JPH09145485A - 温度検出装置 - Google Patents
温度検出装置Info
- Publication number
- JPH09145485A JPH09145485A JP33268295A JP33268295A JPH09145485A JP H09145485 A JPH09145485 A JP H09145485A JP 33268295 A JP33268295 A JP 33268295A JP 33268295 A JP33268295 A JP 33268295A JP H09145485 A JPH09145485 A JP H09145485A
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- thermocouple
- anode
- temperature
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Abstract
(57)【要約】
【課題】被検出体の正確で安定した温度検出を行える様
にする。 【解決手段】熱電対１６が熱電対ホルダ１８に軸心方向
に変位可能に保持され、前記熱電対ホルダがスプリング
３１を具備し、該スプリングにより熱電対が検出端方向
に付勢されることを特徴とする温度検出装置に係り、又
熱電対の検出端が嵌入される孔がテーパ孔であり、前記
熱電対の検出端に前記テーパ孔に嵌合するテーパ形状の
接触子を設けたものであり、更に又検出端に至るリード
線を屈撓可能なインコネル製のカバーパイプで被覆した
温度検出装置に係るものであり、スプリングにより熱電
対の検出端と被検出体との接触が確実となり、又検出端
と被検出体の接触の態様をテーパ嵌合とすることで大き
な接触圧が得られ、より確実な温度検出が可能となり、
更に検出端迄を屈撓可能な材質とすることで検出端と被
検出体との嵌合作業が容易となる。
にする。 【解決手段】熱電対１６が熱電対ホルダ１８に軸心方向
に変位可能に保持され、前記熱電対ホルダがスプリング
３１を具備し、該スプリングにより熱電対が検出端方向
に付勢されることを特徴とする温度検出装置に係り、又
熱電対の検出端が嵌入される孔がテーパ孔であり、前記
熱電対の検出端に前記テーパ孔に嵌合するテーパ形状の
接触子を設けたものであり、更に又検出端に至るリード
線を屈撓可能なインコネル製のカバーパイプで被覆した
温度検出装置に係るものであり、スプリングにより熱電
対の検出端と被検出体との接触が確実となり、又検出端
と被検出体の接触の態様をテーパ嵌合とすることで大き
な接触圧が得られ、より確実な温度検出が可能となり、
更に検出端迄を屈撓可能な材質とすることで検出端と被
検出体との嵌合作業が容易となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマＣＶＤ装置
等真空容器を有する各種真空処理装置の処理室内部の温
度を検出する温度検出装置に関するものである。
等真空容器を有する各種真空処理装置の処理室内部の温
度を検出する温度検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置等の処理装置に於い
ては、真空容器での処理中の温度を検出する必要があ
る。特に、前記プラズマＣＶＤ装置では処理基板を真空
室内部に装入し、反応性ガスを導入し更に加熱するか或
はプラズマを発生させることにより反応ガスを分離さ
せ、前記基板上に薄膜の生成処理等を行うものである。
斯かる処理に於いては基板温度が成膜速度等処理状態に
大きく影響する為、処理基板が載置される基板載置台に
ヒータを埋設し、該ヒータを利用し基板載置台を介して
前記処理基板を温度制御している。
ては、真空容器での処理中の温度を検出する必要があ
る。特に、前記プラズマＣＶＤ装置では処理基板を真空
室内部に装入し、反応性ガスを導入し更に加熱するか或
はプラズマを発生させることにより反応ガスを分離さ
せ、前記基板上に薄膜の生成処理等を行うものである。
斯かる処理に於いては基板温度が成膜速度等処理状態に
大きく影響する為、処理基板が載置される基板載置台に
ヒータを埋設し、該ヒータを利用し基板載置台を介して
前記処理基板を温度制御している。
【０００３】先ず図４に於いてプラズマＣＶＤ装置の概
略を説明する。
略を説明する。
【０００４】真空容器本体１の底部にはヒータ２が埋設
された下部電極（アノード）３が設けられ、該アノード
３には被処理基板４が載置可能であり、基板受載台を兼
ねている。前記真空容器本体１の上部には該真空容器本
体１を気密に閉塞する蓋５が気密に固着され、前記アノ
ード３に対峙する上部電極（カソード）６が絶縁体１１
を介して前記蓋５に設けられている。
された下部電極（アノード）３が設けられ、該アノード
３には被処理基板４が載置可能であり、基板受載台を兼
ねている。前記真空容器本体１の上部には該真空容器本
体１を気密に閉塞する蓋５が気密に固着され、前記アノ
ード３に対峙する上部電極（カソード）６が絶縁体１１
を介して前記蓋５に設けられている。
【０００５】前記カソード６は高周波電源１２に接続さ
れ、又該カソード６は電極本体７と該電極本体７の下面
に設けられたシャワー板８から成り、該シャワー板８に
は反応ガスを真空容器本体１内に分散導入する多数のシ
ャワー孔１０が穿設されている。前記電極本体７と該シ
ャワー板８の間にはガス溜まり９が形成され、該ガス溜
まり９には図示しない反応ガス供給源が接続されてい
る。
れ、又該カソード６は電極本体７と該電極本体７の下面
に設けられたシャワー板８から成り、該シャワー板８に
は反応ガスを真空容器本体１内に分散導入する多数のシ
ャワー孔１０が穿設されている。前記電極本体７と該シ
ャワー板８の間にはガス溜まり９が形成され、該ガス溜
まり９には図示しない反応ガス供給源が接続されてい
る。
【０００６】而して、前記図示しない反応ガス供給源よ
り供給された反応ガスは、前記ガス溜まり９を経て前記
シャワー孔１０より前記真空容器本体１内に分散導入さ
れ、排気管１３より排気される。反応ガスを導入した状
態で前記高周波電源１２により前記アノード３とカソー
ド６間に高周波電力を印加しプラズマを発生させる。被
処理基板４表面で反応ガスが反応して、該被処理基板４
表面に反応生成物が堆積され薄膜の生成等所要のプラズ
マ処理が行なわれる。
り供給された反応ガスは、前記ガス溜まり９を経て前記
シャワー孔１０より前記真空容器本体１内に分散導入さ
れ、排気管１３より排気される。反応ガスを導入した状
態で前記高周波電源１２により前記アノード３とカソー
ド６間に高周波電力を印加しプラズマを発生させる。被
処理基板４表面で反応ガスが反応して、該被処理基板４
表面に反応生成物が堆積され薄膜の生成等所要のプラズ
マ処理が行なわれる。
【０００７】成膜された膜の特性は基板温度を初めとす
る複数の成膜条件によって決定されるが、基板温度は最
も重要な条件である。従って従来より、プラズマ処理装
置には基板温度を測定する温度検出装置１４が設けられ
ている。
る複数の成膜条件によって決定されるが、基板温度は最
も重要な条件である。従って従来より、プラズマ処理装
置には基板温度を測定する温度検出装置１４が設けられ
ている。
【０００８】前記真空容器本体１の下面に熱電対保持体
１５が気密に設けられ、該熱電対保持体１５には熱電対
１６が気密に挿通され、該熱電対１６の検出端はアノー
ド３に達し、該アノード３の温度を検出し、該アノード
３の温度検出を介して前記被処理基板４の温度を検出す
る様になっている。従来の温度検出装置を図４、図５に
より詳述する。
１５が気密に設けられ、該熱電対保持体１５には熱電対
１６が気密に挿通され、該熱電対１６の検出端はアノー
ド３に達し、該アノード３の温度を検出し、該アノード
３の温度検出を介して前記被処理基板４の温度を検出す
る様になっている。従来の温度検出装置を図４、図５に
より詳述する。
【０００９】前記熱電対１６には基幹部１７が設けら
れ、該基幹部１７が前記熱電対保持体１５下端に設けら
れた熱電対ホルダ１８によって気密に保持されている。
又、該熱電対ホルダ１８は前記熱電対保持体１５下端面
に気密に固着されたフランジ１９、該フランジ１９に内
嵌するＯリング押え２０、該Ｏリング押え２０の先端に
設けられたＯリング２１、前記フランジ１９に螺合する
ナット２２から成り、該ナット２２を締込むことで前記
Ｏリング２１が圧縮され、前記基幹部１７を気密に保持
する様になっている。
れ、該基幹部１７が前記熱電対保持体１５下端に設けら
れた熱電対ホルダ１８によって気密に保持されている。
又、該熱電対ホルダ１８は前記熱電対保持体１５下端面
に気密に固着されたフランジ１９、該フランジ１９に内
嵌するＯリング押え２０、該Ｏリング押え２０の先端に
設けられたＯリング２１、前記フランジ１９に螺合する
ナット２２から成り、該ナット２２を締込むことで前記
Ｏリング２１が圧縮され、前記基幹部１７を気密に保持
する様になっている。
【００１０】而して、前記アノード３に嵌入した熱電対
１６の検出端で前記アノード３の温度が検出され、更に
該検出結果を基に前記被処理基板４の温度が測定される
様になっている。
１６の検出端で前記アノード３の温度が検出され、更に
該検出結果を基に前記被処理基板４の温度が測定される
様になっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の温度検
出装置では真空容器本体１内部が加熱された場合前記熱
電対１６とアノード３支持部との間で熱膨張差が生じ、
図５に示される様に熱電対１６検出端とアノード３間で
隙間２３を生じてしまう。この為、熱電対１６とアノー
ド３間の熱抵抗が大きくなり、正確な温度が検出できな
い。更に、上記した様に成膜時には反応ガスを導入する
が、該反応ガスが前記隙間２３内を充填し、熱抵抗が一
時的に減少する。被処理基板４処理に伴い反応ガスの導
入排気が繰返えされる為、温度検出が不確定なものとな
り、被処理基板４の安定した温度制御が不可能となると
いう問題があった。
出装置では真空容器本体１内部が加熱された場合前記熱
電対１６とアノード３支持部との間で熱膨張差が生じ、
図５に示される様に熱電対１６検出端とアノード３間で
隙間２３を生じてしまう。この為、熱電対１６とアノー
ド３間の熱抵抗が大きくなり、正確な温度が検出できな
い。更に、上記した様に成膜時には反応ガスを導入する
が、該反応ガスが前記隙間２３内を充填し、熱抵抗が一
時的に減少する。被処理基板４処理に伴い反応ガスの導
入排気が繰返えされる為、温度検出が不確定なものとな
り、被処理基板４の安定した温度制御が不可能となると
いう問題があった。
【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、アノード等被
検出体の正確で安定した温度検出を行える様にし、ひい
ては被処理基板の温度制御の精度を向上させようとする
ものである。
検出体の正確で安定した温度検出を行える様にし、ひい
ては被処理基板の温度制御の精度を向上させようとする
ものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱電対が熱電
対ホルダに軸心方向に変位可能に保持され、前記熱電対
ホルダがスプリングを具備し、該スプリングにより熱電
対が検出端方向に付勢されることを特徴とする温度検出
装置に係り、又熱電対の検出端が嵌入される孔がテーパ
孔であり、前記熱電対の検出端に前記テーパ孔に嵌合す
るテーパ形状の接触子を設けたものであり、更に又検出
端に至るリード線を屈撓可能なインコネル製のカバーパ
イプで被覆した温度検出装置に係るものである。
対ホルダに軸心方向に変位可能に保持され、前記熱電対
ホルダがスプリングを具備し、該スプリングにより熱電
対が検出端方向に付勢されることを特徴とする温度検出
装置に係り、又熱電対の検出端が嵌入される孔がテーパ
孔であり、前記熱電対の検出端に前記テーパ孔に嵌合す
るテーパ形状の接触子を設けたものであり、更に又検出
端に至るリード線を屈撓可能なインコネル製のカバーパ
イプで被覆した温度検出装置に係るものである。
【００１４】而して、スプリングにより熱電対の検出端
と被検出体との接触が確実となり、又検出端と被検出体
の接触の態様をテーパ嵌合とすることで大きな接触圧が
得られ、より確実な温度検出が可能となり、更に検出端
迄を屈撓可能な材質とすることで検出端と被検出体との
嵌合作業が容易となる。
と被検出体との接触が確実となり、又検出端と被検出体
の接触の態様をテーパ嵌合とすることで大きな接触圧が
得られ、より確実な温度検出が可能となり、更に検出端
迄を屈撓可能な材質とすることで検出端と被検出体との
嵌合作業が容易となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１６】図１は本発明に係る第１の実施の形態の要
部を示すものであり、図１中、図４中で示したものと同
様のものには同符号を付してある。
部を示すものであり、図１中、図４中で示したものと同
様のものには同符号を付してある。
【００１７】熱電対１６には基幹部１７が設けられ、該
基幹部１７が熱電対ホルダ１８に保持される。
基幹部１７が熱電対ホルダ１８に保持される。
【００１８】フランジ１９にＯリング押え２５を摺動自
在に内嵌し、該Ｏリング押え２５の先端にはフランジ１
９との間でＯリング２１を挾設する。前記フランジ１９
にパイプ状のジョイントナット２６を外嵌螺合し、該ジ
ョイントナット２６の内部に中心に向け突出する内フラ
ンジ２７を形成し、該内フランジ２７を前記Ｏリング押
え２５の下端面に当接させる。前記熱電対１６のリード
部１６が挿通し、且基幹部１７の下端に嵌合する様に遊
動ブッシュ２８を配設する。該遊動ブッシュ２８の上端
にはフランジ２９が形成され、該フランジ２９が前記ジ
ョイントナット２６の下部に摺動自在に内嵌する。前記
遊動ブッシュ２８が遊貫するナット３０の上部を前記ジ
ョイントナット２６の下端部に外嵌螺合する。前記遊動
ブッシュ２８に嵌装した圧縮スプリング３１を前記フラ
ンジ２９とナット３０の下部間に挾設する。
在に内嵌し、該Ｏリング押え２５の先端にはフランジ１
９との間でＯリング２１を挾設する。前記フランジ１９
にパイプ状のジョイントナット２６を外嵌螺合し、該ジ
ョイントナット２６の内部に中心に向け突出する内フラ
ンジ２７を形成し、該内フランジ２７を前記Ｏリング押
え２５の下端面に当接させる。前記熱電対１６のリード
部１６が挿通し、且基幹部１７の下端に嵌合する様に遊
動ブッシュ２８を配設する。該遊動ブッシュ２８の上端
にはフランジ２９が形成され、該フランジ２９が前記ジ
ョイントナット２６の下部に摺動自在に内嵌する。前記
遊動ブッシュ２８が遊貫するナット３０の上部を前記ジ
ョイントナット２６の下端部に外嵌螺合する。前記遊動
ブッシュ２８に嵌装した圧縮スプリング３１を前記フラ
ンジ２９とナット３０の下部間に挾設する。
【００１９】該第１の実施の形態では、前記圧縮スプリ
ング３１が遊動ブッシュ２８を介して熱電対１６を上方
に付勢し、熱電対１６の検出端を前記アノード３に所要
の接触圧で押圧する。而して、前記アノード３、熱電対
１６の支持部、熱電対１６自体の間で熱膨張差が生じて
も前記圧縮スプリング３１により熱電対１６検出端のア
ノード３への接触が保証される。従って、真空容器本体
１内へのガスの導入、排気があっても、熱電対１６とア
ノード３間へのガスの浸入はないので、両者間での熱抵
抗に影響はなく、アノード３の正確な温度が安定して検
出することができる。
ング３１が遊動ブッシュ２８を介して熱電対１６を上方
に付勢し、熱電対１６の検出端を前記アノード３に所要
の接触圧で押圧する。而して、前記アノード３、熱電対
１６の支持部、熱電対１６自体の間で熱膨張差が生じて
も前記圧縮スプリング３１により熱電対１６検出端のア
ノード３への接触が保証される。従って、真空容器本体
１内へのガスの導入、排気があっても、熱電対１６とア
ノード３間へのガスの浸入はないので、両者間での熱抵
抗に影響はなく、アノード３の正確な温度が安定して検
出することができる。
【００２０】図２により第２の実施の形態について説明
する。
する。
【００２１】該第２の実施の形態ではアノード３にテー
パ孔３５を穿設し、該テーパ孔３５に熱電対検出端を設
ける。熱電対の先端にテーパ形状の接触子３４を設け、
該接触子３４を前記テーパ孔３５に契合可能とする。
又、熱電対のリード（図示せず）は細径のインコネル材
質のカバーパイプ３３に挿通されている。
パ孔３５を穿設し、該テーパ孔３５に熱電対検出端を設
ける。熱電対の先端にテーパ形状の接触子３４を設け、
該接触子３４を前記テーパ孔３５に契合可能とする。
又、熱電対のリード（図示せず）は細径のインコネル材
質のカバーパイプ３３に挿通されている。
【００２２】熱電対ホルダ１８の構成については上記第
１の実施の形態と同一であるので説明を省略する。
１の実施の形態と同一であるので説明を省略する。
【００２３】該第２の実施の形態では、熱電対の検出端
である接触子３４がテーパ孔３５にテーパ嵌合してお
り、又前記圧縮スプリング３１により押圧されている。
従って、接触子３４とテーパ孔３５とは楔結合により強
固に、又確実に接触し、その接触圧は大きくなり、熱抵
抗が減少して正確な温度検出が可能となり、更にカバー
パイプ３３が細径であるので、その屈撓性により接触子
３４のテーパ孔３５への嵌合は容易に行える。
である接触子３４がテーパ孔３５にテーパ嵌合してお
り、又前記圧縮スプリング３１により押圧されている。
従って、接触子３４とテーパ孔３５とは楔結合により強
固に、又確実に接触し、その接触圧は大きくなり、熱抵
抗が減少して正確な温度検出が可能となり、更にカバー
パイプ３３が細径であるので、その屈撓性により接触子
３４のテーパ孔３５への嵌合は容易に行える。
【００２４】尚、上記実施の形態では本発明をＣＶＤ装
置に実施した場合を説明したが、その外の真空処理装置
に実施可能であることは言う迄もない。
置に実施した場合を説明したが、その外の真空処理装置
に実施可能であることは言う迄もない。
【００２５】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、熱電対
の検出端がスプリングにより確実に被検出体に押圧され
るので、熱電対と被検出体との接触が確実で安定し、被
検出体の温度測定が正確で安定したものとなる。又、検
出端と被検出体とがテーパ嵌合しているので楔効果で大
きな接触圧が得られ熱抵抗が少なく正確な温度測定が可
能となる、更に検出端迄を屈撓可能な材質とすることで
検出端と被検出体との嵌合作業が容易となる、等の優れ
た効果を発揮する。
の検出端がスプリングにより確実に被検出体に押圧され
るので、熱電対と被検出体との接触が確実で安定し、被
検出体の温度測定が正確で安定したものとなる。又、検
出端と被検出体とがテーパ嵌合しているので楔効果で大
きな接触圧が得られ熱抵抗が少なく正確な温度測定が可
能となる、更に検出端迄を屈撓可能な材質とすることで
検出端と被検出体との嵌合作業が容易となる、等の優れ
た効果を発揮する。
【図１】本発明の第１の実施の形態の要部を示す立断面
図である。
図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の要部を示す立断面
図である。
図である。
【図３】真空処理装置の１つであるＣＶＤ装置の概略を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】従来例の立断面図である。
【図５】該従来例の熱電対先端部を拡大した部分断面図
である。
である。
１８ 熱電対ホルダ １９ フランジ ２１ Ｏリング ２５ Ｏリング押え ２６ ジョイントナット ２７ 内フランジ ２８ 遊動ブッシュ ２９ フランジ ３０ ナット ３１ 圧縮スプリング ３４ 接触子
Claims (3)
- 【請求項１】 熱電対が熱電対ホルダに軸心方向に変位
可能に保持され、前記熱電対ホルダがスプリングを具備
し、該スプリングにより熱電対が検出端方向に付勢され
ることを特徴とする温度検出装置。 - 【請求項２】 熱電対の検出端が嵌入される孔がテーパ
孔であり、前記熱電対の検出端に前記テーパ孔に嵌合す
るテーパ形状の接触子を設けた請求項１の温度検出装
置。 - 【請求項３】 検出端に至るリード線を屈撓可能なイン
コネル製のカバーパイプで被覆した請求項２の温度検出
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33268295A JPH09145485A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 温度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33268295A JPH09145485A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 温度検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09145485A true JPH09145485A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18257709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33268295A Pending JPH09145485A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 温度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09145485A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0915499A2 (en) * | 1997-11-05 | 1999-05-12 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer holding apparatus and semiconductor wafer storage chamber |
| WO2008029595A1 (fr) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de mesure de la température |
| JP2009042070A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Sei Hybrid Kk | 半導体製造装置用測温装置及びそれを搭載した半導体製造装置 |
| KR200448167Y1 (ko) * | 2007-11-05 | 2010-03-24 | 한국서부발전 주식회사 | 온도측정용 열전대 호울더의 고정구조 |
| KR101442633B1 (ko) * | 2013-09-13 | 2014-09-22 | (주)티티에스 | 기판 지지 장치 |
| RU2652534C1 (ru) * | 2014-11-20 | 2018-04-26 | Мицубиси Хеви Индастриз, Лтд. | Средство контроля высокотемпературного устройства высокого давления |
-
1995
- 1995-11-28 JP JP33268295A patent/JPH09145485A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0915499A2 (en) * | 1997-11-05 | 1999-05-12 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer holding apparatus and semiconductor wafer storage chamber |
| EP0915499A3 (en) * | 1997-11-05 | 2004-06-02 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer holding apparatus and semiconductor wafer storage chamber |
| WO2008029595A1 (fr) * | 2006-09-06 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de mesure de la température |
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