JP2000321161A - 静電容量型真空センサ - Google Patents

静電容量型真空センサ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、温度変化に起因する測定誤差を抑
え、センサの測定精度を向上させることを目的としたも
のである。 【解決手段】 本発明は内部に空間を隔てて対向する一
対のダイヤフラム電極と固定電極とを基板に配置し、前
記ダイヤフラム電極と対向する固定電極との間の静電容
量の変化から圧力を測定する真空センサにおいて、前記
ダイヤフラム電極および前記固定電極が配置されている
前記基板上にダイヤフラム電極周辺を一定温度にする為
の温度制御手段を設けると共に、前記真空センサの圧力
検出部を線材で支持したことを特徴とする静電容量型真
空センサとすることにより、課題を解決したのである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、温度変化に起因
する測定誤差を抑え、センサの測定精度を向上させるこ
とを目的とした静電容量型真空センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品や半導体製品を製造する過程に
おいては、真空装置内で薄膜を形成したりあるいはエッ
チングするプロセスは不可欠である。この際に、真空装
置内圧力は、一定に保たれながらプロセスが進められる
のが普通であるが、真空装置内の圧力測定手段として
は、静電容量型真空センサがしばしば用いられる。図２
に従来の温度制御機能付き静電容量型真空センサの一例
を示す。静電容量型真空センサは、センサ内部に基準圧
力となる部屋（基準圧力室１）を設け、この基準圧力室
１は、真空装置２に連通する領域３とダイヤフラム電極
４で仕切られており、このダイヤフラム電極４（弾性隔
膜）に対向して固定電極５が配置されている。前記基準
圧力室１と真空装置２に連通する領域３との間に圧力差
があるとダイヤフラム電極４は圧力差に応じて変位する
が、ダイヤフラム電極４と固定電極５間の静電容量は両
者の距離に反比例するので、導線９を通してこれらの電
気情報を電気回路７に伝え、静電容量を電圧あるいは電
流に変換してセンサ外に出力することで圧力を測定する
ことができる。しかしながら、ダイヤフラム電極４が変
位する要因は、真空装置内の圧力だけではなく、ダイヤ
フラム電極４とその周辺材料の熱膨張係数が異なるため
に、センサの温度変化とともにダイヤフラム電極４に微
量な変位が生じ、圧力測定に誤差を発生させる。そこ
で、従来の高精度型の静電容量型真空センサは、内部に
加熱部６を設け、センサ温度を一定に保ちながら温度変
化に起因する測定誤差を防いでいるが、加熱部６はダイ
ヤフラム電極４及び固定電極５を包括するように外側か
ら加熱し、固定電極５近傍に設置した温度測定部８によ
り温度を測定し、センサ内部全体を一定温度に保つ構造
となっている。また、加熱部６の外側には断熱材１０を
配置し、加熱部６の熱がセンサケース１１へ伝導して高
温になるのを防いでいる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】静電容量型真空センサ
の温度変化に起因する測定誤差を抑える手段として、セ
ンサ内部を一定温度に加熱・保存することによりセンサ
の測定精度は向上した。原理的には、センサ内部のダイ
ヤフラム電極（弾性隔膜）と固定電極、そしてそれらを
支えている支持部のみを均一に加熱・保温し、周辺温度
の変化がこれらの部分の機械的変形に影響を及ぼさない
ようにすれば温度変化による測定誤差の問題は解決する
ことができる。しかしながら、前記従来の真空センサで
は、これらのダイヤフラム電極（弾性隔膜）や固定電極
は機械的加工によって製造されるために小型化や複雑な
形状の加工が難しく、したがって、これらの大きい部品
を均一の温度に加熱・保温するためにはこれらを全体的
に包み込むように加熱手段を配置して外部から加熱する
必要がある。その結果、被加熱部の熱容量が大きくなる
ために昇温時間が長くなり、またセンサ温度を一定に制
御している状態でも、センサの急激な温度変化に対して
即反応することができない問題点があり、また安定した
圧力測定ができるまでに数時間かかり、そのために多く
の時間と電力を費す問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は熱容量の小さい
導電性薄膜からなるダイヤフラム電極を基板に固定して
固定電極に対向させると共に、前記ダイヤフラム電極の
周辺を一定温度に制御すべく温度制御手段を設けること
により前記従来の問題点を解決したのである。
【０００５】即ち本発明は内部に空間を隔てて対向する
一対のダイヤフラム電極と固定電極とを基板に配置し、
前記ダイヤフラム電極と対向する固定電極との間の静電
容量の変化から圧力を測定する真空センサにおいて、前
記ダイヤフラム電極および前記固定電極が配置されてい
る前記基板上にダイヤフラム電極周辺を一定温度にする
為の温度制御手段を設けたことを特徴とする静電容量型
真空センサである。また、他の発明は内部に空間を隔て
て対向する一対のダイヤフラム電極と固定電極とを基板
に配置し、前記ダイヤフラム電極と対向する固定電極と
の間の静電容量の変化から圧力を測定する真空センサに
おいて、前記ダイヤフラム電極および前記固定電極が配
置されている前記基板上にダイヤフラム電極周辺を一定
温度にする為の温度制御手段を設けると共に、前記真空
センサの圧力検出部を複数本の線材で支持したことを特
徴とする静電容量型真空センサである。前記において、
温度制御手段は、基板上に発熱層と温度測定層を形成し
たものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、弾性隔膜（ダイヤフラ
ム電極）によって複数の領域を空間的に仕切り、前記仕
切られた領域の一つあるいは複数の領域内の圧力が変化
したとき、前記ダイヤフラム電極で仕切られた複数の部
屋内の圧力差に応じて、前記ダイヤフラム電極が変位す
るので、その変位量を前記ダイヤフラム電極に対向して
設けられた固定電極との間の静電容量の変化としてとら
え、これから圧力を測定する方式の真空センサにおい
て、前記ダイヤフラム電極および固定電極が形成されて
いる基板上に加熱手段と温度測定手段とを設置し、前記
ダイヤフラム電極および固定電極が形成されている基板
全体を加熱して温度を一定に制御し、前記ダイヤフラム
及び固定電極が形成されている基板の周辺を断熱構造に
することにより、その周辺への熱伝導を抑え、前記ダイ
ヤフラム電極及び固定電極が形成されている基板の昇温
時間の短縮化と温度制御性の向上、省電力化を行うこと
ができるように構成したことを特徴とする静電容量型真
空センサである。
【０００７】本発明によれば、前記昇温時間は短縮し、
温度制御性の向上によってセンサの精度を著しく向上す
ることができる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図１に基づいて説明する。
図１にある静電容量型真空センサは、例えば半導体製造
プロセス技術を応用して作製されたものであり、圧力検
出部（主に、図中のガラス基板１３とＳｉ基板１２を合
わせた構造体）の大きさは数ｍｍ〜数１０ｍｍ程度、厚
さは１ｍｍ程度である。
【０００９】図中の２は、内部の圧力測定を行う真空装
置であり、ゲージポートやフランジポート（図中１７）
に本真空センサを取り付けて使用する。３は、真空装置
２に連通する領域であり、この領域の圧力は、真空装置
２の圧力にほぼ等しい。１は基準圧力室で、ダイヤフラ
ム電極１４が形成されているＳｉ基板１２と固定電極１
５が形成されているガラス基板１３に挾まれた領域で、
高真空圧力に封止されている。
【００１０】前記ダイヤフラム電極１４は、真空装置２
に連通する領域３と接触しており、該領域３の圧力が変
化するとそれに応じて、ダイヤフラム電極１４を押す力
も変化し、その変化量に応じて、ダイヤフラム電極１４
とそれに対向する位置にある固定電極１５との距離は変
位する。
【００１１】前記ダイヤフラム電極１４と固定電極１５
の間に電圧を印加した場合、両電極間の静電容量は、ダ
イヤフラム電極１４と固定電極１５間の距離に反比例す
ることから、真空装置２の内部の圧力は、前記両電極間
の静電容量から求めることができる。
【００１２】ここで、ダイヤフラム電極１４を有するＳ
ｉ基板１２と、固定電極１５を有するガラス基板１３の
構造について説明する。
【００１３】前記ダイヤフラム電極１４を有するＳｉ基
板１２と、固定電極１５を有するガラス基板１３は、そ
れぞれ、厚さ０．４ｍｍのシリコンウェハーと厚さ１ｍ
ｍのパイレックスガラス（コーニング社製）である。但
し、シリコンウェハーと同じ、あるいは非常に近い熱膨
張係数を持つガラス等の材料であれば、その限りではな
い。
【００１４】前記ダイヤフラム電極１４は、通常、半導
体産業の微細加工で使用されているドライエッチング等
の技術により容易に形成される。ダイヤフラム電極１４
の厚みは、５μｍである。
【００１５】また、固定電極１５は、通常、スパッタリ
ング、または蒸着などの真空を利用した薄膜技術によっ
て形成され、ここではＡ１（アルミニウム）を使用して
いる。
【００１６】前記ダイヤフラム電極１４を有するＳｉ基
板１２と、固定電極１５を有するガラス基板１３は、両
電極間が、７μｍになるように微細加工され、陽極接合
技術により接合される。
【００１７】次に、図中のガラス基板１８上に形成され
る発熱層１６、および温度測定層１８について説明す
る。
【００１８】前記発熱層１６は、例えば、ニクロム系、
タンタル系等の発熱材料からなり、スパッタリング、ま
たは蒸着等の真空を利用した薄膜技術とドライエッチン
グ等による微細加工技術によって、基板上に均一に直接
形成される。発熱層１６の厚みは、約数μｍであり、こ
れにより、ダイヤフラム電極１４の周辺の空間は、約５
０℃〜２００℃の温度範囲で加熱される。
【００１９】また発熱層１６の上には、加熱温度を測定
するために、抵抗値と温度の関係を利用したＳｉＣなど
の抵抗体、または、熱起電力と温度の関係を利用した金
属材料からなる温度測定層１８が形成されている。温度
測定層１８は発熱層１６と同様の薄膜技術、及び微細加
工技術で形成され、導線９を介して電気回路７に出力
し、モニターできる構造をしている。前記導線９は、真
空センサを支持する支持体の役割も兼ねている。
【００２０】導線９は、固定電極１５、発熱層１６、及
び温度測定層１８に接触する各種導線があり、そのた
め、少なくても３点以上で支持されることになる。ま
た、導線９は、数ミリオーダーの長さであるため、約１
０ミリ角の圧力検出部（Ｓｉ基板１２とガラス基板１３
の接合体）を支持するには充分の強度と振動等に対する
安定性を備える。
【００２１】このような形態を採ることで、導線９を介
しての熱伝導以外に周辺構造から熱的影響を受けること
がなくなるため、真空中に隔絶した形で固定された圧力
検出部は、優れた断熱構造を有することになる。
【００２２】従って、従来型に比べ、小型で熱容量が格
段に小さい、本発明による静電容量型真空センサでは、
圧力測定が可能となる安定化時間の短縮化と温度制御性
の向上が図られる。
【００２３】図３は、従来型静電容量型真空センサの圧
力検出部の出力電圧の変動を示す。測定は、圧力変化の
要因を除くため、一定の減圧下で行い、加熱温度を５０
℃にした。図は、本来、圧力変化が無いため、センサの
出力電圧に変動はなく、一定となるはずであるが、加熱
後、熱的要因により、センサの出力電圧が、上下変動の
振幅を狭めながらも、安定化するまで２時間以上を要し
ていることを示している。
【００２４】一方、本発明による静電容量型真空センサ
によれば、上記安定化時間が約１／１００程度に短縮さ
れ、加熱後、約２分以内でセンサの出力電圧が一定とな
ることが確認された。
【００２５】
【発明の効果】本発明の温度制御機能付き静電容量型真
空センサによれば、大きさ数ｍｍから数十ｍｍ程度、厚
さ１ｍｍ程度のものが実現できるので、著しく小型化し
得る効果がある。更に本発明のセンサは真空内に設置さ
れるためにセンサからの放熱は細い導線や希薄な周辺ガ
スへの熱伝導や熱輻射だけなので、優れた断熱構造とな
り、保温性にも優れているなどの諸効果がある。従って
センサ自体の熱容量も、従来の静電容量型真空センサよ
り格段に小型になる為に、省電力での加熱、昇温時間の
短縮、急激なセンサの温度変化に対する迅速なセンサ温
度制御が可能で、特別な機構によらなくても均一加熱が
できるなどの効果がある。
【図面の簡単な説明】
この発明の実施例の一部を省略した説明図。従来の静電
容量型真空センサの構造の説明図。同じく出力電圧の変
動グラフ。
【符号の説明】
１ 基準圧力室 ２ 真空装置 ３ 真空装置に連通する領域 ４、１４ ダイヤフラム電極 ５、１５ 固定電極 ６ 加熱部 ７ 電気回路 ８ 温度測定部 ９ 導線 １０ 断熱材 １１ センサケース １２ Ｓｉ基板 １３ ガラス基板 １６ 加熱層 １７ フランジポート １８ 温度測定層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年６月１５日（１９９９．６．１
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例の一部を省略した説明図。
【図２】従来の静電容量型真空センサの構造の説明図。
【図３】同じく出力電圧の変動グラフ。
【符号の説明】 １ 基準圧力室 ２ 真空装置 ３ 真空装置に連通する領域 ４、１４ ダイヤフラム電極 ５、１５ 固定電極 ６ 加熱部 ７ 電気回路 ８ 温度測定部 ９ 導線 １０ 断熱材 １１ センサケース １２ Ｓｉ基板 １３ ガラス基板 １６ 加熱層 １７ フランジポート １８ 温度測定層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 内部に空間を隔てて対向する一対のダイ
    ヤフラム電極と固定電極とを基板に配置し、前記ダイヤ
    フラム電極と対向する固定電極との間の静電容量の変化
    から圧力を測定する真空センサにおいて、前記ダイヤフ
    ラム電極および前記固定電極が配置されている前記基板
    上にダイヤフラム電極周辺を一定温度にする為の温度制
    御手段を設けたことを特徴とする静電容量型真空セン
    サ。
  2. 【請求項２】 内部に空間を隔てて対向する一対のダイ
    ヤフラム電極と固定電極とを基板に配置し、前記ダイヤ
    フラム電極と対向する固定電極との間の静電容量の変化
    から圧力を測定する真空センサにおいて、前記ダイヤフ
    ラム電極および前記固定電極が配置されている前記基板
    上にダイヤフラム電極周辺を一定温度にする為の温度制
    御手段を設けると共に、前記真空センサの圧力検出部を
    複数本の線材で支持したことを特徴とする静電容量型真
    空センサ。
  3. 【請求項３】 温度制御手段は、基板上に発熱層と温度
    測定層を形成したことを特徴とする請求項１又は２記載
    の静電容量型真空センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI452275B (zh) * 2005-08-12 2014-09-11 Inficon Gmbh 真空量測單元

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102539918B1 (ko) 2019-02-26 2023-06-02 스미토모 크라이어제닉스 오브 아메리카 인코포레이티드 커패시턴스 다이어프램 게이지 내의 고온 센서와 전자 장치 간의 열 장벽

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5596589A (en) * 1979-01-18 1980-07-22 Toray Industries Panel heater
JPS62182636A (ja) * 1986-02-06 1987-08-11 Anelva Corp ダイアフラム型真空計
JPS6332333A (ja) * 1985-08-08 1988-02-12 ロ−ベルト・ボツシユ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 圧力測定缶
JPH01102841U (ja) * 1987-12-28 1989-07-11
JPH02196938A (ja) * 1989-01-26 1990-08-03 Aisan Ind Co Ltd 圧力センサ
JPH0495740A (ja) * 1990-08-06 1992-03-27 Toyota Autom Loom Works Ltd 半導体装置
JPH04106442A (ja) * 1990-08-28 1992-04-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 圧力センサ
JPH05231975A (ja) * 1992-02-21 1993-09-07 Yamatake Honeywell Co Ltd 静電容量式圧力センサ
JPH07111184A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Dairin Shoji:Kk 面状感熱素子、温度センサ、温度コントローラおよび面状ヒータ
JPH0943079A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電容量式圧力センサ及びこのセンサを用いたガス異常監視装置
JPH09126920A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
JPH09210826A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Yamatake Honeywell Co Ltd 圧力変換器

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5596589A (en) * 1979-01-18 1980-07-22 Toray Industries Panel heater
JPS6332333A (ja) * 1985-08-08 1988-02-12 ロ−ベルト・ボツシユ・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 圧力測定缶
JPS62182636A (ja) * 1986-02-06 1987-08-11 Anelva Corp ダイアフラム型真空計
JPH01102841U (ja) * 1987-12-28 1989-07-11
JPH02196938A (ja) * 1989-01-26 1990-08-03 Aisan Ind Co Ltd 圧力センサ
JPH0495740A (ja) * 1990-08-06 1992-03-27 Toyota Autom Loom Works Ltd 半導体装置
JPH04106442A (ja) * 1990-08-28 1992-04-08 Ngk Spark Plug Co Ltd 圧力センサ
JPH05231975A (ja) * 1992-02-21 1993-09-07 Yamatake Honeywell Co Ltd 静電容量式圧力センサ
JPH07111184A (ja) * 1993-10-13 1995-04-25 Dairin Shoji:Kk 面状感熱素子、温度センサ、温度コントローラおよび面状ヒータ
JPH0943079A (ja) * 1995-07-27 1997-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電容量式圧力センサ及びこのセンサを用いたガス異常監視装置
JPH09126920A (ja) * 1995-10-26 1997-05-16 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
JPH09210826A (ja) * 1996-01-30 1997-08-15 Yamatake Honeywell Co Ltd 圧力変換器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI452275B (zh) * 2005-08-12 2014-09-11 Inficon Gmbh 真空量測單元

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