JP3603059B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板を加熱する基板サポートに対して用いられる温度測定装置を備える半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、被処理基板に熱処理を施すことがある。このような熱処理を施すための半導体製造装置としては、加熱ヒータが内蔵された基板サポートを備えたものがある。図3(a)及び図3(b)は、それぞれそのような基板サポートを備えた半導体製造装置の構成を示す概略図である。
【0003】
図示するように、半導体製造装置1は、所定の真空度に減圧される真空チャンバ2を有しており、この真空チャンバ2内には基板支持装置3が設置されている。基板支持装置3は、上面に被処理基板である半導体ウェハWが載置されるセラミック製の基板サポート3aと、基板サポート3aを支持するステンレス製のステージ3bと、両者間に配置されて熱を絶縁する絶縁プレート3cと、基板サポート3a内に埋設され、基板サポート3aを加熱する加熱ヒータ3dとから構成されている。
【0004】
このような半導体製造装置1においては、熱処理後の半導体ウェハWの品質が基板サポート3aの温度に大きく左右されるため、基板サポート3a自体の温度を正確に測定して高精度の温度管理を行う必要がある。一般に、基板サポート3aの温度の測定には、熱電対が用いられる。熱電対としては、図3(a)に示す熱電対4や図3(b)に示す熱電対5のようなものがある。
【0005】
図3(a)に示すように、熱電対4は、一方の端部に熱電対プローブが設けられた側温部材4aと、真空チャンバ2の壁面に気密に固定された熱電対導入端子4bと、測温部材4aと熱電対導入端子4bとを接続するケーブル4cとから構成されている。測温部材4aは、絶縁プレート3cに設けられた貫通孔を貫通して、熱電対プローブが設けられた端部が基板サポート3aの下面に接触するように、ステージ3bに取り付けられている。熱伝対導入端子4bには、真空チャンバ2外に設けられた、温度保証回路が内蔵された計測器6が接続されている。
【0006】
熱電対5は、図3(b)に示すように、一方の端部に熱電対プローブが設けられ、他方の端部に上述したような計測器が接続された丸棒状のものである。熱電対5は、ステージ3b及び絶縁プレート3cに設けられた貫通孔を貫通して、熱電対プローブが設けられた端部が基板サポート3aの下面に接触するように、真空チャンバ2の壁面に気密に固定されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、熱電対4にあっては、ケーブル4cが真空チャンバ2内にあるため、ケーブル4cの取り回し等、取り付けの際の作業は手間がかかるものであった。
【0008】
また、熱電対5にあっては、基板サポート3aが加熱ヒータ3dにより加熱されて熱膨張するため、熱電対5の熱電対プローブが設けられた端部と基板サポート3aの下面との接触が不十分となり、基板サポート3a自体の温度が正確に測定されない恐れがあった。
【0009】
そこで、本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、取り付けの際の作業の手間を低減すると共に、被測定物たる基板サポートの温度を正確に測定できる温度測定装置を備えた半導体製造装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る温度測定装置は、一方の端部に温度検出素子が設けられた棒状体と、棒状体をその長手方向において前記端部の側に付勢する付勢手段とを備えたことを特徴としている。
【0011】
棒状体の温度検出素子が設けられた端部が付勢手段により、温度が測定される被測定部材に押し付けられ、十分な接触が保持される。これにより、被測定物の温度を正確に測定することが可能となる。また、付勢手段としてはベローズが好ましい。
【0012】
本発明による半導体製造装置は、以上の温度測定装置を備えたものである。すなわち、本発明の半導体製造装置は、真空チャンバと、この真空チャンバ内に配置され、内部に加熱手段が埋設されている基板サポートであって、下面から前記加熱手段の近傍まで上方に延びる第1の凹部が形成されている前記基板サポートと、真空チャンバの内部と外部とを仕切るよう設けられ、基板サポートの下側にて該基板サポートを支持するステージであり、第1の凹部の下方に形成された貫通孔を有する前記ステージと、上端部に温度検出素子が設けられており、貫通孔を通って上下方向に延び、上端部が第1の凹部内にて基板サポートに接触するようになっている棒状体と、棒状体を囲むように配置され、一端が棒状体に気密に取り付けられ、他端が貫通孔の周囲のステージに気密に取り付けられているベローズとを備え、貫通孔の内壁面と貫通孔を通る棒状体との間に、棒状体の上端部が三次元的に動作可能となる大きさの間隙が設けられており、真空チャンバの内部が減圧された場合に、ベローズの内外の圧力差によって該ベローズが変形し、棒状体の上端部が第1の凹部内にて基板サポートに押し付けられるようになっていることを特徴とする。したがって、棒状体の上端部と基板サポートとの十分な接触が保持され、基板サポート自体の温度を正確に測定することができる。また、真空チャンバ内においてケーブル等が用いられることがないため、取り付けの際の作業が容易となる。
【0013】
また、温度検出素子としては熱電対プローブが一般的である。
【0014】
更に、上述したような半導体製造装置では、基板サポートが加熱手段により熱膨張しても、棒状体の温度検出素子が設けられた上端部がベローズにより付勢され基板サポートに押し付けられているため、棒状体の上端部と基板サポートとの十分な接触が保持される。また、貫通孔の内壁面と、貫通孔を通る棒状体との間に、棒状体の上端部が三次元的に動作可能となる大きさの間隙が設けられているため、基板サポートとステージとの間の熱膨張差を吸収できる。
【0015】
また、基板サポートに形成された第1の凹部に棒状体の上端部を挿入することとしているので、第1の凹部の内壁面から放射される放射熱を受けることにより基板サポート自体の温度を正確に測定することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面と共に本発明の好適な一実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書において、「上」、「下」等の語は、図面に示す状態に基づいており、便宜的なものである。また、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【0017】
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体製造装置10の構成を示す概略図であり、図2は、図1の半導体製造装置10に取り付けられた本発明の一実施形態に係る温度測定装置12の構成を示す概略図である。半導体製造装置10は、例えば熱CVD装置等であり、図1に示すように、所定の真空度に減圧される真空チャンバ14を有している。この真空チャンバ14内には、被処理基板である半導体ウェハWを支持するための基板支持装置16が設置されている。
【0018】
基板支持装置16は、上面に被処理基板である半導体ウェハWが載置されるセラミック製の基板サポート18と、基板サポート18を支持するステンレス製のステージ20と、基板サポート18とステージ20との間に配置され、SiO2等の熱的絶縁性に優れた材料からなる絶縁プレート22と、基板サポート18内に埋設され、基板サポート18を加熱する加熱ヒータ23(加熱手段)とを備えて構成されている。ステージ20からは、筒状部24が下方に向かって延びており、筒状部24の下端は、真空チャンバ14の底部に形成された開口部26を囲んで真空チャンバ14の底面に気密に固定されている。
【0019】
図2に示すように、基板サポート18の下面には、凹部28が形成されている。また、絶縁プレート22の、基板サポート18の下面に形成された凹部28に対向する位置には、貫通孔30が形成されている。さらに、ステージ20の上面の、凹部28に対向する位置には、凹部32が形成されている。この凹部32の底部には、貫通孔34が形成されている。
【0020】
温度測定装置12は、上下方向に延びる丸棒状の棒状体36を有している。棒状体36は金属性であり、その上端部には温度検出素子である熱電対プローブ37が内蔵されている。この熱電対プローブ37は、棒状体36の内部を通るリード線39を介して、温度補償回路が内蔵された計測器38に接続されている。棒状体36の上端部は、基板サポート18の下面に形成された凹部28に挿入され、その上端は、凹部28の底面に接触している。棒状体36と凹部28の内壁面との間には、所定の大きさの間隙40が形成されている。また、棒状体36の下端は、ステージ20の凹部32の底部に形成された貫通孔34を貫通し、半導体製造装置10の外部に突出している。なお、棒状体36の上端部の形状を半球状とすれば、経年変形を減少させ耐久性を向上させることができると共に、被測定物との接触面積が一定となり、被測定物の温度を正確に測定することが可能となる。
【0021】
棒状体36には、その周囲を囲んで、円筒状の筒状体42が気密に固定されている。筒状体42の上端には、円板状のフランジ部44が一体的に形成されている。フランジ部44の上面と棒状体36の上端との上下方向に沿った距離は、基板サポート18の下面に形成された凹部28の深さよりも大きくなっている。また、筒状体42の下端は、ステージ20の凹部32の底部に形成された貫通孔34を貫通しており、筒状体42と貫通孔34の内壁面との間には、所定の大きさの間隙46が形成されている。
【0022】
ステージ20の凹部32内には、棒状体36の周囲を囲んで、付勢手段であるベローズ48が配置されている。ベローズ48の上端は、筒状体42のフランジ部44の下面に気密に取り付けられ、また、下端は、ステージ20の凹部32の底部に形成された貫通孔34の周囲を囲んで、凹部32の底面に気密に取り付けられている。
【0023】
以上のように構成された半導体製造装置10及び温度測定装置12によれば、温度測定装置12においては筒状体42が棒状体36に気密に固定されており、また、筒状体42とステージ20との間はベローズ48により気密性が保持させているため、真空チャンバ14内の気密性が破られることはない。したがって、真空チャンバ14内を所定の真空度に減圧すると、真空チャンバ14内の減圧による外部との圧力差によってベローズ48が上方に向かって伸び、棒状体36の上端が、基板サポート18の下面に形成された凹部28の底面に押し付けられる。これにより、基板サポート18が加熱ヒータ23により加熱されて熱膨張しても、棒状体36の上端と基板サポート18との十分な接触が保持される。
【0024】
さらに、このとき、温度測定装置12は、間隙40により基板サポート18に対して、また、間隙46によりステージ20に対して、それぞれ3次元的な動作が可能となっているため、基板サポート18とステージ20との熱膨張差を吸収することができ、温度測定装置12等にストレスが生じることもなく温度測定装置12等の破損を防止することが可能となる。
【0025】
また、棒状体36の熱電対プローブ37が内蔵された上端部は、基板サポート18の下面に形成された凹部28に挿入されているため、凹部28の内壁面から放射される放射熱を受けることにより、基板サポート18自体の温度を正確に測定することが可能となる。
【0026】
次に、基板支持装置16の組み立てについて説明する。絶縁プレート22上に基板サポート18を設置する前の状態において、絶縁プレート22に形成された貫通孔30から、ステージ20に形成された凹部32内に温度測定装置12を設置する。そして、温度測定装置12の棒状体36の上端部が基板サポート18の下面に設けられた凹部28に挿入されるように、基板サポート18を絶縁プレート22上に設置する。
【0027】
このように、ケーブル等が用いられることがないため、取り付けの際の作業が容易となる。また、上述したように温度測定装置12は、基板サポート18及びステージ20に対して、3次元的な動作が可能となっているため、絶縁プレート22上に基板サポート18を設置する際のシビアな位置合わせが不要となる。
【0028】
以上、本発明の好適な一実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことはいうまでもない。
【0029】
上記実施形態では、付勢手段としてベローズを用いたが、本発明に係る温度測定装置における付勢手段としては、コイルばねを用いてもよい。温度測定装置が取り付けられる部材において、外部との気密性を保持する必要のない場合に特に有効である。
【0030】
また、上記実施形態では、加熱ヒータが内蔵された基板サポートの温度を測定する場合について説明したが、本発明に係る温度測定装置は、ハロゲンランプ等の加熱ランプにより加熱される基板サポートの温度を測定するような場合にも適用可能である。また、本発明に係る温度測定装置は、半導体製造装置における基板サポートの温度を測定する場合に限られず、種々の部材の温度を測定する場合においても適用可能である。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、棒状体の温度検出素子が設けられた端部が付勢手段により、温度が測定される被測定部材に押し付けられるため、被測定部材が熱膨張等により変形しても、十分な接触が保持される。これにより、被測定物の温度を正確に測定することが可能となる。
【0032】
また、真空チャンバと、真空チャンバ内に設置されたステージと、ステージに取り付けられた基板サポートとを備えた半導体製造装置に、付勢手段としてベローズを用いた温度測定装置を取り付ければ、真空チャンバ内の減圧による外部との圧力差によってベローズが変形し、棒状体の温度検出素子が設けられた端部が基板サポートに押し付けられる。したがって、棒状体の前記端部と基板サポートとの十分な接触が保持され、基板サポート自体の温度を正確に測定することができる。また、真空チャンバ内においてケーブル等が用いられることがないため、取り付けの際の作業が容易となり、作業時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体製造装置の構成を示す概略図である。
【図2】図1の半導体製造装置に取り付けられた温度測定装置の構成を示す概略図である。
【図3】(a)及び(b)は、それぞれ従来の半導体製造装置の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
10…半導体製造装置、12…温度測定装置、14…真空チャンバ、18…基板サポート、20…ステージ、34…貫通孔、36…棒状体、48…ベローズ。
Claims (3)
- 真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置され、内部に加熱手段が埋設されている基板サポートであって、下面から前記加熱手段の近傍まで上方に延びる第1の凹部が形成されている前記基板サポートと、
前記真空チャンバの内部と外部とを仕切るよう設けられ、前記基板サポートの下側にて該基板サポートを支持するステージであり、前記第1の凹部の下方に形成された貫通孔を有する前記ステージと、
上端部に温度検出素子が設けられており、前記貫通孔を通って上下方向に延び、前記上端部が前記第1の凹部内にて前記基板サポートに接触するようになっている棒状体と、
前記棒状体を囲むように配置され、一端が前記棒状体に気密に取り付けられ、他端が前記貫通孔の周囲の前記ステージに気密に取り付けられているベローズと、
を備え、
前記貫通孔の内壁面と、前記貫通孔を通る前記棒状体との間に、前記棒状体の上端部が三次元的に動作可能となる大きさの間隙が設けられており、
前記真空チャンバの内部が減圧された場合に、前記ベローズの内外の圧力差によって該ベローズが変形し、前記棒状体の前記上端部が前記第1の凹部内にて前記基板サポートに押し付けられるようになっていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記温度検出素子は熱電対プローブであり、前記棒状体の前記上端部に内蔵されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記ステージには、前記第1の凹部の下側で下方に延びる第2の凹部が形成されており、前記貫通孔は該第2の凹部の底部に形成されており、 前記ベローズは前記第2の凹部内に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体製造装置。
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