JP4021826B2 - 基板処理装置及び基板の製造方法 - Google Patents
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Description
ここで、前記制御部は、PID制御により前記加熱動作を制御し、前記推定された温度と前記次の基板への加熱処理の際に実際に測定した前記第2の温度検出部による検出温度とを比較し、前記推定された温度が前記実際に測定した前記第2の温度検出部による検出温度よりも高い場合には、その温度差に応じてPID制御のPゲインを変更することを特徴とする。
また、本発明は、処理室に収納された基板を加熱する加熱装置と、前記加熱装置近傍の温度を検出する第1の温度検出部と、該第1の温度検出部よりも基板の近傍に位置し基板近傍の温度を検出する第2の温度検出部と、前記加熱装置を制御する制御部とを備える基板処理装置を用いて処理する基板の製造方法であって、基板を前記処理室内に収納する工程と、基板を前記加熱装置により加熱する工程とを備え、前記加熱装置により加熱する工程には、予め測定された前記第1及び第2の温度検出部による検出温度に基づいて次の基板への加熱処理を行う際の第2の温度検出部による検出温度を予測し、前記次の基板への加熱処理を行う際には、前記第2の温度検出部による検出温度の変動の大小に基づいて、前記第2の温度検出部による検出温度の変動が大きいところでは前記予測温度に重みを置き、前記第2の温度検出部による検出温度の変動が小さいところでは前記第2の温度検出部による検出温度に重みを置くように補間して前記第2の温度検出部による検出温度を推定し、該推定された温度により加熱制御することを含むものである。
ここで、前記加熱装置により加熱する工程には、前記制御部が、PID制御により加熱動作を制御し、前記推定された温度と前記次の基板への加熱処理の際に実際に測定した前記第2の温度検出部による検出温度とを比較し、前記推定された温度が前記実際に測定した前記第2の温度検出部による検出温度よりも高い場合には、その温度差に応じてPID制御のPゲインを変更することを特徴とする。
HP(t)=(K1*H(t−1)+T1*HP(t−1))/(1+T1) ・・・(1)
このとき、
HP(t):炉内モデル温度
HP(t−1):一回前の炉内モデル温度
H(t−1):一回前の外部TC温度
K1:外部TC定常温度が炉内TC定常温度と一致するためのゲイン
T1:外部TC温度から炉内TC温度への時定数
である。
PW(t)=(HP(t)*a+P(t))/(a+1) ・・・(2)
ここで、変化の大きさaは式3のようになる。
a=(P(t)−P(t−1))*C ・・・(3)
なお、Cは重みゲイン、P(t−1)は一回前の炉内TC温度である。
PB’=PB*(E(t)/(E(t)−EP(t)))*b ・・・(4)
このとき、
EP(t)= PW(t)− P(t)
E(t):制御偏差(設定値−P(t))
EP(t):予測炉内温度と炉内TC温度との差
PB:PID制御のP定数(比例帯)
PB’:変更後のP定数
b:比例定数(任意に設定可能)
である。
P(出力)=(100[%]/350[℃])×30[℃]=8.6[%]となるが、
本方式では、PB’=350×30/(30−5)*1(b−1にて算出)
=420
従って、P’(出力)=(100/420)×30[℃]=7.1[%]となり、
出力値は減少することとなる。
Claims (4)
- 処理室内に収納された基板を加熱する加熱部と、
前記加熱部近傍の温度を検出する第1の温度検出部と、
前記第1の温度検出部よりも前記基板の近傍に位置し、前記基板近傍の温度を検出する第2の温度検出部と、
前記加熱部による加熱処理における前記第1および第2の温度検出部による検出温度に基づいて、次の基板への加熱処理を行う際の第2の温度検出部による検出温度を予測し、前記次の基板への加熱処理を行う際には、前記第2の温度検出部による検出温度の変動の大小に基づいて、前記第2の温度検出部による検出温度の変動が大きいところでは前記予測温度に重みを置き、前記第2の温度検出部による検出温度の変動が小さいところでは前記第2の温度検出部による検出温度に重みを置くように補間して前記第2の温度検出部による検出温度を推定し、該推定された温度により加熱制御する制御部と、
を備えてなる基板処理装置。 - 前記制御部は、PID制御により前記加熱制御を行い、前記推定された温度と前記次の基板への加熱処理の際、実際に測定した前記第2の温度検出部による検出温度とを比較し、前記推定された温度が前記実際に測定した前記第2の温度検出部による検出温度よりも高い場合には、その温度差に応じてPID制御のPゲインを変更することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 処理室に収納された基板を加熱する加熱装置と、前記加熱装置近傍の温度を検出する第1の温度検出部と、該第1の温度検出部よりも基板の近傍に位置し基板近傍の温度を検出する第2の温度検出部と、前記加熱装置を制御する制御部とを備える基板処理装置を用いて処理する基板の製造方法であって、
基板を前記処理室内に収納する工程と、
基板を前記加熱装置により加熱する工程とを備え、
前記加熱装置により加熱する工程には、予め測定された前記第1及び第2の温度検出部による検出温度に基づいて次の基板への加熱処理を行う際の第2の温度検出部による検出温度を予測し、前記次の基板への加熱処理を行う際には、前記第2の温度検出部による検出温度の変動の大小に基づいて、前記第2の温度検出部による検出温度の変動が大きいところでは前記予測温度に重みを置き、前記第2の温度検出部による検出温度の変動が小さいところでは前記第2の温度検出部による検出温度に重みを置くように補間して前記第2の温度検出部による検出温度を推定し、該推定された温度により加熱制御することを含む基板の製造方法。 - 前記加熱装置により加熱する工程には、前記制御部が、PID制御により加熱動作を制御し、前記推定された温度と前記次の基板への加熱処理の際に実際に測定した前記第2の温度検出部による検出温度とを比較し、前記推定された温度が前記実際に測定した前記第2の温度検出部による検出温度よりも高い場合には、その温度差に応じてPID制御のPゲインを変更することを特徴とする請求項3に記載の基板の製造方法。
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