CN110993550A - 半导体热处理设备 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种半导体热处理设备，包括：装卸料腔室、工艺腔室、升降装置、晶片承载组件，其中，升降装置包括：承载基座，设置于装卸料腔室内，用于承载晶片承载组件；升降组件，贯穿装卸料腔室的顶壁且与顶壁密封设置，升降组件与承载基座连接，用于驱动承载基座进行升降运动，以将晶片承载组件移入工艺腔室或从工艺腔室中移出晶片承载组件。本公开的技术方案可实现通过使得升降装置在工艺炉内部完成升降动作，有效保证工艺炉内部的洁净度，同时满足工艺炉相应的密闭性要求。

Description

半导体热处理设备

技术领域

本公开涉及半导体设备技术领域，特别涉及一种半导体热处理设备。

背景技术

目前，碳化硅(SiC)由于自身具有高导热率、高击穿电压、载流子迁移率极高等优良的物理化学性质，可以制作成在高温、强辐射条件下工作的高频、高功率电子器件和光电子器件。在国防、高科技、工业生产、供电、变电领域具有广阔的应用前景和市场空间，也因此碳化硅被看作是极具发展前景的第三代半导体材料。

现阶段碳化硅高温氧化炉和碳化硅高温退火炉均采用立式真空炉结构，炉门位于炉体底部，炉门上装载着工艺舟及其支撑附件，通过升降装置将炉门及其负载平稳的上升或下降，完成炉门开合动作，实现装卸料过程。碳化硅高温氧化工艺温度在1300℃以上，碳化硅高温退火工艺温度在1700℃以上。在开炉门过程中，虽然炉体内温度已经降到300℃以下，但对环境的辐射依旧很强，而且碳化硅工艺片在出炉过程中需要在充满氮气等惰性气体的洁净环境中保护，因此设置了装卸料腔室，炉门及其升降装置需要在装卸料腔室内完成升降动作，由此，升降装置需要尽可能满足真空密封和洁净环境的要求。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体热处理设备。

为实现上述目的，本公开实施例提供了一种半导体热处理设备，包括：装卸料腔室、工艺腔室、升降装置、晶片承载组件，所述升降装置包括：

承载基座，设置于所述装卸料腔室内，用于承载所述晶片承载组件；

升降组件，贯穿所述装卸料腔室的顶壁且与所述顶壁密封设置，所述升降组件与所述承载基座连接，用于驱动所述承载基座进行升降运动，以将所述晶片承载组件移入所述工艺腔室或从所述工艺腔室中移出所述晶片承载组件。

在一些实施例中，所述升降组件包括：驱动机构、升降连接件，其中，

所述升降连接件贯穿所述装卸料腔室的顶壁，一端位于所述装卸料腔室内且与所述承载基座连接，另一端位于所述装卸料腔室外且与所述驱动机构连接；

所述驱动机构，用于驱动所述升降连接件进行升降运动，以带动所述承载基座进行升降运动。

在一些实施例中，所述升降连接件包括：

直线导轨，贯穿所述装卸料腔室的顶壁，其一端位于所述装卸料腔室内且与所述承载基座连接；

滚珠丝杠，与所述直线导轨适配，其一端置于所述直线导轨内部，另一端与所述驱动机构连接，用于在所述驱动机构的驱动作用下进行旋转运动，以驱动所述直线导轨进行升降运动。

在一些实施例中，所述驱动机构包括：

传动基座，固定在所述半导体热处理设备的框架上，所述滚珠丝杠的端部贯穿所述传动基座；

驱动组件，位于所述传动基座上，与所述滚珠丝杠的端部连接，用于驱动所述滚珠丝杠进行旋转运动。

在一些实施例中，所述升降连接件的数量为至少两个；

所述驱动组件包括：

驱动电机，位于所述传动基座朝向所述直线导轨的一侧，其输出转动轴贯穿所述传动基座；

主动带轮，位于所述传动基座背向所述直线导轨的一侧且套设于所述输出转动轴上，用于跟随所述输出转动轴进行旋转；

至少两个从动带轮，与至少两个所述升降连接件的滚珠丝杠一一对应，位于所述传动基座背向所述直线导轨的一侧，所述从动带轮套设于对应的所述滚珠丝杠的端部，所述从动带轮与对应的滚珠丝杠的端部通过免键轴衬抱紧连接；

同步带，连接所述主动带轮和至少两个所述从动带轮，用于在主动带轮旋转时带动所述从动带轮进行旋转。

在一些实施例中，所述升降连接件的数量为两个，所述从动带轮的数量为两个；

所述驱动组件还包括：

两个惰轮，位于所述传动基座背向所述直线导轨的一侧且其转动轴与所述传动基座固定连接；

一个所述惰轮位于所述主动带轮与一个所述从动带轮之间，该惰轮抵靠所述同步带以使得所述同步带连接所述主动带轮与该从动带轮的部分呈折线状；

另一个所述惰轮位于两个所述从动带轮之间，该惰轮抵靠所述同步带以使得所述同步带连接两个所述从动带轮的部分呈折线状。

在一些实施例中，所述驱动机构还包括：

调节机构，与所述传动基座连接，用于调整所述传动基座的位置。

在一些实施例中，所述升降装置还包括：

位置检测组件，与所述直线导轨连接，用于检测所述直线导轨是否达到预设位置。

在一些实施例中，所述预设位置包括：上临界位置和下临界位置；

所述位置检测组件包括：

传感器压板，设置在所述直线导轨的端部，跟随所述直线导轨同步运动；

上限位传感器，设置在所述半导体热处理设备的框架上，用于在所述直线导轨运动至所述上临界位置时与所述传感器压板接触，并生成第一检测信号；

下限位传感器，设置所述装卸料腔室的顶壁上，用于在所述直线导轨运动至所述下临界位置时与所述传感器压板接触，并生成第二检测信号。

在一些实施例中，所述驱动机构还包括：

上轴承座，固定于所述传动基座背向所述直线导轨的一侧，设置有第一容纳孔，所述滚珠丝杠的端部位于所述第一容纳孔内；

下轴承座，固定于所述传动基座朝向所述直线导轨的一侧，设置有第一凹槽，所述第一凹槽的底部设置有第二容纳孔，所述滚珠丝杠贯穿所述第二容纳孔；

轴承组，固定于所述第一凹槽内且套设于所述滚珠丝杠上；

其中，所述轴承组包括：

锁紧螺母，套设于所述滚珠丝杠上且与所述滚珠丝杠固定；

轴承座，固定于所述第一凹槽内，其上设置有第二凹槽，所述第二凹槽的底部位于所述第二容纳孔内，所述第二凹槽的底部设置有第三容纳孔，所述滚珠丝杠贯穿所述第三容纳孔；

轴承固定法兰，位于所述第二凹槽内，套设于所述滚珠丝杠上，所述轴承固定法兰与所述滚珠丝杠之间设置有套环；

两个角接触球轴承，位于所述第二凹槽内，所述两个角接触球轴承背靠背设置。

在一些实施例中，所述升降连接件还包括：

丝杠螺母法兰，固定于所述直线导轨的位于所述装卸料腔室外的端部，设置有第三凹槽，所述第三凹槽的底部设置有与所述直线导轨的内部连通的第四容纳孔；

丝杠螺母，固定于所述第三凹槽内，设置有第五容纳孔，所述滚珠丝杠依次通过所述第五容纳孔、第四容纳孔进入所述直线导轨的内部。

在一些实施例中，所述半导体热处理设备还包括密封机构，所述密封机构包括：

直线轴承座，固定于所述顶面，设置有第四凹槽，所述第四凹槽的底部设置有第六容纳孔；

直线轴承，固定于所述第四凹槽内，设置有第七容纳孔，所述直线导轨贯穿所述第六容纳孔和所述第七容纳孔；

轴承座密封圈，位于所述直线轴承座与所述顶壁之间；

导轨密封圈，套至于所述直线导轨的外侧，位于所述直线导轨和所述顶壁之间；

密封圈压板，位于所述导轨密封圈和所述直线轴承座之间。

在一些实施例中，所述承载基座包括：

支撑板，与所述升降连接件固定；

多个导向轴，所述导向轴的一端固定于所述支撑板上，所述导向轴的外侧套至有弹性件；

法兰底座，位于所述弹性件背向所述支撑板的一侧，所述所导向轴的另一端贯穿所述法兰底座且配置有限位件，所述弹性件和所述限位件夹持固定所述法兰底座。

本公开具有以下有益效果：

本公开实施例提供了一种半导体热处理设备，可通过升降装置平稳地以升降运动将晶片承载组件送入送出工艺腔室，保证了工艺腔室和装卸料腔室的密封性，同时满足了工艺炉内部的洁净环境要求。

附图说明

图1为本公开实施例提供的一种半导体热处理设备的结构示意图；

图2为图1中示出的半导体热处理设备的升降装置上升以使得晶片承载组件进入工艺腔室时的结构示意图；

图3为本公开实施例提供的一种驱动机构的结构示意图；

图4为图2中示出的半导体热处理设备的A部放大图；

图5为图2中示出的半导体热处理设备的B部放大图；

图6为图2中示出的半导体热处理设备的C部放大图；

图7为图2中示出的半导体热处理设备的D部放大图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的半导体热处理设备进行详细描述。

图1为本公开实施例提供的一种半导体热处理设备的结构示意图，图2为图1中示出的半导体热处理设备的升降装置上升以使得晶片承载组件进入工艺腔室时的结构示意图。如图1及图2所示，该半导体热处理设备包括：装卸料腔室1、工艺腔室2、升降装置80和晶片承载组件10，其中，升降装置80包括：承载基座3和升降组件4。

其中，装卸料腔室1位于工艺腔室2下方，升降装置80整体坐落于装卸料腔室1之上；承载基座3设置于装卸料腔室1内，用于承载晶片承载组件10；晶片承载组件10用于放置晶片；升降组件4贯穿装卸料腔室1的顶壁且与顶壁密封设置，升降组件4与承载基座3连接，用于驱动承载基座3进行升降运动，以将晶片承载组件10移入工艺腔室2或从工艺腔室2中移出晶片承载组件10。

在一些实施例中，升降组件4和装卸料腔室1的顶壁的密封可以通过密封机构5实现，如图1及图2所示，密封机构5可以固定于装卸料腔室1的顶壁且套设于升降连接件4的外侧，用于密封升降连接件4与装卸料腔室1的顶壁之间的间隙。

如图1所示，此时承载基座3未升起，其上承载的晶片承载组件10处于装卸料腔室1中，即对应工艺炉炉门开启时的状态。如图2所示，此时承载基座3升起，其上承载的晶片承载组件10进入工艺腔室2，即对应工艺炉炉门关闭时的状态。

本公开实施例提供了一种半导体热处理设备，可通过升降装置平稳地以升降运动将晶片承载组件送入送出工艺腔室，保证了工艺腔室和装卸料腔室的密封性，同时满足了工艺炉内部的洁净环境要求。

在一些实施例中，升降组件4包括：驱动机构6和升降连接件40。

如图1及图2所示，升降连接件40贯穿装卸料腔室1的顶壁，一端位于装卸料腔室1内且与承载基座3连接，另一端位于装卸料腔室1外且与驱动机构6连接；驱动机构6与升降连接件40连接，用于驱动升降连接件40进行升降运动，以带动承载基座3进行升降运动。

在一些实施例中，升降连接件4包括：直线导轨41和滚珠丝杠42。

如图1及图2所示，直线导轨41贯穿装卸料腔室1的顶壁，其一端位于装卸料腔室1内且与承载基座3密封连接；滚珠丝杠42与直线导轨41适配，其一端置于直线导轨41内部，另一端与驱动机构6连接，用于在驱动机构6的驱动作用下进行旋转运动，并使得直线导轨41进行升降运动。

其中，直线导轨41为中空的圆筒形直线导轨，直线导轨41表面可通过高频淬火进行表面硬化，其内径要略大于滚珠丝杠42的外径，使滚珠丝杠42可以穿梭其中，直线导轨41与滚珠丝杠42之间留有间隙，以避免在运动时出现较大的摩擦。滚珠丝杠42穿梭于直线导轨41，由直线导轨41在装卸料腔室1内与承载基座3密封连接，可避免滚珠丝杠42污染装卸料腔室1，保证装卸料腔室1的洁净度。

在一些实施例中，驱动机构6包括：传动基座61和驱动组件62。

如图1及图2所示，传动基座61固定在所述半导体热处理设备的框架(图中未示出)上，即传动基座61与设备骨架固定，滚珠丝杠42的端部贯穿传动基座61；驱动组件62位于传动基座61上，与滚珠丝杠42的端部连接，用于驱动滚珠丝杠42进行旋转运动。

在一些实施例中，升降连接件40的数量为至少两个。如图1及图2所示，升降连接件4的数量为两个。即平行且相对地设置一组相同的直线导轨41和滚珠丝杠42，分布于工艺腔室两侧，两个直线导轨41贯穿装卸料腔室1的顶壁，贯穿处进行密封处理，其一端位于装卸料腔室内1且与承载基座3密封连接，用以提高承载基座3被带动做升降运动时的稳定度和位置准确度。

在一些实施例中，驱动组件62包括：驱动电机621、主动带轮622、至少两个从动带轮623和同步带624。

图3为本公开实施例提供的一种驱动机构的结构示意图，也即为本公开实施例提供的半导体热处理设备的俯视图。如图1及图3所示，驱动电机621位于传动基座61朝向直线导轨41的一侧，其输出转动轴贯穿传动基座61；主动带轮622位于传动基座61背向直线导轨41的一侧且固定套设于驱动电机的输出转动轴上，用于跟随该输出转动轴进行旋转；两个从动带轮623，与两个滚珠丝杠42一一对应，位于传动基座61背向直线导轨41的一侧，从动带轮623套设于对应的滚珠丝杠42的端部，从动带轮623与对应的滚珠丝杠42的端部通过免键轴衬625抱紧连接；同步带624连接主动带轮622和两个从动带轮623，用于在主动带轮622旋转时带动从动带轮623进行旋转。

其中，主动带轮622的固定板为长圆孔固定，通过移动并紧固主动带轮622以张紧同步带；同步带624设置有啮合齿且与主动带轮622和从动带轮623的啮合齿适配。

在一些实施例中，如图1所示，驱动组件62还包括减速机627，驱动电机621采用伺服电机，二者配合同时工作，以保证升降运动的稳定性。

图4为图2中示出的半导体热处理设备的A部放大图，也即为本公开实施例提供的一种驱动机构的局部放大示意图。如图4所示，从动带轮623与对应的滚珠丝杠42的端部通过免键轴衬625抱紧连接。其中，免键轴衬625可以不用键连接而只拧紧螺钉，使锥形卡套径向被压缩，从而抱紧在滚珠丝杠42上，由此，在同步带624张紧时，实现对滚珠丝杠42的初始转角的调节。

在一些实施例中，升降连接件40的数量为两个，从动带轮623的数量为两个，相应地，驱动组件62还包括：两个惰轮626。

如图3所示，两个惰轮626位于传动基座61背向直线导轨41的一侧且转动轴与传动基座61固定；其中一个惰轮626位于主动带轮622与一个从动带轮623之间且位于同步带624的外侧，该惰轮626抵靠同步带624以使得同步带624连接主动带轮622与该从动带轮623的部分呈折线状；另一个惰轮626位于两个从动带轮623之间且位于同步带624的外侧，该惰轮626抵靠同步带624以使得同步带624连接两个从动带轮623的部分呈折线状。

其中，将两个惰轮626加入布局，以保证两个从动带轮623和主动带轮622的包角大于等于180度。

在一些实施例中，驱动机构6还包括：调节机构63。

如图3所示，调节机构63与传动基座61连接，位于传动基座61两侧，用于调整传动基座61的位置。调节机构63上的紧固螺钉均为长圆孔，通过调整长圆孔上的螺钉位置可对传动基座61进行调平和对正。

在一些实施例中，升降装置80还包括：位置检测组件7。

如图1及图2所示，位置检测组件7与直线导轨41连接，用于检测直线导轨41是否达到预设位置。

在一些实施例中，预设位置包括：上临界位置和下临界位置；位置检测组件7包括：传感器压板71、上限位传感器72和下限位传感器73。

如图1及图2所示，传感器压板71设置在直线导轨41的端部，跟随直线导轨41进行同步运动；上限位传感器72设置在半导体热处理设备的框架上，即设置在设备骨架上，或可设置在传动基座61上，用于在直线导轨41运动至上临界位置时与传感器压板71接触，并生成第一检测信号；下限位传感器73设置在装卸料腔室1的顶壁上，用于在直线导轨41运动至下临界位置时与传感器压板71接触，并生成第二检测信号。

其中，第一检测信号用于协同驱动电机621搜索原点，提示直线导轨41运动至上临界位置，以及提供极限位保护；第二检测信号用于提示直线导轨41运动至下临界位置，以及提供极限位保护。

在一些实施例中，驱动机构6还包括：上轴承座64、下轴承座65和轴承组66。

如图2及图4所示，上轴承座64固定于传动基座61背向直线导轨41的一侧，设置有第一容纳孔641，滚珠丝杠42的端部位于第一容纳孔641内；下轴承座65固定于传动基座61朝向直线导轨41的一侧，设置有第一凹槽651，第一凹槽651的底部设置有第二容纳孔652，滚珠丝杠42贯穿第二容纳孔652；轴承组66固定第一凹槽651内且套设于滚珠丝杠42之外。

其中，从动带轮623的上下两侧分别装有上轴承642和轴承组66，用于支撑滚珠丝杠42，上轴承642固定于上轴承座64内，轴承组66固定于下轴承座65上。上轴承642两侧用孔用挡圈固定。

在一些实施例中，轴承组66包括：锁紧螺母661、轴承座662、轴承固定法兰665和两个角接触球轴承667。

如图4所示，锁紧螺母661套设于滚珠丝杠42之外且与滚珠丝杠42固定，用于将轴承组66与滚珠丝杠42整体固定；轴承座662固定于第一凹槽651内，其上设置有第二凹槽663，第二凹槽663的底部位于第二容纳孔652内，第二凹槽663的底部设置有第三容纳孔664，滚珠丝杠42贯穿第三容纳孔664；轴承固定法兰665位于第二凹槽663内，套设于滚珠丝杠42之外，轴承固定法兰665与滚珠丝杠42之间设置有套环666；两个角接触球轴承667位于第二凹槽663内，两个角接触球轴承667背靠背设置，可承受轴向力。

其中，轴承组还包括第一凹槽密封圈668和第二凹槽密封圈669。

在一些实施例中，升降连接件4还包括：丝杠螺母法兰43和丝杠螺母44。

图5为图2中示出的半导体热处理设备的B部放大图，也即为本公开实施例提供的一种升降连接件的局部放大示意图。如图2及图5所示，丝杠螺母法兰43固定于直线导轨41位于装卸料腔室外的端部，其上设置有第三凹槽431，第三凹槽431的底部设置有与直线导轨41的内部连通的第四容纳孔432；丝杠螺母44固定于第三凹槽431内，其上设置有第五容纳孔441，滚珠丝杠42依次通过第五容纳孔441、第四容纳孔432伸入直线导轨41的内部。

其中，丝杠螺母44为带法兰型，可与丝杠螺母法兰43通过第一螺钉45紧固，丝杠螺母法兰43通过第二螺钉46与直线导轨41紧固。位置检测组件7中的传感器压板71可设置于丝杠螺母法兰43上。

另外，在同步带624张紧时通过免键轴衬625，实现对滚珠丝杠42的初始转角的调节，此时两个滚珠丝杠42的丝杠螺母44水平高度一致。

在一些实施例中，密封机构5包括：直线轴承座51、直线轴承52、轴承座密封圈53、导轨密封圈54和密封圈压板55。

图6为图2中示出的半导体热处理设备的C部放大图，也即为本公开实施例提供的一种密封机构的结构示意图。如图2及图6所示，直线轴承座51固定于装卸料腔室1的顶壁，其上设置有第四凹槽511，第四凹槽511的底部设置有第六容纳孔512；直线轴承52固定于第四凹槽511内，其上设置有第七容纳孔521，直线导轨41贯穿第六容纳孔512和第七容纳孔521；轴承座密封圈53位于直线轴承座51与装卸料腔室1的顶壁之间；导轨密封圈54套设于直线导轨41的外侧，位于直线导轨41和装卸料腔室1的顶壁之间；密封圈压板55位于导轨密封圈54和直线轴承座51之间，用于压紧导轨密封圈54。

其中，直线轴承52螺装在直线轴承座51内，直线轴承座51与装卸料腔室1的上板螺装；导轨密封圈54由密封圈压板55压紧。轴承座密封圈53和导轨密封圈54可保证装卸料腔室1在直线导轨41处，升降动作中和升降动作完成后的真空密封。

在一些实施例中，承载基座3包括：支撑板31、多个导向轴32和法兰底座34(或称舟法兰底座)和密封件30。

图7为图2中示出的半导体热处理设备的D部放大图，也即为本公开实施例提供的一种承载基座的局部放大示意图。如图2及图7所示，支撑板31与升降组件4固定；导向轴32的一端固定于支撑板31上，外侧套设有弹性件33；法兰底座34，位于弹性件33背向支撑板31的一侧，导向轴32的另一端贯穿法兰底座34且其上配置有限位件35，弹性件33和限位件35夹持固定法兰底座34；法兰底座34上设置有密封件30，用于在承载基座升起，其上承载的晶片承载组件10进入工艺腔室2后，密封工艺腔室2。

其中，承载基座3还包括轴衬36，轴衬36位于限位件35和法兰底座34之间；法兰底座34由四个导向轴32固定在支撑板31中间，导向轴32螺装在支撑板31上，并用弹性件33将法兰底座34顶起，弹性件33可采用压缩弹簧。通过将限位件35并紧，调节弹性件33压缩量，从而调平法兰底座34，限位件35可利用一对螺母实现。在炉门闭合时，即承载基座3升起时，通过压缩各导向轴32上的弹性件33，法兰底座34可自动与工艺腔室2的底部找平，从而保证密封件30完全贴合，之后通过抽真空实现真空密封。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体热处理设备，包括：装卸料腔室、工艺腔室、升降装置和晶片承载组件，其特征在于，所述升降装置包括：

承载基座，设置于所述装卸料腔室内，用于承载所述晶片承载组件；

升降组件，贯穿所述装卸料腔室的顶壁且与所述顶壁密封设置，所述升降组件与所述承载基座连接，用于驱动所述承载基座进行升降运动，以将所述晶片承载组件移入所述工艺腔室或从所述工艺腔室中移出所述晶片承载组件。

2.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述升降组件包括：驱动机构和升降连接件，其中，

所述升降连接件贯穿所述装卸料腔室的顶壁，一端位于所述装卸料腔室内且与所述承载基座连接，另一端位于所述装卸料腔室外且与所述驱动机构连接；

所述驱动机构，用于驱动所述升降连接件进行升降运动，以带动所述承载基座进行升降运动。

3.根据权利要求2所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述升降连接件包括：

直线导轨，贯穿所述装卸料腔室的顶壁，其一端位于所述装卸料腔室内且与所述承载基座连接；

滚珠丝杠，与所述直线导轨适配，其一端置于所述直线导轨内部，另一端与所述驱动机构连接，用于在所述驱动机构的驱动作用下进行旋转运动，以驱动所述直线导轨进行升降运动。

4.根据权利要求3所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述驱动机构包括：

传动基座，固定在所述半导体热处理设备的框架上，所述滚珠丝杠的端部贯穿所述传动基座；

驱动组件，位于所述传动基座上，与所述滚珠丝杠的端部连接，用于驱动所述滚珠丝杠进行旋转运动。

5.根据权利要求4所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述升降连接件的数量为至少两个；

所述驱动组件包括：

驱动电机，位于所述传动基座朝向所述直线导轨的一侧，其输出转动轴贯穿所述传动基座；

主动带轮，位于所述传动基座背向所述直线导轨的一侧且套设于所述输出转动轴上，用于跟随所述输出转动轴进行旋转；

至少两个从动带轮，与至少两个所述升降连接件的滚珠丝杠一一对应，位于所述传动基座背向所述直线导轨的一侧，所述从动带轮套设于对应的所述滚珠丝杠的端部，所述从动带轮与对应的滚珠丝杠的端部通过免键轴衬抱紧连接；

同步带，连接所述主动带轮和至少两个所述从动带轮，用于在主动带轮旋转时带动所述从动带轮进行旋转。

6.根据权利要求5所述的半导体热处理设备，其特征在于，

所述升降连接件的数量为两个，所述从动带轮的数量为两个；

所述驱动组件还包括：

两个惰轮，位于所述传动基座背向所述直线导轨的一侧且其转动轴与所述传动基座固定连接；

一个所述惰轮位于所述主动带轮与一个所述从动带轮之间，该惰轮抵靠所述同步带以使得所述同步带连接所述主动带轮与该从动带轮的部分呈折线状；

另一个所述惰轮位于两个所述从动带轮之间，该惰轮抵靠所述同步带以使得所述同步带连接两个所述从动带轮的部分呈折线状。

7.根据权利要求4所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述驱动机构还包括：

调节机构，与所述传动基座连接，用于调整所述传动基座的位置。

8.根据权利要求3所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述升降装置还包括：

位置检测组件，与所述直线导轨连接，用于检测所述直线导轨是否达到预设位置。

9.根据权利要求8所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述预设位置包括：上临界位置和下临界位置；

所述位置检测组件包括：

传感器压板，设置在所述直线导轨的端部，跟随所述直线导轨同步运动；

上限位传感器，设置在所述半导体热处理设备的框架上，用于在所述直线导轨运动至所述上临界位置时与所述传感器压板接触，并生成第一检测信号；

下限位传感器，设置所述装卸料腔室的顶壁上，用于在所述直线导轨运动至所述下临界位置时与所述传感器压板接触，并生成第二检测信号。

10.根据权利要求4所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述驱动机构还包括：

上轴承座，固定于所述传动基座背向所述直线导轨的一侧，设置有第一容纳孔，所述滚珠丝杠的端部位于所述第一容纳孔内；

下轴承座，固定于所述传动基座朝向所述直线导轨的一侧，设置有第一凹槽，所述第一凹槽的底部设置有第二容纳孔，所述滚珠丝杠贯穿所述第二容纳孔；

轴承组，固定于所述第一凹槽内且套设于所述滚珠丝杠上；

其中，所述轴承组包括：

锁紧螺母，套设于所述滚珠丝杠上且与所述滚珠丝杠固定；

轴承座，固定于所述第一凹槽内，其上设置有第二凹槽，所述第二凹槽的底部位于所述第二容纳孔内，所述第二凹槽的底部设置有第三容纳孔，所述滚珠丝杠贯穿所述第三容纳孔；

轴承固定法兰，位于所述第二凹槽内，套设于所述滚珠丝杠上，所述轴承固定法兰与所述滚珠丝杠之间设置有套环；

两个角接触球轴承，位于所述第二凹槽内，所述两个角接触球轴承背靠背设置。

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