JP2006080330A - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体製造方法は、半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程(S10)と、半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程(S14)と、を具備する。酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度は、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更する。不活性雰囲気中での熱処理時間を、酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める。不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にするのが好ましい。また、酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間を、少なくとも大気圧の変動に基づいて変更し、不活性雰囲気中で熱処理する工程において熱処理時間を、不活性雰囲気中での熱処理時間と酸化雰囲気中での熱処理時間の和が略一定になるように設定してもよい。
【選択図】 図2
Description
前記半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程と、
を具備し、
前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記不活性雰囲気中での熱処理時間を、前記酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める。
また、不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にするのが好ましい。このようにすると、酸化雰囲気中での熱処理の時間または熱処理温度が変動しても、半導体基板の熱履歴が変動することを、容易に抑制することができる。
半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程と、
酸化処理後の前記半導体基板を降温する工程と、
を具備し、
前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記半導体基板を降温する工程において、前記熱処理の時間または熱処理温度に基づいて前記半導体基板の酸化処理後の降温レートを設定する。
酸化雰囲気中で熱処理する工程は、例えば半導体基板にゲート酸化膜を形成する工程である。
半導体基板に不純物を注入する工程は、例えば、半導体基板にウェルを形成する工程である。
前記半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程と、
を具備し、
前記不活性雰囲気中での熱処理時間は、前記CVD処理の時間に基づいて定められる。
前記CVD処理の時間に基づいて、前記半導体基板のCVD処理後の降温レートを設定し、該設定したレートに従って前記半導体基板を降温する工程と、
を具備する。
前記反応室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記反応室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記反応室内の半導体基板を加熱する加熱部と、
前記加熱部、前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記反応性ガス供給部に、反応性ガスを前記反応室に供給させた状態で、前記加熱部を動作させることにより、前記半導体基板を酸化処理する機能と、
前記酸化処理の後、前記反応性ガス供給部に反応性ガスの供給を終了させ、かつ、前記加熱部を動作させた状態で、前記不活性ガス供給部に、不活性ガスを前記反応室に供給させることで、処理時間を調整するための熱処理を行う機能と、
前記酸化処理の時間または温度を、大気圧の変動に基づいて変更する機能と、
前記調整のための熱処理の時間を、前記酸化処理の時間または温度に基づいて定める機能と、
を具備する。
前記反応室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記反応室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記反応室内の半導体基板を加熱する加熱部と、
前記加熱部、前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記反応性ガス供給部に、反応性ガスを前記反応室に供給させた状態で、前記加熱部を動作させることにより、前記半導体基板を酸化処理する機能と、
前記酸化処理の時間または温度を、大気圧の変動に基づいて変更する機能と、
前記酸化処理の時間または温度に基づいて、酸化処理後の前記半導体基板の降温レートを設定する機能と、
を具備する。
また、ランプアニール型の熱酸化装置に、本実施形態と同様の配管、流量制御機構、制御部、気圧センサ及びデータベースを設けても、本実施形態と同一の作用及び効果を得ることができる。
なお、降温レートは一定である必要はなく、降温中に変更してもよい。例えばCVD処理終了直後では小さくし、その後大きくしてもよい。
その後、図8(C)に示すように、窒化シリコン膜21bを除去する。
このようにして、シリコン基板21にはトランジスタが形成される。
Claims (15)
- 半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程と、
前記半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程と、
を具備し、
前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記不活性雰囲気中での熱処理時間を、前記酸化雰囲気中での熱処理時間または熱処理温度に基づいて定める半導体装置の製造方法。 - 前記不活性雰囲気中で熱処理する工程において、前記半導体基板の熱処理時間を、前記半導体基板の熱履歴が略一定になるように変更する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理温度を、前記酸化雰囲気中での熱処理温度と略同一にする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記不活性雰囲気中で熱処理する工程において、熱処理時間を、前記不活性雰囲気中での熱処理時間と前記酸化雰囲気中での熱処理時間の和が略一定になるように設定する請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を、常圧かつ酸化雰囲気中で熱処理する工程と、
酸化処理後の前記半導体基板を降温する工程と、
を具備し、
前記酸化雰囲気中での熱処理において、熱処理時間または熱処理温度を、大気圧の変動に基づいて変更し、
前記半導体基板を降温する工程において、前記熱処理の時間または熱処理温度に基づいて前記半導体基板の酸化処理後の降温レートを設定する半導体装置の製造方法。 - 前記酸化雰囲気中で熱処理する工程の前に、前記半導体基板に不純物を注入する工程を有し、
前記半導体基板を降温する工程において、前記半導体基板の降温レートを、前記酸化雰囲気中での熱処理時間に加えて、前記不純物の拡散係数、前記半導体基板の熱処理温度及び前記半導体基板中の不純物濃度に基づいて設定する請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸化雰囲気中で熱処理する工程の前に、前記半導体基板に不純物を注入する工程を有する請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板に不純物を注入する工程は、前記半導体基板にウェルを形成する工程である請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化雰囲気中で熱処理する工程は、前記半導体基板にゲート酸化膜を形成する工程である請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板を、常圧かつ加熱した状態でCVD処理する工程と、
前記半導体基板を、常圧かつ不活性雰囲気中で熱処理する工程と、
を具備し、
前記不活性雰囲気中での熱処理時間は、前記CVD処理の時間に基づいて定められる半導体装置の製造方法。 - 半導体基板を、常圧かつ加熱した状態でCVD処理する工程と、
前記CVD処理の時間に基づいて、前記半導体基板のCVD処理後の降温レートを設定し、該設定したレートに従って前記半導体基板を降温する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 常圧で半導体基板を収容する反応室と、
前記反応室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記反応室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記反応室内の半導体基板を加熱する加熱部と、
前記加熱部、前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記反応性ガス供給部に、反応性ガスを前記反応室に供給させた状態で、前記加熱部を動作させることにより、前記半導体基板を酸化処理する機能と、
前記酸化処理の後、前記反応性ガス供給部に反応性ガスの供給を終了させ、かつ、前記加熱部を動作させた状態で、前記不活性ガス供給部に、不活性ガスを前記反応室に供給させることで、処理時間を調整するための熱処理を行う機能と、
前記酸化処理の時間または温度を、大気圧の変動に基づいて変更する機能と、
前記調整のための熱処理の時間を、前記酸化処理の時間または温度に基づいて定める機能と、
を具備する半導体製造装置。 - 常圧で半導体基板を収容する反応室と、
前記反応室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給部と、
前記反応室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記反応室内の半導体基板を加熱する加熱部と
前記加熱部、前記反応性ガス供給部及び前記不活性ガス供給部を制御する制御部と、
を具備し、
前記制御部は、
前記反応性ガス供給部に、反応性ガスを前記反応室に供給させた状態で、前記加熱部を動作させることにより、前記半導体基板を酸化処理する機能と、
前記酸化処理の時間または温度を、大気圧の変動に基づいて変更する機能と、
前記酸化処理の時間または温度に基づいて、酸化処理後の前記半導体基板の降温レートを設定する機能と、
を具備する半導体製造装置。 - 前記半導体製造装置は前記半導体基板を熱酸化する熱酸化装置であり、
前記反応性ガス供給部は酸素または水蒸気を前記反応室に供給する請求項12または13に記載の半導体製造装置。 - 前記半導体製造装置は、CVD装置である請求項12または13に記載の半導体製造装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018134155A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | ホシザキ株式会社 | 消毒保管庫の運転方法 |
JP2023047086A (ja) * | 2021-09-24 | 2023-04-05 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体デバイスの製造方法、基板処理システム及びプログラム |
Families Citing this family (1)
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JP5479304B2 (ja) * | 2010-11-10 | 2014-04-23 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの熱酸化膜形成方法 |
Family Cites Families (7)
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JP4914536B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2012-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化膜形成方法 |
JP3853302B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2006-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法及び熱処理装置 |
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2007
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Cited By (3)
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