JP2763587B2

JP2763587B2 - 絶縁膜形成方法

Info

Publication number: JP2763587B2
Application number: JP12541989A
Authority: JP
Inventors: 永福田; 富行荒川
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1989-05-18
Filing date: 1989-05-18
Publication date: 1998-06-11
Anticipated expiration: 2013-06-11
Also published as: JPH02303132A

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は絶縁膜形成方法、特に膜厚の極めて薄い絶
縁膜を高品質に形成するための方法に関する。

（従来の技術）最先端技術により形成されるシリコン集積回路、特に
MOS（Metal Oxide Semiconductor）集積回路では膜厚が
極めて薄い酸化膜がゲート絶縁膜に用いられる。とりわ
け1.0μｍ以下のゲート長を有するサブミクロンMOSデバ
イスでは膜厚が例えば100Å以下となる酸化膜が用いら
れ、このように膜厚を薄くすることによって利得の向上
を図っている。

酸化膜の形成は、例えば文献：「MOSLSI製造技術、徳
山巍、橋本哲−編著、日経マグロウヒル社、P.65
（1985）」に示されるように次のようにして行なわれ
る。

この文献に開示されている方法では、まず、電気炉に
よって800〜1200℃に加熱した石英管内に、清浄化した
基板を配置する。その後、酸化膜形成のための酸化ガス
を石英管内に導入する。酸化ガスとしては例えば、乾燥
した酸素ガス、或は酸素及び水素の混合ガス、或は塩酸
を霧状にして酸素ガスと混合したガスを用いる。酸化時
間と酸化膜厚とは第４図に、横軸に酸化時間（秒）及び
縦軸に酸化膜厚（Å）をプロットして示した、破線Ｉで
示すように、一定の関係があるので、酸化ガスを導入し
た石英管内に、形成しようとする膜厚に見合った一定時
間、一定温度で基板を放置して酸化膜を連続成長させる
ことによって、均一な膜厚の酸化膜を基板表面に形成す
る。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、以上に述べた酸化膜形成方法では、酸
化膜を休み無く連続成長させているので、例えば、100
Å以下の薄い領域の膜厚を制御するのが困難であった。
そのため、膜厚制御を行なうためには、800℃以下に酸
化温度を下げて酸化速度を下げるか、或は窒素で酸素を
希釈して酸化を行なう方法をとっていた。

しかしながら、低温酸化法ではシリコン／二酸化シリ
コン界面が粗れる。一方、希釈酸化法の場合では、窒素
がシリコン／二酸化シリコン界面に偏析し、そのため界
面準位密度を増加させる等の問題があった。それ故、上
述のいずれの方法を行なっても、薄い酸化膜の絶縁破壊
耐性等の膜質自体の向上は望めなかった。

このような問題点の解決を図るため、この出願に係る
発明者等が種々の研究及び実験を行なったところ、薄膜
を従来のように休み無く連続成長させるのではなく、複
数回に分けて段階的に積み重ねて成長させれば、界面の
粗れや界面準位密度の増加を招く恐れが無いことを発見
した。

そこで、この発明の目的は、従来の問題点に鑑み、形
成すべき絶縁膜の膜厚を正確に制御し得ると共に、膜質
の優れた薄い絶縁膜を形成する方法を提供することにあ
る。

（課題を解決するための手段）この目的の達成を図るため、この発明によれば、同一の反応炉内で還元性ガス雰囲気中での加熱処理と
反応性ガス雰囲気中での加熱処理とを順次に行なって基
板を清浄化し、続いて、絶縁膜形成用ガス雰囲気中で加
熱処理を行なって基板に絶縁膜を形成するに当たり、同一反応炉内で、基板温度を室温にまで下げた成膜休
止期間を挟んで、基板に絶縁膜の成膜のための加熱処理
を同一の加熱温度で繰り返し行なうことを特徴とする。

この発明の実施に当っては、絶縁膜を酸化膜とするの
が好適である。

この発明の実施に当っては、基板の加熱を赤外線照射
によって行なうのが好適である。

尚、ここで基板とは、シリコン基板の他に、このシリ
コン基板にエピタキシャル層を形成したもの、その他、
これらに限らず絶縁膜が形成されるべき広く下地を意味
している。

（作用）この方法によれば、絶縁膜の成長を、絶縁膜形成用雰
囲気中で、短時間の赤外線照射等による加熱処理を行な
う工程と、基板温度を一旦室温にまで低下させて成膜を
休ませる工程とを繰り返し行なうので、数オングストロ
ームオーダーの絶縁膜を積層させて徐々に膜厚を増加さ
せながら、全体として薄い均一の絶縁膜を成膜すること
が出来る。

（実施例）以下、図面を参照し、この出願の発明の実施例につき
説明する。

尚、図面は発明が理解出来る程度に、各構成成分の寸
法、形状及び配設位置を概略的に示しているにすぎな
い。また、以下の説明では、特定の材料及び特定の数値
的条件を挙げて説明するが、これら材料及び条件は単な
る好適例にすぎず、従ってこれらに何ら限定されるもの
ではない。

先ず、この発明の方法の説明に入る前に、この発明を
実施するための装置につき説明する。

＜この発明実施における絶縁膜形成装置の説明＞第２図はこの発明の方法を実施するための絶縁膜形成
装置の主要部（主として反応炉及び加熱部の構成）を概
略的に示す断面図である。尚、第２図では反応炉内に基
板を設置した状態を示す。

また第３図はこの発明の実施例の説明に供する図であ
り、本実施例の全体構成を概略的に示す図である。

第３図にも示すように、この絶縁膜形成装置は、基板
が設置される反応炉10と、反応炉10内の真空排気を行な
うための排気手段12と、ガス供給部14と、加熱処理を行
なうための加熱部16とを備えて成る。以下、この装置の
構造の実施例につき説明する。

第２図にも示すようにこの実施例では、反応炉（チャ
ンバー）10を例えば本体10a、蓋部材10b及び昇降部材10
cから構成する。本体10a及び昇降部材10cの形成材料と
しては例えば、ステンレスを、また蓋部材10b及び後述
の支持体20の形成材料としては、例えば石英を用いる。

本体10a及び昇降部材10cは分離可能に一体となって凹
部ａを形成するものであり、昇降部材10cの凹部ａの側
に基板18を載せるための支持体20を設けて昇降部材10c
の昇降によって支持体20をのせた基板18を反応炉10内へ
入れ或は反応炉10外へ取り出せるようにする。図示例で
は昇降部材10cを例えば機械的に昇降させるための昇降
部材10cを昇降装置22と連結させている。

また蓋部材10bを着脱自在に本体20aに取り付ける。本
体10aと蓋部材10b及び昇降部材10cとの間には気密保持
部材24例えばバイトンパッキンを設けており、従って反
応炉10内の真空引きを行なった際に気密保持部材24を介
し、気密状態が形成できるようになしている。

また凹部ａの基板近傍位置に基板18の表面温度を測定
するための温度測定手段26例えばオプティカルパイロメ
ータを設ける。

さらにこの実施例では加熱部16を任意好適な構成の赤
外線照射手段、例えば赤外線ランプ16aとこの手段16aを
支持するための支持部材16bとを以って構成する。赤外
線ランプ16aとしてはタングステンハロゲンランプその
他の任意好適なランプを用いる。好ましくは、複数個の
赤外線ランプ16aを反応炉10内の加熱を均一に行なえる
ように配置する。

通常、赤外線ランプ16aは、反応炉10外に配置する。
この際、反応炉10の一部を赤外線を透過する材料を以っ
て構成し、赤外線を反応炉10外から反応炉10内に透過さ
せるようにする。赤外線を透過する材料としては例えば
石英を用い、例えば蓋部材10aを石英で形成する。

加熱部16の構成及び配設位置は後述する加熱処理を行
なえる任意好適な構成及び配設位置として良く、例えば
加熱部16をヒーターを以って構成し、このヒーターを反
応炉10内に設けるようにしても良い。

支持部材16bの配設位置をこれに限定するものではな
いが、図示例では支持部材16bを支持部材16bと本体10a
との間に蓋部材10b及び本体10aの当接部を閉じ込めるよ
うに、本体10aに着脱自在に取り付け、さらに支持部材1
6bと本体10との間に気密保持部材24を設ける。このよう
に支持部材16bを設けることによって反応炉10内の真空
気密性の向上が図れる。

尚、第２図において符号28は反応炉10及びガス供給部
14の間に設けたガス供給管、また30は反応炉10及び排気
手段12の間に設けた排気管を示す。

次に第３図を参照してこの実施例の真空排気系及びガ
ス供給系につき説明する。尚、真空排気系及びガス供給
系を以下に述べる例に限定するものではない。

まず真空排気系につき説明する。この実施例では排気
手段12を例えばターボ分子ポンプ12aとこのポンプ12aと
接続されたロータリーポンプ12bとを以って構成する。
排気手段12を例えば図示のように配設した排気管30及び
バルブを介して反応炉10と連通させて接続する。

第３図において32a〜32dは排気管30に連通させて設け
た真空計（或は圧力ゲージ）であり、真空計32a及び32d
を例えば１〜10^-3Torrの範囲の圧力測定に用いるバラト
ロン真空計とし、また真空計32b及び32cを例えば10^-3〜
10^-8Torrの範囲の圧力測定に用いるイオンゲージとす
る。真空計32bと排気管30との間には真空計32bを保護す
るための自動開閉バルブ34を設け、真空計32bの動作時
に真空計32bに対して10^-3Torr以上の圧力を負荷しない
ようにバルブ34の開閉を自動制御する。36a〜36fは排気
手段12及び反応炉10の間に設けられる自動開閉バルブで
あり、これらバルブ36a〜36fをそれぞれ任意好適に開閉
することによって、反応炉10内の圧力を任意好適な圧力
に制御し反応炉10内に低真空排気状態及び高真空排気状
態を形成する。

さらに38は圧力調整用のニードルバルブ及び40はレリ
ーフバルブであり、バルブ40は反応炉10内の圧力が大気
圧例えば760Torrを越えた場合に自動的に開放し、バル
ブ40の開放によってガス供給部14から反応炉10内へ供給
されたガスを排気する。

次にガス供給系につき説明する。この実施例ではガス
供給部14を還元性ガス源14a、反応性ガス源14b、酸化ガ
ス源14c及びパージ用ガス源例えば不活性ガス源14dを以
って構成する。ガス供給部14を例えば図示のように配設
した供給管28及びバルブを介して反応炉10と連通させて
接続する。

第３図において42はガス供給系、44はバルブ、46a〜4
6d及び48a〜48bは自動開閉バルブ、50a〜50bはガス供給
部14から反応炉ガスへ導入されるガスに関する自動ガス
流量コントローラである。

バルブ44、48a、48b、46a〜46dをそれぞれ任意好適に
開閉することによって、所望のガスをガス供給部14から
反応炉10へ供給できる。

＜この発明の絶縁膜形成方法の実施例の説明＞次に、この発明の絶縁膜形成方法につき説明するが、
この実施例では絶縁膜をシリコン酸化膜とする。

第１図はこの発明の説明に供する、加熱サイクルを説
明するための図である。図の横軸は時間及び縦軸は温度
をプロットして示してある。

又、以下の説明では第２図、第３図を適宜参照された
い。

この発明では、反応炉10内に基板18を設置した後、基
板の清浄化を行なってから、絶縁膜の成膜処理を行な
う。以下、これにつき順次説明する。

［清浄化］この絶縁膜の成膜前の基板の清浄化法については、こ
の出願に係る出願人等によって既に提案されているが、
この発明の方法でもこの清浄化方法を用いるのが好適で
あり、これにつき説明する。

この発明における実施例では、予備処理して基板18と
して例えばシリコン基板を用意し、従来行なわれている
如く、化学薬品、純水等を用いて基板18の酸化前清浄を
行なう。

次に予備処理として、反応炉10内で基板18に自然酸化
膜が形成されるのを防止するため、反応炉10内にパージ
用の不活性ガス例えば窒素ガスを予め導入しておく。還
元性ガス、反応性ガス及び酸化ガスはまだ導入しない。
このときバルブ44、48b及び46dを開き、バルブ48a、46a
〜46cを閉じておく。

次に反応炉10内に基板10を設置する。基板10は昇降部
材10cの支持体20上に固定する。

これらの予備処理後、基板表面の清浄化処理を行な
う。この清浄化処理は、還元性ガス雰囲気中、続いて反
応性ガス雰囲気中で、順次に、加熱処理を行なって基板
18を反応炉10内で清浄化する。

以下、この基板の清浄化処理工程につき説明する。

自然酸化膜の除去基板の清浄化に当り、まずバルブ48b、46aを閉じて基
板18を設置した反応炉10内への不活性ガスの供給を停止
する。

次に排気手段12によって反応炉10内を例えば１×10^-6
Torrの高真空に真空排気し、反応炉10内を清浄化する。
この真空排気を行なうためバルブ38、36a、36e、36f、3
4を閉じておいてバルブ36b、36c、36dを開きロータリー
ポンプ12bを作動させ、反応炉10内の圧力を真空計32aで
モニター（監視）しながら真空排気を行なう。そして反
応炉10内が例えば１×10^-3Torrの圧力となった後、バル
ブ36c、36dを閉じてバルブ36e、34を開き、真空計36bで
反応炉10内の圧力をモニターしながら１×10^-6Torrまで
反応炉10内を真空排気する。

高真空に反応炉10内を排気したら、次に反応炉10内に
還元性ガス例えば水素ガスを導入する（第１図のH₂フロ
ー）。還元性ガスの導入に当っては、次に行なう還元性
ガス雰囲気中での加熱処理において、反応炉10内の減圧
状態を維持するために、バルブ36b、36e、34を閉じてバ
ルブ38、36aを開いた状態としてこの状態でバルブ44、4
8a、46aを開いて還元性ガス例えば水素ガスを反応炉10
内に供給する。

反応炉10内の減圧状態の維持は還元性ガスを導入しな
がらバルブ38を操作するとともに還元性ガスの流量と自
動流量コントローラ50aで調整することによって行なえ
る。反応炉10内を例えば100〜10^-2Torrの低真空の減圧
状態に維持する。

次に加熱部16によって自然酸化膜の除去のための加熱
処理を行なう（第１図）。この加熱処理によって還元性
ガス雰囲気中で基板18を加熱して基板18の自然酸化膜を
還元し自然酸化膜を基板18から除去する。基板18の加熱
は例えば基板18への赤外線照射によって行なう。反応炉
10内を減圧状態に維持しながら加熱処理を行なうことに
よって自然酸化膜の還元による反応生成物が反応炉10外
へ排気され、その結果、反応生成物によって基板18及び
反応炉10内が汚染される度合を低減出来る。

この加熱処理では、基板18の表面温度を温度測定手段
26で測定しながら、例えば基板18の表面温度を50℃／秒
〜200℃／秒の間の適当な割合で、好ましくは、約100℃
／秒で、上昇させて約1000℃となったら約10〜30秒間10
00℃の状態を保持するように、基板18の加熱を制御す
る。

次に加熱部16による基板18の加熱を停止すると共にバ
ルブ46を閉じて還元性ガスの供給を停止し、そして基板
18の表面温度が室温、例えば約25℃となるまで基板18が
冷却するのを待つ。この冷却は基板18が自然に冷却する
ようにしても良いし、強制的に冷却するようにしても良
い。強制冷却は例えばバルブ48aを閉じてバルブ48b、46
dを開けて不活性ガスを大量に反応炉10内に導入するこ
とによって行なえる。

次にバルブ38、36aを閉じてバルブ36b、36eを開けて
反応炉10内を例えば１×10^-6Torrの高真空に排気し、反
応炉10内を清浄化する。

基板表面の清浄次にバルブ36b、36eを閉じてバルブ38、36aを開き、
反応性ガス例えば重量比で１％−塩酸−99％水素ガスの
比で塩酸を霧状にして水素ガスと混合したガスを導入す
る（第１図のHClフロー）。反応性ガスの導入に当って
は、次に行なう反応性ガス雰囲気中での加熱処理におい
て反応炉10内の減圧状態を維持するために、還元性ガス
雰囲気中での加熱処理と同様にして、反応炉10内を例え
ば100〜10^-2Torrの低真空の減圧状態に維持する。

次に加熱部16によって加熱処理を行なう。この加熱処
理によって熱的に活性化された反応性ガスが基板18自体
及び不純物と化学的に反応して揮発性の反応生成物を形
成し、基板18をエッチングするので、基板18に付着して
いる無機物等の不純物を除去できる。反応性ガスの熱的
活性化は例えば反応性ガスに赤外線を照射することによ
って行なう。反応炉10内を減圧状態に維持しながら加熱
処理を行なうので、基板18のエッチングによる揮発性の
反応生成物が反応炉10外へ排気され、その結果、反応生
成物によって基板18及び反応炉10内が汚染される度合を
低減できる。

この加熱処理で、基板18も加熱するようにすれば反応
性ガスと基板18及び不純物との反応性を向上できる。

例えば、基板18の表面温度を約1000℃に保持するよう
に基板18を加熱しながら約20秒間、反応性ガスによる基
板18のエッチングを行なえばよい。

次に、加熱部16による加熱処理を停止すると共にバル
ブ46bを閉じて反応性ガスの供給を停止し、基板18が室
温まで冷却するのを待つ。この冷却は基板18の自然冷却
としても良いし強制冷却としても良い。

次に、バルブ38、36aを閉じ、バルブ36b、36eを開け
て反応炉10内を例えば１×10^-6Torrの高真空に排気す
る。

［酸化膜の成膜］次に、酸化ガス雰囲気中で加熱処理を行なって基板に
酸化膜を形成するためバルブ36b、36eを閉じ、バルブ3
8、36a、48b、48cを開き、酸化性ガス例えば酸素ガスを
反応炉10内に供給する（第１図のO₂フロー）。このとき
酸化膜形成時の反応生成物を反応炉10外に排気するた
め、反応炉10内を例えば100〜10^-2Torrの低真空の減圧
状態に維持する。

次に、加熱部16による加熱処理によって基板18を加熱
して基板表面に酸化膜を形成する。

この基板18の加熱は例えば、基板表面温度を温度測定
手段26で測定しながら、例えば50℃／秒〜200℃／秒の
間の適当な割合で、好ましくは、昇温速度約100℃／秒
で、約1000℃まで上昇させ約５秒間、約1000℃に保持す
るように行なう。この場合、上昇温度を一定の割合で行
なうのが好適であるが、それは酸化膜の成長度合を一定
にして品質の良い膜を形成するためである。このような
条件で、基板を加熱することによって膜厚約10Åの酸化
膜を形成できる。

酸化膜の膜厚制御は例えば、酸化温度酸化時間及び酸
化ガスの流量を調整することによって行なえる。

所望の膜厚の酸化膜を形成したら、次に基板18の加熱
を停止する。

この加熱の停止と共に或は加熱停止の後に、バルブ46
cを閉じて酸化ガスの供給を停止しバルブ46dを開いて反
応炉10内の酸化ガスを不活性ガス、例えばアルゴン（A
r）ガスに置換する（第１図のArフロー）。不活性ガス
に置換することによって酸化膜が必要以上に成長するの
を阻止する。

次に基板18を室温まで冷却する。基板18が室温、例え
ば25℃まで下がったらバルブ46dを閉じて48b、48cを開
き、バルブ48cを開け、反応炉10内へ酸素を供給する。
このとき、先ほどと同様に反応炉10内を100〜10^-2Torr
の減圧状態に維持しながら、一層目の酸化膜上に二層目
の酸化膜を成膜する。

第１図に示すように、上述したような酸化膜の成膜
と、基板の室温までの冷却との酸化のサイクルを繰り返
し行なって成膜された酸化膜にさらに酸化膜を成膜し
て、全体として、所望の膜厚に達するまで成膜を行なう
（第１図）。例えば、第１図に示すように酸化のための
加熱サイクルを４回繰り返し行なうことにより、それぞ
れの酸化時間t₁、t₂、t₃及びt₄での成膜厚の総合した成
膜厚を得る（この総合膜厚は全酸化時間:T＝t₁＋t₂＋t₃
＋t₄で実質的に定まる）。また、前の加熱と次の加熱ま
での時間は任意に定めれば良い。

第４図にこの発明の実施例の酸化膜厚−酸化時間特性
を実線曲線IIで示す。このように、この発明では、最
初、基板18上に形成された自然酸化膜を除去した後、酸
化膜を形成するので、酸化膜厚は酸化時間に比例して増
加する。この場合、各酸化膜の成膜のための酸化時間を
一定にすれば、成膜厚△T_oxもほぼ一定とすることが可
能である。

これらの酸化工程後、バルブ36b、36eを開いて、反応
炉10内を例えば１×10^-6Torrの高真空に排気して反応炉
10内を清浄化する。

この真空排気の後、バルブ46dを開いて反応炉10内に
不活性ガスを導入し基板18を反応炉10内で不活性ガス雰
囲気中に保持する。

この発明は上述した実施例にのみ限定されるものでは
なく、多くの変形又は変更をなし得ること明らかであ
る。例えば、絶縁膜としてシリコン酸化膜を例に挙げて
説明したが、シリコン以外の他の酸化膜はもとより、酸
化膜以外の窒化膜等の他の絶縁膜の形成にも、この発明
を適用して好適である。尚、その場合には、絶縁膜形成
用のガスを、形成すべき絶縁膜に適合したガスとするこ
とが必要である。

又、不活性ガスとしてArガスを用いたが、他の不活性
ガスであってもよいこともちろんである。

又、上述した実施例で基板を室温まで冷却するが、こ
の場合の室温として25℃を例として挙げたが、室温とは
必ずしも25℃ではなく、形成すべき絶縁膜が成長しない
温度と解するものとする。

（発明の効果）上述した説明からも明らかなように、この発明の絶縁
膜形成方法によれば、反応炉内に基板を設置し、還元性
ガス雰囲気中及び反応性ガス雰囲気中で加熱処理を行な
って基板を清浄化してから、絶縁膜形成用の、例えば酸
化ガス等のガス雰囲気中で加熱処理を行ない基板に絶縁
膜例えば酸化膜を形成する。

還元性ガス雰囲気中での加熱処理を行なった場合に
は、基板表面の自然酸化膜が還元されるで、基板の自然
酸化膜を除去できる。また反応性ガス雰囲気中で加熱処
理を行なうことにより、基板がエッチングされるので基
板に付着している不純物を除去できる。このようにして
基板の自然酸化膜及び不純物の除去を行なうことによっ
て、従来と同様に、基板の清浄化が行なえる。

このように反応炉内で基板を清浄化し、清浄化した基
板の清浄度を保持したまま絶縁膜を例えば酸化膜を形成
することができるので、これがため従来に比して不純物
に汚染されていない、より純度の高い高品質の絶縁膜例
えば酸化膜の形成が行なえる。

さらに絶縁膜形成においては、1000℃以上の高温で、
しかも数秒間の加熱処理を行なうので、高品質でしかも
数Å単位毎の薄い絶縁膜例えば酸化膜を形成できる。こ
の絶縁膜形成のための加熱工程を繰り返すことにより所
望の、全体として100Å程度よりも薄い膜厚の絶縁膜例
えば酸化膜を制御性よく形成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の絶縁膜形成方法の一実施例の説明
に供する、加熱サイクルの説明図、第２図は、この発明の絶縁膜形成方法の一実施例を実施
するための要部を概略的に示す断面図、第３図は、この発明の絶縁膜形成方法の一実施例を実施
するための装置の全体構成を概略的に示す図、第４図は、この発明及び従来の絶縁膜形成方法の説明に
供する、酸化時間−酸化膜厚特性曲線図である。 10…反応炉、10a…本体 10b…蓋部材、10c…昇降部材 12…排気手段、12a…ターボ分子ポンプ 12b…ロータリーポンプ 14…ガス供給部、14a…還元性ガス源 14b…反応性ガス源、14c…酸化ガス源 14d…不活性ガス源、16…加熱部 16a…赤外線ランプ、16b…支持部材 18…基板、20…支持体 22…昇降装置、24…気密保持部材 26…温度測定手段、28…ガス供給管 30…排気管、32a〜32d…真空計 34、36a〜36f、38、40、44、46a〜46d、48a、48b…バル
ブ 42…ガス供給系 50a、50b…ガス流量コントローラ。

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/316 H01L 21/31

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】同一の反応炉内で還元性ガス雰囲気中での
加熱処理と反応性ガス雰囲気中での加熱処理とを順次に
行なって基板を清浄化し、続いて、絶縁膜形成用ガス雰
囲気中で加熱処理を行なって基板に絶縁膜を形成するに
当たり、同一反応炉内で、基板温度を室温にまで下げた成膜休止
期間を挟んで、基板に絶縁膜の成膜のための加熱処理を
同一の加熱温度で繰り返し行なうことを特徴とする絶縁
膜形成方法。
【請求項２】請求項１記載の絶縁膜形成方法において、
前記加熱を赤外線照射によって行なうことを特徴とする
絶縁膜形成方法。
【請求項３】請求項１記載の絶縁膜形成方法において、
各絶縁膜の成膜の停止を、絶縁膜形成用ガスを不溶性ガ
スに置換することによって行なうことを特徴とする絶縁
膜形成方法。
【請求項４】請求項１記載の絶縁膜形成方法において、
前記加熱温度を1000℃とし、該加熱温度を10〜30秒の間
の適当な時間だけ維持することを特徴とする絶縁膜形成
方法。
【請求項５】請求項１〜４のいずれか一項に記載の絶縁
膜形成方法において、前記絶縁膜形成用ガス雰囲気を酸
化ガス雰囲気とし、前記絶縁膜を酸化膜としたことを特
徴とする絶縁膜形成方法。