JP7194786B2 - 計装基板装置及び方法 - Google Patents
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Description
本出願は、「WIRELESS SENSOR WAFER FOR HIGH TEMPERATURE EPI PROCESSES」と題され、Mei Sun、Earl Jensen、Jing Zhou、Ran Liuを発明者として、2016年6月15日に出願された米国仮特許出願第62/350,688号の、米国特許法第119条(e)の下での優先権を主張するものであり、その全体は参照により本明細書に組み込まれる。
Claims (37)
- 装置であって、
底部基板と、上部基板とを含み、前記上部基板は、前記底部基板に機械的に連結され、前記底部基板と前記上部基板の少なくとも1つは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または二酸化ケイ素の少なくとも1つから構成される、基板アセンブリと、
電子アセンブリと、
外側エンクロージャと内側エンクロージャを含み、前記外側エンクロージャは、前記内側エンクロージャを取り囲み、前記内側エンクロージャは、少なくとも前記電子アセンブリを取り囲む、入れ子式エンクロージャアセンブリと、
前記内側エンクロージャの外面と前記外側エンクロージャの内面との間のキャビティ内に配置される、断熱材と、
前記電子アセンブリと通信可能に連結されたセンサアセンブリであり、1つ以上のセンサを含み、前記1つ以上のセンサは、前記基板アセンブリ全体の1つ以上の位置で前記基板アセンブリ内に配置され、前記1つ以上のセンサは、前記基板アセンブリ全体の前記1つ以上の位置で1つ以上の測定パラメータを取得するように構成され、前記電子アセンブリは、前記1つ以上のセンサから前記1つ以上の測定パラメータを受信するように構成される、センサアセンブリと、
を備え、前記底部基板および前記上部基板は、溶接または接合の少なくとも1つによりシールされる、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記1つ以上のセンサは、温度を示す1つ以上のパラメータを取得するように構成される1つ以上の熱センサを含む、装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記1つ以上の熱センサは、1つ以上の熱電対装置を含む、装置。
- 請求項2に記載の装置であって、前記1つ以上の熱センサは、1つ以上の抵抗温度装置を含む、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記1つ以上のセンサは、圧力を示す1つ以上のパラメータを取得するように構成される1つ以上の圧力センサを含む、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記1つ以上のセンサは、対象とする化学物質の存在を示す1つ以上のパラメータを取得するように構成される1つ以上の化学センサを含む、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記1つ以上のセンサは、放射の存在を示す1つ以上のパラメータを取得するように構成される1つ以上の放射センサを含む、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記底部基板または前記上部基板の少なくとも1つは、セラミック、サーメット、結晶材料、またはガラスの少なくとも1つから形成される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記エンクロージャアセンブリは、前記基板アセンブリに機械的に連結される、装置。
- 請求項9に記載の装置であって、前記エンクロージャアセンブリは、溶接または接合の少なくとも1つにより前記基板アセンブリにシールされる、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記電子アセンブリは、
1つ以上のプロセッサと、
通信回路と、
メモリと、
電源と、
を含む、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、ダミーエンクロージャアセンブリをさらに含み、前記ダミーエンクロージャアセンブリは、前記基板アセンブリの中心に前記装置の質量中心を維持する位置で前記基板アセンブリに配置される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記1つ以上のセンサのそれぞれが、センサ基板の上または中に配置され、前記センサ基板は、前記基板アセンブリの前記底部基板と上部基板との間に配置される、装置。
- 請求項13に記載の装置であって、前記センサ基板は、シリコン基板、炭化ケイ素基板、窒化ケイ素基板、窒化ガリウム基板、ヒ化ガリウム基板、ゲルマニウム基板、または、ガリウムおよびインジウムの基板のうち少なくとも1つを含む、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記断熱材は、多孔性固体材料を含む、装置。
- 請求項15に記載の装置であって、前記断熱材は、不透明である、装置。
- 請求項15に記載の装置であって、前記断熱材は、吸収性である、装置。
- 請求項15に記載の装置であって、前記断熱材は、エーロゲルを含む、装置。
- 請求項15に記載の装置であって、前記断熱材は、セラミック材料を含む、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記断熱材は、1つ以上のガスを含む、装置。
- 請求項20に記載の装置であって、前記1つ以上のガスは、大気圧より低い圧力で維持される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記外側エンクロージャの内面上にある前記内側エンクロージャを支持する1つ以上の支持構造部をさらに含む、装置。
- 請求項22に記載の装置であって、前記1つ以上の支持構造部は、断熱材料から形成される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記基板アセンブリに前記外側エンクロージャを支持する、1つ以上の支持構造部をさらに含む、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、選択された値より大きい熱容量を有する材料から形成される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、金属、合金、または複合材料の少なくとも1つから形成される、装置。
- 請求項26に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、鉄ニッケルコバルト合金、鉄ニッケル合金、または鉄炭素合金の少なくとも1つから形成される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、1つ以上の結晶材料から形成される、装置。
- 請求項28に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、サファイアまたは結晶水晶の少なくとも1つから形成される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記外側エンクロージャは、セラミック、サーメット、結晶材料、またはガラスの少なくとも1つから形成される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記外側エンクロージャは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または、二酸化ケイ素のうち少なくとも1つから形成される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記電子アセンブリは、前記1つ以上の取得された測定パラメータからの1つ以上の値を算出するように構成される、装置。
- 請求項1に記載の装置であって、前記電子アセンブリに通信可能に連結された遠隔データシステムをさらに含み、前記電子アセンブリは、前記1つ以上の測定パラメータを前記遠隔データシステムに送信するように構成され、前記遠隔データシステムは前記1つ以上のセンサにより取得された、前記1つ以上の取得された測定パラメータからの値を算出するように構成される、装置。
- 請求項33に記載の装置であって、前記遠隔データシステムは、前記1つ以上の値を前記基板アセンブリ上の前記1つ以上の位置にマッピングするように構成される、装置。
- 請求項34に記載の装置であって、前記遠隔データシステムは、マッピングされた1つ以上の値をユーザインタフェイスに報告するように構成される、装置。
- 装置であって、
底部基板と上部基板とを含み、前記上部基板は、前記底部基板に機械的に連結され、前記底部基板と前記上部基板の少なくとも1つは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または二酸化ケイ素の少なくとも1つから構成される、基板アセンブリと、
電子アセンブリと、
外側エンクロージャと内側エンクロージャとを含み、前記外側エンクロージャは、前記内側エンクロージャを取り囲み、前記内側エンクロージャは、少なくとも前記電子アセンブリを取り囲む、入れ子式エンクロージャアセンブリと、
前記内側エンクロージャの外面と前記外側エンクロージャの内面との間のキャビティ内に配置される、断熱材と、
前記電子アセンブリと通信可能に連結されたセンサアセンブリであって、1つ以上のセンサを含み、前記1つ以上のセンサは、前記基板アセンブリ全体の1つ以上の位置で1つ以上の測定パラメータを取得するように構成され、前記電子アセンブリは、前記1つ以上のセンサから前記1つ以上の測定パラメータを受信するように構成される、センサアセンブリと、
を備え、
前記底部基板および前記上部基板は、溶接または接合の少なくとも1つによりシールされる、装置。 - 方法であって、
基板アセンブリの1つ以上の位置に配置された1つ以上のセンサで測定パラメータのセットを取得することであり、前記基板アセンブリは、底部基板と上部基板とを含み、前記上部基板は、前記底部基板に機械的に連結され、前記底部基板と前記上部基板の少なくとも1つは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または二酸化ケイ素の少なくとも1つから構成され、
入れ子式エンクロージャアセンブリ内に配置される電子アセンブリに測定パラメータの前記セットを記憶させることと、
各測定の値を算出することと、
を含み、前記底部基板および前記上部基板は、溶接または接合の少なくとも1つによりシールされる、方法。
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