一温控区域内的加热器以该加热功率对第一温控区域进行加热。在加热过程中，可以控制加热器的加热功率不高于工艺配置中的功率上限、且不低于功率下限，以此实现对第一温控区域的升温控制，使第一温控区域内的温度达到目标温度750度。同样的，可以分别实现对立式炉中每个温控区域的升温控制。可选地，工艺步骤3的结束条件可以是升温时长，当第一温控区域的升温时长达到工艺配置中的升温时长时，确定达到工艺步骤3的结束条件。或者，工艺步骤3的结束条件也可以是终止温度，终止温度为750度，当温控区域内的温度达到750度时，确定达到工艺步骤3的结束条件。此时，结束工艺步骤3，从工艺配方中获取工艺步骤3之后的工艺步骤4的工艺配置，通过工艺步骤4的工艺配置对温控区域进行恒温控制。

在工艺步骤3执行结束之后，控制器可以从工艺配方中获取工艺步骤4的工艺配置，工艺步骤4的工艺配置中设置有补偿参数获取标识，以及目标温度750和稳定条件。控制器根据补偿参数获取标识，可以确定在执行工艺步骤4的过程中，需要以目标温度750度为控制目标，对温控区域进行恒温控制，并且在温控区域内的温度达到目标温度750、且达到稳定条件时，获取对应的温度补偿参数Profile和Offset，目标温度750为目标参考温度。控制器在获取到工艺步骤4的工艺配置之后，首先可以根据工艺配置中的目标温度750度，从补偿参数配置表中获取对应温度传感器105与温度传感器103之间的温度差的历史温度补偿参数，也即温度补偿参数Profile和Offset。由于Profile对应温度传感器104采集的温度值与温度传感器105采集的温度值之间的偏差值，Offset对应温度传感器104采集的温度值与温度传感器103采集的温度值之间的偏差值，温度传感器103、温度传感器104和温度传感器105依次间隔设置，因此温度传感器105与温度传感器103之间的温度差可以用温度补偿参数Profile和Offset来补偿。

在一种实施例中，控制器在从上位机获取上述工艺配方的同时，可以获取补偿参数配置表。当半导体热处理设备初次装机完成时，补偿参数配置表中并不包括参考温度，以及参考温度对应的温度补偿参数Profile和Offset，因此并不能从补偿参数配置表中获取到目标温度对应的温度补偿参数Profile和Offset。例如，在初次装机完成时，表2中的参数A、B、C和D均为0。因此，在执行工艺步骤1和工艺步骤2，获取参考温度650度对应的温度补偿参数的过程中，根据参考温度650从补偿参数配置表中获取的温度补偿参数Profile和Offset均为0。在完成工艺步骤1和工艺步骤2之后，可以得到参考温度650度对应的温度补偿参数Profile和Offset。如表3所示，表3为执行工艺步骤1和工艺步骤2之后，获取到的参考温度650度对应的温度补偿参数Profile和Offset，在工艺步骤2执行完成之后，可以将温度补偿参数Profile和Offset添加到补偿参数配置表中，得到如表3所示的补偿参数配置表。

表3

表3中符号Z1-Z8分别表示立式炉中的第一温控区域至第八温控区域，在执行完成工艺步骤1和工艺步骤2之后，可以获取到与参考温度650度对应的所有温控区域的温度补偿参数Profile和Offset。温度补偿参数WaferTC可以由用户手动添加到补偿参数配置表中，也可以通过其它方式获取，本实施例对此不做限制。在工艺步骤2执行完成之后，在执行工艺步骤3的过程中，可以基于目标温度750从补偿参数配置表中获取匹配的温度补偿参数Profile和Offset，初次装机时，750度对应的温度补偿参数如表4所示。

表4

实际应用中，控制器在补偿参数配置表中的某个参考温度对应的温度补偿参数Profile和Offset均为0时，确定该参考温度为无效的参考温度。在初次装机之后，补偿参数配置表中参考温度750度对应的温度补偿参数Profile和Offset均为零，控制器在获取目标温度750度匹配的温度补偿参数时，在确定750度对应的温度补偿参数Profile和Offset为0时，确定参考温度750为无效参考温度，此时可以从所有参考温度中确定与750度之间的差值最小的参考温度，将该参考温度对应的温度补偿参数作为750度的温度补偿参数。结合上述举例，由于800度和900度均为无效参考温度，因此只能将参考温度650度对应的温度补偿参数作为750度的温度补偿参数，此时的参考温度650度对应的温度补偿参数为执行工艺步骤1和工艺步骤2之后，获取到的如表3所示的温度补偿参数Profile和Offset之后，更新到补偿参数配置表中的温度补偿参数Profile和Offset。例如，针对第一温控区域，在执行工艺步骤3和工艺步骤4的过程中，获取的温度补偿参数为表3中Z1行中的温度补偿参数Profile和Offset。

在一些情况下，用户可以根据经验值，预先在补偿参数配置表中添加参考温度750度对应的温度补偿参数Profile和Offset，此时控制器可以从补偿参数配置表中获取到750度对应的温度补偿参数Profile和Offset。在另外一些情况下，当半导体热处理设备运行一段时间之后，已经获取到750度对应温度补偿参数Profile和Offset，补偿参数配置表中存储有750度对应的温度补偿参数Profile和Offset。在执行工艺步骤3和工艺步骤4的过程中，可以基于工艺配置中的目标温度750度，从补偿参数配置表中获取已经存储的750度对应的温度补偿参数Profile和Offset。在执行完工艺步骤3和工艺步骤4之后，可以获取到750度对应的新的温度补偿参数Profile和Offset，可以使用新的温度补偿参数Profile和Offset对补偿参数配置表中750度对应的旧的温度补偿参数Profile和Offset进行替换。

可选地，从补偿参数配置表中获取与所述目标参考温度对应、且与所述温控区域对应的历史温度补偿参数的步骤可以包括：

在补偿参数配置表中包括与温控区域对应、且与第一参考温度对应的温度补偿参数的情况下，将与温控区域对应、且与第一参考温度对应的温度补偿参数作为历史温度补偿参数；第一参考温度为补偿参数配置表包括的至少一个参考温度中、与目标参考温度之间的差值不高于预设差值的参考温度；

在补偿参数配置表中未包括第一参考温度对应的温度补偿参数的情况下，将预先获取的通用温度补偿参数作为历史温度补偿参数。

本实施例中，第一参考温度为补偿参数配置表中与工艺配置中的目标温度(即目标参考温度)之间的差值不高于预设差值的参考温度。结合上述举例，预设差值可以为50，工艺步骤3和工艺步骤4中目标温度为750度，控制器首先可以从表2所示的多个参考温度中确定与目标温度750度之间的差值不高于预设差值的第一参考温度，包括参考温度650、参考温度750和参考温度800度。初次装机时，750度和800度对应的温度补偿参数Profile和Offset为零，为无效参考温度，此时可以确定参考温度650、参考温度750和参考温度800度中的650度，将650度对应的温度补偿参数Profile和Offset作为历史温度补偿参数，650度对应的温度补偿参数Profile和Offset为执行完工艺步骤1和工艺步骤2之后获取的温度补偿参数。其中，当温度补偿参数配置表中包括用户手动添加的温度补偿参数Profile和Offset时，可以将750度对应的温度补偿参数作为历史温度补偿参数，因为参考温度750与目标温度750之间的差值最小。或者，当补偿参数配置表中的750度为无效参考温度时，补偿参数配置表中同时包括参考温度650度和参考温度800度对应的温度补偿参数，可以根据预设规则，选择参考温度600度和参考温度800度中的一个作为参考温度的温度补偿参数Profile和Offset。预设规则例如可以是选择其中的较小值，或者选择其中的较大值，或者选择与目标温度之间的差值最小的参考温度，预设规则具体可以根据需求设置。

同样的，在初次装机之后，在执行工艺步骤1和工艺步骤2的过程中，参考温度650度、参考温度750度、参考温度800度和参考温度950度对应的温度补偿参数Profile和Offset均为0，参考温度650度、参考温度750度、参考温度800度和参考温度950度均为无效参考温度。此时，控制器可以将预先获取的通用温度补偿参数作为历史温度补偿参数，通用温度补偿参数可以为0，即在执行工艺步骤1和工艺步骤2的过程中，温度补偿参数Profile和Offset均为0。通用温度补偿参数也可以为其它数值，可以根据用户需求设置，本实施例对此不做限制。

需要说明的是，在获取温度补偿参数Profile和Offset的过程中，在确定第一参考温度之后，针对不同温控区域，需要获取每个温控区域分别对应的温度补偿参数Profile和Offset。例如，在确定第一参考温度为650度之后，针对第一温控区域，需要获取表3中Z1行的温度补偿参数Profile和Offset，针对第四温控区域，需要获取表3中Z4行的温度补偿参数Profile和Offset。

在本发明实施例中，在获取历史温度补偿参数时，基于目标参考温度从补偿参数配置表中获取对应的温度补偿参数对传感器采集的实际温度值进行补偿，可以获取到温控区域内准确的温度值，从而可以提高温控过程中的控制精度，进一步可以提高获取得到的温度补偿参数Profile和Offset的准确性。

步骤303、通过历史温度补偿参数对第一温度传感器采集到的温度值进行补偿，并以目标参考温度为控制目标，通过补偿后的温度值和第二温度传感器采集到的温度值对温控区域进行恒温控制。

步骤304、在温控区域内的温度达到预设的稳定条件的情况下，继续恒温控制步骤，并获取相邻的两个温度传感器采集的温度值之间的温度差值。

本实施例中，控制器在获取到历史温度补偿参数之后，可以对第一温度传感器采集到的温度值进行补偿。结合上述举例，在执行工艺步骤4的过程中，在获取到温度传感器105采集到的实际温度值OuterTC之后，可以通过步骤302获取的与目标温度750度匹配的温度补偿参数Profile和Offset，采用表1中的公式四计算补偿温度值OuterRevise，即补偿后的温度值。同时，在获取温度传感器103采集的实际温度值ProfileTC之后，通过表1中的公式一计算温度传感器103的补偿温度值。然后，可以将温度传感器103的补偿温度值和目标温度750之间的差值作为双环PID控制中主环控制的输入，得到主环控制的输出值，并将主环控制的输出值与补偿温度值OuterRevise之间的差值作为内环控制的输入，计算得到内环控制的输出值，即加热器的加热功率。最后，根据加热功率控制功率输出单元的输出功率，控制第一温控区域内的加热器对第一温控区域进行加热，实现对第一温控区域的恒温控制，使第一温控区域内的温度在目标温度750度的上下波动，逐渐达到稳定状态。同理，可以实现立式炉中每个温控区域的恒温控制，将每个温控区域内的温度控制在目标温度750度的上下波动。

在一种实施例中，工艺配置中的稳定条件可以是温度波动范围和稳定时长。温度波动范围可以根据预设差值和目标温度进行限定。例如，工艺步骤4的工艺配置中配置的预设差值为X,稳定时长为10分钟。在执行工艺步骤4，对第一温控区域进行恒温控制的过程中，若第一温控区域内的温度与目标温度750度之间的差值小于或等于X，则可以确定第一温控区域内的温度在目标温度750对应的温度波动范围内波动，处于稳定状态，当第一温控区域内的温度在750的温度波动范围内波动的持续时长达到10分钟时，可以确定第一温控区域内的温度达到稳定条件。此时，可以继续执行步骤303，对第一温控区域继续进行恒温控制。在整个恒温控制过程中，在获取温度补偿参数Offset和Profile之前的恒温控制阶段与获取温度补偿参数Offset和Profile的恒温控制阶段使用相同的温度补偿参数进行恒温控制，可以使两个阶段计算得到的控制温度ControlTemp相同或相近，并且计算得到的补偿温度值InnerRevise相同或相近，因此可以避免温控区域内的温度出现较大范围内的波动。在达到稳定条件之后，可以获取温度传感器104采集的实际温度值InnerTC，以及温度传感器105采集的实际温度值OuterTC，然后计算InnerTC与OuterTC之间的温度差值，该温度差值即温度补偿参数Profile。同理，可以获取温度传感器103采集的实际温度值ProfileTC，并计算ProfileTC与InnerTC之间的温度差值，该温度差值即温度补偿参数Offset。同样的，可以获取到每个温控区域中温度传感器103采集的实际温度值与温度传感器104采集的实际温度值之间的温度差，以及温度传感器105采集的实际温度值与温度传感器104采集的实际温度值之间的温度差，得到每个温控区域在参考温度750度下，分别对应的温度补偿参数Offset和Profile。

可选地，获取相邻的两个温度传感器采集的温度值之间的温度差值的步骤可以包括：

获取温度传感器在预设采样时长内的多个采样温度值，并获取多个采样温度值的温度均值；

将相邻的两个温度传感器的温度均值之间的差值作为温度差值。

在一种实施例中，在获取温度传感器采集的温度值的过程中，可以持续多次获取温度传感器采集的实际温度值。例如，预设采样时长为30分钟，温度传感器每隔1分钟获取一次所在温控区域内的实际温度值，即采样温度值。在确定第一温控区域内的温度达到稳定条件时，可以继续对第一温控区域进行恒温控制，然后记录温度传感器104在达到稳定条件之后30分钟内获取的30个实际温度值InnerTC，即30采样温度值，然后计算30个采样温度值之间的平均值，得到温度传感器104的温度均值。同理，可以获取温度传感器103和温度传感器105的温度均值。在获取到第一温控区域内每个温度传感器的温度均值之后，可以计算相邻的两个温度传感器的温度均值之间的温度差值，温度传感器104的温度均值与温度传感器105的温度均值之间的温度差值即温度补偿参数Profile，温度传感器104的温度均值与温度传感器103的温度均值之间的温度差值即温度补偿参数Offset。

可选地，在获取温度传感器在预设采样时长内的多个采样温度值时，包括：在温度传感器采集到的实际温度值的基础上增加温度传感器的温度补偿值，得到采样温度值。

在一种实施例中，在计算温度传感器的温度值时，可以在温度传感器采集的实际温度值的基础上增加温度传感器的温度补偿值，得到采样温度值。结合上述举例，针对温度传感器104的采样温度值，在每次获取到温度传感器104采集的实际温度值InnerTC之后，可以从补偿参数配置表中获取温度传感器104的温度补偿值InnerTCCal，并对实际温度值InnerTC和温度补偿值InnerTCCal进行求和，得到温度传感器104的采样温度值，然后计算30个采样温度值的平均值，得到温度传感器104的温度均值。同样的，在每次获取到温度传感器105采集的实际温度值OuterTC之后，可以从补偿参数配置表中获取温度传感器105的温度补偿值OuterTCCal，并对实际温度值OuterTC和温度补偿值OuterTCCal进行求和，得到温度传感器105的采样温度值，然后计算30个采样温度值的平均值，得到温度传感器105的温度均值。

在本发明实施例中，获取温度传感器在预设采样时长内的多个采样温度值的温度均值，通过温度均值计算相邻的两个温度传感器之间的温度差值，可以获取到比较准确的温度差值。同时，在温度传感器采集的实际温度值的基础上增加温度传感器的温度补偿值，可以获取到温度传感器更准确的温度值，进一步的可以提温度补偿参数的准确性。

在一种实施例中，在对温控区域进行恒温控制的过程中，当达到工艺步骤的结束时间之后，若温控区域内的温度还未达到稳定条件，可以停止温控区域的恒温控制步骤，并输出提示信息，以提示用户无法达到稳定条件。提示信息的具体形式可以根据需求设置，本实施例对此不做限制。

可选地，该方法还可以包括：

在达到与恒温控制步骤对应的结束条件的情况下，若温控区域内的温度未达到稳定条件，则停止对温控区域的恒温控制，并重新确定另一个目标参数温度，获取另一个目标参考温度的目标温度补偿参数。

在一种实施例中，在某个目标参考温度对应的恒温控制过程中，若温控区域内的温度始终无法达到稳定条件，可以停止对温控区域的恒温控制，并继续执行下一个目标参考温度对应的恒温工艺步骤。结合上述举例，在执行工艺步骤4，获取目标参考温度750度对应的温度补偿参数时，若某个温控区域内的温度一直无法达到稳定条件，当达到工艺步骤4的工艺配置中的结束条件时，可以停止执行工艺步骤4，然后重新执行步骤301，从工艺配方中获取工艺步骤5的工艺配置。此时，可以继续执行工艺步骤5和工艺步骤6，获取目标参考温度800度对应的温度补偿参数，可以避免停止执行后续目标参考温度对应的工艺步骤，从而可以在工艺配方的一次执行过程中，尽可能获取较多的目标参考温度的温度补偿参数。

步骤305、将温度差值作为与目标参考温度对应、且与温控区域对应的目标温度补偿参数更新到补偿参数配置表中。

本实施例中，在获取到温度差值之后，可以将温度差值作为新的温度补偿参数添加到补偿参数配置表中。结合上述举例，针对第一温控区域，温度传感器105采集的温度值与温度传感器104采集的温度值之间的温度差值即温度补偿参数Profile，温度传感器103采集的温度值与温度传感器104采集的温度值之间的温度差值即温度补偿参数Offset，可以将计算得到的温度补偿参数Offse和Profile作为与目标参考温度750度对应、且与第一温控区域对应的目标温度补偿参数，添加到表4中Z1行中的对应位置，同理可以计算得到每个温控区域的目标温度补偿参数Profile和Offset，并将每个温控区域的目标温度补偿参数Profile和Offset添加到表4中对应的位置。

结合上述举例，当温控区域包括多个时，控制器被配置为对每个温控区域执行恒温控制步骤，并在温控区域内的温度达到稳定条件时，执行获取温度补偿参数的步骤，以获取每个温控区域对应的温度补偿参数Profile和Offset。

需要说明的是，温度补偿参数Profile和Offset可以包括在一个补偿参数配置表中，也可以包括在不同的补偿参数配置表中。上述举例中的温度补偿参数ProfileTCCal、InnerTCCal、OuterTCCal和WaferTC等参数也可以包括在补偿参数配置表中，本实施例中只对补偿参数配置表中的温度补偿参数Profile和Offset进行配置，不对ProfileTCCal、InnerTCCal、OuterTCCal和WaferTC等参数进行操作。

综上所述，在本发明实施例中，控制器确定需要获取温度补偿参数的目标参考温度，从补偿参数配置表中获取与目标温度对应、且与温控区域对应的历史温度补偿参数，通过历史温度补偿参数对第一温度传感器采集到的温度值进行补偿，并以目标参考温度为控制目标，通过补偿后的温度值和第二温度传感器采集到的温度值对温控区域进行恒温控制，在温控区域内的温度达到预设的稳定条件的情况下，继续恒温控制步骤，并获取相邻的两个温度传感器采集的温度值之间的温度差值，将温度差值作为与目标参考温度对应、且与温控区域对应的目标温度补偿参数更新到补偿参数配置表中。在获取温度补偿参数的过程中，采用历史温度补偿参数持续对温控区域进行恒温控制，可以避免温控区域内的温度出现较大的波动，可以解决由于温度波动导致无法获取温度补偿参数的问题。

可选地，步骤105可以包括：

在补偿参数配置表中包括第二参考温度的情况下，使用目标温度补偿参数替换第二参考温度对应的所有温度补偿参数中与温控区域对应的温度补偿参数；第二参考温度为与目标参考温度相同的参考温度；

在补偿参数配置表中未包括第二参考温度的情况下，将目标参考温度作为新的参考温度添加到补偿参数配置表，并将目标温度补偿参数作为新的参考温度的温度补偿参数添加到补偿参数配置表中。

在一种情况下，补偿参数配置表中可能已经存在目标参考温度对应的旧的温度补偿参数，此时在获取到新的温度补偿参数之后，可以使用新的温度补偿参数替换旧的温度补偿参数，实现对温度补偿参数的更新。结合上述举例，若补偿参数配置表中包括参考温度750度，750度即与工艺配置中的目标温度750度相同的第二参考温度，以及与参考温度750度对应的温度补偿参数，在执行完成工艺步骤4，得到目标参考温度750度对应的新的温度补偿参数Offse和Profile之后，可以使用新的目标温度补偿参数Offse和Profile替换补偿参数配置表中已经存在的旧的温度补偿参数Offse和Profile。其中，温度补偿参数Offse和Profile与温控区域对应。结合上述举例，若计算得到的新的温度补偿参数Offse和Profile与第一温控区域对应，则需要使用新的温度补偿参数Offse和Profile替换表4中Z1行中的旧的温度补偿参数Offse和Profile。

在另一种情况下，补偿参数配置表中可能并不存在目标参考温度，此时可以将目标参考温度作为新的参考温度添加到补偿参数配置表中，并将获取的温度补偿参数添加到补偿参数配置表中的对应位置。结合上述举例，控制器从上位机获取的补偿参数配置表中可能并不包括参考温度750度和对应的温度补偿参数，750度即第二参考温度，在执行步骤304得到温度补偿参数Offse和Profile之后，可以将工艺步骤4的工艺配置中的目标温度750(目标参考温度)度作为新的参考温度添加到补偿参数配置表中，并将计算的到的温度补偿参数Offse和Profile添加到相应位置。同样的，温度补偿参数Offse和Profile与温控区域对应，添加到补偿参数配置表中的对应位置。

可选地，在确定需要获取温度补偿参数的目标参考温度之前，该方法还可以包括：

在补偿参数配置表未包括第二参考温度的情况下，若补偿参数配置表中未包括用于存储新的参考温度和对应的温度补偿参数的冗余位置，则输出提示信息。

在一种实施例中，控制器在从上位机获取到工艺配方之后，在执行工艺配方的工艺步骤之前，可以对补偿参数配置表中的参考温度和工艺步骤中配置的所有目标温度(目标参考温度)进行统计，以确定补偿参数配置表中是否可以添加新的参考温度和对应的温度补偿参数。如图4所示，图4示出了本实施例提供的一种工艺配方的检测流程示意图，控制器在获取到如上所述的工艺配方之后，可以依次判断补偿参数配置表中是否存储有每个工艺步骤的工艺配置中的目标温度，若未存储目标温度，则判断补偿参数配置表中是否具有冗余位置存储新的参考温度和对应的温度补偿参数，若无冗余位置，则向控制器发送第一提示信息，若具有冗余位置或者补偿参数配置表中存储有目标温度，则输出检测结果正常的第二提示信息。例如，针对上述工艺配方中的多个目标温度，若控制器在判断补偿参数配置表中未存储有目标温度650度后，可以判断补偿参数配置表中是否具有冗余位置存储650度和对应的温度补偿参数，若没有冗余位置，则输出第一提示信息，若确定补偿参数配置表中存储有650度或者具有650度对应的冗余位置之后，可以继续判断补偿参数配置表中是否存储有750度或者具有750度对应的冗余位置。依次类推，可以判断每个目标参考温度，并输出第二提示信息。其中，第一提示信息用于提醒用户补偿配置参数的空间不足，需要对补偿配置参数进行修改，第二提示信息用于提示用户可以继续执行工艺配方，第一提示信息和第二提示信息的具体形式可以根据需求设置，本实施例对此不做限制。

在本发明实施例中，控制器首先对参数配置表进行检测，判断是否可以存储新的参考温度和对应的温度补偿参数，可以避免补偿参数配置表的存储空间不足，无法存储新的参考温度对应的温度补偿参数。

可选地，在将温度差值作为与目标参考温度对应、且与温控区域对应的目标温度补偿参数更新到补偿参数配置表中之前，该方法还可以包括：

在补偿参数配置表中包括第二参考温度的情况下，对第二参考温度对应的温度补偿参数进行清零。

在一种实施例中，控制器在执行工艺配方中包括的工艺步骤之前，可以对补偿参数配置表中需要更新的参考温度的温度补偿参数Offse和Profile进行清零操作。结合上述举例，当补偿参数配置表中包括表2所示的多个目标参考温度时，控制器在获取到工艺配方之后，可以对补偿参数配置表中650度、750度、800度和900度分别对应的温度补偿参数Offse和Profile进行清零，以清除所有的旧的温度补偿参数。以在执行完成对应工艺步骤，获取到新的温度补偿参数Offse和Profile之后，将新的温度补偿参数Offse和Profile添加到补偿参数配置表中。同时，可以避免旧的温度补偿参数在获取新的温度补偿参数Offse和Profile时，影响温控区域的温度控制过程。例如，当补偿参数配置表中750度对应的温度补偿参数Offse和Profile被清零之后，在执行工艺步骤3和工艺步骤4的过程中，基于工艺配置中的目标温度750度，并不能获取到750度对应的温度补偿参数Offse和Profile，可以避免旧的温度补偿参数影响温控区域的控制过程。

本实施例还提供一种半导体热处理设备，半导体热处理设备包括控制器控制器被配置为执行如上所述的半导体热处理设备的补偿参数获取方法。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者移动设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者移动设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者移动设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明实施例所提供的半导体热处理设备的补偿参数获取方法和半导体热处理设备，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明实施例的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明实施例的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明实施例的限制。

Claims (10)

1.一种半导体热处理设备的补偿参数获取方法，其特征在于，所述半导体热处理设备中包括至少一个用于对晶圆进行加热的温控区域；在所述温控区域中，从靠近所述晶圆的目标位置起，沿远离所述晶圆的方向，间隔设置有多个温度传感器；所述方法包括：

确定需要获取温度补偿参数的目标参考温度；

从补偿参数配置表中获取与所述目标参考温度对应、且与所述温控区域对应的历史温度补偿参数；所述历史温度补偿参数对应第一温度传感器与第二温度传感器之间的温度差；所述第一温度传感器为所述温控区域中与所述晶圆相距最远的温度传感器，所述第二温度传感器为所述温控区域中与所述晶圆相距最近的温度传感器；

通过所述历史温度补偿参数对所述第一温度传感器采集到的温度值进行补偿，并以所述目标参考温度为控制目标，通过补偿后的温度值和所述第二温度传感器采集到的温度值对所述温控区域进行恒温控制；

在所述温控区域内的温度达到预设的稳定条件的情况下，继续所述恒温控制步骤，并获取相邻的两个所述温度传感器采集的温度值之间的温度差值；

将所述温度差值作为与所述目标参考温度对应、且与所述温控区域对应的目标温度补偿参数更新到所述补偿参数配置表中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述从补偿参数配置表中获取与所述目标参考温度对应、且与所述温控区域对应的历史温度补偿参数，包括：

在所述补偿参数配置表中包括与所述温控区域对应、且与第一参考温度对应的温度补偿参数的情况下，将与所述温控区域对应、且与所述第一参考温度对应的温度补偿参数作为所述历史温度补偿参数；所述第一参考温度为所述补偿参数配置表包括的至少一个参考温度中、与所述目标参考温度之间的差值不高于预设差值的参考温度；

在所述补偿参数配置表中未包括所述第一参考温度对应的温度补偿参数的情况下，将预先获取的通用温度补偿参数作为所述历史温度补偿参数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述温度差值作为与所述目标参考温度对应、且与所述温控区域对应的目标温度补偿参数更新到所述补偿参数配置表中，包括：

在所述补偿参数配置表中包括第二参考温度的情况下，使用所述目标温度补偿参数替换所述第二参考温度对应的所有温度补偿参数中与所述温控区域对应的温度补偿参数；所述第二参考温度为与所述目标参考温度相同的参考温度；

在所述补偿参数配置表中未包括所述第二参考温度的情况下，将所述目标参考温度作为新的参考温度添加到所述补偿参数配置表，并将所述目标温度补偿参数作为所述新的参考温度的温度补偿参数添加到所述补偿参数配置表中。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述确定需要获取温度补偿参数的目标参考温度之前，还包括：

在所述补偿参数配置表未包括所述第二参考温度的情况下，若所述补偿参数配置表中未包括用于存储新的参考温度和对应的温度补偿参数的冗余位置，则输出提示信息。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取相邻的两个所述温度传感器采集的温度值之间的温度差值，包括：

获取所述温度传感器在预设采样时长内的多个采样温度值，并获取所述多个采样温度值的温度均值；

将相邻的两个所述温度传感器的温度均值之间的差值作为所述温度差值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述获取所述温度传感器在预设采样时长内的多个采样温度值时，包括：

在所述温度传感器采集到的实际温度值的基础上增加所述温度传感器的温度补偿值，得到所述采样温度值。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述目标参考温度为多个的情况下，所述方法还包括：

在达到与所述恒温控制步骤对应的结束条件的情况下，若所述温控区域内的温度未达到所述稳定条件，则停止对所述温控区域的恒温控制，并重新确定另一个目标参数温度，获取另一个目标参考温度的目标温度补偿参数。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述将所述温度差值作为与所述目标参考温度对应、且与所述温控区域对应的目标温度补偿参数更新到所述补偿参数配置表中之前，还包括：

在所述补偿参数配置表中包括第二参考温度的情况下，对所述第二参考温度对应的温度补偿参数进行清零；所述第二参考温度为与所述目标参考温度相同的参考温度。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其特征在于，所述半导体热处理设备的补偿参数获取方法应用于所述半导体热处理设备中的控制器；所述温控区域包括多个；所述控制器被配置为分别对每个所述温控区域进行所述恒温控制步骤，以获取每个所述温控区域分别对应的所述目标温度补偿参数。

10.一种半导体热处理设备，其特征在于，所述半导体热处理设备中包括控制器，所述控制器被配置为执行如权利要求1-9中任一项所述的方法。

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