JP4437336B2 - 静電容量型真空センサ - Google Patents
静電容量型真空センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4437336B2 JP4437336B2 JP13413699A JP13413699A JP4437336B2 JP 4437336 B2 JP4437336 B2 JP 4437336B2 JP 13413699 A JP13413699 A JP 13413699A JP 13413699 A JP13413699 A JP 13413699A JP 4437336 B2 JP4437336 B2 JP 4437336B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- temperature
- vacuum
- diaphragm
- vacuum sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、温度変化に起因する測定誤差を抑え、センサの測定精度を向上させることを目的とした静電容量型真空センサに関する。
【0002】
【従来の技術】
電子部品や半導体製品を製造する過程においては、真空装置内で薄膜を形成したりあるいはエッチングするプロセスは不可欠である。この際に、真空装置内圧力は、一定に保たれながらプロセスが進められるのが普通であるが、真空装置内の圧力測定手段としては、静電容量型真空センサがしばしば用いられる。図2に従来の温度制御機能付き静電容量型真空センサの一例を示す。静電容量型真空センサは、センサ内部に基準圧力となる部屋(基準圧力室1)を設け、この基準圧力室1は、真空装置2に連通する領域3とダイヤフラム電極4で仕切られており、このダイヤフラム電極4(弾性隔膜)に対向して固定電極5が配置されている。前記基準圧力室1と真空装置2に連通する領域3との間に圧力差があるとダイヤフラム電極4は圧力差に応じて変位するが、ダイヤフラム電極4と固定電極5間の静電容量は両者の距離に反比例するので、導線9を通してこれらの電気情報を電気回路7に伝え、静電容量を電圧あるいは電流に変換してセンサ外に出力することで圧力を測定することができる。しかしながら、ダイヤフラム電極4が変位する要因は、真空装置内の圧力だけではなく、ダイヤフラム電極4とその周辺材料の熱膨張係数が異なるために、センサの温度変化とともにダイヤフラム電極4に微量な変位が生じ、圧力測定に誤差を発生させる。そこで、従来の高精度型の静電容量型真空センサは、内部に加熱部6を設け、センサ温度を一定に保ちながら温度変化に起因する測定誤差を防いでいるが、加熱部6はダイヤフラム電極4及び固定電極5を包括するように外側から加熱し、固定電極5近傍に設置した温度測定部8により温度を測定し、センサ内部全体を一定温度に保つ構造となっている。また、加熱部6の外側には断熱材10を配置し、加熱部6の熱がセンサケース11へ伝導して高温になるのを防いでいる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
静電容量型真空センサの温度変化に起因する測定誤差を抑える手段として、センサ内部を一定温度に加熱・保存することによりセンサの測定精度は向上した。原理的には、センサ内部のダイヤフラム電極(弾性隔膜)と固定電極、そしてそれらを支えている支持部のみを均一に加熱・保温し、周辺温度の変化がこれらの部分の機械的変形に影響を及ぼさないようにすれば温度変化による測定誤差の問題は解決することができる。しかしながら、前記従来の真空センサでは、これらのダイヤフラム電極(弾性隔膜)や固定電極は機械的加工によって製造されるために小型化や複雑な形状の加工が難しく、したがって、これらの大きい部品を均一の温度に加熱・保温するためにはこれらを全体的に包み込むように加熱手段を配置して外部から加熱する必要がある。その結果、被加熱部の熱容量が大きくなるために昇温時間が長くなり、またセンサ温度を一定に制御している状態でも、センサの急激な温度変化に対して即反応することができない問題点があり、また安定した圧力測定ができるまでに数時間かかり、そのために多くの時間と電力を費す問題点があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は熱容量の小さい導電性薄膜からなるダイヤフラム電極を基板に固定して固定電極に対向させると共に、前記ダイヤフラム電極の周辺を一定温度に制御すべく温度制御手段を設けることにより前記従来の問題点を解決したのである。
【0005】
即ち本発明は内部に空間を隔てて対向する一対のダイヤフラム電極と固定電極とを基板に配置し、前記ダイヤフラム電極と対向する固定電極との間の静電容量の変化から圧力を測定する真空センサにおいて、前記ダイヤフラム電極および前記固定電極が配置されている前記基板上にダイヤフラム電極周辺を一定温度にする為の温度制御手段を設けたことを特徴とする静電容量型真空センサである。また、他の発明は内部に空間を隔てて対向する一対のダイヤフラム電極と固定電極とを基板に配置し、前記ダイヤフラム電極と対向する固定電極との間の静電容量の変化から圧力を測定する真空センサにおいて、前記ダイヤフラム電極および前記固定電極が配置されている前記基板上にダイヤフラム電極周辺を一定温度にする為の温度制御手段を設けると共に、前記真空センサの圧力検出部を複数本の線材で支持したことを特徴とする静電容量型真空センサである。前記において、温度制御手段は、基板上に発熱層と温度測定層を形成したものである。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明は、弾性隔膜(ダイヤフラム電極)によって複数の領域を空間的に仕切り、前記仕切られた領域の一つあるいは複数の領域内の圧力が変化したとき、前記ダイヤフラム電極で仕切られた複数の部屋内の圧力差に応じて、前記ダイヤフラム電極が変位するので、その変位量を前記ダイヤフラム電極に対向して設けられた固定電極との間の静電容量の変化としてとらえ、これから圧力を測定する方式の真空センサにおいて、前記ダイヤフラム電極および固定電極が形成されている基板上に加熱手段と温度測定手段とを設置し、前記ダイヤフラム電極および固定電極が形成されている基板全体を加熱して温度を一定に制御し、前記ダイヤフラム及び固定電極が形成されている基板の周辺を断熱構造にすることにより、その周辺への熱伝導を抑え、前記ダイヤフラム電極及び固定電極が形成されている基板の昇温時間の短縮化と温度制御性の向上、省電力化を行うことができるように構成したことを特徴とする静電容量型真空センサである。
【0007】
本発明によれば、前記昇温時間は短縮し、温度制御性の向上によってセンサの精度を著しく向上することができる。
【0008】
【実施例】
本発明の実施例を図1に基づいて説明する。図1にある静電容量型真空センサは、例えば半導体製造プロセス技術を応用して作製されたものであり、圧力検出部(主に、図中のガラス基板13とSi基板12を合わせた構造体)の大きさは数mm〜数10mm程度、厚さは1mm程度である。
【0009】
図中の2は、内部の圧力測定を行う真空装置であり、ゲージポートやフランジポート(図中17)に本真空センサを取り付けて使用する。3は、真空装置2に連通する領域であり、この領域の圧力は、真空装置2の圧力にほぼ等しい。1は基準圧力室で、ダイヤフラム電極14が形成されているSi基板12と固定電極15が形成されているガラス基板13に挾まれた領域で、高真空圧力に封止されている。
【0010】
前記ダイヤフラム電極14は、真空装置2に連通する領域3と接触しており、該領域3の圧力が変化するとそれに応じて、ダイヤフラム電極14を押す力も変化し、その変化量に応じて、ダイヤフラム電極14とそれに対向する位置にある固定電極15との距離は変位する。
【0011】
前記ダイヤフラム電極14と固定電極15の間に電圧を印加した場合、両電極間の静電容量は、ダイヤフラム電極14と固定電極15間の距離に反比例することから、真空装置2の内部の圧力は、前記両電極間の静電容量から求めることができる。
【0012】
ここで、ダイヤフラム電極14を有するSi基板12と、固定電極15を有するガラス基板13の構造について説明する。
【0013】
前記ダイヤフラム電極14を有するSi基板12と、固定電極15を有するガラス基板13は、それぞれ、厚さ0.4mmのシリコンウェハーと厚さ1mmのパイレックスガラス(コーニング社製)である。但し、シリコンウェハーと同じ、あるいは非常に近い熱膨張係数を持つガラス等の材料であれば、その限りではない。
【0014】
前記ダイヤフラム電極14は、通常、半導体産業の微細加工で使用されているドライエッチング等の技術により容易に形成される。ダイヤフラム電極14の厚みは、5μmである。
【0015】
また、固定電極15は、通常、スパッタリング、または蒸着などの真空を利用した薄膜技術によって形成され、ここではA1(アルミニウム)を使用している。
【0016】
前記ダイヤフラム電極14を有するSi基板12と、固定電極15を有するガラス基板13は、両電極間が、7μmになるように微細加工され、陽極接合技術により接合される。
【0017】
次に、図中のガラス基板13上に形成される発熱層16、および温度測定層18について説明する。
【0018】
前記発熱層16は、例えば、ニクロム系、タンタル系等の発熱材料からなり、スパッタリング、または蒸着等の真空を利用した薄膜技術とドライエッチング等による微細加工技術によって、基板上に均一に直接形成される。発熱層16の厚みは、約数μmであり、これにより、ダイヤフラム電極14の周辺の空間は、約50℃〜200℃の温度範囲で加熱される。
【0019】
また発熱層16の上には、加熱温度を測定するために、抵抗値と温度の関係を利用したSiCなどの抵抗体、または、熱起電力と温度の関係を利用した金属材料からなる温度測定層18が形成されている。温度測定層18は発熱層16と同様の薄膜技術、及び微細加工技術で形成され、導線9を介して電気回路7に出力し、モニターできる構造をしている。前記導線9は、真空センサを支持する支持体の役割も兼ねている。
【0020】
導線9は、固定電極15、発熱層16、及び温度測定層18に接触する各種導線があり、そのため、少なくても3点以上で支持されることになる。また、導線9は、数ミリオーダーの長さであるため、約10ミリ角の圧力検出部(Si基板12とガラス基板13の接合体)を支持するには充分の強度と振動等に対する安定性を備える。
【0021】
このような形態を採ることで、導線9を介しての熱伝導以外に周辺構造から熱的影響を受けることがなくなるため、真空中に隔絶した形で固定された圧力検出部は、優れた断熱構造を有することになる。
【0022】
従って、従来型に比べ、小型で熱容量が格段に小さい、本発明による静電容量型真空センサでは、圧力測定が可能となる安定化時間の短縮化と温度制御性の向上が図られる。
【0023】
図3は、従来型静電容量型真空センサの圧力検出部の出力電圧の変動を示す。測定は、圧力変化の要因を除くため、一定の減圧下で行い、加熱温度を50℃にした。図は、本来、圧力変化が無いため、センサの出力電圧に変動はなく、一定となるはずであるが、加熱後、熱的要因により、センサの出力電圧が、上下変動の振幅を狭めながらも、安定化するまで2時間以上を要していることを示している。
【0024】
一方、本発明による静電容量型真空センサによれば、上記安定化時間が約1/100程度に短縮され、加熱後、約2分以内でセンサの出力電圧が一定となることが確認された。
【0025】
【発明の効果】
本発明の温度制御機能付き静電容量型真空センサによれば、大きさ数mmから数十mm程度、厚さ1mm程度のものが実現できるので、著しく小型化し得る効果がある。更に本発明のセンサは真空内に設置されるためにセンサからの放熱は細い導線や希薄な周辺ガスへの熱伝導や熱輻射だけなので、優れた断熱構造となり、保温性にも優れているなどの諸効果がある。従ってセンサ自体の熱容量も、従来の静電容量型真空センサより格段に小型になる為に、省電力での加熱、昇温時間の短縮、急激なセンサの温度変化に対する迅速なセンサ温度制御が可能で、特別な機構によらなくても均一加熱ができるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例の一部を省略した説明図。
【図2】従来の静電容量型真空センサの構造の説明図。
【図3】同じく出力電圧の変動グラフ。
【符号の説明】
1 基準圧力室
2 真空装置
3 真空装置に連通する領域
4、14 ダイヤフラム電極
5、15 固定電極
6 加熱部
7 電気回路
8 温度測定部
9 導線
10 断熱材
11 センサケース
12 Si基板
13 ガラス基板
16 加熱層
17 フランジポート
18 温度測定層
Claims (2)
- 真空空間の圧力を測定する静電容量型真空センサにおいて、
一の基板に設けられたダイアフラム電極と、
他の基板に設けられた前記ダイアフラム電極に対向する第一の面に設けられた固定電極と、
前記他の基板の前記第一の面の反対側の第二の面に設けられた発熱層と、
前記発熱層の前記第二の面の反対側の第三の面に設けられた温度測定層と、を有する真空センサ部を有し、
更に、前記真空空間に連通するセンサケースと、前記固定電極に接触固定した第一の導線と、前記発熱層に接触固定した第二の導線と、前記温度測定層に接触固定した第三の導線と、を有し、
前記真空センサ部が前記センサケースの内部に、前記第一の導線、第二の導線及び第三の導線により中空支持されていることを特徴とする静電容量型真空センサ。 - 前記発熱層と前記温度測定層は温度制御手段を構成することを特徴とする請求項1に記載の静電容量型真空センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13413699A JP4437336B2 (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 静電容量型真空センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13413699A JP4437336B2 (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 静電容量型真空センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000321161A JP2000321161A (ja) | 2000-11-24 |
JP4437336B2 true JP4437336B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=15121322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13413699A Expired - Fee Related JP4437336B2 (ja) | 1999-05-14 | 1999-05-14 | 静電容量型真空センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4437336B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022522288A (ja) * | 2019-02-26 | 2022-04-15 | スミトモ (エスエイチアイ) クライオジェニックス オブ アメリカ インコーポレイテッド | 静電容量型隔膜真空計内の電子機器及び高温度センサ間の熱障壁 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007019714A1 (de) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Inficon Gmbh | Optischer interferometrische drucksensor |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6041432B2 (ja) * | 1979-01-18 | 1985-09-17 | 東レ株式会社 | 面状加熱装置 |
DE3528520A1 (de) * | 1985-08-08 | 1987-02-19 | Bosch Gmbh Robert | Druckmessdose |
JPS62182636A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Anelva Corp | ダイアフラム型真空計 |
JPH064305Y2 (ja) * | 1987-12-28 | 1994-02-02 | 株式会社鷺宮製作所 | 小型水圧センサ |
JPH02196938A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Aisan Ind Co Ltd | 圧力センサ |
JPH0495740A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-27 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 半導体装置 |
JP2724419B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1998-03-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧力センサ |
JPH05231975A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-07 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 静電容量式圧力センサ |
KR950013314A (ko) * | 1993-10-13 | 1995-05-17 | 유끼꼬 하야시 | 면상 감열소자 및 그것을 가진 면상 히이터 |
JP3627302B2 (ja) * | 1995-07-27 | 2005-03-09 | 松下電器産業株式会社 | ガス異常監視装置 |
JP3136087B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2001-02-19 | 松下電工株式会社 | 半導体圧力センサ |
JP3324053B2 (ja) * | 1996-01-30 | 2002-09-17 | 株式会社山武 | 圧力変換器 |
-
1999
- 1999-05-14 JP JP13413699A patent/JP4437336B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022522288A (ja) * | 2019-02-26 | 2022-04-15 | スミトモ (エスエイチアイ) クライオジェニックス オブ アメリカ インコーポレイテッド | 静電容量型隔膜真空計内の電子機器及び高温度センサ間の熱障壁 |
JP7140925B2 (ja) | 2019-02-26 | 2022-09-21 | スミトモ (エスエイチアイ) クライオジェニックス オブ アメリカ インコーポレイテッド | 静電容量型隔膜真空計内の電子機器及び高温度センサ間の熱障壁 |
US11768119B2 (en) | 2019-02-26 | 2023-09-26 | Sumitomo (Shi) Cryogenics Of America, Inc. | Thermal barrier between high-temperature sensor and electronics in a capacitance diaphragm gauge |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000321161A (ja) | 2000-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2724419B2 (ja) | 圧力センサ | |
US4543576A (en) | System for measuring electrical resistance and temperature during manufacture of thin, conductive films deposited on substrates by means of evaporation or sputter deposition | |
KR101375193B1 (ko) | 정전 용량형 센서 | |
TWI449892B (zh) | Pressure sensor device | |
JPS5855732A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
JP4307738B2 (ja) | 圧力センサ | |
JPH06129933A (ja) | 過圧保護ポリシリコン容量性差圧センサー及びその製造方法 | |
US20140216127A1 (en) | Separated type pressure gauge | |
WO2018088019A1 (ja) | 湿度センサおよびその製造方法 | |
JP3878321B2 (ja) | 基板ウェハの加工装置 | |
JP2004506890A (ja) | 改良された、容量に基づく圧力センサの設計 | |
JP4437336B2 (ja) | 静電容量型真空センサ | |
JPH0138256B2 (ja) | ||
JPH05248977A (ja) | 圧力センサ | |
JPS6410109B2 (ja) | ||
JP3171410B2 (ja) | 真空センサ | |
JP3083901B2 (ja) | 雰囲気センサ | |
JP2002055008A (ja) | 薄膜ゲッター内蔵型真空センサ | |
US4812801A (en) | Solid state gas pressure sensor | |
JP5769043B2 (ja) | 電気素子、集積素子、電子回路及び温度較正装置 | |
US20190207074A1 (en) | Thermal barometric altimeter | |
JP2000121475A (ja) | 静電容量式圧力検出器 | |
JP2008298617A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサおよび接触燃焼式ガスセンサの製造方法 | |
JPH1144601A (ja) | 圧力センサおよびこの圧力センサを用いた圧力計 | |
JP6787636B2 (ja) | 真空計測センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080819 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081016 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081020 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20081020 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081215 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090114 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090326 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090420 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091222 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091222 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4437336 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140115 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |