JP2773078B2 - 処理装置及びその洗浄方法 - Google Patents
処理装置及びその洗浄方法Info
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- JP2773078B2 JP2773078B2 JP63058795A JP5879588A JP2773078B2 JP 2773078 B2 JP2773078 B2 JP 2773078B2 JP 63058795 A JP63058795 A JP 63058795A JP 5879588 A JP5879588 A JP 5879588A JP 2773078 B2 JP2773078 B2 JP 2773078B2
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- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0053—Details of the reactor
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
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- B01J2219/00051—Controlling the temperature
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- B01J2219/00087—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids with heat exchange elements outside the reactor
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、反応炉システムの洗浄方法に関する。
（従来の技術） 反応炉例えば半導体ウエハを熱処理反応させるCVD,拡
散炉等では、プロセス中にウエハ以外の反応容器等に反
応生成物が付着し、これをそのまま放置しておくとコン
タミネーションの発生をまねき、半導体製品の歩留まり
が悪化するので、定期的に反応管等を洗浄する必要があ
った。
散炉等では、プロセス中にウエハ以外の反応容器等に反
応生成物が付着し、これをそのまま放置しておくとコン
タミネーションの発生をまねき、半導体製品の歩留まり
が悪化するので、定期的に反応管等を洗浄する必要があ
った。
ここで、従来の反応管の洗浄方法としては、装置よ
り反応管を取り外し、専用の洗浄機により沸硝酸等に
よりウェットエッチングを行ない、純水により洗浄
し、乾燥機にいれて乾燥を行ない、反応管を装置に
取り付け、取り付け後の調整を要していた。
り反応管を取り外し、専用の洗浄機により沸硝酸等に
よりウェットエッチングを行ない、純水により洗浄
し、乾燥機にいれて乾燥を行ない、反応管を装置に
取り付け、取り付け後の調整を要していた。
上記の洗浄方法によれば、特に反応管の取り付け，取
り外しに多くの時間と労力とを要し、この間は装置の稼
動を停止せざるを得ないので稼動率が極めて低かった。
り外しに多くの時間と労力とを要し、この間は装置の稼
動を停止せざるを得ないので稼動率が極めて低かった。
このような洗浄は、プロセスの種類，ガスの流量等に
よっても相違するが、洗浄時間として最短でも１日を要
し、かつ、洗浄の頻度としては通常１回/1週であり、特
にひどい場合として、シリコン窒化膜、テオス｛TETRAE
THOXY SILANE;Si（OC2H5）４｝酸化膜形成の場合には、
１回/2〜３日の洗浄頻度となっていた。このような頻度
で上記反応管の取り外し，取り付けを行なうのは、作業
者にとって極めて負担が大きかった。
よっても相違するが、洗浄時間として最短でも１日を要
し、かつ、洗浄の頻度としては通常１回/1週であり、特
にひどい場合として、シリコン窒化膜、テオス｛TETRAE
THOXY SILANE;Si（OC2H5）４｝酸化膜形成の場合には、
１回/2〜３日の洗浄頻度となっていた。このような頻度
で上記反応管の取り外し，取り付けを行なうのは、作業
者にとって極めて負担が大きかった。
そこで、上記問題点を解決するための提案が、特開昭
61−176113号公報に開示されている。
61−176113号公報に開示されている。
この提案によれば、反応管に洗浄用薬品の注入口およ
び排出口を接続し、注入口を介して弗硝酸を反応管内に
導入して所定時間放置することで、反応管のウェットエ
ッチングを実行する。この後、弗硝酸を排出し、純水を
注入口より導入して洗浄を行ない、その後乾燥を実行す
ることで、反応管を装置より取り外さずに洗浄を行なう
というものである。
び排出口を接続し、注入口を介して弗硝酸を反応管内に
導入して所定時間放置することで、反応管のウェットエ
ッチングを実行する。この後、弗硝酸を排出し、純水を
注入口より導入して洗浄を行ない、その後乾燥を実行す
ることで、反応管を装置より取り外さずに洗浄を行なう
というものである。
（発名が解決しようとする問題点） 上述した特開昭61−176133号公報による洗浄方法は、
実用化が極めて困難であった。
実用化が極めて困難であった。
すなわち、装置に取り付けた状態でのウェットエッチ
ングを実行するために、従来構成にさらに追加して、劇
薬である洗浄用液体の供給系および排出系を要し、設備
が大掛りとなり、設備スペース増大およびコストアップ
が避けられない。また、既存の反応炉にこのような改造
を行なうことは事実上不可能である。
ングを実行するために、従来構成にさらに追加して、劇
薬である洗浄用液体の供給系および排出系を要し、設備
が大掛りとなり、設備スペース増大およびコストアップ
が避けられない。また、既存の反応炉にこのような改造
を行なうことは事実上不可能である。
さらに、ウェットエッチングであるが故に乾燥時間に
長時間要し、真空乾燥によって短時間化を図ろうとすれ
ばそのための設備も要する。
長時間要し、真空乾燥によって短時間化を図ろうとすれ
ばそのための設備も要する。
したがって、現状では反応管を取り外して洗浄を行な
っているのが実状であり、上述したように稼動率が極め
て低く、作業者に相当の負担を要していた。
っているのが実状であり、上述したように稼動率が極め
て低く、作業者に相当の負担を要していた。
そこで、本発明の目的とするところは、上述した従来
の問題点を解決し、反応管等を装置より取り外すことな
く洗浄を実行でき、しかもウェットエッチングの場合の
ようにその後の純水洗浄および乾燥を必ずしも要せず
に、従来よりも短時間でしかも従来構成の多少の改造を
行なうだけで洗浄を実行することができる反応炉システ
ムの洗浄方法を提供することにある。
の問題点を解決し、反応管等を装置より取り外すことな
く洗浄を実行でき、しかもウェットエッチングの場合の
ようにその後の純水洗浄および乾燥を必ずしも要せず
に、従来よりも短時間でしかも従来構成の多少の改造を
行なうだけで洗浄を実行することができる反応炉システ
ムの洗浄方法を提供することにある。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 請求項１の発明は、処理室とそれに接続されたガス供
給系とを備えた処理装置の洗浄方法において、前記ガス
供給系の途中に接続されるガス配管を流れる三フッ化塩
素ガスを加熱しながら、前記三フッ化塩素ガスを前記処
理室内に供給する工程と、前記三フッ化塩素ガスにより
前記処理室内をドライエッチングして洗浄する工程とを
有することを特徴とする。
給系とを備えた処理装置の洗浄方法において、前記ガス
供給系の途中に接続されるガス配管を流れる三フッ化塩
素ガスを加熱しながら、前記三フッ化塩素ガスを前記処
理室内に供給する工程と、前記三フッ化塩素ガスにより
前記処理室内をドライエッチングして洗浄する工程とを
有することを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１記載の処理装置の洗浄方
法において、前記処理室内に被処理体を搭載しない状態
で処理用治具を搬入する工程と、その後、前記処理室内
に三フッ化塩素（ClF3）ガスを導入して、前記処理室及
び前記処理用治具をドライエッチングして洗浄する工程
とを含むことを特徴とする。
法において、前記処理室内に被処理体を搭載しない状態
で処理用治具を搬入する工程と、その後、前記処理室内
に三フッ化塩素（ClF3）ガスを導入して、前記処理室及
び前記処理用治具をドライエッチングして洗浄する工程
とを含むことを特徴とする。
請求項３の発明は、処理室と、それに接続されたガス
供給系及びガス排気系とを備えた処理装置の洗浄方法に
おいて、前記ガス排気系に直接に三フッ化塩素ガスを供
給する工程と、前記三フッ化塩素ガスにより前記ガス排
気系内をドライエッチングして洗浄する工程とを有する
ことを特徴とする。
供給系及びガス排気系とを備えた処理装置の洗浄方法に
おいて、前記ガス排気系に直接に三フッ化塩素ガスを供
給する工程と、前記三フッ化塩素ガスにより前記ガス排
気系内をドライエッチングして洗浄する工程とを有する
ことを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項３記載の処理装置の洗浄方
法において、前記ガス排気系の途中に接続されるガス配
管を流れる前記三フッ化塩素ガスを加熱しながら、前記
三フッ化塩素ガスを前記ガス排気系に直接に供給するこ
とを特徴とする。
法において、前記ガス排気系の途中に接続されるガス配
管を流れる前記三フッ化塩素ガスを加熱しながら、前記
三フッ化塩素ガスを前記ガス排気系に直接に供給するこ
とを特徴とする。
請求項５の発明は、被処理体を処理する処理室と、前
記処理室内にプロセス時に用いられるガスを導入するガ
ス供給系と、前記処理室よりガスを排気するガス排気系
とを有する処理装置において、三フッ化塩素ガス（Cl
F3）の供給源と、前記ガス供給系と前記供給源とを接続
するガス配管と、前記ガス配管途中に設けられ、前記処
理室及び前記ガス供給系の洗浄時に開放鼓動されるバル
ブと、前記ガス配管を流れる前記三フッ化塩素ガスを加
熱する加熱部とを有することを特徴とする。
記処理室内にプロセス時に用いられるガスを導入するガ
ス供給系と、前記処理室よりガスを排気するガス排気系
とを有する処理装置において、三フッ化塩素ガス（Cl
F3）の供給源と、前記ガス供給系と前記供給源とを接続
するガス配管と、前記ガス配管途中に設けられ、前記処
理室及び前記ガス供給系の洗浄時に開放鼓動されるバル
ブと、前記ガス配管を流れる前記三フッ化塩素ガスを加
熱する加熱部とを有することを特徴とする。
請求項６の発明は、被処理体を処理する処理室と、前
記処理室内にプロセス時に用いられるガスを導入するガ
ス供給系と、前記処理室よりガスを排気するガス排気系
とを有する処理装置において、三フッ化塩素ガス（Cl
F3）の供給源と、前記ガス排気系と前記供給源とを直接
接続するガス配管と、前記ガス配管途中に設けられ、前
記ガス排気系の洗浄時に開放駆動されるバルブとを有す
ることを特徴とする。
記処理室内にプロセス時に用いられるガスを導入するガ
ス供給系と、前記処理室よりガスを排気するガス排気系
とを有する処理装置において、三フッ化塩素ガス（Cl
F3）の供給源と、前記ガス排気系と前記供給源とを直接
接続するガス配管と、前記ガス配管途中に設けられ、前
記ガス排気系の洗浄時に開放駆動されるバルブとを有す
ることを特徴とする。
請求項７の発明は、請求項６に記載の処理装置におい
て、前記ガス配管を流れる前記三フッ化塩素ガスを加熱
する加熱部をさらに設けたことを特徴とする。
て、前記ガス配管を流れる前記三フッ化塩素ガスを加熱
する加熱部をさらに設けたことを特徴とする。
（作用） ClF3は、プラズマレスでしかも低濃度，低温でのドラ
イエッチングが可能であり、例えば従来のクリーニング
ガスとしての三フッ化チッ素ガス（NF3）がプラズマの
元でクリーニングが可能であるのに対し、ClF3がプラズ
マレスでクリーニング可能であることから、プラズマに
よる弊害もなく、またプラズマ発生に必要な電源設備等
も要せずに洗浄を実施できる。
イエッチングが可能であり、例えば従来のクリーニング
ガスとしての三フッ化チッ素ガス（NF3）がプラズマの
元でクリーニングが可能であるのに対し、ClF3がプラズ
マレスでクリーニング可能であることから、プラズマに
よる弊害もなく、またプラズマ発生に必要な電源設備等
も要せずに洗浄を実施できる。
また、ClF3結合は、Ｎ−Ｆ結合に比較して結合エネル
ギーが小さく、他の物質をフッ素化する能力が極めて高
いため、洗浄能力の面でも優れている。
ギーが小さく、他の物質をフッ素化する能力が極めて高
いため、洗浄能力の面でも優れている。
さらに、NF3が化審法（化学物質の審査及び製造等の
規制に関する法律）によってその供給量が規制を受ける
のに対し、本ガスは難分解性を有さ無いため制限がな
く、しかもデバイスに悪影響を与えるC,Sなどの元素を
含まず、また供給圧力も低圧で良いなどの特性を有す
る。
規制に関する法律）によってその供給量が規制を受ける
のに対し、本ガスは難分解性を有さ無いため制限がな
く、しかもデバイスに悪影響を与えるC,Sなどの元素を
含まず、また供給圧力も低圧で良いなどの特性を有す
る。
請求項１及び請求項５の発明によれば、ガス供給系に
接続されたガス配管を流れる三フッ化塩素ガスを加熱す
ることにより、余熱効果によりガス供給系でのエッチン
グ温度が確保されることに加えて、バルブ等の流路断面
積が変化する部分の通過時でも、ガスが液化することを
防止できる。
接続されたガス配管を流れる三フッ化塩素ガスを加熱す
ることにより、余熱効果によりガス供給系でのエッチン
グ温度が確保されることに加えて、バルブ等の流路断面
積が変化する部分の通過時でも、ガスが液化することを
防止できる。
請求項２の発明によれば、処理室の洗浄と併せて、例
えばボート、保温筒等の処理用治具を同時に洗浄するこ
とができる。
えばボート、保温筒等の処理用治具を同時に洗浄するこ
とができる。
請求項３及び請求項６の発明によれば、処理室を経由
させずに直接に三フッ化塩素ガスをガス排気系に供給す
ることで、洗浄作用の高いガスによりガス排気系をドラ
イエッチングして洗浄することができる。
させずに直接に三フッ化塩素ガスをガス排気系に供給す
ることで、洗浄作用の高いガスによりガス排気系をドラ
イエッチングして洗浄することができる。
請求項４及び請求項７の発明によれば、ガス排気系に
接続されたガス配管を流れる三フッ化塩素ガスを加熱す
ることにより余熱効果によりガス排気系でのエッチング
温度が確保されることに加えて、バルブ等の流路断面積
が変化する部分の通過時でも、ガスが液化することを防
止できる。
接続されたガス配管を流れる三フッ化塩素ガスを加熱す
ることにより余熱効果によりガス排気系でのエッチング
温度が確保されることに加えて、バルブ等の流路断面積
が変化する部分の通過時でも、ガスが液化することを防
止できる。
（実施例） 以下、本発明をシリコン気相エピタキシャル成長装置
での実施に適用した一実施例について、図面を参照して
具体的に説明する。
での実施に適用した一実施例について、図面を参照して
具体的に説明する。
この装置は縦型反応炉で、軸方向を垂直軸とするプロ
セスチューブ１を有し、このプロセスチューブ１は、第
２図に示すように、外筒1aと内筒1bとから成り、内筒1b
の周面には多数の孔1cが形成されている。また、この内
筒1bには、プロセスガスの導入管（ノズルともいう）2a
がその下端より上端に向かって挿入支持されており、内
筒1b内にプロセスガス等を導入可能となっている。そし
て、このプロセスガス等の排気としては、前記内筒1bに
形成された孔1cを介して外筒1aに導びき、外筒1aの下端
に接続されているガス導出管2bを介して排気するように
なっている。
セスチューブ１を有し、このプロセスチューブ１は、第
２図に示すように、外筒1aと内筒1bとから成り、内筒1b
の周面には多数の孔1cが形成されている。また、この内
筒1bには、プロセスガスの導入管（ノズルともいう）2a
がその下端より上端に向かって挿入支持されており、内
筒1b内にプロセスガス等を導入可能となっている。そし
て、このプロセスガス等の排気としては、前記内筒1bに
形成された孔1cを介して外筒1aに導びき、外筒1aの下端
に接続されているガス導出管2bを介して排気するように
なっている。
前記プロセスチューブ１の周囲には、加熱装置として
例えば電気抵抗式ヒータ３を配置している。なお、図示
していないが、上記ヒータ３の周囲には断熱材がこれを
包囲するように配置されている。
例えば電気抵抗式ヒータ３を配置している。なお、図示
していないが、上記ヒータ３の周囲には断熱材がこれを
包囲するように配置されている。
前記プロセスチューブ１内には、図示しない半導体ウ
エハを水平状態で、かつ、上下で離間した状態で複数枚
配列支持した石英ボート４を、垂直方向に沿って搬入可
能であり、また、このボート４の下端には、ボート４を
炉芯に位置させるための保温筒５が配置され、この保温
筒５を上下動して前記ボート４をプロセスチューブ１に
対してロード，アンロードするローダ装置６が設けられ
ている。尚、この保温筒５を回転自在に構成することが
でき、温度，ガスの均一性を向上することが可能であ
る。さらに、プロセスチューブ１の下方にあるボート４
をつかんでボート搬送装置に受け渡すためのハンドラー
７が設けられている。
エハを水平状態で、かつ、上下で離間した状態で複数枚
配列支持した石英ボート４を、垂直方向に沿って搬入可
能であり、また、このボート４の下端には、ボート４を
炉芯に位置させるための保温筒５が配置され、この保温
筒５を上下動して前記ボート４をプロセスチューブ１に
対してロード，アンロードするローダ装置６が設けられ
ている。尚、この保温筒５を回転自在に構成することが
でき、温度，ガスの均一性を向上することが可能であ
る。さらに、プロセスチューブ１の下方にあるボート４
をつかんでボート搬送装置に受け渡すためのハンドラー
７が設けられている。
次に、上記プロセスチューブ１へのガス供給系および
ガス排気系について、第３図を参照して説明する。
ガス排気系について、第３図を参照して説明する。
先ず、ガス供給系について説明すると、前記ガス導入
管2aに接続されるガス供給管10は、フィルターＦを介し
て例えば５種類のガスが供給可能となっている。この５
種類のガスとは２種類のプロセスガス（シリコン気相エ
ピタキシャル成長の場合には、例えばSiCl2とH2），洗
浄用ガスとしてのClF3,その希釈用ガスであるArおよび
パージ用の不活性ガスであるN2である。
管2aに接続されるガス供給管10は、フィルターＦを介し
て例えば５種類のガスが供給可能となっている。この５
種類のガスとは２種類のプロセスガス（シリコン気相エ
ピタキシャル成長の場合には、例えばSiCl2とH2），洗
浄用ガスとしてのClF3,その希釈用ガスであるArおよび
パージ用の不活性ガスであるN2である。
N2ガス以外のガス供給系は同様の構成を有し、マスフ
ローコントローラ（質量流量計）MFC,バルブV,圧力計P
G,フィルターF,ボールバルブBVがそれぞれ配置されてい
る。
ローコントローラ（質量流量計）MFC,バルブV,圧力計P
G,フィルターF,ボールバルブBVがそれぞれ配置されてい
る。
一方、N2ガスの供給系は、バルブV,フローメータFM,
圧力スイッチP.SW,レギューレータRG,フィルターF,ボー
ルバルブBVがそれぞれ配置されている。なお、このN2ガ
スは、逆止弁CVを介して前記４種類のガス供給系にも供
給可能となっている。
圧力スイッチP.SW,レギューレータRG,フィルターF,ボー
ルバルブBVがそれぞれ配置されている。なお、このN2ガ
スは、逆止弁CVを介して前記４種類のガス供給系にも供
給可能となっている。
なお、このようなガス供給系が従来構成と異なる点
は、洗浄用ガスClF3およびその希釈用ガスであるArのガ
ス供給系を設けたことである。
は、洗浄用ガスClF3およびその希釈用ガスであるArのガ
ス供給系を設けたことである。
ここで、希釈用ガスを必要とする理由は、ClF3を100
％とするとエッチングレートが高すぎ、洗浄のコントロ
ールが不能となるためである。なお、希釈用ガスとして
は不活性ガスであればよく、その希釈率としては、除去
すべき反応生成物の種類およびその膜厚によって適宜選
択する必要があり、通常は５％〜25％程度な希釈率とし
て使用する。
％とするとエッチングレートが高すぎ、洗浄のコントロ
ールが不能となるためである。なお、希釈用ガスとして
は不活性ガスであればよく、その希釈率としては、除去
すべき反応生成物の種類およびその膜厚によって適宜選
択する必要があり、通常は５％〜25％程度な希釈率とし
て使用する。
また、上記洗浄用ガスであるClF3のガス供給系の特有
の構成として、この供給系には加熱手段の一例としての
テープヒータT.Hが配置されている。このように、洗浄
ガス供給系を加熱する理由は、特にClF3の場合にはマス
フローコントローラMFCやバルブＶ等の流路の断面積変
化のあるような場所を通過する際には、断熱膨脹時にCl
F3が相変化（気相→液相）を起こし、このためマスフロ
ーコントローラMFC内部でClF3が液化し、流量コントロ
ールが不能となるからである。
の構成として、この供給系には加熱手段の一例としての
テープヒータT.Hが配置されている。このように、洗浄
ガス供給系を加熱する理由は、特にClF3の場合にはマス
フローコントローラMFCやバルブＶ等の流路の断面積変
化のあるような場所を通過する際には、断熱膨脹時にCl
F3が相変化（気相→液相）を起こし、このためマスフロ
ーコントローラMFC内部でClF3が液化し、流量コントロ
ールが不能となるからである。
次に、ガス排気系について説明する。
このガス排気系は、前記ガス導出管2bを例えばステン
レス管で構成し、このガス導出管2bに下記の各種部材を
接続している。
レス管で構成し、このガス導出管2bに下記の各種部材を
接続している。
真空計VG,真空スイッチV.SWは、プロセスチューブ１
の内圧が真空状態から常圧（大気圧）に復帰したか否か
を検知確認するためのものである。
の内圧が真空状態から常圧（大気圧）に復帰したか否か
を検知確認するためのものである。
トラップTRAPは、コールドトラップおよびメッシュで
構成され、反応生成物をトラップするためのものであ
る。
構成され、反応生成物をトラップするためのものであ
る。
メインバルブMVとサブバルブSVは、排気の初期におい
てはMVを閉,SVを開として、コンダクタンスの小さい排
気配管から排気し、ある圧力（例えば5Torr）となった
ことを真空計VGで確認した後、SVを閉,MVを開（あるい
はSV,MV共に開でも良い）し、所定に排気速度にアップ
し、排気を続ける（いわゆるソフトスタートと称する排
気操作）ために設けている。このような排気を実行する
理由としては、プロセスチューブ１内に収容されている
ウエハ等（ボート，ノズル等の石英治具類も含む）が、
急速な気体の移動によって、セットされた位置がずれ
る、ゴミ等が舞上がって付着し、コンタミネーション
の原因となる、気流の攪乱にさらされる、等の問題が
あり、これらからウエハ等を守るためである。
てはMVを閉,SVを開として、コンダクタンスの小さい排
気配管から排気し、ある圧力（例えば5Torr）となった
ことを真空計VGで確認した後、SVを閉,MVを開（あるい
はSV,MV共に開でも良い）し、所定に排気速度にアップ
し、排気を続ける（いわゆるソフトスタートと称する排
気操作）ために設けている。このような排気を実行する
理由としては、プロセスチューブ１内に収容されている
ウエハ等（ボート，ノズル等の石英治具類も含む）が、
急速な気体の移動によって、セットされた位置がずれ
る、ゴミ等が舞上がって付着し、コンタミネーション
の原因となる、気流の攪乱にさらされる、等の問題が
あり、これらからウエハ等を守るためである。
オートプレッシャーコントローラAPCは、プロセスチ
ューブ１内の減圧調整として、モータＭの駆動によって
バタフライ弁の開度を調整してコントロールするもので
ある。
ューブ１内の減圧調整として、モータＭの駆動によって
バタフライ弁の開度を調整してコントロールするもので
ある。
メカニカルブースターポンプM.B.Pは、後段のロータ
リーポンプR.Pの排気能力を補助するためのものであ
り、ロータリーポンプR.Pは、油の浄化機であるオイル
フィルトレーションシステムO.Fから供給されるオイル
に満たされた内部でロータを回転することで排気を司ど
るものである。なお、このオイルとしては、完全フッ素
系油が好ましく、化学的に安定で不活性な油として、例
えばフォンブリン油（モンテフルオス社；商品名）を使
用している。これは、従来使用されている鉱物油では、
ClF3によって溶解され、その寿命が短くなるからであ
る。
リーポンプR.Pの排気能力を補助するためのものであ
り、ロータリーポンプR.Pは、油の浄化機であるオイル
フィルトレーションシステムO.Fから供給されるオイル
に満たされた内部でロータを回転することで排気を司ど
るものである。なお、このオイルとしては、完全フッ素
系油が好ましく、化学的に安定で不活性な油として、例
えばフォンブリン油（モンテフルオス社；商品名）を使
用している。これは、従来使用されている鉱物油では、
ClF3によって溶解され、その寿命が短くなるからであ
る。
また、前記M.B.Pの排気経路前段側およびR.Pの排気経
路後段側で、N2パージを行なう構成としている。
路後段側で、N2パージを行なう構成としている。
すなわち、M.B.Pの前段側には、ボールバルブBV,レギ
ュレータRG,圧力スイッチP.SW,フローメータFM,ニード
ルバルブNV,バルブＶを介して、N2ガスが導入され、前
記R.Pの後段側には、前記圧力スイッチP.SWよの後段よ
りフローメータFMを介してN2ガスを導入可能となってい
る。
ュレータRG,圧力スイッチP.SW,フローメータFM,ニード
ルバルブNV,バルブＶを介して、N2ガスが導入され、前
記R.Pの後段側には、前記圧力スイッチP.SWよの後段よ
りフローメータFMを介してN2ガスを導入可能となってい
る。
M.B.P前段側よりパージする理由は、M.B.P.R.Pからの
オイルの逆拡散を防止することであり、R.Pの後段側を
パージする理由は、ポンプを通過したガスに対する希釈
が目的であり、後段のガス除外装置での処理をしやすく
している。
オイルの逆拡散を防止することであり、R.Pの後段側を
パージする理由は、ポンプを通過したガスに対する希釈
が目的であり、後段のガス除外装置での処理をしやすく
している。
ここで、本発明の洗浄方法を好適に実施するために
は、上記のN2パージに換えて、洗浄時には上記ClF3と希
釈ガスArを使用することが望ましく、本実施例ではこれ
を実施可能に構成している。すなわち、洗浄ガスClF3と
Arガスとを排気系に直接供給するために、トラップTRAP
の前段側とメカニカルブースターポンプMBPの前段側
に、両ガスの供給系を接続し、ClF3の供給系にはテープ
ヒータT.Hを配置している。
は、上記のN2パージに換えて、洗浄時には上記ClF3と希
釈ガスArを使用することが望ましく、本実施例ではこれ
を実施可能に構成している。すなわち、洗浄ガスClF3と
Arガスとを排気系に直接供給するために、トラップTRAP
の前段側とメカニカルブースターポンプMBPの前段側
に、両ガスの供給系を接続し、ClF3の供給系にはテープ
ヒータT.Hを配置している。
なお、上記ガス供給系およびガス排気系に使用される
シール材としては、従来使用されているフッ素系ゴムで
あるバイトン（デュポン社；商品名）に代えて、優れた
耐薬品性および耐熱性を有するカルレッツ（デュポン
社；商品名）を使用することが好ましい。
シール材としては、従来使用されているフッ素系ゴムで
あるバイトン（デュポン社；商品名）に代えて、優れた
耐薬品性および耐熱性を有するカルレッツ（デュポン
社；商品名）を使用することが好ましい。
次に、上記実施例装置での洗浄方法について説明す
る。
る。
シリコン気相エピタキシャル成長プロセスは、第４図
に示すオペレーションタイム（Ｔ）に実行される各種プ
ロセスより実施され、このプロセスについては公知であ
るので詳述しないが、本発明の洗浄方法は、このプロセ
スが終了後、例えば200℃〜500℃程度に降温された後に
ドライエッチングタイム（Ｄ）として実行される。な
お、このような洗浄の仕方としては、下記の２通りの方
法が考えられる。
に示すオペレーションタイム（Ｔ）に実行される各種プ
ロセスより実施され、このプロセスについては公知であ
るので詳述しないが、本発明の洗浄方法は、このプロセ
スが終了後、例えば200℃〜500℃程度に降温された後に
ドライエッチングタイム（Ｄ）として実行される。な
お、このような洗浄の仕方としては、下記の２通りの方
法が考えられる。
（１）［Ｔ＋Ｄ］を一つのパターンとしてとらえ、これ
を繰り返す方法で、一つのプロセスで石英ボート，プロ
セスチューブ等に付着した膜を１デポジション毎にエッ
チングして洗浄するものである。
を繰り返す方法で、一つのプロセスで石英ボート，プロ
セスチューブ等に付着した膜を１デポジション毎にエッ
チングして洗浄するものである。
（２） を一つのパターンとしてとらえ、これを繰り返すもの
で、ｎ回のデポジションで付着した膜を、一回のドライ
エッチングタイム（Ｄ）でエッチングして初期状態に戻
す方法である。
で、ｎ回のデポジションで付着した膜を、一回のドライ
エッチングタイム（Ｄ）でエッチングして初期状態に戻
す方法である。
なお、（１），（２）のいづれでも、石英ボート4,プ
ロセスチューブ1,保温筒５等の石英治具類に付着する膜
がプロセスに悪影響を及ぼさない範囲のうちにドライエ
ッチング工程を実施する必要がある。
ロセスチューブ1,保温筒５等の石英治具類に付着する膜
がプロセスに悪影響を及ぼさない範囲のうちにドライエ
ッチング工程を実施する必要がある。
そして、このような洗浄を実施する場合には、ウエハ
を搭載しない状態のボート４をプロセスチューブ１内に
搬入し、プロセスチューブ１のほか、石英ボート4,保温
筒５等も一緒に洗浄することができる。また、本実施例
の場合、洗浄ガスを通常のガス供給系を用いてプロセス
チューブ１内に導入し、ガス排気系を介して排出してい
るので、このガス供給系特にノズル2a及びガス排出系を
も同時に洗浄することができる。特に、ノズル2aについ
ては、従来のように弗硝酸によるウェットエッチングに
よると、ガス噴出口の大きさが洗浄回数を重ねる毎に大
きくなり、ガス噴出量やフローパターン等が変わってく
るおそれがあり、従来は所定の寿命毎に交換を要してい
たが、本発明によればそのような弊害はなく、ノズル2a
の洗浄を装置に備えつたけまま実行でき、しかもその寿
命を長くすることができる。
を搭載しない状態のボート４をプロセスチューブ１内に
搬入し、プロセスチューブ１のほか、石英ボート4,保温
筒５等も一緒に洗浄することができる。また、本実施例
の場合、洗浄ガスを通常のガス供給系を用いてプロセス
チューブ１内に導入し、ガス排気系を介して排出してい
るので、このガス供給系特にノズル2a及びガス排出系を
も同時に洗浄することができる。特に、ノズル2aについ
ては、従来のように弗硝酸によるウェットエッチングに
よると、ガス噴出口の大きさが洗浄回数を重ねる毎に大
きくなり、ガス噴出量やフローパターン等が変わってく
るおそれがあり、従来は所定の寿命毎に交換を要してい
たが、本発明によればそのような弊害はなく、ノズル2a
の洗浄を装置に備えつたけまま実行でき、しかもその寿
命を長くすることができる。
ここで、洗浄を行なう場合には、下記の２通りの方法
があり、その一つは洗浄ガスの供給と同時に排気を行な
うスルー方式（連続排気方式）であり、他の一つはプロ
セスチューブ１内に洗浄ガスを充満させてドライエッチ
ングを実行し、その後に排気を行なう方式である。
があり、その一つは洗浄ガスの供給と同時に排気を行な
うスルー方式（連続排気方式）であり、他の一つはプロ
セスチューブ１内に洗浄ガスを充満させてドライエッチ
ングを実行し、その後に排気を行なう方式である。
スルー方式でない方式を例にとり説明すると、先ず、
エッチングすべき石英ボート４等をプロセスチューブ１
内にロードした状態とし、供給側のバルブＶを閉とし、
ガス導出管2bに接続されているロータリポンプR.P,メカ
ニカルブースタポンプM.B.Pを駆動してプロセスチュー
ブ１内を１〜10Torr程度の圧力とする。この後、排出側
バルブを閉とし、供給側バルブを開として、（ClF3＋A
r）の混合ガスをプロセスチューブ１内に導入する。そ
して、供給圧力と同圧力となるまでバルブを開のままと
し、ガス流入が跡絶えたときにバルブを閉とする。その
後、ヒータ３の昇温によって200℃〜500℃としてエッチ
ングを開始する。エッチング終了後は、排出側バルブを
開とし、ポンプ駆動によって排気し、その後、ガス置換
を行なうために、真空引きとN2パージとを２回程度繰り
返すことで洗浄工程が終了することになる。
エッチングすべき石英ボート４等をプロセスチューブ１
内にロードした状態とし、供給側のバルブＶを閉とし、
ガス導出管2bに接続されているロータリポンプR.P,メカ
ニカルブースタポンプM.B.Pを駆動してプロセスチュー
ブ１内を１〜10Torr程度の圧力とする。この後、排出側
バルブを閉とし、供給側バルブを開として、（ClF3＋A
r）の混合ガスをプロセスチューブ１内に導入する。そ
して、供給圧力と同圧力となるまでバルブを開のままと
し、ガス流入が跡絶えたときにバルブを閉とする。その
後、ヒータ３の昇温によって200℃〜500℃としてエッチ
ングを開始する。エッチング終了後は、排出側バルブを
開とし、ポンプ駆動によって排気し、その後、ガス置換
を行なうために、真空引きとN2パージとを２回程度繰り
返すことで洗浄工程が終了することになる。
なお、このうよな洗浄は、上記シリコン気相エピタキ
シャル成長装置の反応炉にのみ適用されるものではな
く、第５図，第６図に示すように、CVDプロセス，酸化
プロセスにも同様に適用することができる。
シャル成長装置の反応炉にのみ適用されるものではな
く、第５図，第６図に示すように、CVDプロセス，酸化
プロセスにも同様に適用することができる。
ここで、この洗浄ガスを用いた洗浄では、そのエッチ
ングレートがエッチング温度とClF3の濃度とにより定ま
るので、予めシーケンスを組み込んだプロセスコントロ
ーラにて、プロセスの種別毎に洗浄条件を事前に設定し
ておき、このようにしてIN−LINEで洗浄工程を実施する
ことが好ましい。
ングレートがエッチング温度とClF3の濃度とにより定ま
るので、予めシーケンスを組み込んだプロセスコントロ
ーラにて、プロセスの種別毎に洗浄条件を事前に設定し
ておき、このようにしてIN−LINEで洗浄工程を実施する
ことが好ましい。
特に、用いる装置，プロセス（どのような膜をどの程
度エッチングするか）により上記温度，濃度を設定する
必要があり、したがって、そのような特性を見極めた上
で実施する必要がある。また、プロセスチューブ１のど
の位置にエッチングすべき膜がどの程度の厚さで形成さ
れているかによっても条件が異なり、必要に応じて、プ
ロセスチューブ１内に導入すべき洗浄ガスのノズルの形
状と位置とを変えて実施することが好ましい。
度エッチングするか）により上記温度，濃度を設定する
必要があり、したがって、そのような特性を見極めた上
で実施する必要がある。また、プロセスチューブ１のど
の位置にエッチングすべき膜がどの程度の厚さで形成さ
れているかによっても条件が異なり、必要に応じて、プ
ロセスチューブ１内に導入すべき洗浄ガスのノズルの形
状と位置とを変えて実施することが好ましい。
ここで、上記エッチングレートに関する実験例につい
て説明する。
て説明する。
この実験は、ウエハ上に下記の２種類の膜を形成して
おき、このウエハを垂直状態に立てて支持し、かつ、20
mm間隔で配列した容器内に洗浄ガスをスルー方式によっ
て供給して行なった。
おき、このウエハを垂直状態に立てて支持し、かつ、20
mm間隔で配列した容器内に洗浄ガスをスルー方式によっ
て供給して行なった。
＜実験例１＞ シリコンSi基板上にSiO2膜、さらにその上にPoly−Si
膜を形成したウエハを、下記の条件にて洗浄した。すな
わち、処理温度18℃，処理圧力10Torr,ClF3;0.4/min,
Ar;1.6/min,希釈度25％，エッチング時間120秒の条件
下での結果は下記の通りである。
膜を形成したウエハを、下記の条件にて洗浄した。すな
わち、処理温度18℃，処理圧力10Torr,ClF3;0.4/min,
Ar;1.6/min,希釈度25％，エッチング時間120秒の条件
下での結果は下記の通りである。
上記のように、Poly−Si膜と下地SiO2膜との間で、Cl
F3のガスに対して、Poly−SiO2膜のエッチング速度が大
きく、十分に選択比が得られることが判った。なお、エ
ッチング速度は、20Å/sec以上と推定される。
F3のガスに対して、Poly−SiO2膜のエッチング速度が大
きく、十分に選択比が得られることが判った。なお、エ
ッチング速度は、20Å/sec以上と推定される。
＜実験例２＞ Si基板上にSiN膜を形成したウエハを、下記の条件で
洗浄した。すなわち、処理温度150℃，処理圧力10Torr,
ClF3;0.4/min,Ar;1.6/min,希釈度25％，エッチング
時間15分で実験した結果は下記の通りである。
洗浄した。すなわち、処理温度150℃，処理圧力10Torr,
ClF3;0.4/min,Ar;1.6/min,希釈度25％，エッチング
時間15分で実験した結果は下記の通りである。
上記の測定点はウエハ中心であり、その端部はエッチ
ング済みとなっていたが、中央部のエッチングは不良で
あった。これは、ウエハの設定方法が良好でなく、ガス
がウエハ上に均一に供給されずに端部のみエッチングさ
れたものと思われ、設定等を適宜変えれば良好な結果が
得られると思われる。なお、エッチング速度は、Max8.6
Å/minと推定される。
ング済みとなっていたが、中央部のエッチングは不良で
あった。これは、ウエハの設定方法が良好でなく、ガス
がウエハ上に均一に供給されずに端部のみエッチングさ
れたものと思われ、設定等を適宜変えれば良好な結果が
得られると思われる。なお、エッチング速度は、Max8.6
Å/minと推定される。
このように、この洗浄ガスを用いれば、多結晶シリコ
ン，シリコン窒化膜等のドライエッチングによる洗浄が
確実に実施できることが確認できたが、この洗浄ガス
は、上記反応生成物だけでなく、濃度，温度条件によっ
て各種反応生成物の洗浄に適用可能である。
ン，シリコン窒化膜等のドライエッチングによる洗浄が
確実に実施できることが確認できたが、この洗浄ガス
は、上記反応生成物だけでなく、濃度，温度条件によっ
て各種反応生成物の洗浄に適用可能である。
さらに、上記実施例のように排気系に洗浄ガスを通す
ことによって、この排気系をも洗浄することが出来る。
ことによって、この排気系をも洗浄することが出来る。
ここで、排気系の現状について説明すると、現状では
メカニカルブースターポンプM.B.Pとロータリーポンプ
R.Pの組み合わせによって使用されているが、プロセス
を維持していく上で非常に問題が多い部分となってい
る。
メカニカルブースターポンプM.B.Pとロータリーポンプ
R.Pの組み合わせによって使用されているが、プロセス
を維持していく上で非常に問題が多い部分となってい
る。
特に、反応生成物がロータリーポンプの潤滑油に混入
し、排気性能が悪化し、また、ロータリーポンプの潤滑
油から油の逆拡散が生じ、ウエハの膜質の悪化につなが
る等の問題がある。
し、排気性能が悪化し、また、ロータリーポンプの潤滑
油から油の逆拡散が生じ、ウエハの膜質の悪化につなが
る等の問題がある。
以下、低圧CVDでの各種プロセスの問題点について説
明すると、 （ａ）ポリシリコン（多結晶Si） 供給ガスであるシランSiH4は、大気の侵入による燃焼
によってSiO2を発生し、これがポンプ内又は配管等の詰
りを発生させる。
明すると、 （ａ）ポリシリコン（多結晶Si） 供給ガスであるシランSiH4は、大気の侵入による燃焼
によってSiO2を発生し、これがポンプ内又は配管等の詰
りを発生させる。
（ｂ）シリコン窒化膜（SiN） 反応副生成物として塩化アンモニウムを発生し、これ
が配管やポンプの冷たい壁面に付着する性質があり、ひ
どい場合にはロータとケースの間に挟まれてポンプを停
止させることがある。
が配管やポンプの冷たい壁面に付着する性質があり、ひ
どい場合にはロータとケースの間に挟まれてポンプを停
止させることがある。
（ｃ）酸化膜（SiO2） ポリシリコンと同様な問題の他に、LTO（Low Tempera
ture Oxidization）の場合にはパーティクルの発生が多
く、未反応ガスと共に流入する。
ture Oxidization）の場合にはパーティクルの発生が多
く、未反応ガスと共に流入する。
（ｄ）シリコンエピタキシャル 多量にH2を使用するので、ポンプには未反応のH2とHC
lの混合ガスが多く流入し、大気の流入があると塩素と
化合して腐蝕性生成物をつくる。
lの混合ガスが多く流入し、大気の流入があると塩素と
化合して腐蝕性生成物をつくる。
このように各種プロセスによって排気系に生成物が排
出され、排気管の目詰まり等の弊害を引き起こしてい
る。そこで、本発明に使用される洗浄ガスを、この排気
系にも通すことで、ドライエッチングによる洗浄が可能
とな る。
出され、排気管の目詰まり等の弊害を引き起こしてい
る。そこで、本発明に使用される洗浄ガスを、この排気
系にも通すことで、ドライエッチングによる洗浄が可能
とな る。
なお、ロータリーポンプR.Pでの油の逆拡散を防止す
るため、従来はN2ガスを使用してパージしているが、洗
浄時には前記洗浄ガスを希釈ガスで適当に希釈させて使
用することが好ましい。
るため、従来はN2ガスを使用してパージしているが、洗
浄時には前記洗浄ガスを希釈ガスで適当に希釈させて使
用することが好ましい。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であ
る。
く、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能であ
る。
本発明が適用される反応炉としては、上記実施例のよ
うな二重管方式のプロセスチューブでなく、単一のプロ
セスチューブを使用したもの、あるいは横型炉（拡散,C
VD等を問わず）、バレル型等各種の反応炉の洗浄に適用
可能である。
うな二重管方式のプロセスチューブでなく、単一のプロ
セスチューブを使用したもの、あるいは横型炉（拡散,C
VD等を問わず）、バレル型等各種の反応炉の洗浄に適用
可能である。
また、反応炉の洗浄にあたって、備え付けのガス供給
系，ガス排気系を使用するものであれば、ノズル，ガス
排気管等の洗浄も併せて実行できる点で好ましいが、例
えばノズル等は洗浄すべき膜形成位置，その厚さによっ
て洗浄専用ノズルを使用することもできる。
系，ガス排気系を使用するものであれば、ノズル，ガス
排気管等の洗浄も併せて実行できる点で好ましいが、例
えばノズル等は洗浄すべき膜形成位置，その厚さによっ
て洗浄専用ノズルを使用することもできる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によればCiF3ガスの導入
によってプラズマレスで反応管をドライエッチングして
洗浄することができるので、プロセスチューブを取り付
けたままで洗浄を実施することができ、従来洗浄に要し
ていた時間と労力の問題を解決し、稼動率を大幅に高め
ることができる。
によってプラズマレスで反応管をドライエッチングして
洗浄することができるので、プロセスチューブを取り付
けたままで洗浄を実施することができ、従来洗浄に要し
ていた時間と労力の問題を解決し、稼動率を大幅に高め
ることができる。
第１図は、本発明方法を実施するための反応炉の一実施
例であるシリコンエピタキシャル成長装置の概略説明
図、 第２図は、プロセスチューブの詳細を説明するための概
略説明図、 第３図は、第１図のプロセスチューブに接続されるガス
供給系及びガス排気系を説明するための概略説明図、 第４図乃至第６図は、それぞれプロセス毎のオペレーシ
ョンタイムとドライエッチングタイムを説明するための
概略説明図である。 １……プロセスチューブ、 2a……ノズル、2b……ガス導出管、 10……ガス供給管。
例であるシリコンエピタキシャル成長装置の概略説明
図、 第２図は、プロセスチューブの詳細を説明するための概
略説明図、 第３図は、第１図のプロセスチューブに接続されるガス
供給系及びガス排気系を説明するための概略説明図、 第４図乃至第６図は、それぞれプロセス毎のオペレーシ
ョンタイムとドライエッチングタイムを説明するための
概略説明図である。 １……プロセスチューブ、 2a……ノズル、2b……ガス導出管、 10……ガス供給管。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ
Claims (7)
- 【請求項１】処理室とそれに接続されたガス供給系とを
備えた処理装置の洗浄方法において、 前記ガス供給系の途中に接続されるガス配管を流れる三
フッ化塩素ガスを加熱しながら、前記三フッ化塩素ガス
を前記処理室内に供給する工程と、 前記三フッ化塩素ガスにより前記処理室内をドライエッ
チングして洗浄する工程と、 を有することを特徴とする処理装置の洗浄方法。 - 【請求項２】請求項１において、 前記処理室内に、被処理体を搭載しない状態で処理用治
具を搬入する工程と、 その後、前記処理室内に三フッ化塩素（ClF3）ガスを導
入して、前記処理室及び前記処理用治具をドライエッチ
ングして洗浄する工程と、 を含むことを特徴とする処理装置の洗浄方法。 - 【請求項３】処理室と、それに接続されたガス供給系及
びガス排気系とを備えた処理装置の洗浄方法において、 前記ガス排気系に直接に三フッ化塩素ガスを供給する工
程と、 前記三フッ化塩素ガスにより前記ガス排気系内をドライ
エッチングして洗浄する工程と、 を有することを特徴とする処理装置の洗浄方法。 - 【請求項４】請求項３において、 前記ガス排気系の途中に接続されるガス配管を流れる前
記三フッ化塩素ガスを加熱しながら、前記三フッ化塩素
ガスを前記ガスを排気系に直接に供給することを特徴と
する処理装置の洗浄方法。 - 【請求項５】被処理体を処理する処理室と、 前記処理室内にプロセス時に用いられるガスを導入する
ガス供給系と、 前記処理室よりガスを排気するガス排気系と、 を有する処理装置において、 三フッ化塩素ガス（ClF3）の供給源と、 前記ガス供給系と前記供給源とを接続するガス配管と、 前記ガス配管途中に設けられ、前記処理室及び前記ガス
供給系の洗浄時に開放駆動されるバルブと、 前記ガス配管を流れる前記三フッ化塩素ガスを加熱する
加熱部と、 を有することを特徴とする処理装置。 - 【請求項６】被処理体を処理する処理室と、 前記処理室内にプロセス時に用いられるガスを導入する
ガス供給系と、 前記処理室よりガスを排気するガス排気系と、 を有する処理装置において、 三フッ化塩素ガス（ClF3）の供給源と、 前記ガス排気系と前記供給源とを直接接続するガス配管
と、 前記ガス配管途中に設けられ、前記ガス排気系の洗浄時
に開放駆動されるバルブと、 を有することを特徴とする処理装置。 - 【請求項７】請求項６に記載の処理装置において、 前記ガス配管を流れる前記三フッ化塩素ガスを加熱する
加熱部をさらに設けたことを特徴とする処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058795A JP2773078B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 処理装置及びその洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058795A JP2773078B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 処理装置及びその洗浄方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9300428A Division JP2912306B2 (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 処理装置の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01231936A JPH01231936A (ja) | 1989-09-18 |
| JP2773078B2 true JP2773078B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=13094514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63058795A Expired - Fee Related JP2773078B2 (ja) | 1988-03-11 | 1988-03-11 | 処理装置及びその洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773078B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8211802B2 (en) | 2002-03-28 | 2012-07-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2549747B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1996-10-30 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン製ウエハ支持ボート |
| JPH04181734A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Central Glass Co Ltd | ＣＶＤＳｉＯ↓２のクリーニング方法 |
| JPH04280987A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-06 | Central Glass Co Ltd | クリーニング装置 |
| KR950001953A (ko) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | 이노우에 아키라 | 웨이퍼의 열처리방법 |
| US5647945A (en) * | 1993-08-25 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
| JP3050354B2 (ja) * | 1993-09-20 | 2000-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
| JP3563565B2 (ja) * | 1997-06-09 | 2004-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 排気装置および排気方法 |
| JPH11345778A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置のクリーニング方法及びそのクリーニング機構 |
| JP5190214B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2013-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | ターボ分子ポンプ、基板処理装置、及びターボ分子ポンプの堆積物付着抑制方法 |
| JP5194036B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2013-05-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体デバイスの製造方法およびクリーニング方法 |
| JP5194047B2 (ja) * | 2010-04-14 | 2013-05-08 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体デバイスの製造方法およびクリーニング方法 |
| CN114737255B (zh) * | 2021-01-07 | 2023-06-16 | 中国科学院微电子研究所 | 一种扩散炉氮化工艺的残留物清除方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0645455B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1994-06-15 | 岩谷産業株式会社 | ホウ素又はその化合物の化学的クリーニング方法 |
| JPH01152274A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法 |
-
1988
- 1988-03-11 JP JP63058795A patent/JP2773078B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8211802B2 (en) | 2002-03-28 | 2012-07-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
| US8366868B2 (en) | 2002-03-28 | 2013-02-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01231936A (ja) | 1989-09-18 |
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