KR950001953A - 웨이퍼의 열처리방법 - Google Patents

웨이퍼의 열처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950001953A
KR950001953A KR1019940001925A KR19940001925A KR950001953A KR 950001953 A KR950001953 A KR 950001953A KR 1019940001925 A KR1019940001925 A KR 1019940001925A KR 19940001925 A KR19940001925 A KR 19940001925A KR 950001953 A KR950001953 A KR 950001953A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
temperature
heat treatment
processing
gas
Prior art date
Application number
KR1019940001925A
Other languages
English (en)
Inventor
요시유키 후지다
쓰도무 하라오카
마코토 고바야시
나오야 가네다
레이지 니이노
도모유키 오부
히로아키 이케가와
켄 나카오
히로시 구마다
Original Assignee
이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
이노우에 다케시
도오교오 에레구토론 도오호쿠 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이노우에 아키라, 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤, 이노우에 다케시, 도오교오 에레구토론 도오호쿠 가부시끼가이샤 filed Critical 이노우에 아키라
Publication of KR950001953A publication Critical patent/KR950001953A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

반도체 웨이퍼(w)에 대해서 동일 처리용기 내에 있어서, 복수의 열처리를 연속적으로 한다. 처음에 자연산화막이 형성되기 어려운 온도로된 처리용기에 웨이퍼를 도입한 후, 제1의 온도제어공정으로 고속 승온하고, 그후, 제1의 처리온도로 제1의 열처공정, 예를 들면 환원처리를 한다. 다음에, 제2의 온도제어공정으로, 웨이퍼를 고속으로 승온 또는 강온하면서 가스치환을 한다. 그리고, 이어서 제2의 처리온도를 제2의 열처리 공정, 예를들면 폴리실리콘 막형성처리를 한다.

Description

웨이퍼의 열처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 웨이퍼의 열처리 방법의 제1의 실시예를 실시하기 위한 열처리장치를 나타낸 단면도.

Claims (35)

  1. 웨이퍼에 대한 자연 산화막이 형성되기 어려운 초기온도를 유지된 처리용기 속에 웨이퍼를 수용한 후, 웨이퍼를 제1의 처리온도까지 승온하는 제1의 온도제어공정과, 제1의 처리온도로 제1의 처리가스를 공급하면서 제1의 소정시간 만큼 웨이퍼에 대하여 제1의 열처리를 하는 제1의 열처리 공정과, 제1의 열처리 공정후, 불활성가스의 공급과 진공배기를 번갈아 하여서 웨이퍼를 제2의 처리온도까지 승온 내지 강온하는 제2의 온도제어공정과, 제2의 처리온도로 제2의 처리가스를 공급하며서 제2의 소정시간 만큼 웨이퍼에 대하여 제2의 열처리를 하는 제2의 열처리 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대하여 동일 처리용기 내에 있어서 복수의 열처리를 연속적으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1의 열처리 공정은 제1의 처리가스로서 환원가스를 사용한 웨이퍼의 환원처리공정인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  3. 제2항에 있어서, 제2의 열처리 공정은 웨이퍼 표면에 폴리실리콘의 막형성을 하는 폴리실리콘 막형성 처리공정인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  4. 제2항에 있어서, 제2의 열처리 공정은 웨이퍼 표면에 실리콘 나이트 라이드 막형성을 하는 실리콘 나이트 라이드 막형성처리공정인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 초기온도를 400℃ 이하로 설정함과 동시에, 환원처리공정의 제1의 처리온도를 700~1100℃로 설정하고, 제1의 온도제어 공정에 있어서의 승온률을 50~200℃/분으로 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  6. 제3항에 있어서, 환원처리 공정의 제1의 처리온도를 700~1100℃로 설정함과 동시에 폴리실리콘 막형성처리 공정의 제2의 처리온도를 약 620℃로 설정하고, 제2의 온도제어공정에 있어서의 강온틀을 30~100℃/분으로 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  7. 제4항에 있어서, 환원처리공정의 제1의 처리온도를 700~1100℃로 설정함과 동시에, 실리콘 나이트 라이드 막형성처리공정의 제2의 처리온도를 약 700℃로 설정하고, 제2의 온도제어공정에 있어서의 강온률을 30~100℃/분으로 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  8. 제2항에 있어서, 환원가스로 모노실란으로 되어 있고, 환원처리공정은 1×10-4~1×10-6Torr의 진공하에서 또한 700~950℃의 처리온도로 행하여지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  9. 제8항에 있어서, 모노실란의 웨이퍼 단위면적당의 공급 유량은, 0.0094~0.94SCCM/M2인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  10. 제2항에 있어서, 환원가스는 수소로 되어 있고, 환원처리공정은 0.1~50Torr의 진공하에서 또한 750~1100℃의 처리온도로 행하여지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  11. 제10항에 있어서, 수소의 웨이퍼 단위 면적당의 공급유량은 0.47~4.7SLM/M2인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  12. 제1항에 있어서, 제1의 온도제어공정중, 불활성가스의 공급과 진공배기를 번갈아 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 불활성가스로서 아르곤가스 또는 크세논가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  14. 제1항에 있어서, 처리용기는 이중 O링 구조에 의하여 밀폐되어 있고, 이중 O링의 사이로부터 진공배기하여 처리용기내로의 대기 침입을 방지하는 공정을 더 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  15. 제14항에 있어서, 제1의 처리공정은 환원가스를 공급하여서 행하는 웨이퍼의 환원처리공정으로 되어 있고, 적어도 환원처리공정중에 있어서, 이중 O링 사이로부터 진공배기하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  16. 제1항에 있어서, 제2의 열처리공정후, 불활성가스의 공급과 진공배기를 번걸아 하여서 웨이퍼를 제3의 처리온도까지 승온 내지 강온하는 제3의 온도제어 공정과, 제3의 처리온도로 제3의 처리가스를 공급하면서 제3의 소정시간 만큼 제3의 열처리를 하는 제3의 열처리 공정을 더욱 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  17. 제16항에 있어서, 제3의 열처리공정은 제3의 처리가스로서 산화처리용 가스를 사용하여서 웨이퍼 표면에 대하여 행하는 산화처리공정인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  18. 제16항에 있어서, 처리용기의 내면에 보호판이 설치되고, 처리용기와 보호판과의 사이에 불활성가스를 공급하는 공정을 더욱 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  19. 제18항에 있어서, 제3의 열처리공정은 제3의 처리가스로서 산화 처리용 가스를 사용하여 웨이퍼 표면에 대하여 행하는 산화처리공정이고, 적어도 산화처리공정중에 있어서 처리용기와 보호판과의 사이에 불활성가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  20. 웨이퍼에 대한 자연산화막이 형성되기 어려운 초기온도로 유지된 처리 용기중에 웨이퍼를 수용한 후, 웨이퍼를 환원처리온도까지 승온하는 제1의 온도제어공정과, 환원 처리온도로 환원가스를 공급하면서 제1의 소정시간만큼 웨이퍼에 대하여 환원치리를 하는 환원처리공정과, 환원 처리공정후, 웨이퍼를 막형상처리 온도까지 승온 내지 강온하는 제2의 온도 제어공정과, 막형성처리온도로 막형성처리용 가스를 공급하여 제2의 소정시간만큼 웨이퍼에 대하여 막형성처리를 하는 막형성처리공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대하여 동일 처리용기 내에 있어서 복수의 열처리를 연속적으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  21. 제20항에 있어서, 환원가스는 모노실란으로 되어 있고, 환원처리공정은 1×10-4~1×10-7Torr의 진공하에서 또한 700~950℃의 처리온도로 행하여지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  22. 제21항에 있어서, 모노실란의 웨이퍼 단위면적당의 공급 유량은, 0.0094~0.94SCCM/M2인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  23. 제20항에 있어서, 환원가스는 수소로 되어 있고, 환원처리공정은 1×0.1~50 Torr의 진공하에서 또한 750~1100℃의 처리온도로 행하여지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  24. 제23항에 있어서, 수소의 웨이퍼 단위 면적당의 공급유량은 0.47~4.7SLM/M2인 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  25. 제20항에 있어서, 처리용기는 이중 O링 구조에 의하여 밀폐되어 이고, 이중 O링의 사이로부터 진공폐기하여서 처리용기 속으로 대기 침입을 방지하는 공정을 더욱 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  26. 제25항에 있어서, 적어도 환원처리공정중에 있어서, 이중링 사이로부터 진공배기하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  27. 웨이퍼에 대한 자연산화막이 형성되기 어려운 초기온도로 유지된 처리 용기 속에 웨이퍼를 수용한 후, 웨이퍼를 산화막형성 온도까지 승온하는 제1의 온도제어공정과, 산화막형성 온도로 산화처리용 가스를 공급하여, 웨이퍼표면에 산화막을 형성하는 산화막형성 공정과, 산화막형성 공정후, 웨이퍼를 질화처리온도까지 승온하는 제2의 온도제어공정과, 질화처리온도로 질화처리용 가스를 공급하여 웨이퍼 표면에 형성된 산화막을 질화처리하는 질화처리공정을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼에 대하여 동일 처리용기 내에 있어서 복수의 열처리를 연속적으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  28. 제27항에 있어서, 초기온도를 400℃ 이하로 설정함과 동시에 산화막형성 온도를 700℃~900℃로 설정하고, 제1의 온도제어공정에 있어서의 승온률을 50~200℃/분으로 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  29. 제27항에 있어서, 산화막형성 온도를 700~900℃로 설정함과 동시에, 질화처리 온도를 800~1100℃로 설정하고, 제2의 오도제어공정에 있어서의 승온률을 50~200℃/분으로 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  30. 제27항에 있어서, 제1의 온도제어공정에 있어서, 1~20%의 산소가스와 잔량%의 질소가스 분위기 중에서 승온하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  31. 제27항에 있어서, 제1의 온도제어공정에 있어서, 아르곤가스 또는 크세논가스 분위기중에서 승온하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  32. 제27항에 있어서, 질화처리공정후, 웨이퍼를 탈수소처리 온도까지 승온하는 제3의 온도제어 공정과, 탈수처리 온도로 탈수소처리용 가스를 공급하여 탈수소처리를 하는 탈수소처리 공정을 더욱 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  33. 제32항에 있어서, 제3의 온도제어공정에 있어서, 50~200℃/분의 승온률로 승온하는 곳을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  34. 제27항에 있어서, 질화처리공정후, 웨이퍼를 30~100℃/분의 강온률로 강온시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
  35. 제32항에 있어서, 탈수소처리 공정후,웨이퍼를 30~100℃분의 강온률로 강온시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 열처리 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940001925A 1993-06-30 1994-02-02 웨이퍼의 열처리방법 KR950001953A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21682493 1993-06-30
JP93-216823 1993-06-30
JP93-216824 1993-06-30
JP21682393 1993-06-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950001953A true KR950001953A (ko) 1995-01-04

Family

ID=26521654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940001925A KR950001953A (ko) 1993-06-30 1994-02-02 웨이퍼의 열처리방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5500388A (ko)
KR (1) KR950001953A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100826782B1 (ko) * 2002-10-28 2008-04-30 동부일렉트로닉스 주식회사 실리콘 웨이퍼 제조 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5663090A (en) * 1995-06-29 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method to thermally form hemispherical grain (HSG) silicon to enhance capacitance for application in high density DRAMs
US5658833A (en) * 1996-01-30 1997-08-19 United Microelectronics Corporation Method and dummy disc for uniformly depositing silicon nitride
KR100269284B1 (ko) * 1996-07-29 2000-10-16 윤종용 반도체장치의hsg실리콘막형성방법
US6245632B1 (en) 1997-05-22 2001-06-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Variable temperature methods of forming hemispherical grained silicon (HSG-Si) layers
US5900177A (en) * 1997-06-11 1999-05-04 Eaton Corporation Furnace sidewall temperature control system
JP3480280B2 (ja) * 1997-10-28 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 縦型処理装置
JP4551515B2 (ja) * 1998-10-07 2010-09-29 株式会社日立国際電気 半導体製造装置およびその温度制御方法
JP4426024B2 (ja) * 1999-09-02 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の温度校正方法
JP2001274107A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
KR100720775B1 (ko) * 2000-07-25 2007-05-22 동경 엘렉트론 주식회사 열처리조건의 결정방법
KR100425666B1 (ko) * 2001-07-28 2004-04-03 삼성전자주식회사 반도체 장치에서 게이트 전극 형성방법 및 이를 이용한불휘발성 메모리 장치에서 셀 게이트 전극 형성 방법
JP4329655B2 (ja) * 2004-09-10 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。
JP4939864B2 (ja) * 2006-07-25 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP5520552B2 (ja) * 2009-09-11 2014-06-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP5504793B2 (ja) * 2009-09-26 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び冷却方法
US9513003B2 (en) * 2010-08-16 2016-12-06 Purpose Company Limited Combustion apparatus, method for combustion control, board, combustion control system and water heater

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2773078B2 (ja) * 1988-03-11 1998-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びその洗浄方法
JPH05217921A (ja) * 1991-09-13 1993-08-27 Motorola Inc 材料膜のエピタキシアル成長を行うための温度制御された処理

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100826782B1 (ko) * 2002-10-28 2008-04-30 동부일렉트로닉스 주식회사 실리콘 웨이퍼 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US5500388A (en) 1996-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950001953A (ko) 웨이퍼의 열처리방법
JP3421660B2 (ja) 熱処理装置及びその方法
US6124158A (en) Method of reducing carbon contamination of a thin dielectric film by using gaseous organic precursors, inert gas, and ozone to react with carbon contaminants
KR970052776A (ko) 플라스마 처리방법 및 플라스마 처리장치
JP2010232672A (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
US6303520B1 (en) Silicon oxynitride film
KR920003445A (ko) 열처리 막 형성장치 및 방법
JP2000001765A (ja) 真空浸炭方法及び装置
JP3312553B2 (ja) シリコン単結晶およびシリコン単結晶薄膜の製造方法
KR940006208A (ko) 열처리 방법
JP2909481B2 (ja) 縦型処理装置における被処理体の処理方法
JP2744933B2 (ja) 縦型処理装置及び処理装置
JPH05326477A (ja) 半導体基板表面のハロゲン除去方法
JP3194062B2 (ja) 熱酸化膜の形成方法
JPH0355838A (ja) 縦型処理装置
WO2000079580A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
JPH03244125A (ja) 絶縁膜形成方法
JP2763587B2 (ja) 絶縁膜形成方法
JPH03134153A (ja) 酸化膜形成方法及びその装置
KR960026322A (ko) 웨이퍼 세정방법 및 그 장치
JP2693465B2 (ja) 半導体ウェハの処理装置
JPH0845852A (ja) 気相成長装置と気相成長方法
JP3686180B2 (ja) 薄膜形成方法および薄膜形成装置
KR20000041388A (ko) 실리콘 웨이퍼의 표면결함 제거를 위한 반도체 소자 제조방법
JP2022045355A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の運用方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid