KR20230091979A - 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치 및 반도체 열처리 디바이스 - Google Patents

반도체 열처리 디바이스의 운반 장치 및 반도체 열처리 디바이스 Download PDF

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쯔지아 한
징 야오
수아이 양
스추안 이엔
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베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.
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Abstract

본 발명은 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치 및 반도체 열처리 디바이스를 제공한다. 상기 운반 장치는 운반 본체를 포함한다. 상기 운반 장치는 웨이퍼를 운반하기 위한 복수의 운반 위치를 포함하고, 복수의 운반 위치는 운반 본체의 축방향을 따라 이격 배치된다. 또한 온도 검출 장치를 더 포함하며, 온도 검출 장치는 지지 부재 및 복수의 온도 검출 어셈블리를 포함한다. 여기에서, 지지 부재는 운반 본체와 연결되며, 운반 본체의 운반 위치의 에지 외측에 위치한다. 복수의 온도 검출 어셈블리는 모두 지지 부재 상에 설치되고, 운반 본체의 축방향을 따라 이격 배치된다. 각각의 온도 검출 어셈블리는 모두 운반 위치의 에지 내측까지 연장되는 온도 검출단을 구비하며, 상기 온도 검출단에 대응하는 구획 영역의 온도를 검출하는 데 사용된다. 본 발명에서 제공하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치 및 반도체 열처리 디바이스는 웨이퍼 온도 검출에 대한 정확성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 열처리 디바이스의 운반 장치 및 반도체 열처리 디바이스
본 발명은 반도체 디바이스 기술 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치 및 반도체 열처리 디바이스에 관한 것이다.
반도체 열처리 디바이스에 있어서, 공정 챔버 내의 온도 균일성은 공정 챔버 내에 이격 배치된 복수의 웨이퍼의 수율에 중요한 영향을 미친다. 따라서 각 웨이퍼의 온도를 어떻게 정확하게 검출하느냐는 반도체 공정에 있어서 매우 중요하다.
도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 수직로 디바이스는 로딩 및 언로딩 챔버(11) 및 상기 로딩 및 언로딩 챔버(11) 상방에 위치한 공정 챔버(12)를 포함한다. 여기에서, 공정 챔버(12) 내에는 석영관(121)이 설치된다. 복수의 웨이퍼를 운반하는 데 사용되는 웨이퍼 보트(13)는 승강 가능한 것이다. 이는 웨이퍼를 로딩 및 언로딩할 때 로딩 및 언로딩 챔버(11)까지 하강할 수 있고, 공정 수행 시 웨이퍼를 석영관(121)까지 상승시킬 수 있다. 웨이퍼 보트(13)는 복수의 웨이퍼를 운반할 수 있으며, 복수의 웨이퍼는 수직 방향으로 웨이퍼 보트(13)에 이격 거치된다. 석영관(121) 내에는 온도 검출 장치(14)가 장착된다. 석영관(121) 내부는 수직 방향 상에서 복수의 온도 검출 영역으로 나뉜다. 온도 검출 장치(14) 상에서 각각의 온도 검출 영역에 대응하도록 온도 검출 열전대가 설치된다. 각각의 온도 검출 열전대는 각 온도 검출 영역의 온도를 일일이 대응하도록 검출하는 데 사용된다. 웨이퍼 보트(13)의 승강에 대한 온도 검출 장치(14)의 간섭을 방지하기 위하여, 온도 검출 장치(14)는 석영관(121) 내에서 웨이퍼 보트(13) 외측에 위치한 에지 위치에만 장착할 수 있다. 이는 온도 검출 장치(14)를 웨이퍼로부터 비교적 멀어지게 하여, 온도 검출 장치(14)에 의해 검출된 온도와 웨이퍼의 실제 온도 사이에 비교적 큰 오차를 초래한다. 이러한 이유로, 반도체 수직로 디바이스가 정식으로 사용되기 전에, 온도를 검출할 수 있고 형태가 웨이퍼와 유사한 웨이퍼 열전대(TC Wafer)를 웨이퍼 보트(13)에 거치하고, 반도체 공정을 시뮬레이션해야 한다. 또한 웨이퍼 열전대에 의해 검출된 온도를 웨이퍼 실제 온도로 간주하고, 온도 검출 장치(14)에 의해 검출된 온도와 비교하여, 온도 검출 장치(14)에 의해 검출된 온도와 웨이퍼의 실제 온도 사이의 오차를 획득한다. 반도체 수직로 디바이스가 정식으로 사용된 후, 획득된 오차를 통해 온도 검출 장치(14)에 의해 검출된 온도를 보상하여, 웨이퍼의 실제 온도를 획득한다.
그러나 상기 온도 검출 방식은 온도 검출 장치(14)와 웨이퍼 열전대를 함께 사용해야 하므로 비용이 비교적 높다. 또한 획득된 오차 샘플이 비교적 적고 정확성이 비교적 낮아 참고적 의미만 있다. 온도 검출 장치(14)에 의해 검출된 온도를 정확하게 보상할 수 없어, 웨이퍼의 수율이 비교적 낮다. 또한 석영관(121)은 장시간 사용하면 그 내부 환경에 변화가 발생할 수 있다. 예를 들어 여러 번 증착 공정을 거칠 경우, 석영관(121)의 내벽에 공정 부산물이 증착될 수 있다. 석영관(121) 내부 환경의 변화는 오차 발생에도 영향을 미칠 수 있다. 이때 반도체 수직로 디바이스의 생산을 중단하여 교정시키고 다시 오차를 추산해야 하므로 반도체 수직로 디바이스의 사용율이 낮다.
본 발명의 목적은 종래 기술에 존재하는 기술적 과제 중 하나를 적어도 해결하기 위하여, 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치 및 반도체 열처리 디바이스를 제공하는 데에 있다. 이는 웨이퍼 온도 검출의 정확성을 향상시킬 수 있으므로, 다른 온도 검출 요소와 함께 사용할 필요가 없다. 이는 웨이퍼의 수율을 향상시키고, 비용을 낮추며, 반도체 열처리 디바이스의 사용률을 높일 수 있다.
본 발명의 목적을 달성하기 위해 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치를 제공한다. 여기에는 운반 본체가 포함된다. 상기 운반 장치는 웨이퍼를 운반하기 위한 복수의 운반 위치를 포함한다. 복수의 상기 운반 위치는 상기 운반 본체의 축방향을 따라 이격 배치된다. 또한 온도 검출 장치가 더 포함된다. 상기 온도 검출 장치는 지지 부재 및 복수의 온도 검출 어셈블리를 포함한다. 여기에서, 상기 지지 부재는 상기 운반 본체와 연결되며, 상기 운반 본체의 운반 위치의 에지 외측에 위치한다.
복수의 상기 온도 검출 어셈블리는 모두 상기 지지 부재 상에 설치되고, 상기 운반 본체의 축방향을 따라 이격 배치된다. 각각의 상기 온도 검출 어셈블리는 모두 상기 운반 위치의 에지 내측까지 연장되는 온도 검출단을 구비하며, 상기 온도 검출단에 대응하는 구획 영역의 온도를 검출하는 데 사용된다.
선택적으로, 상기 온도 검출단과 상기 운반 위치의 중심은 상기 운반 본체의 축방향 상에서 대향 설치된다.
선택적으로, 상기 온도 검출 어셈블리는 연장 부재 및 온도 검출 부재를 포함한다. 여기에서, 상기 연장 부재의 일단은 상기 지지 부재와 연결되고, 타단은 상기 온도 검출단으로서 상기 운반 위치의 에지 내측까지 연장된다.
상기 온도 검출 부재는 상기 연장 부재 내에 설치되며, 상기 온도 검출단 지점에 위치한다. 상기 온도 검출 부재의 연결선은 상기 연장 부재와 상기 지지 부재를 순차적으로 통과하여 인출된다.
선택적으로, 상기 온도 검출 부재는 열전대를 포함한다. 상기 열전대는 제1 전극, 제2 전극, 제1 연결 부재, 제2 연결 부재, 제1 도전 부재, 제2 도전 부재 및 절연 부재를 포함한다. 여기에서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 연장 부재 내에 이격 설치되며, 상기 온도 검출단 지점에 위치한다. 상기 제1 연결 부재와 상기 제2 연결 부재는 상기 연장 부재 내에 이격 설치된다. 상기 제1 도전 부재와 상기 제2 도전 부재는 상기 지지 부재 내에 이격 설치된다. 상기 제1 전극은 상기 제1 연결 부재를 통해 상기 제1 도전 부재와 전기적으로 연결된다. 상기 제2 전극은 상기 제2 연결 부재를 통해 상기 제2 도전 부재와 전기적으로 연결된다.
상기 절연 부재는 상기 연장 부재와 상기 지지 부재 내에 설치되며, 상기 제1 도전 부재와 상기 제2 도전 부재 사이, 상기 제1 연결 부재와 상기 제2 연결 부재 사이를 전기적으로 절연시키는 데 사용된다.
선택적으로, 상기 절연 부재는 절연 슬리브를 포함한다. 상기 절연 슬리브 내에는 서로 전기적으로 절연되는 제1 채널 및 제2 채널이 설치된다. 여기에서, 상기 제1 채널은 상기 제1 도전 부재와 상기 제1 연결 부재가 관통하도록 제공된다. 상기 제2 채널은 상기 제2 도전 부재와 상기 제2 연결 부재가 관통하도록 제공된다.
선택적으로, 상기 지지 부재 상에는 위치제한 부재가 설치된다. 상기 위치제한 부재는 상기 운반 본체와 서로 끼워맞춤되며, 상기 지지 부재가 상기 운반 본체에 상대적으로 회전하는 것을 제한하는 데 사용된다.
선택적으로, 상기 위치제한 부재는 상기 지지 부재 상에 설치된다. 상기 운반 본체 상에는 위치제한 홈이 개설된다. 상기 위치제한 부재는 상기 위치제한 홈에 설치된다. 상기 위치제한 부재의 외주면은 상기 위치제한 홈의 내주면과 서로 끼워맞춤되어, 상기 위치제한 부재가 상기 위치제한 홈에 상대적으로 회전하는 것을 제한한다.
선택적으로, 상기 지지 부재 상에는 고정 구조가 설치된다. 상기 운반 장치 상에는 고정부가 설치된다. 상기 운반 장치는 상기 고정 구조와 상기 고정부를 착탈 가능하도록 연결하기 위한 고정 어셈블리를 더 포함한다.
선택적으로, 상기 고정 구조는 상기 지지 부재 상에 설치된 보스를 포함한다. 상기 고정부에는 상기 보스가 관통하도록 제공되는 고정홀이 개설된다. 상기 고정부의 외주벽 상에는 수나사산이 설치된다.
상기 고정 어셈블리는 고정 부재, 제1 탄성 부재, 제2 탄성 부재, 가압 부재 및 탄성 밀봉 부재를 포함한다.
상기 고정 부재에는 고정홈이 개설된다. 상기 고정홈의 내주벽 상에는 상기 수나사산과 끼워맞춤되는 암나사산이 설치된다. 상기 제1 탄성 부재, 상기 제2 탄성 부재, 상기 가압 부재 및 상기 탄성 밀봉 부재는 아래에서 위로 순차적으로 상기 고정홈에 적층되며, 모두 상기 지지 부재를 씌우도록 설치된다. 상기 탄성 밀봉 부재는 상기 가압 부재와 상기 고정부가 상기 고정홈에 연장되어 들어가는 일단과의 사이에 위치한다.
본 발명은 반도체 열처리 디바이스를 더 제공한다. 여기에는 로딩 챔버, 공정 챔버 및 본 발명에 따른 운반 장치가 포함된다. 여기에서, 상기 로딩 챔버는 상기 공정 챔버와 서로 연통된다. 상기 운반 장치는 상기 로딩 챔버와 상기 공정 챔버 사이에서 이동할 수 있다.
본 발명의 유익한 효과는 하기와 같다.
본 발명에서 제공하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치는, 복수의 온도 검출 어셈블리가 모두 지지 부재 상에 설치되며, 운반 본체의 축방향을 따라 이격 배치된다. 각각의 온도 검출 어셈블리는 모두 운반 위치의 에지 내측까지 연장되는 온도 검출단을 구비하며, 해당 온도 검출단에 대응하는 구획 영역의 온도를 검출하는 데 사용된다. 상기 온도 검출단이 운반 위치의 에지 내측까지 연장되기 때문에, 온도 검출단과 대응하는 구획 영역 중 각 운반 위치에 의해 운반되는 웨이퍼 사이의 거리가 감소할 수 있다. 따라서 각 온도 검출 어셈블리의 온도 측정값과 웨이퍼의 실제 온도 사이의 오차를 감소시키거나 심지어 제거할 수 있다. 이를 통해 웨이퍼 온도 검출의 정확성을 향상시켜, 각 온도 검출 어셈블리의 온도 측정값이 웨이퍼의 실제 온도를 특성화할 수 있도록 만든다. 또한 다른 온도 검출 요소와 함께 사용할 필요가 없어, 웨이퍼의 수율이 향상되고 비용이 절감되며 반도체 열처리 디바이스의 사용률이 높아진다. 또한, 온도 검출 장치의 지지 부재를 운반 본체와 연결하고, 운반 본체의 운반 위치의 에지 외측에 위치시킴으로써, 온도 검출 장치가 운반 본체의 이동을 따라 이동하도록 만들 수 있다. 이를 통해 지지 부재 상의 각 온도 검출 장치가 운반 본체의 이동에 간섭을 일으키는 것을 방지하여, 반도체 열처리 디바이스에서 운반 장치의 정상적인 이송을 보장할 수 있다.
본 발명에서 제공하는 반도체 열처리 디바이스는 본 발명에서 제공하는 운반 장치를 통해 웨이퍼 온도 검출의 정확성을 향상시킬 수 있으며, 다른 온도 검출 요소와 함께 사용할 필요가 없다. 이는 웨이퍼의 수율을 향상시키고, 비용을 낮추며, 반도체 열처리 디바이스의 사용률을 높인다. 또한 지지 부재 상의 각 온도 검출 어셈블리가 운반 본체의 이동에 간섭을 일으키는 것을 방지할 수 있다. 따라서 반도체 열처리 디바이스에서 운반 장치의 정상적인 이송을 보장할 수 있다.
도 1은 종래의 반도체 수직로 디바이스 및 웨이퍼 보트의 구조도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치의 구조도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치가 공정 챔버에 위치한 경우의 구조도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치가 로딩 챔버에 위치한 경우의 구조도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치에서 온도 검출 장치의 구조도이다.
도 6은 도 5에서 A 지점의 부분 확대 구조도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치에서 온도 검출 장치의 구조도이다.
도 8은 도 7에서 B 지점의 부분 확대 구조도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치에서 위치 제한 부제와 플랜지가 끼워맞춤된 경우의 구조도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치의 구조도이다.
도 11은 도 10에서 C 지점의 부분 확대 구조도이다.
본 발명이 속한 기술분야의 당업자가 본 발명의 기술적 해결책을 보다 잘 이해할 수 있도록, 이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 발명에서 제공하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치 및 반도체 열처리 디바이스를 상세히 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치를 제공한다. 여기에는 온도 검출 장치 및 운반 본체(21)가 포함된다. 여기에서, 상기 운반 본체(21)는 웨이퍼(32)를 운반하기 위한 복수의 운반 위치를 포함한다. 복수의 운반 위치는 운반 본체의 축방향을 따라 이격 배치된다. 구체적으로, 운반 본체(21) 상에는 그 축방향을 따라 이격 배치되는 복수층의 삽입홈이 설치된다. 각층의 삽입홈은 하나의 웨이퍼(32)를 삽입 설치할 수 있다. 상기 삽입홈의 웨이퍼(32) 거치용 위치가 바로 상기 운반 위치이다.
온도 검출 장치는 지지 부재(22) 및 복수의 온도 검출 어셈블리(23)를 포함한다. 여기에서, 지지 부재(22)는 운반 본체(21)와 연결되며, 운반 본체(21)의 상기 운반 위치 외측에 위치한다. 구체적으로, 상기 지지 부재(22)는 예를 들어 기둥형이며, 운반 본체(21)의 축방향을 따라 연장 설치된다. 복수의 온도 검출 어셈블리(23)는 모두 지지 부재(22) 상에 설치되며, 운반 본체(21)의 축방향을 따라 이격 배치된다. 각각의 온도 검출 어셈블리(23)는 모두 상기 운반 위치의 에지 내측까지 연장되는 온도 검출단을 구비하며, 상기 온도 검출단에 대응하는 구획 영역의 온도를 검출하는 데 사용된다.
운반 본체(21)의 모든 웨이퍼(32)를 수용하기 위한 전체 영역에서, 운반 본체(21)의 축방향 상으로 복수의 구획 영역(211)이 나뉜다. 상기 구획 영역(211)의 수량은 온도 검출 어셈블리(23)의 수량과 동일하다. 또한 각각의 온도 검출 어셈블리(23)의 온도 검출단은 각 구획 영역(211)에 일일이 대응하도록 연장되어, 해당 구획 영역(211)의 온도를 검출한다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 전체 영역은 평균적으로 5개의 구획 영역(211)으로 나뉜다. 이에 대응하도록, 온도 검출 어셈블리(23)는 5개이며, 각각의 온도 검출 어셈블리(23)의 온도 검출단은 각 구획 영역(211)까지 일일이 대응하도록 연장된다. 선택적으로, 각각의 온도 검출 어셈블리(23)의 온도 검출단은 대응하는 구획 영역(211) 중 최상층의 웨이퍼(32)의 상방에 위치한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 실제 적용에서 각각의 온도 검출 어셈블리(23)의 온도 검출단은 대응하는 구획 영역 중 어느 한 층의 웨이퍼(32)의 상방 또는 하방에 위치할 수도 있다. 본 발명은 이를 특별히 한정하지 않는다.
각각의 구획 영역(211) 중의 웨이퍼(32)의 수량은 하나 이상일 수 있음에 유의한다. 본 발명은 이를 특별히 한정하지 않는다. 온도 검출 어셈블리(23)에 의해 검출된 대응하는 구획 영역(211)의 온도는 해당 구획 영역(211) 중의 웨이퍼(32)의 실제 온도를 특성화하는 데 사용될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 구획 영역(211)의 수량은 온도 검출 어셈블리(23)의 수량과 동일하다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않음에 유의한다. 실제 적용에서 하나의 온도 검출 어셈블리(23)는 복수의 구획 영역(211)에 대응할 수도 있으며, 상이한 온도 검출 어셈블리(23)에 대응하는 구획 영역(211)의 수량은 같을 수도, 다를 수도 있다.
본 실시예에서 제공하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치는, 복수의 온도 검출 어셈블리(23)를 지지 부재(22) 상에 설치하고, 운반 본체(21)의 축방향을 따라 이격 배치한다. 각각의 온도 검출 어셈블리(23)는 모두 운반 위치의 에지 내측까지 연장되는 온도 검출단을 구비하며, 해당 온도 검출단에 대응하는 구획 영역(211)의 온도를 검출하는 데 사용된다. 상기 온도 검출단이 운반 위치의 에지 내측까지 연장되기 때문에, 온도 검출단과 대응하는 구획 영역(211) 중 각 운반 위치에 의해 운반되는 웨이퍼 사이의 거리가 감소할 수 있다. 따라서 각 온도 검출 어셈블리(23)의 온도 측정값과 웨이퍼(32)의 실제 온도 사이의 오차를 감소시키거나 심지어 제거할 수 있다. 이를 통해 웨이퍼 온도 검출의 정확성을 향상시켜, 각 온도 검출 어셈블리(23)의 온도 측정값이 웨이퍼의 실제 온도를 특성화할 수 있도록 만든다. 또한 다른 온도 검출 요소와 함께 사용할 필요가 없어, 웨이퍼의 수율이 향상되고 비용이 절감되며 반도체 열처리 디바이스의 사용률이 높아진다. 또한, 온도 검출 장치의 지지 부재(22)를 운반 본체(21)와 연결하고, 운반 본체(21)의 운반 위치의 에지 외측에 위치시킴으로써, 온도 검출 장치가 운반 본체(21)의 이동을 따라 이동하도록 만들 수 있다. 이를 통해 지지 부재(22) 상의 각 온도 검출 어셈블리(23)가 운반 본체(21)의 이동에 간섭을 일으키는 것을 방지하여, 반도체 열처리 디바이스에서 운반 장치의 정상적인 이송을 보장할 수 있다.
본 실시예에서 제공하는 상기 운반 장치는 예를 들어 반도체 수직로 디바이스에 적용될 수 있다. 이 경우, 상기 운반 본체(21)의 축방향이 바로 수직 방향이다. 그러나 운반 장치의 구조는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 이는 반도체 수평로 디바이스에 적용될 수도 있다. 즉, 상기 운반 본체(21)의 축방향은 수평면과 서로 평행하다. 반도체 수평로 디바이스에 적용되는 운반 장치에 있어서, 각각의 온도 검출 어셈블리(23)의 온도 검출단은 운반 본체(21)의 운반 위치의 에지 내측을 향해 연장되어, 각 구획 영역(211)의 일측(예를 들어 좌측 또는 우측)까지 일일이 대응하도록 연장될 수 있음에 유의한다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 열처리 디바이스가 반도체 수직로 디바이스인 경우를 예로 들면, 반도체 수직로 디바이스에는 서로 연통되는 로딩 챔버(201) 및 공정 챔버(202)가 설치될 수 있다. 여기에서, 로딩 챔버(201)는 공정 챔버(202)의 하방에 위치한다. 본 실시예에서 제공하는 상기 운반 장치는 로딩 챔버(201)에서 웨이퍼(32)를 로딩 및 언로딩하는 데 사용될 수 있다. 로딩 챔버(201)에는 승강 장치(204)가 설치되어, 운반 장치 전체가 공정 챔버(202)까지 상승하거나, 로딩 챔버(201)까지 하강하도록 구동시키는 데 사용된다.
공정 챔버(202)에는 공정관(203)이 설치될 수 있다. 선택적으로, 상기 공정관(203)의 제작 재료에는 석영이 채택될 수 있다. 상기 운반 장치는 공정 챔버(202)까지 상승하여, 공정관(203)의 내부 공간으로 진입될 수 있다. 본 실시예에서 제공하는 운반 장치에서, 온도 검출 장치의 지지 부재(22)를 운반 본체(21)와 연결시킨다. 따라서, 온도 검출 장치는 운반 본체(21)의 승강에 따라 승강될 수 있다. 즉, 온도 검출 장치는 운반 본체(21)를 따라 공정 챔버(202)까지 상승하거나, 로딩 챔버(201)까지 하강할 수 있다. 따라서 지지 부재(22) 상의 각 온도 검출 어셈블리(23)가 운반 본체(21)의 이동에 간섭을 일으키는 것을 방지하여, 반도체 열처리 디바이스에서 운반 장치의 정상적인 이송을 보장할 수 있다. 그러나 반도체 수직로 디바이스의 구조는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 로딩 챔버(201)는 공정 챔버(202)의 상방에 위치할 수도 있다.
또한, 반도체 열처리 디바이스의 유형은 반도체 수직로 디바이스로 한정되지 않는다. 예를 들어, 반도체 열처리 디바이스는 반도체 수평로 디바이스일 수도 있다. 반도체 수평로 디바이스에도 서로 연통되는 로딩 챔버(201) 및 공정 챔버(202)가 설치될 수 있다. 이 때, 로딩 챔버(201)는 공정 챔버(202)의 우측에 위치할 수 있으며, 공정 챔버(202)의 좌측에 위치할 수도 있다. 로딩 챔버(201)에는 이송 장치가 설치될 수 있다. 운반 장치를 이송 장치 상에 거치함으로써, 이송 장치를 통해 운반 장치가 공정 챔버(202)까지 좌측 또는 우측으로 병진하도록 구동시킬 수 있다. 본 실시예에서 제공하는 운반 장치에서는 온도 검출 장치의 지지 부재(22)를 운반 본체(21)와 연결한다. 따라서 온도 검출 장치가 운반 본체(21)의 좌우 병진에 따라 좌우 병진할 수 있다. 따라서 지지 부재(22) 상의 각 온도 검출 어셈블리(23)가 운반 본체(21)의 이동에 간섭을 일으키는 것을 방지하여, 반도체 열처리 디바이스에서 운반 장치의 정상적인 이송을 보장할 수 있다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 있어서, 온도 검출 어셈블리(23)는 연장 부재(231) 및 온도 검출 부재(232)를 포함할 수 있다. 여기에서, 연장 부재(231)의 일단은 지지 부재(22)와 연결되고, 타단은 상기 온도 검출단으로서 상기 운반 위치의 에지 내측까지 연장된다. 온도 검출 부재(232)는 연장 부재(231) 내에 설치되며, 상기 온도 검출단 지점에 위치한다. 또한 온도 검출 부재(232)의 연결선(신호 전송 부재로 사용)은 연장 부재(231) 및 지지 부재(22)를 순차적으로 통과하여 인출된다. 따라서 공정 챔버(202)의 외부까지 연장될 수 있다. 상기 연장 부재(231)는 내부에 설치된 온도 검출 부재(232)를 지지 및 보호하는 데 사용된다. 동시에 온도 검출 부재(232)를 웨이퍼(32) 중심에 더 가까운 영역에 위치시킬 수 있다.
구체적으로, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 지지 부재(22)와 연장 부재(231)는 모두 중공 구조일 수 있다. 또한 연장 부재(231)의 내부 공간은 지지 부재(22)의 내부 공간과 서로 연통된다. 온도 검출 부재(232)는 연장 부재(231)의 내부 공간에 설치된다. 또한 온도 검출 부재(232)의 연결선은 순차적으로 연장 부재(231)의 내부 공간과 지지 부재(22)의 내부 공간을 경유하여 인출된다. 온도 검출 부재(232)의 연결선은 신호 전송 부재로서 온도 검출 부재(232)가 온도를 검출할 때 생성하는 전기 신호를 외부의 수신 처리 부재(미도시)에 전송하는 데 사용된다. 상기 수신 처리 부재는 온도 검출 부재(232)가 온도를 검출할 때 생성하는 전기 신호를 처리하여, 각 온도 검출 부재(232)에 의해 검출되는 온도를 표시하는 데 사용된다.
선택적으로, 연장 부재(231)의 제작 재료에는 석영이 포함될 수 있다.
본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 있어서, 각 온도 검출 부재(232)의 온도 검출단은 운반 위치의 중심의 운반 본체(21)의 축방향 상에서 대향 설치될 수 있다. 이러한 설치를 통해, 각 온도 검출 부재(232)의 온도 검출단이 운반 위치 상에 거치된 웨이퍼 원심과 대향하도록 위치시킬 수 있다. 따라서 각 온도 검출 부재(232)에 의해 검출된 온도 검출값을 웨이퍼(32)의 중심 온도에 더욱 근접하도록 만들어, 웨이퍼(32)에 대한 온도 검출의 정확성을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 있어서, 온도 검출 부재(232)는 열전대를 포함할 수 있다. 열전대는 제1 전극, 제2 전극, 제1 연결 부재(243), 제2 연결 부재(244), 제1 도전 부재(241), 제2 도전 부재(242) 및 절연 부재(25)를 포함한다. 여기에서, 제1 전극과 제2 전극은 연장 부재(231) 내에 이격 설치되며, 상기 온도 검출단 지점에 위치한다. 제1 연결 부재(243)와 제2 연결 부재(244)는 연장 부재(231) 내에 이격 설치된다. 제1 도전 부재(241)와 제2 도전 부재(242)는 지지 부재(22) 내에 이격 설치된다. 상기 제1 전극은 제1 연결 부재(243)를 통해 제1 도전 부재(241)와 전기적으로 연결된다. 상기 제2 전극은 제2 연결 부재(244)를 통해 제2 도전 부재(242)와 전기적으로 연결된다. 상기 제1 연결 부재(243), 제2 연결 부재(244), 제1 도전 부재(241) 및 제2 도전 부재(242)가 바로 상기 온도 검출 부재(232)의 연결선이며, 신호를 전송하는 데 사용된다.
절연 부재(25)는 연장 부재(231)와 지지 부재(22) 내에 설치된다. 이는 제1 도전 부재(241)와 제2 도전 부재(242) 사이, 제1 연결 부재(243)와 제2 연결 부재(244) 사이를 전기적으로 절연시키는 데 사용된다.
상기 제1 전극과 제2 전극이 전기적으로 도통되며, 제1 도전 부재(241)와 제2 도전 부재(242)가 외부의 수신 처리 부재에서 전기적으로 도통된다. 이 2개의 전기적 도통 지점의 온도에 차이가 발생할 경우, 상기 제1 전극과 제2 전극이 위치한 회로에 기전력이 발생할 수 있다. 수신 처리 부재는 해당 기전력을 수신하고 기전력을 처리할 수 있다. 이를 통해 각 온도 검출 부재(232)에 의해 검출된 온도를 표시할 수 있다.
상기 절연 부재(25)를 통해, 제1 도전 부재(241)와 제2 도전 부재(242) 사이, 제1 연결 부재(243)와 제2 연결 부재(244) 사이를 전기적으로 절연시킬 수 있다. 이로써 상기 제1 전극과 제2 전극이 위치한 회로에 상술한 2개의 전기적 도통 지점 이외의 다른 위치가 전기적으로 도통되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 해당 회로 상에 생성되는 기전력의 정확성을 보장하여, 온도 검출 장치의 온도 검출 정확성을 향상시킬 수 있다.
선택적으로, 제1 전극의 제작 재료와 제2 전극의 제작 재료에는 귀금속이 포함될 수 있다.
바람직하게는, 제1 전극의 제작 재료는 백금-로듐 합금일 수 있으며, 제2 전극의 제작 재료는 백금일 수 있다.
선택적으로, 백금-로듐 합금에서 로듐의 비중 범위는 10% 내지 13%일 수 있고, 백금의 비중 범위는 90% 내지 87%일 수 있다.
바람직하게는, 백금-로듐 합금에서 로듐의 비중은 13%일 수 있고, 백금의 비중은 87%일 수 있다.
선택적으로, 제1 연결 부재(243)의 제작 재료에는 귀금속이 포함될 수 있다. 선택적으로, 제1 연결 부재(243)의 제작 재료는 백금-로듐 합금일 수 있다.
선택적으로, 제2 연결 부재(244)의 제작 재료에는 귀금속이 포함될 수 있다. 선택적으로, 제2 연결 부재(244)의 제작 재료는 백금-로듐 합금일 수 있다.
선택적으로, 제1 도전 부재(241)의 제작 재료에는 귀금속이 포함될 수 있다. 선택적으로, 제1 도전 부재(241)의 제작 재료는 백금-로듐 합금일 수 있다.
선택적으로, 제2 도전 부재(242)의 제작 재료에는 귀금속이 포함될 수 있다. 선택적으로, 제2 도전 부재(242)의 제작 재료는 백금-로듐 합금일 수 있다.
선택적으로, 제1 연결 부재(243)의 제작 재료와 제1 도전 부재(241)의 제작 재료가 같을 수 있다. 제2 연결 부재(244)의 제작 재료와 제2 도전 부재(242)의 제작 재료가 같을 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 있어서, 절연 부재(25)는 절연 슬리브를 포함할 수 있다. 상기 절연 슬리브 내에는 서로 전기적으로 절연된 제1 채널 및 제2 채널이 설치된다. 여기에서, 제1 채널은 제1 도전 부재(241)와 제1 연결 부재(243)가 관통하도록 제공되고, 제2 채널은 제2 도전 부재(242)와 제2 연결 부재(244)가 관통하도록 제공된다. 이처럼 제1 도전 부재(241)와 제2 도전 부재(242) 사이, 제1 연결 부재(243)와 제2 연결 부재(244) 사이의 전기적 절연을 구현할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 있어서, 지지 부재(22) 상에는 위치제한 부재(26)가 설치된다. 상기 위치제한 부재(26)는 운반 본체(21)와 끼워맞춤되어, 지지 부재(22)의 운반 본체(21)에 상대적인 회전을 제한하는 데 사용된다. 이를 통해 지지 부재(22) 상에 설치된 온도 검출 부재(232)와 운반 위치의 상대적 위치에 변화가 발생하는 것을 방지하여, 온도 검출 장치의 온도 검출 안정성을 향상시킬 수 있다.
도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 있어서, 위치제한 부재(26)는 지지 부재(22) 상에 설치될 수 있다. 구체적으로, 위치제한 부재(26)는 지지 부재(22)를 씌울 수 있도록 설치된 비아를 구비한다. 운반 본체(21) 상에는 위치제한 홈이 개설된다. 위치제한 부재(26)는 상기 위치제한 홈에 설치된다. 위치제한 부재(26)의 외주면은 위치제한 홈의 내주면과 끼워맞춤되어, 위치제한 부재(26)의 위치제한 홈에 상대적인 회전을 제한하는 데 사용된다. 따라서 지지 부재(22)가 운반 본체(21)에 상대적으로 회전하는 것을 제한한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 선택적으로, 운반 본체(21)의 바닥부에는 플랜지(30)가 설치될 수 있다. 상기 위치제한 홈은 플랜지(30)의 에지에 개설될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 선택적으로, 플랜지(30) 상에는 보온 장치(31)가 설치될 수 있다. 이는 반도체 열처리 공정에서 운반 본체(21) 상에 운반되는 웨이퍼(32)를 보온한다. 따라서 운반 본체(21) 상에 운반되는 웨이퍼(32)가 반도체 열처리 공정 과정에서 빠르게 방열되는 것을 방지한다.
선택적으로, 위치제한 부재(26)의 높이는 8mm 내지 10mm일 수 있다.
선택적으로, 위치제한 부재(26)의 길이는 12mm 내지 16mm일 수 있다.
선택적으로, 위치제한 부재(26)의 너비는 12mm 내지 16mm일 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 있어서, 지지 부재(22) 상에는 고정 구조가 설치될 수 있다. 운반 본체(21) 상에는 고정부(271)가 설치될 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 운반 장치는 고정 어셈블리(28)를 더 포함할 수 있다. 이는 고정 구조와 고정부(271)를 착탈 가능하도록 연결하여, 지지 부재(22)를 운반 본체(21) 상에 착탈 가능하도록 고정하는 데 사용된다. 고정 어셈블리(28)가 고정 구조와 고정부(271)를 착탈 가능하도록 연결함으로써, 지지 부재(22)를 운반 본체(21) 상에 착탈 가능하도록 고정하므로, 온도 검출 장치에 대한 유지보수 또는 교체가 더욱 용이할 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 비교적 바람직한 실시예에 있어서, 고정 구조는 지지 부재(22) 상에 설치된 보스(29)를 포함할 수 있다. 고정부(271)에는 보스(29)가 관통하도록 제공되는 고정홀(272)이 개설될 수 있다. 고정부(271)의 외주벽 상에는 수나사산(273)이 설치된다. 고정 어셈블리(28)는 고정 부재(281), 제1 탄성 부재(283), 제2 탄성 부재(284), 가압 부재(285) 및 탄성 밀봉 부재(286)를 포함할 수 있다. 여기에서, 고정 부재(281)에는 고정홈(282)이 개설된다. 고정홈(282)의 내주벽 상에는 수나사산(273)과 끼워맞춤되는 암나사산이 설치된다. 제1 탄성 부재(283), 제2 탄성 부재(284), 가압 부재(285) 및 탄성 밀봉 부재(286)는 아래에서 위로 순차적으로 고정홈(282)에 적층되며, 모두 지지 부재(22)를 씌우도록 설치된다. 탄성 밀봉 부재(286)는 가압 부재(285)와 고정부(271)가 고정홈(282)에 연장되어 들어가는 일단과의 사이에 위치한다.
도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 고정부(271)는 운반 본체(21) 바닥부의 플랜지(30) 상에 설치될 수 있다. 고정부(271)는 플랜지(30)를 따라 아래를 향해 연장되며, 여기에는 보스(29)가 관통하도록 제공되는 고정홀(272)이 개설된다. 그 외주벽 상에는 수나사산(273)이 설치된다. 고정홈(282)의 내주벽 상의 암나사산과 고정부(271) 외주벽 상의 수나사산(273)이 나사산 끼워맞춤되어, 고정 부재(281)와 고정부(271)를 착탈 가능하도록 연결시킨다. 제1 탄성 부재(283)는 고정홈(282)의 바닥부에 설치되며, 지지 부재(22)를 씌우도록 설치된다. 제2 탄성 부재(284)는 제1 탄성 부재(283) 상에 적층되며, 지지 부재(22)를 씌우도록 설치된다. 가압 부재(285)는 제2 탄성 부재(284) 상에 적층되며, 지지 부재(22)를 씌우도록 설치된다. 탄성 밀봉 부재(286)는 가압 부재(285) 상에 적층되며, 지지 부재(22)를 씌우도록 설치되고, 가압 부재(285)와 고정부(271)가 고정홈(282)에 연장되어 들어가는 일단과의 사이에 위치한다. 고정 부재(281)와 고정부(271)의 나사산 끼워맞춤을 통해, 제1 탄성 부재(283), 제2 탄성 부재(284), 가압 부재(285) 및 탄성 밀봉 부재(286)를 고정홈(282)에 가압 고정한다. 또한 제1 탄성 부재(283), 제2 탄성 부재(284), 가압 부재(285) 및 탄성 밀봉 부재(286)가 모두 지지 부재(22)를 씌우도록 설치하여, 제1 탄성 부재(283), 제2 탄성 부재(284), 가압 부재(285) 및 탄성 밀봉 부재(286)를 통해 지지 부재(22)를 그 안에 클램핑시킴으로써, 지지 부재(22)를 운반 본체(21) 상에 착탈 가능하도록 고정시켜, 지지 부재(22)가 고정홀(272)과 고정홈(282)에 상대적으로 흔들리는 것을 방지한다. 따라서 지지 부재(22) 상에 설치된 온도 검출 부재(232)와 운반 위치의 상대적인 위치에 변화가 발생하는 것을 방지하여, 온도 검출 장치의 온도 검출 안정성을 향상시킨다.
선택적으로, 탄성 밀봉 부재(286)에는 O형 고무링이 포함될 수 있다.
선택적으로, 제1 탄성 부재(283)의 제작 재료에는 폴리테트라 플루오로에틸렌(Poly tetra fluoroethylene, PTFE로 약칭)이 포함될 수 있다.
선택적으로, 제2 탄성 부재(284)의 제작 재료에는 PTFE가 포함될 수 있다.
선택적으로, 가압 부재(285)의 제작 재료에는 스테인리스강이 포함될 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 다른 기술적 해결책으로서, 본 발명의 실시예는 반도체 열처리 디바이스를 더 제공한다. 여기에는 로딩 챔버(201), 공정 챔버(202) 및 본 발명의 실시예에 따른 운반 장치가 포함된다. 여기에서, 로딩 챔버(201)와 공정 챔버(202)는 서로 연통된다. 운반 장치는 로딩 챔버(201)와 공정 챔버(202) 사이에서 이동할 수 있다.
요약하면, 본 발명의 실시예에서 제공하는 반도체 열처리 디바이스는 본 발명의 실시예에서 제공하는 운반 장치를 통해 웨이퍼 온도 검출의 정확성을 향상시킬 수 있으며, 다른 온도 검출 요소와 함께 사용할 필요가 없다. 이는 웨이퍼의 수율을 향상시키고, 비용을 낮추며, 반도체 열처리 디바이스의 사용률을 높인다. 또한 지지 부재 상의 각 온도 검출 어셈블리가 운반 본체의 이동에 간섭을 일으키는 것을 방지할 수 있다. 따라서 반도체 열처리 디바이스에서 운반 장치의 정상적인 이송을 보장할 수 있다.
상기 실시예는 본 발명의 원리를 설명하기 위해 사용된 예시적인 실시예일 뿐이며, 본 발명은 이에 한정되지 않음을 이해할 수 있다. 본 발명이 속한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 사상과 본질을 벗어나지 않고 다양한 수정 및 개선을 진행할 수 있다. 이러한 수정 및 개선은 본 발명의 보호 범위로 간주된다.
첨부 도면의 부호에 대한 설명은 하기와 같다.
11-로딩 및 언로딩 챔버, 12-공정 챔버, 121-석영관, 13-웨이퍼 보트, 14-온도 검출 장치, 201-로딩 챔버, 202-공정 챔버, 203-공정관, 204-승강 장치, 21-운반 본체, 211-운반 영역, 22-지지 부재, 23-온도 검출 어셈블리, 231-연장 부재, 232-온도 검출 부재, 241-제1 도전 부재, 242-제2 도전 부재, 243-제1 연결 부재, 244-제2 연결 부재, 25-절연 부재, 26-위치제한 부재, 271-고정부, 272-고정홀, 273-수나사산, 28-고정 어셈블리, 281-고정 부재, 282-고정홈, 283-제1 탄성 부재, 284-제2 탄성 부재, 285-가압 부재, 286-탄성 밀봉 부재, 29-보스, 30-플랜지, 31-보온 장치, 32-웨이퍼.

Claims (10)

  1. 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치에 있어서,
    운반 본체를 포함하고, 상기 운반 장치는 웨이퍼를 운반하기 위한 복수의 운반 위치를 포함하고, 복수의 상기 운반 위치는 상기 운반 본체의 축방향을 따라 이격 배치되고,
    온도 검출 장치를 더 포함하고, 상기 온도 검출 장치는 지지 부재 및 복수의 온도 검출 어셈블리를 포함하고, 여기에서, 상기 지지 부재는 상기 운반 본체와 연결되며, 상기 운반 본체의 운반 위치의 에지 외측에 위치하고,
    복수의 상기 온도 검출 어셈블리는 모두 상기 지지 부재 상에 설치되고, 상기 운반 본체의 축방향을 따라 이격 배치되고, 각각의 상기 온도 검출 어셈블리는 모두 상기 운반 위치의 에지 내측까지 연장되는 온도 검출단을 구비하며, 상기 온도 검출단에 대응하는 구획 영역의 온도를 검출하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 온도 검출단과 상기 운반 위치의 중심은 상기 운반 본체의 축방향 상에서 대향 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 온도 검출 어셈블리는 연장 부재 및 온도 검출 부재를 포함하고, 여기에서, 상기 연장 부재의 일단은 상기 지지 부재와 연결되고, 타단은 상기 온도 검출단으로서 상기 운반 위치의 에지 내측까지 연장되고,
    상기 온도 검출 부재는 상기 연장 부재 내에 설치되며, 상기 온도 검출단 지점에 위치하고, 상기 온도 검출 부재의 연결선은 상기 연장 부재와 상기 지지 부재를 순차적으로 통과하여 인출되는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 온도 검출 부재는 열전대를 포함하고, 상기 열전대는 제1 전극, 제2 전극, 제1 연결 부재, 제2 연결 부재, 제1 도전 부재, 제2 도전 부재 및 절연 부재를 포함하고, 여기에서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 연장 부재 내에 이격 설치되며, 상기 온도 검출단 지점에 위치하고, 상기 제1 연결 부재와 상기 제2 연결 부재는 상기 연장 부재 내에 이격 설치되고, 상기 제1 도전 부재와 상기 제2 도전 부재는 상기 지지 부재 내에 이격 설치되고, 상기 제1 전극은 상기 제1 연결 부재를 통해 상기 제1 도전 부재와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 전극은 상기 제2 연결 부재를 통해 상기 제2 도전 부재와 전기적으로 연결되고,
    상기 절연 부재는 상기 연장 부재와 상기 지지 부재 내에 설치되며, 상기 제1 도전 부재와 상기 제2 도전 부재 사이, 상기 제1 연결 부재와 상기 제2 연결 부재 사이를 전기적으로 절연시키는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 절연 부재는 절연 슬리브를 포함하고, 상기 절연 슬리브 내에는 서로 전기적으로 절연되는 제1 채널 및 제2 채널이 설치되고, 여기에서, 상기 제1 채널은 상기 제1 도전 부재와 상기 제1 연결 부재가 관통하도록 제공되고, 상기 제2 채널은 상기 제2 도전 부재와 상기 제2 연결 부재가 관통하도록 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지지 부재 상에는 위치제한 부재가 설치되고, 상기 위치제한 부재는 상기 운반 본체와 서로 끼워맞춤되며, 상기 지지 부재가 상기 운반 본체에 상대적으로 회전하는 것을 제한하는 데 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 위치제한 부재는 상기 지지 부재 상에 설치되고, 상기 운반 본체 상에는 위치제한 홈이 개설되고, 상기 위치제한 부재는 상기 위치제한 홈에 설치되고, 상기 위치제한 부재의 외주면은 상기 위치제한 홈의 내주면과 서로 끼워맞춤되어, 상기 위치제한 부재가 상기 위치제한 홈에 상대적으로 회전하는 것을 제한하는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 지지 부재 상에는 고정 구조가 설치되고, 상기 운반 장치 상에는 고정부가 설치되고, 상기 운반 장치는 상기 고정 구조와 상기 고정부를 착탈 가능하도록 연결하기 위한 고정 어셈블리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 고정 구조는 상기 지지 부재 상에 설치된 보스를 포함하고, 상기 고정부에는 상기 보스가 관통하도록 제공되는 고정홀이 개설되고, 상기 고정부의 외주벽 상에는 수나사산이 설치되고,
    상기 고정 어셈블리는 고정 부재, 제1 탄성 부재, 제2 탄성 부재, 가압 부재 및 탄성 밀봉 부재를 포함하고, 여기에서,
    상기 고정 부재에는 고정홈이 개설되고, 상기 고정홈의 내주벽 상에는 상기 수나사산과 끼워맞춤되는 암나사산이 설치되고, 상기 제1 탄성 부재, 상기 제2 탄성 부재, 상기 가압 부재 및 상기 탄성 밀봉 부재는 아래에서 위로 순차적으로 상기 고정홈에 적층되며, 모두 상기 지지 부재를 씌우도록 설치되고, 상기 탄성 밀봉 부재는 상기 가압 부재와 상기 고정부가 상기 고정홈에 연장되어 들어가는 일단과의 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스의 운반 장치.
  10. 반도체 열처리 디바이스에 있어서,
    로딩 챔버, 공정 챔버 및 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 운반 장치를 포함하고, 여기에서, 상기 로딩 챔버는 상기 공정 챔버와 서로 연통되고, 상기 운반 장치는 상기 로딩 챔버와 상기 공정 챔버 사이에서 이동할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 디바이스.
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