KR102227870B1 - 열전쌍 고정 지그 - Google Patents

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다케시 이타타니
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 선형 히터의 온도를 열전쌍에 의해 측정할 때, 선형 히터의 출력의 변동을 억제할 수 있는 열전쌍 고정 지그를 제공한다. 선형 히터에 열전쌍을 고정하는 열전쌍 고정 지그는, 선형 히터를 사이에 두도록 마련되는 제1 부재 및 제2 부재를 갖고, 제2 부재는, 열전쌍의 온도 검지부를 끼움 지지하는 제1 끼움 지지부 및 제2 끼움 지지부를 갖는다.

Description

열전쌍 고정 지그{THERMOCOUPLE-FIXING JIG}
본 개시는, 열전쌍 고정 지그에 관한 것이다.
예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 다양한 박막을 성막하는 프로세스가 존재하고, 이러한 성막을 행하는 성막 장치에서는, 피처리체나 부재를 가열하기 위해서 시스 히터와 같은 선형 히터가 사용된다.
특허문헌 1에는, 성막 처리를 행하는 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 샤워 플레이트의 주위에 원환 형상의 절연 부재가 마련되고, 절연 부재의 내부에 전체 둘레에 걸쳐 선형 히터를 마련한 성막 장치가 기재되어 있다. 특허문헌 1에서는, 선형 히터에 의해 절연 부재를 소정 온도로 가열함으로써, 절연 부재에 부착된 막의 막 박리를 방지하고 있다. 이렇게 히터에 의해 가열을 행할 때는, 일반적으로, 히터를 고정하는 지그에 열전쌍를 삽입해서 히터의 온도 측정을 행하고, 그 측정 결과에 기초하여 히터의 출력을 제어한다.
한편, 열전쌍의 온도 측정 변동 등을 억제하는 기술로서, 특허문헌 2에는, 균열판에 형성된 오목부에 시스형 열전쌍의 측온부를 배치하고, 금속제 칩 및 누름 지그에 의해 측온부를 압박 고정하는 기술이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2015-214716호 공보 일본 특허 공개 제2002-110524호 공보
본 개시는, 선형 히터의 온도를 열전쌍에 의해 측정할 때, 선형 히터의 온도 측정 변동을 억제할 수 있는 열전쌍 고정 지그를 제공한다.
본 개시의 일 형태에 관한 열전쌍 고정 지그는, 선형 히터에 열전쌍를 고정하는 열전쌍 고정 지그이며, 상기 선형 히터를 사이에 두도록 마련되는 제1 부재 및 제2 부재를 갖고, 상기 제2 부재는, 열전쌍의 온도 검지부를 끼움 지지하는 제1 끼움 지지부 및 제2 끼움 지지부를 갖는다.
본 개시에 의하면, 선형 히터의 온도를 열전쌍에 의해 측정할 때, 선형 히터의 온도 측정 변동을 억제할 수 있는 열전쌍 고정 지그가 제공된다.
도 1은 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그가 적용되는 성막 장치의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 성막 장치에 있어서, 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그가 사용되는 선형 히터의 배치 부분을 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 1의 성막 장치에 있어서, 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그가 사용되는 선형 히터를 도시하는 평면도이다.
도 4는 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그의 장착 상태를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그를 도시하는 정면도이다.
도 6은 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그를 도시하는 평면도이다.
도 7은 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그를 도시하는 측면도이다.
도 8은 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그에 있어서, 제1 끼움 지지 부재 및 제2 끼움 지지 부재를 나사 고정했을 때의 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 종래의 열전쌍 고정 지그의 장착 상태를 설명하기 위한 사시도이다.
도 10은 선형 히터에 대하여, 종래의 열전쌍 고정 지그를 사용한 경우와, 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그를 사용한 경우에, 히터 파워의 변동을 비교한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시 형태에 대해서 구체적으로 설명한다.
<성막 장치>
우선, 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그가 적용되는 성막 장치의 일례에 대해서 설명한다. 여기에서는, 플라스마 CVD에 의해 피처리체인 반도체 웨이퍼(간단히 웨이퍼라고도 기재함)(W) 상에 Ti막을 성막하는 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1은, 일 실시 형태의 열전쌍 고정 지그가 적용되는 성막 장치의 일례를 나타내는 단면도이다. 성막 장치(1)는, 바닥이 있고 상부가 개구된 대략 원통 형상의 처리 용기(10)와, 처리 용기(10) 내에 마련된, 웨이퍼(W)를 적재하는 적재대(11)를 갖고 있다. 처리 용기(10)는 접지선(12)에 의해 접지되어 있다.
적재대(11)는, 예를 들어 AlN 등의 세라믹스에 의해 형성되어 있고, 그 표면에는 도전성 재료에 의한 피막(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 적재대(11)의 하면은, 도전성 재료에 의해 형성된 지지 부재(13)에 의해 지지되며, 또한 전기적으로 접속되어 있다. 지지 부재(13)의 하단은, 처리 용기(10)의 저면에 의해 지지 되며, 또한 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 적재대(11)는 처리 용기(10)를 통해서 접지되어 있고, 후술하는 상부 전극(30)과 쌍을 이루는 하부 전극으로서 기능한다.
적재대(11)에는 히터(20)가 내장되어 있어, 히터(20)에 의해, 적재대(11)에 적재되는 웨이퍼(W)가 소정의 온도로 가열된다. 또한, 적재대(11)에는, 웨이퍼(W)의 외주부를 압박해서 적재대(11) 상에 고정하는 클램프 링(도시하지 않음)이나, 처리 용기(10)의 외부에 마련된 도시하지 않은 반송 기구와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 마련되어 있다.
처리 용기(10)의 상부에는, 하부 전극인 적재대(11)에 대향해서 대략 원반 형상을 이루는 상부 전극(30)이 마련되어 있다. 상부 전극(30)은, 예를 들어 니켈(Ni) 등의 도전성 금속에 의해 형성되어 있다.
상부 전극(30)에는, 복수의 가스 공급 구멍(30a)이 형성되어 있다. 또한, 상부 전극(30)의 외주연부 전체 둘레에는, 상방으로 돌출되는 돌출부(30b)가 형성되어 있다. 상부 전극(30)의 돌출부(30b)는 덮개(31)에 설치되고, 당해 덮개(31)와 상부 전극(30)으로 둘러싸인 공간이 가스 확산실(32)이 된다.
덮개(31)의 상면에는, 그 외주부로부터 외측을 향해서 걸림 지지부(31a)가 돌출되어 있어, 걸림 지지부(31a)가 원환 형상의 지지 부재(33)를 통해서 처리 용기(10)의 상단에 걸림 지지된다. 덮개(31)와 걸림 지지부(31a)에 의해 천장벽이 구성된다. 덮개(31) 및 걸림 지지부(31a)도, 상부 전극(30)과 마찬가지로, 니켈 등의 도전성 금속에 의해 형성되어 있다.
지지 부재(33)는, 예를 들어 석영 등의 절연 재료에 의해 형성되어 있다. 그 때문에, 상부 전극(30)과 처리 용기(10)는 전기적으로 절연되어 있다. 또한, 덮개(31)의 상면에는, 히터(34)가 마련되어 있다. 이 히터(34)에 의해, 덮개(31) 및 상부 전극(30)을 소정의 온도로 가열하도록 되어 있다.
상부 전극(30)의 돌출부(30b)의 외측에는, 당해 상부 전극(30)의 외주부를 둘러싸도록, 선형 히터(41)를 내장한 원환 형상의 절연 부재(40)가 마련되어 있다.
덮개(31)에는, 당해 덮개(31)를 통해서 상부 전극(30)에 고주파 전력을 공급하여 플라스마를 생성하기 위한 고주파 전원(60)이 정합기(61)를 통해서 전기적으로 접속되어 있다. 고주파 전원은, 예를 들어 100kHz 내지 100MHz의 주파수, 본 실시 형태에서는, 예를 들어 450kHz의 고주파 전력을 출력하도록 구성되어 있다. 정합기(61)는, 고주파 전원(60)의 내부 임피던스와 부하 임피던스를 매칭시키는 것이다.
가스 확산실(32)에는, 덮개(31)를 관통해서 가스 공급관(51)이 접속되어 있다. 가스 공급관(51)에는, 가스 공급 기구(50)가 접속되어 있다. 가스 공급 기구(50)로부터 공급된 처리 가스는, 가스 공급관(51)을 통해서 가스 확산실(32)에 공급된다. 가스 확산실(32)에 공급된 처리 가스는, 가스 공급 구멍(30a)을 통해서 처리 용기(10) 내에 도입된다. 따라서, 상부 전극(30)은, 처리 용기(10) 내에 처리 가스를 도입하는 샤워 플레이트로서 기능한다.
가스 공급 기구(50)는, 예를 들어 Ti막의 성막용 원료 가스인 TiCl4 가스, 환원 가스인 H2(수소) 가스, 플라스마 생성용 Ar 가스 등의 가스 공급원과, 이들을 가스 공급관에 유도하는 개별 배관, 개별 배관에 마련된 밸브나 유량 제어기를 갖고 있다.
처리 용기(10)의 저면에는, 처리 용기(10) 내를 배기하는 배기 기구(70)가 배기관(71)을 통해서 접속되어 있다. 배기관(71)에는, 처리 용기(10) 내의 압력을 제어하기 위한 자동 압력 제어 밸브(APC)(72)가 마련되어 있다.
성막 장치(1)는, 제어부(100)를 갖는다. 제어부(100)는, 컴퓨터로 이루어지고, 성막 장치(1)의 각 구성부, 예를 들어 히터(20), 선형 히터(41), 고주파 전원(60), 정합기(61), 배기 기구(70), 자동 압력 제어 밸브(72), 다른 밸브류, 유량 제어기 등을 제어하는, CPU로 이루어지는 주제어부와, 키보드나 마우스 등의 입력 장치, 출력 장치, 표시 장치, 기억 장치를 갖고 있다. 제어부(100)의 주제어부는, 기억 장치에 처리 레시피가 기억된 기억 매체를 세트함으로써, 기억 매체로부터 호출된 처리 레시피에 기초하여 성막 장치(1)에 소정의 동작을 실행시킨다.
이어서, 상술한 절연 부재(40)에 대해서 설명한다.
절연 부재(40)는, 예를 들어 석영에 의해 형성되어 있다. 절연 부재(40)의 하단면은, 도 2에 도시한 바와 같이 상부 전극(30)의 하단면과 연직 방향의 높이가 동일해지도록 설정되어 있어, 하부 전극과 상부 전극(30)의 사이에 고주파를 인가하였을 때, 처리 용기(10) 내에 생성되는 플라스마가 편재되지 않도록 되어 있다. 절연 부재(40)는, 상술한 지지 부재(33)에 의해 지지되어 있고, 그 외측면과 처리 용기(10)의 내측면의 사이에 소정의 간격의 간극이 발생하도록 배치되어 있다. 또한, 상부 전극(30)과 절연 부재(40)의 사이에는 간극이 형성되어 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 절연 부재(40)의 내부의 공간(40a)에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 전체 둘레에 걸쳐 선형 히터(41)가 소용돌이 형상으로 배치되어 있다. 선형 히터(41)는 시스 히터로서 구성된다. 선형 히터(41)는 히터 전원(도시하지 않음)으로부터 급전됨으로써 발열하고, 그 열에 의해 절연 부재(40)가 소정의 온도로 가열되도록 되어 있다.
이상과 같이 구성되는 성막 장치에서는, 먼저, 처리 용기(10) 내에 웨이퍼(W)를 반입하여, 적재대(11) 상에 적재한다. 이때, 적재대(11)는 히터(20)에 의해 소정 온도로 유지되어 있어, 적재대(11)에 적재된 웨이퍼(W)가 소정의 온도로 가열된다. 그리고, 배기 기구(70)에 의해 처리 용기(10) 내를 배기해서 소정의 압력으로 제어하면서, 가스 공급 기구(50)로부터 예를 들어 TiCl4 가스, H2 가스 및 Ar 가스를 소정의 유량으로 처리 용기(10) 내에 공급한다.
이 상태에서, 고주파 전원(60)으로부터 상부 전극(30)에 고주파 전력을 인가하여, 상부 전극(30)과 하부 전극인 적재대(11)의 사이에 고주파 전계를 형성한다. 이 고주파 전계에 의해 처리 가스가 플라스마화되어, 플라스마 CVD에 의해 웨이퍼(W) 표면에 Ti막이 생성된다.
이때, 상부 전극(30)이나 절연 부재(40)에는, 성막 시의 반응 생성물이 부착되어, 막이 형성된다. 이 막의 막질이 나쁘면 박리되어 파티클이 된다. 상부 전극(30)은 덮개(31)에 마련된 히터(34)에 의해 가열되기 때문에, 부착된 막의 막질은 잘 박리되기 어렵다. 그러나, 절연 부재(40)는 히터(34)로는 충분히 가열되지 않기 때문에, 히터(34)만으로는 절연 부재(40)에 형성된 막의 막질이 나빠져서 박리되기 쉬워진다. 이 때문에, 선형 히터(41)를 마련해서 절연 부재(40)를 소정 온도로 가열함으로써, 절연 부재(40)에 부착되는 막의 막질을 향상시킨다.
선형 히터(41)의 온도 제어는, 일 실시 형태의 열전쌍 고정 지그로 열전쌍을 선형 히터에 고정하고, 열전쌍으로부터의 온도 신호에 기초하여 제어부(100)가 히터 전원(도시하지 않음)의 출력을 제어함으로써 행하여진다.
<열전쌍 고정 지그>
이어서, 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그에 대해서 설명한다.
도 4는 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그의 장착 상태를 설명하기 위한 사시도, 도 5는 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그를 도시하는 정면도, 도 6은 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그를 도시하는 평면도, 도 7은 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그를 도시하는 측면도이다.
본 실시 형태의 열전쌍 고정 지그(200)는, 선형 히터(41)의 온도를 측정하는 열전쌍을 선형 히터(41)에 고정하여, 선형 히터(41)의 열을 열전쌍에 전열하기 위한 것으로, 내열성 및 내식성이 높은 금속 재료, 예를 들어 니켈 합금으로 구성되어 있다. 열전쌍 고정 지그(200)는, 선형 히터(41)의 하측에 마련되는 베이스 부재(201)(제1 부재)와, 선형 히터(41)를 사이에 두고 베이스 부재(201)의 상측에 마련되어, 열전쌍의 온도 검지부를 끼움 지지하는 끼움 지지 부재(204)(제2 부재)를 갖는다.
베이스 부재(201)는, 선형 히터(41)의 하측에 선형 히터(41)의 길이 방향을 따라서 마련된다. 베이스 부재(201)의 상측에는, 선형 히터(41)가 끼움 삽입되는 홈(201a)이 형성되어 있다. 또한, 베이스 부재(201)의 상부에는 선형 히터(41)의 길이 방향에 직교하는 방향으로 나사 구멍(201b 및 201c)이 형성되어 있다.
끼움 지지 부재(204)는, 선형 히터(41)의 길이 방향 중앙에서 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)로 분할되어 있다. 끼움 지지 부재(204)의 하측에는 선형 히터(41)가 끼움 삽입되는 홈(204a)이, 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)에 걸쳐서 형성되어 있다. 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)에는, 각각 나사 구멍(202a 및 203a)이 선형 히터(41)의 길이 방향에 직교하는 방향으로 관통해서 마련되어 있다.
나사 구멍(202a) 및 나사 구멍(201b), 그리고 나사 구멍(203a) 및 나사 구멍(201c)에 접시 나사(207)를 나사 결합시킴으로써, 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)가 베이스 부재(201)에 체결된다.
제1 끼움 지지 부재(202)에는, 그 전방면으로부터 돌출되어 제1 끼움 지지부(205a)가 형성되어 있고, 제2 끼움 지지 부재(203)에는, 그 전방면으로부터 돌출되어 제2 끼움 지지부(205b)가 형성되어 있다. 이들 제1 끼움 지지부(205a) 및 제2 끼움 지지부(205b)는, 열전쌍(206)의 온도 검지부를 끼워 넣는 홈이 선형 히터(41)에 대하여 수직으로 형성된 장척체로서 구성되어 있다. 그리고, 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)를 베이스 부재(201)에 체결했을 때, 제1 끼움 지지부(205a) 및 제2 끼움 지지부(205b)의 홈의 사이에 열전쌍(206)이 끼움 지지되도록 되어 있다. 제1 끼움 지지부(205a) 및 제2 끼움 지지부(205b)는, 적어도 열전쌍(206)의 온도 검지부(측온부)보다 긴 길이를 갖는다.
제1 끼움 지지 부재(202)와 제2 끼움 지지 부재(203)는 경면 대칭 형상이며, 이것들은 선형 히터(41)로부터 균등하게 전열되어, 온도가 균등하게 되도록 되어 있다.
베이스 부재(201)의 전방면 중앙부에는 오목부(201d)가 형성되어 있고, 오목부(201d)를 규정하는 일방측 및 타방측의 면은, 낙하 수용 테이퍼면(201e 및 201f)(제1 테이퍼면 및 제2 테이퍼면)으로 되어 있다. 한편, 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)의 하부에는, 이들의 맞춤면 근방 부분에, 각각 하방으로 돌출되는 볼록부(202b 및 203b)가 형성되어 있다. 볼록부(202b 및 203b)에는, 각각 테이퍼면(202c 및 203c)(제3 테이퍼면 및 제4 테이퍼면)이 형성되어 있다. 그리고, 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)가 베이스 부재(201)에 접시 나사(207)에 의해 나사 고정되어 하측으로 이동할 때, 테이퍼면(202c 및 203c)이 각각 낙하 수용 테이퍼면(201e 및 201f)에 의해 가이드된다. 그 결과, 도 8에 도시하는 바와 같이, 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)가 자동적으로 낙하 수용되어, 이들에 서로 근접하는 방향으로 이동하는 힘이 작용하여, 위치 설정이 가능하게 되어 있다. 즉, 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)를 나사 고정했을 때, 제1 끼움 지지부(205a) 및 제2 끼움 지지부(205b)가 열전쌍(206)의 온도 검지부를 소정 위치에서 끼움 지지한다.
종래의 열전쌍 고정 지그는 예를 들어 도 9에 도시한 바와 같은 것이다. 즉, 도 9에 도시하는 종래의 열전쌍 고정 지그(300)는, 선형 히터(41)의 하측에 마련되는 베이스 부재(301)와, 선형 히터(41)를 사이에 두고 베이스 부재(301)의 상측에 마련된 캡 부재(302)를 갖는다. 베이스 부재(301)에는 열전쌍 삽입부(301a)가 형성되어 있어, 열전쌍 삽입부(301a)에 열전쌍이 삽입된다. 그리고, 캡 부재(302)가 접시 나사(207)에 의해 베이스 부재에 고정되었을 때, 캡 부재(302)로부터 돌출되어 형성된 캡부(302a)가 열전쌍(206)의 선단부에 씌워진다. 또한, 301b, 302b는 선형 히터(41)가 끼움 삽입되는 홈이다.
그러나, 이와 같은 열전쌍 고정 지그(300)에서는, 열전쌍(206)의 설치마다, 열전쌍(206)과 고정 지그(300), 고정 지그(300)와 선형 히터(41)의 접촉 상태가 변화해버린다. 그 결과, 열전쌍(206)의 측정 온도가 변화하여, 처리 용기(10) 내의 아이들 시에, 선형 히터(41)에 급전되는 파워에 변동이 발생해버린다. 이러한 파워의 변동은, 특허문헌 2와 같은 열전쌍의 측온부(온도 검지부)를 압박 고정하는 기술에 의해서도 해소하는 것이 곤란하다.
이에 반해, 본 실시 형태에서는, 선형 히터(41)의 열을 열전쌍(206)에 전열하는 종래의 캡 부재(302)에 상당하는 부재를, 중앙에서 제1 끼움 지지 부재(202) 끼움 삽입 제2 끼움 지지 부재(203)로 분할된 끼움 지지 부재(204)로서 구성한다. 그리고, 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)를 베이스 부재(201)에 나사 고정했을 때, 제1 끼움 지지 부재(202)의 제1 끼움 지지부(205a)와 제2 끼움 지지 부재(203)의 제2 끼움 지지부(205b) 사이에 열전쌍(206)의 온도 검지부를 끼워 넣도록 하였다. 이에 의해, 열전쌍(206)과 열전쌍 고정 지그(200)의 접촉성이 양호해서, 제1 끼움 지지부(205a) 및 제2 끼움 지지부(205b)를 열전쌍(206)에 균등하게 접촉시킬 수 있다. 이 때문에, 열전쌍(206)의 삽입 위치나, 선형 히터(41)와 열전쌍 고정 지그(200)가 접촉하는 장소가 어긋났다고 해도, 측정 온도의 변동을 억제할 수 있다.
또한, 제1 끼움 지지 부재(202)와 제2 끼움 지지 부재(203)는 경면 대칭 형상이며, 이것들은 선형 히터(41)로부터 균등하게 전열되어, 온도가 균등해지는 결과, 열용량에 기인한 측정 온도의 변동을 억제할 수 있다.
또한, 베이스 부재(201)에 낙하 수용 테이퍼면(201e 및 201f)이 형성되어 있으므로, 제1 끼움 지지 부재(202) 및 제2 끼움 지지 부재(203)가 자동적으로 낙하 수용되어 내측으로 이동하는 힘이 작용하여, 위치 설정된다. 이 때문에, 열전쌍 고정 지그(200)의 조립의 재현성을 확보할 수 있어, 조립의 변동에 의한 측정 온도의 변동을 억제할 수 있다.
실제로, 도 1의 선형 히터(41)에 대하여, 도 9에 도시하는 종래의 열전쌍 고정 지그(300)를 사용한 경우와, 도 4 내지 7에 도시하는 일 실시 형태에 따른 열전쌍 고정 지그(200)를 사용한 경우에, 복수회 열전쌍의 설치를 행하고, 그 때마다 선형 히터(41)의 파워를 측정하였다. 그 결과를 도 10에 도시한다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 종래는, 히터 파워가 71 내지 88％의 범위에서 변동되었지만, 일 실시 형태에서는 71 내지 80％의 범위에서의 변동으로 억제되었다.
<다른 적용>
이상, 실시 형태에 대해서 설명했지만, 금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 특허 청구 범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는, 성막 장치의 샤워 플레이트의 주위에 마련된 원환 형상의 절연 부재에 사용되는 선형 히터에 본 발명을 적용하는 경우를 나타냈지만, 이것에 한하지 않고, 선형 히터에 열전쌍을 고정하는 용도라면 적용 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 베이스 부재 상에 끼움 지지부를 갖는 끼움 지지 부재를 마련한 예를 나타냈지만, 이에 한정하지 않고 베이스 부재에 끼움 지지부를 형성해도 되고, 끼움 지지부만 2분할하도록 해도 된다.
1; 성막 장치 41; 선형 히터
200; 열전쌍 고정 부재 201; 베이스 부재(제1 부재)
201a; 홈 201e, 201f; 낙하 수용 테이퍼면
202; 제1 끼움 지지 부재 202c, 203c; 테이퍼면
203; 제2 끼움 지지 부재 204; 끼움 지지 부재(제2 부재)
205a; 제1 끼움 지지부 205b; 제2 끼움 지지부
206; 열전쌍 207; 접시 나사

Claims (7)

  1. 선형 히터에 열전쌍을 고정하는 열전쌍 고정 지그이며,
    상기 선형 히터를 사이에 두도록 마련되는 제1 부재 및 제2 부재를 포함하고,
    상기 제2 부재는, 열전쌍의 온도 검지부를 끼움 지지하는 제1 끼움 지지부 및 제2 끼움 지지부를 포함하고,
    상기 제2 부재는, 상기 선형 히터의 길이 방향으로 2분할되어, 제1 끼움 지지 부재와 제2 끼움 지지 부재를 구성하고, 상기 제1 끼움 지지 부재는 상기 제1 끼움 지지부를 갖고, 상기 제2 끼움 지지 부재는 상기 제2 끼움 지지부를 갖고, 상기 제1 끼움 지지 부재 및 상기 제2 끼움 지지 부재가 상기 제1 부재에 나사 고정 되었을 때, 상기 제1 끼움 지지부 및 상기 제2 끼움 지지부에 의해 열전쌍이 끼움 지지되고,
    상기 제1 부재에는 제1 테이퍼면 및 제2 테이퍼면이 형성되고, 상기 제1 끼움 지지 부재 및 상기 제2 끼움 지지 부재에는, 각각 상기 제1 테이퍼면에 대응하는 제3 테이퍼면 및 상기 제2 테이퍼면에 대응하는 제4 테이퍼면이 형성되고, 상기 제1 끼움 지지 부재 및 상기 제2 끼움 지지 부재가 나사 고정되어, 상기 제1 부재에 가까워지는 방향으로 이동할 때, 상기 제1 끼움 지지부 및 상기 제2 끼움 지지부의 상기 제3 테이퍼면 및 상기 제4 테이퍼면이, 각각 상기 제1 테이퍼면 및 상기 제2 테이퍼면에 의해 가이드되고, 상기 제1 끼움 지지 부재 및 상기 제2 끼움 지지 부재에, 이들이 서로 근접하는 방향으로 이동하는 힘이 작용하여, 상기 제1 및 제2 끼움 지지부에 의해 상기 열전쌍의 온도 검지부를 미리 정해진 위치에서 끼움 지지하는, 열전쌍 고정 지그.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 끼움 지지 부재 및 상기 제2 끼움 지지 부재는 경면 대칭 형상인, 열전쌍 고정 지그.
  4. 삭제
  5. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 끼움 지지부 및 상기 제2 끼움 지지부는, 적어도 열전쌍의 온도 검지부보다 긴 길이를 갖는, 열전쌍 고정 지그.
  6. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 끼움 지지부 및 상기 제2 끼움 지지부는, 상기 열전쌍의 온도 검지부를 끼워 넣는 홈을 갖는, 열전쌍 고정 지그.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 끼움 지지부 및 상기 제2 끼움 지지부는, 상기 선형 히터에 대하여 수직으로 연장되는 장척체로서 구성되고, 상기 열전쌍의 온도 검지부를 끼워 넣는 홈이 상기 선형 히터에 대하여 수직으로 형성되어 있는, 열전쌍 고정 지그.
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