JP2019523884A - 高温プロセスアプリケーションにおいて測定パラメータを取得するためのカプセル化された計装基板装置 - Google Patents

高温プロセスアプリケーションにおいて測定パラメータを取得するためのカプセル化された計装基板装置 Download PDF

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Abstract

装置は、計装基板装置と、機械的に連結された底部および上部基板を含む基板アセンブリと、電子アセンブリと、外側および内側エンクロージャを含む入れ子式エンクロージャアセンブリとを含み、外側エンクロージャは、内側エンクロージャを取り囲み、内側エンクロージャは、電子アセンブリを取り囲む。装置はさらに、内側および外側のエンクロージャの間の断熱材と、基板アセンブリ内で１つ以上の位置に配置される１つ以上のセンサを含む電子アセンブリに通信可能に連結されるセンサアセンブリとを含み、電子アセンブリは、１つ以上のセンサからの１つ以上の測定パラメータを受信するように構成される。

Description

本発明は、全体として半導体プロセスラインのウエハの監視に関し、詳細には、高温での作動を可能にする複数段エンクロージャアセンブリに関する。
関連出願の相互参照
本出願は、「WIRELESS SENSOR WAFER FOR HIGH TEMPERATURE EPI PROCESSES」と題され、Mei Sun、Earl Jensen、Jing Zhou、Ran Liuを発明者として、２０１６年６月１５日に出願された米国仮特許出願第６２／３５０，６８８号の、米国特許法第１１９条（ｅ）の下での優先権を主張するものであり、その全体は参照により本明細書に組み込まれる。
半導体デバイスプロセス環境における、プロセス条件の許容誤差は小さくなり続けているため、改善されたプロセス監視システムに対する要望が高まり続けている。プロセスシステム内での温度均一性（例えば、エピタキシチャンバ）がそのような条件の１つとして挙げられる。現在の方法では、現在のプロセス技術を要する過酷な条件下（例えば、高温）において、関連するチャンバを汚染せずに温度を監視することができない。
米国特許出願公開第２０１０／０１５５０９８号 米国特許第５９１９３８３号
したがって、計装ウエハを使用して半導体デバイスプロセスラインの条件を監視する、高温測定を可能にするシステムおよび方法を提供することが望ましい。
本開示の１つ以上の実施形態による、高温プロセスアプリケーションの測定パラメータを取得する装置が開示される。一実施形態において、装置は、底部基板と上部基板とを含む基板アセンブリを含む。別の実施形態において、上部基板は、底部基板に機械的に連結される。別の実施形態において、装置は、電子アセンブリを含む。別の実施形態において、装置は、外側エンクロージャと内側エンクロージャとを含む、入れ子式エンクロージャアセンブリを含む。別の実施形態において、外側エンクロージャは、内側エンクロージャを取り囲む。別の実施形態において、内側エンクロージャは、少なくとも電子アセンブリを取り囲む。別の実施形態において、内側エンクロージャの外面と外側エンクロージャの内面との間のキャビティ内に断熱材が配置される。別の実施形態において、装置は、電子アセンブリと通信可能に連結される、センサアセンブリを含む。別の実施形態において、センサアセンブリは、１つ以上のセンサを含む。別の実施形態において、１つ以上のセンサは、基板アセンブリ全体の１つ以上の位置で、基板アセンブリ内に配置される。別の実施形態において、１つ以上のセンサは、基板アセンブリ全体の１つ以上の位置で、１つ以上の測定パラメータを取得するように構成される。別の実施形態において、電子アセンブリは、１つ以上のセンサから、１つ以上の測定パラメータを受け取るように構成される。本開示の１つ以上の実施形態による、高温プロセスアプリケーションの測定パラメータを取得する装置が開示される。一実施形態において、装置は、底部基板と上部コーティング層とを含む、基板アセンブリを含む。別の実施形態において、装置は、電子アセンブリを含む。別の実施形態において、装置は、外側エンクロージャと内側エンクロージャとを含む、入れ子式エンクロージャアセンブリを含む。別の実施形態において、外側エンクロージャは内側エンクロージャを取り囲み、内側エンクロージャは、少なくとも電子アセンブリを取り囲む。別の実施形態において、内側エンクロージャの外面と外側エンクロージャの内面との間のキャビティ内に断熱材が配置される。別の実施形態において、センサアセンブリは、電子アセンブリと通信可能に連結され、センサアセンブリは、１つ以上のセンサを含む。別の実施形態において、１つ以上のセンサは、底部基板全体の１つ以上の位置で基板アセンブリの底部基板に配置され、上部コーティング層は、少なくとも、底部基板に配置される１つ以上のセンサを覆う。別の実施形態において、１つ以上のセンサは、基板アセンブリ全体の１つ以上の位置で、１つ以上の測定パラメータを取得するように構成される。一実施形態において、電子アセンブリは、１つ以上のセンサから、１つ以上の測定パラメータを受け取るように構成される。
本開示の１つ以上の実施形態よる、高温プロセスアプリケーションにおける測定パラメータを取得する方法が開示される。一実施形態において、その方法は、基板アセンブリの１つ以上の位置に配置される、１つ以上のセンサで測定パラメータのセットを取得することを含む。別の実施形態において、その方法は、入れ子式エンクロージャアセンブリ内に配置された電子アセンブリに測定パラメータのセットを記憶させることを含む。別の実施形態において、その方法は、各測定パラメータの値を算出することを含む。
上記の概要および以下の詳細な説明はともに、例証および説明のためだけに用いられ、請求された発明を必ずしも限定するものではないことが理解される。添付される図面は、明細書に組み込まれ、また、明細書の一部として構成され、概要とともに本発明の実施形態を示し、本発明の原理を説明するのに役立つものである。
添付の図面を参照することにより、当業者は本開示の多くの利点をより詳細に理解するだろう。
本開示の１つ以上の実施形態による、入れ子式エンクロージャアセンブリを備える計装基板装置の上面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、入れ子式エンクロージャアセンブリおよび計装基板装置の簡略化された断面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、入れ子式エンクロージャアセンブリおよび計装基板装置の簡略化された断面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、入れ子式エンクロージャアセンブリおよび計装基板装置の簡略化された断面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、入れ子式エンクロージャアセンブリおよび計装基板装置の簡略化された断面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、入れ子式エンクロージャアセンブリおよび計装基板装置の簡略化された断面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、計装基板装置の簡略化された断面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、センサとともに構成される計装基板装置の簡略化された上面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、センサとともに構成される計装基板装置の簡略化された上面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、センサとともに構成される計装基板装置の簡略化された上面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、遠隔データシステムと通信するように配置される計装基板装置の上面図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、入れ子式エンクロージャアセンブリ内に収容される電子アセンブリのブロック図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、計装基板装置を含むプロセスチャンバのブロック図である。 本開示の１つ以上の実施形態による、計装基板装置全体の温度の算出方法を示すフローチャートである。
添付図に示される、開示する発明の主題の詳細をここで参照する。
図１Ａから図３を全体的に参照すると、本開示による、計装基板全体の温度測定のためのシステムおよび方法が記載される。
本開示の実施形態は、高温（例えば、６００℃〜８００℃）で作動可能な計装基板装置に関する。このような計装基板装置は、高温で作動する半導体プロセスチャンバ（例えば、エピタキシチャンバ）で利用されてもよい。いくつかの実施形態において、本開示の計装基板装置は、第１エンクロージャと第２エンクロージャ（例えば、熱シールド）とを含む、入れ子式エンクロージャアセンブリを含み、これにより、オンボード電子アセンブリ（すなわち、電子パッケージ）および／または他の高感度デバイスは、計装基板装置が、８００℃もの高温にさらされる場合でも、電子アセンブリの温度を約１５０℃以下に維持する目的で入れ子式エンクロージャアセンブリに収容される。２０１６年９月２７日に出願された米国特許出願第１５／２７７，７５３号に記載される計装基板の使用は、その全体を本明細書の一部として援用する。
図１Ａ〜図１Ｂは、本開示の１つ以上の実施形態による、基板アセンブリ１０２全体の温度を取得する、計装基板装置１００を示す。図１Ａは、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４を備える計装基板装置１００の上面図を示し、図１Ｂは、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４と計装基板装置１００の簡略化した断面図を示す。
一実施形態において、計装基板装置１００は、基板アセンブリ１０２と、センサアセンブリ１０５と、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４とを含む。
一実施形態において、基板アセンブリ１０２は、上部基板１０７と底部基板１０９とを含む。例えば、図１Ｂに示すように、上部基板１０７は、底部基板１０９に機械的に連結されてもよい。基板アセンブリ１０２の上部基板１０７および／または底部基板１０９は、公知の基板を含んでもよい。一実施形態において、基板アセンブリ１０２の上部基板１０７および／または底部基板１０９は、ウエハを含む。例えば、基板アセンブリ１０２の上部基板１０７および／または底部基板１０９は、ガラスウエハ（例えば、溶融石英ガラスウエハ、ホウケイ酸ガラスウエハなど）、結晶ウエハ（例えば、結晶石英ウエハまたはシリコンウエハ）、または１つ以上の化合物から形成されたウエハ（例えば、炭化ケイ素、窒化ケイ素など）を含んでもよいが、これらに限定されない。例えば、基板アセンブリ１０２は、１つ以上のシリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または二酸化ケイ素（例えば、石英）から形成されるウエハなどの、半導体プロセス環境においてごくわずかな汚染を引き起こす基板を備えてもよいが、それらに限定されない。
一実施形態において、下方基板１０９は、上方基板１０７に機械的に連結される。例えば、下方基板１０９は、上方基板１０７に溶着されてもよい。別の例として、下方基板１０９は、上方基板１０７に結合されてもよい。別の実施形態において、１つ以上のセンサ基板１３５は、上方基板１０７と下方基板１０９との間に配置されるため、１つ以上のセンサ基板１３５は、上部基板１０７と下方基板１０９との間にシールされる（例えば、密閉シール）。１つ以上のセンサ基板１３５は、公知の材料から形成されてもよい。例えば、１つ以上のセンサ基板１３５は、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、または、ガリウムおよびインジウムの化合物を含む適切な材料から形成されてもよいが、これらに限定されない。例えば、図１Ｋに示すように、１つ以上のセンサ基板１３５は、上方基板１０７と下方基板１０９との間の１つ以上のシリコンディスクを含んでもよいが、これに限定されない。１つ以上のセンサ基板１３５を利用して、研究されるプロセスアプリケーションの最中に、所定のプロセスチャンバにより処理される基板／ウエハの種類の熱伝導を助け、種々の材料特性（例えば、熱伝導、熱膨張、光学的特性など）を再現しやすくしてもよいことに留意されたい。１つ以上のセンサ１２４と入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４との間のワイヤライン１２６の接続は、基板アセンブリ１０２内にシール（例えば、密閉シール）されてもよい。例えば、１つ以上のセンサ１２４と入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４との間のワイヤライン１２６の接続は、上方基板１０７により覆われ、下方基板１０９に機械的に連結される。
一実施形態において、図１Ｂに示すように、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４は、内側エンクロージャ１１４と外側エンクロージャ１１６とを含む。例えば、内側エンクロージャ１１４は内側熱シールドから、外側エンクロージャ１１６は外側熱シールドからそれぞれ構成されてもよい。別の実施形態において、電子アセンブリ１２５（例えば、プロセッサ、メモリ、電源、通信回路など）を、内側エンクロージャ１１４内に配置してもよく、そうすることにより、内側エンクロージャ１１４は、外側エンクロージャ１１６内に配置され、入れ子式エンクロージャ構造を形成してもよい。
一実施形態において、内側エンクロージャ１１４は、高い熱容量（例えば、体積で）を有する材料から形成される。例えば、内側エンクロージャ１１４は、鉄ニッケルコバルト合金、ニッケル鉄合金、または鉄炭素合金などの１つ以上の合金から形成されてもよいがこれらに限定されない。例えば、内側エンクロージャ１１４は、コバール、インバー、またはステンレス鋼を含む１つ以上の材料から形成されてもよい。コバールから形成される内側エンクロージャ１１４の場合、内側エンクロージャ１１４の電子アセンブリ１２５（および電子アセンブリ１２５の構成要素）が、内側エンクロージャ１１４の温度に密接に従う。別の例として、内側エンクロージャ１１４は、サファイアまたは結晶石英などの１つ以上の結晶材料から形成されてもよいが、これらに限定されない。
別の実施形態において、外側エンクロージャ１１６は、セラミック、複合材料、またはガラスを含む１つ以上の材料から形成されてもよいが、これらに限定されない。別の実施形態において、外側エンクロージャ１１６は、ごくわずかな汚染を引き起こす材料から形成されてもよい。例えば、外側エンクロージャ１１６は、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または酸化ケイ素を含む、１つ以上の低汚染材料から形成されてもよいが、これらに限定されない。
一実施形態において、内側エンクロージャ１１４は、蓋１１３と基部１１５とを備え、それにより蓋１１３は、基部１１５から取り外され内側エンクロージャ１１４の内側部分へアクセス可能になってもよい。別の実施形態において、外側エンクロージャ１１６は、蓋１１７と基部１１９とを備え、それにより蓋１１７は、基部１１９に機械的に連結され、外側エンクロージャ１１６をシールする。例えば、溶着部１２１は、蓋１１７を基部１１９に機械的に連結し、外側エンクロージャ１１６をシール（例えば、密閉シール）してもよい。別の例として、基部１１９は、蓋１１７に結合して、接着剤により外側エンクロージャ１１６をシール（例えば、密閉シール）してもよい。
別の実施形態において、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４は、内側エンクロージャ１１４と外側エンクロージャ１１６との間に配置される断熱材１２０を含む。断熱材１２０を内側エンクロージャ１１４と外側エンクロージャ１１６との間に組み込むと、外側エンクロージャ１１６の外側の上昇した温度環境（例えば、半導体プロセスチャンバ）から内側エンクロージャ１１４内の領域への熱伝導を低減させるために役立つことを留意されたい。例えば、断熱材１２０は、内側エンクロージャ１１４の外面と外側エンクロージャ１１６の内面との間のキャビティ内に配置されてもよい。別の実施形態において、断熱材１２０は、多孔性固体材料を含んでもよいが、これに限定されない。例えば、断熱材１２０は、１つ以上のエーロゲル材料（例えば、シリカエーロゲル材料）であってもよい。例えば、エーロゲル材料は、約９８．５％もの高多孔性を有するように形成することができる。別の例として、断熱材１２０は、セラミック材料（例えば、多孔性セラミック材料）であってもよい。セラミック系断熱材を焼結する間、多孔度はポア形成剤の使用を通じて調整されてもよいことに留意されたい。セラミック材料の多孔度が、５０〜９９％の多孔度範囲で製造されてもよいことにさらに留意されたい。例えば、セラミック材料の多孔度が、９５〜９９％の範囲の多孔度を有するように製造されてもよい。
別の実施形態において、断熱材１２０は、不透明である。例えば、断熱材１２０は、外側エンクロージャ１１６の内面と内側エンクロージャ１１４の外面とのボリュームを通過する放射を吸収する材料を含んでもよいが、これに限定されない。例えば、断熱材１２０は、炭素ドープしたエーロゲル材料を含んでもよいが、これに限定されない。
別の実施形態において、断熱材１２０は、低圧ガス（すなわち、真空圧に保たれたガス）であることにより、そのガスは周囲の圧力（すなわち、プロセスチャンバの圧力）よりも小さい圧力で維持される。この点に関し、内側エンクロージャ１１４の外面と外側エンクロージャ１１６の内面との間のボリュームは、外側エンクロージャ１１６および内側エンクロージャ１１４からの熱伝導を最小化するために、真空圧に維持されてもよい。別の実施形態において、断熱材１２０は、周囲の圧力とほぼ同等であるが大気圧以下の圧力に維持されるガスである。別の実施形態において、断熱材１２０は、周囲の圧力よりも高いが大気圧未満の圧力に維持されるガスである。本開示の目的のために、「真空圧」は、周囲の圧力よりも低い圧力の意味として解釈される。
一実施形態において、内側エンクロージャ１１４は、断熱材１２０により外側エンクロージャ１１６の内面に支持される。例えば、内側エンクロージャ１１４は、１つ以上のエーロゲル材料により外側エンクロージャ１１６の内面に支持されてもよい。例えば、内側エンクロージャ１１４は、シリカエーロゲル材料により外側エンクロージャ１１６の内面に支持されてもよい。
別の実施形態において、図１Ｃに示すように、内側エンクロージャ１１４は、外側エンクロージャ１１６の内底面に配置される低熱伝導媒体層１２０により支持される。例えば、低熱伝導媒体層１２０は、１つ以上の多孔性材料を含んでもよい。例えば、低熱伝導媒体層１２０は、エーロゲル材料（例えば、シリカエーロゲル材料）を含んでもよい。別の例としては、低熱伝導媒体層は、不透明であってもよい（例えば、多孔性セラミック材料）。
別の実施形態において、外側エンクロージャ１１６は、１つ以上の支持構造部１２３により基板アセンブリ１０２に支持される。別の実施形態において、１つ以上の支持構造部１２３（例えば、単一の支持脚、複数の支持脚、プラットフォーム）は、基板アセンブリ１０２と外側エンクロージャ１１６との間の熱伝導を制限するために、低熱伝導係数を有する媒体から形成されてもよい。例えば、１つ以上の支持構造部１２３は、セラミック、複合材料、結晶材料、またはガラスなどの低熱伝導媒体から形成されてもよいが、これらに限定されない。例えば、１つ以上の支持構造部１２３は、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化シリコンを含む１つ以上の材料から形成されてもよいが、これらに限定されない。別の実施形態において、支持構造部１２３は、外側エンクロージャ１１６と上方基板１０７とに機械的に連結される。例えば、溶接部１２１は、支持構造部１２３を外側エンクロージャ１１６と上方基板１０７とに機械的に連結してもよい。別の例としては、支持構造部が外側エンクロージャ１１６と上方基板１０７とに結合されてもよい。別の実施形態において、１つ以上の支持構造部１２３は、１つ以上のワイヤライン１２６がセンサアセンブリ１０５を電子アセンブリ１２５に接続する１つ以上の通路を形成してもよい。例えば、１つ以上の支持構造部１２３は、１つ以上のワイヤライン１２６がセンサアセンブリ１０５を電子アセンブリ１２５に接続する、１つ以上の通路を形成する１つ以上のリング構造または管構造（例えば、中空脚構造）を含んでもよいが、これに限定されない。さらに、支持構造部１２３は、外側エンクロージャ１１６と上方基板１０７とに連結されたリング構造であってもよい。例えば、支持構造部１２３は、シール（例えば、密閉シール）を形成する外側エンクロージャ１１６と上方基板１０７とに溶接されるリング構造として構成されてもよい。別の例として、支持構造部１２３は、シール（例えば、密閉シール）を形成する外側エンクロージャ１１６と上方基板１０７とに結合されるリング構造として構成されてもよい。
別の実施形態において、図１Ｄに示すように、外側エンクロージャ１１６は基板アセンブリ１０２に機械的に連結される。例えば、外側エンクロージャ１１６は、上方基板１０７に溶接され、シール（例えば、密閉シール）を形成する。別の例として、外側エンクロージャ１１６は、上方基板１０７に結合され、シール（例えば、密閉シール）を形成する。外側エンクロージャ１１６を上方基板１０７に機械的に連結すると、プロセスチャンバにさらされる外側エンクロージャ１１６の表面積が減少することに留意されたい。
別の実施形態において、図１Ｄに示すように、低放射および／または高反射層１１８ａ（例えば、コーティング）は、内側エンクロージャ１１４の外面に配置される。別の実施形態において、低放射および／または高反射層１１８ｂ（例えば、コーティング）は、外側エンクロージャ１１６の内面に配置される。別の実施形態において、低放射および／または高反射層１１８ａは、内側エンクロージャ１１４の外面に隣接して配置される断熱材１２０に配置される。別の実施形態において、低放射および／または高反射層１１８ｂは、外側エンクロージャ１１６の内面に隣接して配置される断熱材１２０に配置される。
外側エンクロージャ１１６の内面に隣接して高反射層が配置される場合、高反射層１１８ｂは、プロセスチャンバの壁またはプロセスチャンバに存在してもよい放熱ランプから外側エンクロージャ１１６に当たる熱放射の大半を反射させるのに役立つことに留意されたい。さらに、内側エンクロージャ１１４の外面に隣接して配置される高反射層が存在することにより、外側エンクロージャ１１６の内面から内側エンクロージャ１１４に当たる熱放射の大半を反射させるのに役立つ。さらに、外側エンクロージャ１１６の内面に隣接して配置される低放射材料を利用すると、外側エンクロージャ１１６により発せられる放射熱エネルギーの量を減少させるのに役立ち、それにより、内側エンクロージャ１１４により吸収され得る利用可能な放射熱エネルギー量が減少する。さらに、外側エンクロージャ１１６の内面に隣接して配置される低放射材料を利用すると、内側エンクロージャ１１４により発せられる放射熱エネルギー量を減少させるのに役立ち、それにより、内側エンクロージャ１１４内の電子アセンブリ１２５に吸収および伝導され得る利用可能な放射熱エネルギー量が減少する。
別の実施形態において、層１１８ａおよび／または層１１８ｂは、金、銀、またはアルミニウムなどの高反射および低放射材料であるが、これらに限定されない。別の実施形態において、層１１８ａおよび／または層１１８ｂは、積層誘電体膜から形成される高反射および低放射材料であってもよい。例えば、層１１８ａおよび／または層１１８ｂは、酸化物、炭化物、または窒化物を含む材料から形成される高反射性および低放射性積層誘電体膜であってもよいが、これに限定されない。
図１Ａを再び参照して、一実施形態において、電子アセンブリ１２５は、センサアセンブリ１０５に連結される。別の実施形態において、センサアセンブリ１０５は、１つ以上のセンサ１２４を含む。別の実施形態において、センサ１２４は、基板アセンブリ１０２全体に１つ以上の位置で配置され、１つ以上のワイヤライン接続部１２６を介して電子アセンブリ１２５に接続される。この点に関し、１つ以上の電子アセンブリ１２５は、基板アセンブリ１０２の１つ以上の位置に配置される１つ以上のセンサ１２４からの値を示す１つ以上の測定パラメータ（例えば、熱電対からの電圧、抵抗温度デバイスからの抵抗、圧力センサからの電圧（または別の信号）、放射センサからの電圧（または別の信号）、化学センサなどからの電圧（または別の信号））を取得してもよい。別の実施形態において、電子アセンブリ１２５は、遠隔データシステム１０３と通信可能に連結される。別の実施形態において、電子アセンブリ１２５は、複数の測定パラメータを遠隔データシステム１０３へ送信する。
１つ以上のセンサ１２４は、公知の測定デバイスを備えてもよいことに留意されたい。例えば、１つ以上のセンサ１２４は、熱センサ、圧力センサ、放射センサ、および／または化学センサを含んでもよいが、これらに限定されない。例えば、温度測定を行う場合、１つ以上のセンサ１２４は、１つ以上の熱電対（ＴＣ）デバイス（例えば、熱電接点）、または、１つ以上の抵抗温度デバイス（ＲＴＤ）（例えば、薄膜ＲＴＤ）を含んでもよいが、これらに限定されない。別の例において、圧力測定を行う場合、１つ以上のセンサ１２４は、圧電センサ、静電容量センサ、光学センサ、電位差測定センサなどを含んでもよいが、これらに限定されない。別の例において、放射測定を行う場合、１つ以上のセンサは、１つ以上の光検出器（例えば、光電池、フォトレジスタなど）または他の放射検出器（例えば、固体検出器）を含んでもよいが、これらに限定されない。別の例において、化学測定を行う場合、１つ以上のセンサ１２４は、１つ以上のケミレジスタ（chemiresistor）、ガスセンサ、ｐＨセンサなどを含んでもよいが、これらに限定されない。
別の実施形態において、計装基板装置１００は、ダミーエンクロージャアセンブリ１０８を含む。例えば、ダミーエンクロージャアセンブリ１０８を、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４の重量を相殺するための釣合い重りとして機能させるために、基板アセンブリ１０２の選択位置に配置してもよい。例えば、基板アセンブリ１０２の中心から入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４への距離と同距離に、ダミーエンクロージャアセンブリ１０８を入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４の反対側に配置してもよい。ダミーエンクロージャアセンブリ１０８を入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４の反対位置に配置することは、計装基板装置１００の質量中心を基板アセンブリ１０２の中心で維持するのに役立つことに留意されたい。別の実施形態において、図示されていないものの、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４は、計装基板装置１００の質量中心を基板アセンブリ１０２の中心で維持するために、基板アセンブリ１０２の中心に配置されてもよい。
図１Ｅは、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４および計装基板装置１００の簡略化した断面図である。一実施形態において、外側エンクロージャ１１６は、一体部品として形成される（例えば、カップ構造）。例えば、外側エンクロージャ１１６は、溶融石英ガラスの単一要素から形成されてもよい。一実施形態において、単一要素の外側エンクロージャ１１６は、基板アセンブリ１０２に機械的に連結されてもよい。例えば、単一要素の外側エンクロージャ１１６は、上方基板１０７に溶接または結合されてもよい。単一要素である外側エンクロージャ１１６の構成は、計装基板装置１００のために低背化されることに留意されたい。
図１Ｆは、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４および計装基板装置１００の簡略化した断面図である。一実施形態において、上方基板１０７の中心部は、除去される。別の実施形態において、断熱材１４０のさらなる層を、底部基板１０９および上方基板１０７の中心部に配置して、断熱をさらに高めてもよい。さらに、高反射材１４２のさらなる層を、さらなる断熱材１４０と底部基板１０９との間に配置してもよく、そうすることにより、高反射材１４２と断熱材１４０とで上方基板１０７の中心部が満たされる。
図１Ｇは、本開示の１つ以上の実施形態による、計装基板装置１００の一部を簡略化した断面図である。一実施形態において、１つ以上のセンサ１２４とセンサ基板１３５は、上方基板１０７と下方基板１０９との間にシールされる。例えば、センサ１２４とセンサ基板１３５は、基板アセンブリ１０２の内部にシール（例えば、密閉シール）され、プロセスチャンバのガス１３６（例えば、窒素、ヘリウムなど）にさらされないようにする。
センサ基板１３５は、いかなる形状を有するように形成されてもよく、底部基板１０９全体にどのような方法で配置されてもよいことに留意されたい。図１Ｈ〜１Ｊは、本開示の１つ以上の実施形態による、多くの基板センサ構成を示す。簡略化することを目的として、上部基板（１０７、別の図面）は、１Ｈ〜１Ｊに記載されていない。図１Ｈに示すように、一実施形態において、センサ基板１３５のセットは、底部基板１０９全体に選択された幾何学パターン（例えば、図１Ｈに示す交差形）で配置される。さらに、１つ以上のセンサ１２４は、各センサ基板１３５の中または下に配置されてもよい。
図１Ｉに示すように、別の実施形態において、１つ以上のセンサ基板１３５は、下方基板１０９と上方基板１０７との間に配置されるリングとして構成される（上方基板は明確化のために図示せず）。例えば、図１Ｉに示すように、センサ基板１３５の媒体のセットは、底部基板１０９に配置されるさまざまなサイズの同心円として構成されてもよい。さらに、１つ以上のセンサ１２４は、各リングセンサ基板１３５の中または下に配置されてもよい。
図１Ｊに示すように、別の実施形態において、単一のセンサ基板１３５は底部基板１０９の上に配置され、１つ以上のセンサ１２４は、センサ基板１３５の上に配置されてもよい。例えば、図１Ｊに示すように、センサ基板１３５は、中央部が除去されたディスクとして形成されてもよい。
上述したセンサ基板１３５とセンサ１２４の配置と数は、限定されるものではなく、単に説明を目的として挙げられることが留意される。むしろ、本開示の１つ以上のセンサ基板１３５および／または１つ以上のセンサ１２４は、さまざまなパターン、形状、および量で構成されてもよいことが認められる。
さらに、本開示の大半が、上部基板を備える計装基板装置１００の実施に焦点を当てる一方、この構成は本開示の範囲を限定するものではない。むしろ、本開示の範囲は、多くの等価な実施形態にまで拡張してもよい。例えば、図１Ａおよび１Ｂを再度参照して、基板アセンブリ１０２の上部基板１０７は、上部コーティング材料と交換してもよい。例えば、１つ以上のセンサ基板１３５および／または１つ以上のセンサ１２４は、底部基板１０９に配置されてもよい。１つ以上のセンサ基板１３５および／または１つ以上のセンサ１２４を交換した後、コーティング材料を底部基板１０９、１つ以上の基板１３５、および／または１つ以上のセンサ１２４に塗布してもよく、そうすることにより、少なくとも１つ以上のセンサ１２４がシールされる。例えば、底部基板１０９、１つ以上の基板１３５、および／または１つ以上のセンサ１２４の上に、コーティング材料で二酸化ケイ素薄膜などの高反射性および低放射性薄膜を形成してもよいが、これに限定されない。
図１Ｋは、計装基板装置１００と遠隔データシステム１０３とを含む、計装基板アセンブリシステム１５０を示す。一実施形態において、１つ以上の電子アセンブリ１２５は、遠隔データシステム１０３にワイヤレス通信可能に連結される。１つ以上の電子アセンブリ１２５は、遠隔データシステム１０３に適切な方法でワイヤレス通信可能に連結されてもよい。例えば、計装基板装置１００は、通信回路１０６を備えてもよい。通信回路１０６は、通信分野で公知の通信回路および／または通信デバイスを含んでもよい。例として、通信回路１０６は、１つ以上の通信アンテナ（例えば、通信コイル）を含んでもよいが、これに限定されない。一実施形態において、通信回路１０６は、電子アセンブリ１２５とオフ基板遠隔データシステム１０３との間の通信リンクを確立するように構成される。さらに、通信回路１０６は、電子アセンブリ１２５と通信可能に連結される（例えば、電気的相互接続部１２７を介する連結）。この点に関し、電子アセンブリ１２５は、１つ以上のセンサ１２４により取得された測定パラメータを示す１つ以上の信号を、１つ以上の相互接続部１２７を介して通信回路１０６へ送信してもよい。次に、通信回路１０６は、測定パラメータを示す１つ以上の信号を遠隔データシステム１０３に中継ぎする。一実施形態において、遠隔データシステム１０３は、オン基板通信回路１０６と遠隔データシステム１０３との間の通信リンクを確立するのに適した通信回路１３２を含む。例えば、通信回路１３２は、高周波（ＲＦ）信号を用いて、オン基板通信回路１０６と遠隔データシステム１０３との間の通信リンクを確立してもよい。さらに説明されるように、センサ測定に関連する値は、電子アセンブリ１２５および／または遠隔データシステム１０３により算出されてもよい。
一実施形態において、電子アセンブリ１２５は、１つ以上のセンサ１２４により取得された１つ以上の測定パラメータに基づき、１つ以上の値を算出する。次に、電子アセンブリ１２５は、算出された値を遠隔データシステム１０３に送信してもよい。別の実施形態において、値は遠隔データシステム１０３により算出されてもよい。この点に関し、電子アセンブリ１２５は、１つ以上の測定パラメータを遠隔データシステム１０３に送信する。次に、遠隔データシステム１０３は、センサ１２４により取得された１つ以上の測定パラメータに基づき１つ以上の値を算出してもよい。
別の実施形態において、遠隔データシステム１０３は、センサ１２４により取得された１つ以上の信号に基づき、電子アセンブリ１２５または遠隔データシステム１０３により算出された１つ以上の値を、基板アセンブリ１０２上の取得位置とマッピング（または関連付け）する。別の実施形態において、遠隔データシステム１０３は、マッピングした値をユーザインタフェイスに報告する。例えば、遠隔データシステム１０３は、マッピングした値を１つ以上のデスクトップコンピュータ、ラップトップ、タブレット、手持ち式デバイス、メモリ、またはサーバに報告してもよい。
図１Ｌは、本開示の１つ以上の実施形態による、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４内に収容された電子アセンブリ１２５のブロック図を示す。一実施形態において、電子アセンブリ１２５は、電源１１２（例えば、１つ以上のバッテリ）を含む。別の実施形態において、電子アセンブリ１２５は、１つ以上のプロセッサ１２９を含む。別の実施形態において、電子アセンブリ１２５は、通信回路１２８を含む。別の実施形態において、電子アセンブリ１２５は、１つ以上のプロセッサ１２９を構成するための、プログラム命令を記憶するためのメモリ媒体１３１（例えば、メモリ）を含んでもよい。さらに、入れ子式エンクロージャアセンブリ１０４内に取り囲まれた電子アセンブリ１２５により取得された測定パラメータは、電子アセンブリ１２５のメモリ１３１に記憶されてもよい。本開示の目的として、「プロセッサ」という用語は、メモリ媒体１３１からの命令を実行する、１つ以上のプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）または論理素子（例えば、ＡＳＩＣ）を有する、あらゆるデバイスを包含するように広く定義されてもよい。この意味において、電子アセンブリ１２５の１つ以上のプロセッサ１２９は、アルゴリズムおよび／または命令を実行するように構成される、マイクロプロセッサ型または論理デバイスを含んでもよい。本開示全体を通じて記載されるステップは、単一のプロセッサ、もしくは、複数のプロセッサにより、実行されてもよいことが認められるべきである。メモリ媒体１３１は、読取専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、ソリッドステートドライブ、フラッシュ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭなどを含んでもよい。
図２は、本開示の１つ以上の実施形態による、計装基板装置１００とともに構成されるプロセスチャンバを示す。一実施形態において、計装基板装置１００は、回転可能なプラットフォーム１３８に配置される。別の実施形態において、プロセスチャンバガス１３６は、基板アセンブリ１０２の上を流れる。例えば、先述のように、基板アセンブリ１０２は、シールされ（例えば、密閉シール）、プロセスチャンバガス１３６は基板アセンブリ１０２に入らない。別の実施形態において、１つ以上の加熱源１３４を使用して、プロセスチャンバを加熱する。例えば、計装基板装置１００の上および下の加熱ランプは、プロセスチャンバを加熱する。
図３は、本開示の１つ以上の実施形態により、基板全体の測定パラメータを取得する方法３００を示す、フローチャートである。図３のフローチャートのステップは、限定として解釈されるべきものではなく、例証を目的として提供されることが留意される。
一実施形態において、プロセスは、ステップ３０２から開始される。ステップ３０４において、プロセスは、測定パラメータのセット（例えば、熱電対（ＴＣ）電圧、測温抵抗体（ＲＴＤ）抵抗など）を、基板アセンブリ１０２のまわりに配置されたセンサ１２４のセットで一連の位置において測定することを含む。そして、ステップ３０６において、測定パラメータを測定した後、その結果は、入れ子式エンクロージャ１０４に取り囲まれたメモリ（例えば、電子アセンブリ１２５のメモリ１３１）に記憶される。ステップ３０８において、測定パラメータのセットは、遠隔データシステム１０３へ送信される。例えば、測定データは、通信回路１０６（例えば、通信アンテナ）を介して高周波（ＲＦ）信号により、電子アセンブリ１２５から遠隔データシステム１０３にワイヤレスに送信されてもよい。ステップ３１０において、値は、基板アセンブリ１０２の各位置に配置された各センサ１２４により取得された各測定パラメータのために、遠隔データシステム１０３により算出される。例えば、温度の場合、センサ１２４の１つと関連する値は、そのセンサで測定された温度を示すパラメータに基づいて算出されてもよい。各センサ１２４の結果は、その後、基板アセンブリ１０２の表面にマッピングされてもよいことが留意される。例えば、遠隔データシステム１０３は（または別のデータシステム）は、一式のセンサ１２４の各センサによって測定された値と関連付けてもよい。そして、各センサ１２４の既知の位置に基づき、遠隔データシステム１０３は、基板アセンブリ１０２の上面（例えば、Ｘ−Ｙ位置）の平面の位置付け機能として、値のデータベースおよび／またはマッピングを基板アセンブリ１０２の上面に形成することができる。別の実施形態において、値のデータベースおよび／またはマッピングは、ユーザインタフェイス（図示せず）のディスプレイに表される。ステップ３１２で、プロセスは終了する。
方法３００のステップは、システム１５０を介して行われてもよいことが認められる。しかし、システム１５０により、さまざまなプロセスが行われてもよく、結果として、基板アセンブリ１０２上の複数の位置で測定値を取得し値を決定する複数のプロセスフローが起こることが考えられるため、システム１５０は、プロセス３００または基板アセンブリ１０２全体の値を測定する方法の限定として解釈されるべきではないことが認められるべきである。例えば、測定パラメータが１つ以上のセンサ１２４すべてのために取得された後、電子アセンブリ１２５は、１つ以上のセンサ１２４により取得された、各測定パラメータのために値を算出してもよい。
本明細書に記載される発明の主題は、他の構成要素の中に含まれる、または、他の構成要素に接続される、別の部品を示すことがある。そのように示されるアーキテクチャは、単なる例証であり、実際のところ、同一の機能性を達成する多くの別のアーキテクチャが実施可能であることが理解される。概念的な意味において、同一の機能性を達成する構成要素の配置は、効果的に「関連付け」られ、所望の機能性が達成される。よって、特定の機能性を達成するために、本明細書で組み合わされた２つの構成要素は、アーキテクチャまたは仲介する構成要素にかかわらず、所望の機能性を達成するように互いに「関連付け」られているとみなすことができる。同様に、そのように関連付けられた２つの構成要素は、所望の機能性を達成するために、互いに「接続」または「連結」されているものとしても考えることができ、そのように関連付けられることが可能な２つの構成要素はまた、所望の機能性を達成するために、互いに「連結可能」なものとしても考えることができる。連結可能なものの具体例には、物理的に相互作用可能および／もしくは物理的に相互作用する構成要素ならびに／またはワイヤレスに相互作用可能なおよび／もしくはワイヤレスに相互作用する構成要素ならびに／または論理的に相互作用可能および／もしくは論理的に相互作用する構成要素が含まれるが、これらに限定されない。
上記の説明から本開示および付随する利点の多くが理解され、また、開示された発明の主題から逸脱することなく、または、重要な利点のすべてを損なうことなく、構成要素の形状、構成、配置にさまざまな変更を行ってもよいことが明らかになると考える。記載された形状は、単なる説明のためであり、以下の請求の範囲は、そのような変更を包含し、含めるものと意図される。さらに、本発明は、添付される請求の範囲により定義されることが理解される。

Claims (47)

  1. 装置であって、
    底部基板と、上部基板とを含み、前記上部基板は、前記底部基板に機械的に連結される基板アセンブリと、
    電子アセンブリと、
    入れ子式エンクロージャアセンブリであって、外側エンクロージャと内側エンクロージャとを含み、前記外側エンクロージャは、前記内側エンクロージャを取り囲み、前記内側エンクロージャは、少なくとも前記電子アセンブリを取り囲む、入れ子式エンクロージャアセンブリと、
    前記内側エンクロージャの外面と前記外側エンクロージャの内面との間のキャビティ内に配置される、断熱材と、
    前記電子アセンブリと通信可能に連結されたセンサアセンブリであって、１つ以上のセンサを含むセンサアセンブリと、
    を備え、
    前記１つ以上のセンサは、前記基板アセンブリ全体の１つ以上の位置で前記基板アセンブリ内に配置され、
    前記１つ以上のセンサは、前記基板アセンブリ全体の前記１つ以上の位置で、１つ以上の測定パラメータを取得するように構成され、
    前記電子アセンブリは、前記１つ以上のセンサから前記１つ以上の測定パラメータを受信するように構成される、
    装置。
  2. 請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、温度を示す１つ以上のパラメータを取得するように構成される、１つ以上の熱センサを含む、装置。
  3. 請求項２に記載の装置であって、前記１つ以上の温度センサは、１つ以上の熱電対装置を含む、装置。
  4. 請求項２に記載の装置であって、前記１つ以上の温度センサは、１つ以上の抵抗温度装置を含む、装置。
  5. 請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、圧力を示す１つ以上のパラメータを取得するように構成される１つ以上の圧力センサを含む、装置。
  6. 請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、対象とする化学物質の存在を示す１つ以上のパラメータを取得するように構成される１つ以上の化学センサを含む、装置。
  7. 請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、放射の存在を示す１つ以上のパラメータを取得するように構成される、１つ以上の放射センサを含む、装置。
  8. 請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、高反射材料でコートされる、装置。
  9. 請求項１に記載の装置であって、前記底部基板または前記上部基板のうち少なくとも１つは、セラミック、サーメット、結晶材料、またはガラスのうち、少なくとも１つから形成される、装置。
  10. 請求項９に記載の装置であって、前記底部基板または前記上部基板のうち少なくとも１つは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または、二酸化ケイ素のうち少なくとも１つから形成される、装置。
  11. 請求項１に記載の装置であって、前記底部基板および前記上部基板は、溶接または接合のうち少なくとも１つによりシールされる、装置。
  12. 請求項１に記載の装置であって、前記エンクロージャアセンブリは、前記基板アセンブリに機械的に連結される、装置。
  13. 請求項１２に記載の装置であって、前記エンクロージャアセンブリは、溶接または接合のうち少なくとも１つにより前記基板アセンブリにシールされる、装置。
  14. 請求項１に記載の装置であって、前記電子アセンブリは、
    １つ以上のプロセッサと、
    通信回路と、
    メモリと、
    電源と、
    を含む、装置。
  15. 請求項１に記載の装置であって、前記装置は、回転可能なプラットフォームに配置される、装置。
  16. 請求項１に記載の装置であって、ダミーエンクロージャアセンブリをさらに含み、前記ダミーエンクロージャアセンブリは、前記基板アセンブリの中心に前記装置の質量中心を維持する位置で、前記基板アセンブリに配置される、装置。
  17. 請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサのそれぞれが、センサ基板の上または中に配置され、前記センサ基板は、前記基板アセンブリの前記底部基板と上部基板との間に配置される、装置。
  18. 請求項１７に記載の装置であって、前記センサ基板は、シリコン基板、炭化ケイ素基板、窒化ケイ素基板、窒化ガリウム基板、ヒ化ガリウム基板、ゲルマニウム基板、または、ガリウムおよびインジウムの基板のうち少なくとも１つを含む、装置。
  19. 請求項１に記載の装置であって、前記断熱材は、多孔性固体材料を含む、装置。
  20. 請求項１９に記載の装置であって、前記断熱材は、不透明である、装置。
  21. 請求項２０に記載の装置であって、前記断熱材は、吸収性である、装置。
  22. 請求項１９に記載の装置であって、前記断熱材は、エーロゲルを含む、装置。
  23. 請求項１９に記載の装置であって、前記断熱材は、セラミック材料を含む、装置。
  24. 請求項１に記載の装置であって、前記断熱材は、１つ以上のガスを含む、装置。
  25. 請求項２４に記載の装置であって、前記１つ以上のガスは、大気圧より低い圧力で維持される、装置。
  26. 請求項２５に記載の装置であって、前記１つ以上のガスは、周囲圧力より低い圧力で維持される、装置。
  27. 請求項１に記載の装置であって、前記外側エンクロージャの内面上にある前記内側エンクロージャを支持する１つ以上の支持構造部をさらに含む、装置。
  28. 請求項２７に記載の装置であって、前記１つ以上の支持構造部は、断熱材料から形成される、装置。
  29. 請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャの底部の外面と、前記外側エンクロージャの底部の内面との間に配置される、断熱材料の層をさらに含む、装置。
  30. 請求項１に記載の装置であって、前記基板に前記外側エンクロージャを支持する、１つ以上の支持構造部をさらに含む、装置。
  31. 請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、選択された値より大きい熱容量を有する材料から形成される、装置。
  32. 請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、金属、合金、または複合材料のうち少なくとも１つから形成される、装置。
  33. 請求項３２に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、鉄ニッケルコバルト合金、鉄ニッケル合金、または鉄炭素合金のうち、少なくとも１つから形成される、装置。
  34. 請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、１つ以上の結晶材料から形成される、装置。
  35. 請求項３４に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、サファイアまたは結晶水晶のうち少なくとも１つから形成される、装置。
  36. 請求項１に記載の装置であって、前記外側エンクロージャは、セラミック、サーメット、結晶材料、またはガラスのうち、少なくとも１つから形成される、装置。
  37. 請求項１に記載の装置であって、前記外側エンクロージャは、選択されたレベル未満の汚染率を有する材料から形成される、装置。
  38. 請求項３７に記載の装置であって、前記外側エンクロージャは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または、二酸化ケイ素のうち少なくとも１つから形成される、装置。
  39. 請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャの前記外面に配置される高反射層、または、前記外側エンクロージャの前記内面に配置される、もしくは、前記外側エンクロージャの前記内面と前記内側エンクロージャの前記外面との間に配置される高反射層のうち少なくとも１つをさらに含む、装置。
  40. 請求項３９に記載の装置であって、前記高反射層は、金、銀、またはアルミニウムのうち少なくとも１つを含む、装置。
  41. 請求項３９に記載の装置であって、前記高反射層は、酸化物、窒化物、炭化物のうち少なくとも１つを含む、積層誘電体膜である、装置。
  42. 請求項１に記載の装置であって、前記電子アセンブリは、前記１つ以上の取得された測定パラメータからの１つ以上の値を算出するように構成される、装置。
  43. 請求項１に記載の装置であって、前記電子アセンブリに通信可能に連結された遠隔データシステムをさらに含み、前記電子アセンブリは、前記１つ以上の測定パラメータを前記遠隔データシステムに送信するように構成され、前記遠隔データシステムは前記１つ以上のセンサにより取得された、前記１つ以上の取得された測定パラメータからの値を算出するように構成される、装置。
  44. 請求項４３に記載の装置であって、前記遠隔データシステムは、前記１つ以上の値を前記基板の前記１つ以上の位置にマッピングするように構成される、装置。
  45. 請求項４３に記載の装置であって、前記遠隔データシステムは、マッピングされた１つ以上の値をユーザインタフェイスに報告するように構成される、装置。
  46. 装置であって、
    底部基板と、上部コーティング層とを含む、基板アセンブリと、
    電子アセンブリと、
    入れ子式エンクロージャアセンブリであって、外側エンクロージャと内側エンクロージャとを含み、前記外側エンクロージャは、前記内側エンクロージャを取り囲み、前記内側エンクロージャは、少なくとも前記電子アセンブリを取り囲む、入れ子式エンクロージャアセンブリと、
    前記内側エンクロージャの外面と前記外側エンクロージャの内面との間のキャビティ内に配置される、断熱材と、
    前記電子アセンブリと通信可能に連結されたセンサアセンブリであって、１つ以上のセンサを含むセンサアセンブリと、
    を備え、
    前記１つ以上のセンサは、前記底部基板全体の１つ以上の位置で前記基板アセンブリの前記底部基板に配置され、
    前記上部コーティング層は、前記底部基板に配置される前記１つ以上のセンサの少なくともいずれかをコーティングし、
    前記１つ以上のセンサは、前記基板アセンブリ全体の１つ以上の位置で、１つ以上の測定パラメータを取得するように構成され、
    前記電子アセンブリは、前記１つ以上のセンサから前記１つ以上の測定パラメータを受信するように構成される、装置。
  47. 方法であって、
    基板アセンブリの１つ以上の位置に配置された１つ以上のセンサで測定パラメータのセットを取得することと、
    入れ子式エンクロージャアセンブリ内に配置される電子アセンブリの測定パラメータの前記セットを記憶させることと、
    各測定の値を算出することと、
    を含む、方法。
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