TW202303104A - 減輕溫度探針構造設備及方法中之熱膨脹失配 - Google Patents
減輕溫度探針構造設備及方法中之熱膨脹失配 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202303104A TW202303104A TW111116133A TW111116133A TW202303104A TW 202303104 A TW202303104 A TW 202303104A TW 111116133 A TW111116133 A TW 111116133A TW 111116133 A TW111116133 A TW 111116133A TW 202303104 A TW202303104 A TW 202303104A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- foot
- leg
- housing
- gap
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000010276 construction Methods 0.000 title description 4
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 title description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
揭示一種程序條件感測設備。該設備包含一基板及包含一或多個電子組件之一電子殼體。該設備包含經組態以將該電子殼體機械耦合至該基板之一浮動連接總成，該浮動連接總成包含一腿部及一腳部。該腿部或腳部經配置以減輕一或多個介面之間的熱應力。該一或多個介面包含一腿部-殼體介面或一腳部-基板介面。
Description
本發明大體上係關於程序條件基板裝置，且更特定言之，本發明係關於一種儀表化基板，其經組態以減輕該儀表化基板之組件之間之熱膨脹。
隨著對經改良程序監測系統之需求不斷增加，關於半導體裝置處理環境中之程序條件之容限不斷降低。一處理系統內之熱均勻性係一個此條件。在意欲量測溫度之一裝置中，電子器件及電池可藉由一熱質量進行絕緣，使得其等絕未達到一特定溫度以上。若電子器件或電池曝露於超過一特定溫度之一溫度，則一些電子器件及/或電池可能永久受損且無法起作用，而其他電子器件可在此溫度以上繼續起作用。此外，若一裝置機械固定至一基板，則歸因於溫差及/或不同熱機械性質，裝置內使用之材料可以不同速率膨脹。膨脹率可能在裝置與基板之間之某些連接點處造成過度應力，若未減輕，則進一步造成損壞且導致不起作用的裝置。
將期望提供一種解決上文識別之先前方法之不足的設備及方法。
揭示一種根據本發明之一或多項實施例之程序條件感測設備。在實施例中，該設備包含一基板。在實施例中，該設備包含一電子殼體，該電子殼體包含一或多個電子組件。在實施例中，該設備包含經組態以將該電子殼體機械耦合至該基板之一浮動連接總成。該浮動連接總成可包含一腿部及一腳部，該腿部或腳部之至少一者經配置以減輕一或多個介面之間之熱應力，該一或多個介面包括一腿部-殼體介面或一腳部-基板介面之至少一者。
揭示一種根據本發明之一或多項實施例之方法。在實施例中，該方法包含提供一基板。在實施例中，該方法包含經由一浮動連接總成將一電子殼體固定至該基板，該浮動連接總成經組態以將該電子殼體機械耦合至該基板，該浮動連接總成包含一腿部及一腳部，該腿部及腳部經配置以減輕一腿部-殼體介面與一腳部-基板介面之間之熱應力。在實施例中，該方法包含將該電子殼體固定至該腿部，該腿部包括一固定區段、一頂蓋及一底蓋，該固定區段行進穿過該電子殼體之一部分且該頂蓋及底蓋將該電子殼體固定至該固定區段，該固定區段經定大小以在該固定區段與該電子殼體之一內部通道壁之間提供一間隙，該間隙減輕該腿部-殼體介面處之熱應力。在實施例中，該方法包含將該腳部固定至該基板，該浮動連接總成包含一保持器，該保持器經配置以在沿該基板之表面之一方向上與該腳部重疊，該保持器經配置以在垂直於該基板之該表面之一方向上在該腳部與該保持器之間提供一間隙，該間隙減輕該腳部-基板介面處之熱應力。
應瞭解，前文概述及下文[實施方式]兩者僅為例示性及說明性，且不一定限制如所主張之本發明。併入於本說明書中且構成本說明書之一部分之附圖繪示本發明之實施例且連同概述一起用來說明本發明之原理。
已相對於特定實施例及其等之特定特徵特別展示及描述本發明。本文闡述之實施例被視為繪示性而非限制性的。一般技術者應容易明白，可在不脫離本發明之精神及範疇之情況下對形式及細節進行各種改變及修改。現在將詳細參考附圖中繪示之所揭示標的物。
大致上參考圖1至圖6，描述根據本發明之一或多項實施例之一程序條件感測裝置及方法。
本發明之實施例係關於一種程序條件感測裝置。舉例而言，程序條件感測裝置可包含一電子殼體，該電子殼體擱置於腿部及腳部上以機械耦合至一基板。歸因於溫度梯度及熱膨脹失配，腿部、腳部、基板及電子殼體在基板之平面中及在基板之平面外(即，垂直(vertical或perpendicular)於基板)以不同速率膨脹，若未減輕，則其可導致翹曲及/或機械故障。某些應力點(例如，腿部及電子殼體及/或腳部及基板)處之機械耦合可能在較高溫度下失效或變得不合適。因而，將期望提供一種減輕此等點處之熱應力之裝置及方法。
程序條件感測裝置可併入一儀表化基板以量測一處理腔室內之處理條件。此等裝置提供腔室之條件之最準確量測，此係因為基板之熱性質(例如，熱導率)與將處理之實際半導體裝置相同或類似。大致上在2011年10月11日頒予Renken等人之美國專利第8,033,190號；2013年12月10日頒予Sun等人之美國專利第8,604,361號；2017年8月1日頒予Sharratt等人之美國專利第9,719,867號；2017年11月21日頒予Sun等人之美國專利第9,823,121號；2019年10月29日頒予Sun等人之美國專利第10,460,966號；2017年8月3日發表之美國專利公開案第2017/0219437號；及2019年12月5日發表之美國專利公開案第2019/0368944號中描述探針裝置，該等案之全部內容各自以引用之方式併入本文中。
圖2至圖3繪示根據本發明之一或多項實施例之程序條件感測裝置100之一簡化橫截面視圖。在實施例中，裝置100包含一基板102、一電子殼體104及一浮動連接總成112。
基板102可包含半導體處理技術中已知之任何基板。在實施例中，基板102係一晶圓。舉例而言，基板102可包含(但不限於)一半導體晶圓(例如，矽晶圓)。基板102可由此項技術中已知之任何材料形成，包含(但不限於)矽、玻璃、陶瓷、砷化鎵、碳化物、氮化物、石英或類似者。本文中應注意，基板102可呈現與藉由一半導體裝置處理系統處理之一標準基板相同或類似之大小及形狀。此外，應注意，儘管圖2至圖3繪示無一或多層之基板102，然裝置100可包含一分層基板(例如，具有至少一頂層及一底層之一基板)。
在實施例中，使用基板102來量測半導體製造設備之處理條件。舉例而言，可使用基板102來量測一樣本(例如，一晶圓)在處理期間經歷之程序條件。在實施例中，將一或多個感測器安置於基板102上遍及基板102之一或多個位置處。在實施例中，一或多個感測器經組態以在遍及基板102之一或多個位置處擷取一或多個量測參數。在實施例中，一或多個感測器可耦合至電子殼體104內之一或多個組件(例如，一或多個處理器、記憶體、通信電路系統)且經組態以將量測資料傳輸至電子殼體104之組件。本文中應注意，基板102可包含感測器之任何組態(例如，數目、位置等)。
應注意，一或多個感測器可包含此項技術中已知之任何量測裝置，包含(但不限於)一或多個溫度感測器、一或多個壓力感測器、一或多個輻射感測器、一或多個化學感測器，或其等之一組合。舉例而言，一或多個感測器可包含經組態以擷取指示溫度之一或多個參數的一或多個溫度感測器。例如，一或多個溫度感測器可包含(但不限於)一或多個熱電偶(TC)裝置(例如，熱電接面)、一或多個電阻溫度裝置(RTD) (例如，薄膜RTD)，或類似者。在另一例項中，於壓力量測之情況下，一或多個感測器可包含(但不限於)一壓電感測器、一電容感測器、一光學感測器、一電位感測器，或類似者。在另一例項中，於輻射量測之情況下，一或多個感測器可包含(但不限於)一或多個光偵測器(例如，光伏電池、光敏電阻器及類似者)，或其他輻射偵測器(例如，固態偵測器)。在另一例項中，於化學量測之情況下，一或多個感測器可包含(但不限於)一或多個化學電阻器、氣體感測器、pH感測器，或類似者。
在實施例中，電子殼體104經機械地耦合至基板102。舉例而言，電子殼體104可經由一浮動連接總成112耦合至基板102。浮動連接總成112可經組態以將電子殼體104支撐於基板102上。舉例而言，浮動連接總成112可包含(但不限於)一或多個腿部106 (例如，單個支撐腿部或多個支撐腿部)、一或多個腳部108 (例如，用於一腿部106之單個支撐腳部或用於多個腿部106之多個支撐腳部)，及一保持器110。
在實施例中，一特定腿部106進一步包含一固定區段202、一頂蓋204，及一底蓋206。舉例而言，如圖2中展示，腿部106之固定區段202可經由一內部通道114機械地耦合至電子殼體104。內部通道114可經組態以圍封或實質上圍封腿部106之固定區段202。舉例而言，內部通道114可經定尺寸以圍繞固定區段202，使得在固定區段202與內部通道114之一內壁之間存在一間隙208，藉此形成一腿部-殼體介面101。例如，腿部106可為1至2毫米高。藉由另一例項，腿部-殼體介面處之間隙208可為0.01至1.5毫米。藉由另一實例，腿部106可經由電子殼體104頂上之頂蓋204及電子殼體104下面之一底蓋206來固定電子殼體104。例如，頂蓋204及底蓋206可經定尺寸以固定電子殼體104，使得在頂蓋204與電子殼體104之間存在一間隙208，以及在底蓋206與電子殼體104之間存在一間隙208。另外，頂蓋204及底蓋206處之間隙208可為0.01至1.5毫米。頂蓋204及底蓋206可係經由此項技術中已知之任何方式(包含(但不限於)焊接或類似者)耦合至一或多個腿部106。以此方式，腿部-殼體介面101 (例如，腿部-內部通道及頂蓋-電子殼體-底蓋)處之間隙208藉由允許供一或多個腿部106沿垂直於基板之一方向及/或平行於基板之一方向膨脹的空間來減輕熱應力。
在實施例中，電子殼體104經由一腳部108耦合至基板102，藉此形成一腳部-基板介面103。腳部108可經由一保持器110進一步固定於基板102上。舉例而言，保持器110可定位於腳部108上方且與其重疊。如圖3中繪示，保持器110可額外地包含在腳部108上方之一間隙302。舉例而言，間隙302可圍繞或實質上圍繞腳部108。例如，間隙302之大小可為0.01至1.5毫米。腳部-基板介面103處之間隙302藉由允許供一或多個腳部108沿垂直於基板之一方向及/或平行於基板之一方向膨脹之空間來減輕熱應力。
在實施例中，浮動連接總成112係由具有一低導熱係數之一材料形成，以便限制電子殼體104與基板102之間之熱傳遞。舉例而言，浮動連接總成112可由一低熱導率材料形成，諸如(但不限於)一陶瓷、一複合材料、一結晶材料、玻璃或類似者。例如，浮動連接總成112可由一低熱導率材料形成，諸如(但不限於)氮化矽、氧化矽或類似者。
在實施例中，浮動連接總成112 (例如，一或多個腳部108及/或保持器110)經由一黏著劑耦合至基板102。本文中應注意，黏著劑可為此項技術中已知之任何黏著劑。
應注意，浮動連接總成112可包含在腿部-殼體介面及/或腳部-基板介面處之浮動連接。舉例而言，浮動連接總成112可僅包含具有一固定區段202、一頂蓋204、一底蓋206及一間隙208之一或多個腿部106及/或具有一保持器110及一間隙302之一或多個腳部108。
圖4係繪示根據本發明之一或多項實施例之一程序條件感測裝置100之資料收集之一時間-溫度標繪圖400。如圖4中展示，隨著基板102之溫度快速升高，裝置100之溫度並未那麼快速地升高或降低，因此裝置100之熱膨脹反應比基板102慢得多。因而，歸因於不均加熱及/或失配熱膨脹，包含浮動連接總成112之裝置100可克服在腿部-殼體介面101及腳部-基板介面103處、在基板之平面中及在基板之平面外之機械耦合應力點，如圖1中指示。
圖5繪示根據本發明之一或多項實施例之電子殼體104之一或多個電子組件之一簡化方塊圖。在實施例中，電子殼體104包含一或多個電子組件。在實施例中，電子殼體104之一或多個電子組件包含一電源120。電子殼體104可包含此項技術中已知之任何類型之電源。舉例而言，電子殼體104可包含一或多個電池。例如，電子殼體104可包含一或多個硬幣型電池。在實施例中，電源120可容置於一外殼中。舉例而言，電源120可容置於電子殼體104內之一金屬外殼中。藉由另一實例，電源120可容置於電子殼體104外部。
在實施例中，電子殼體104之一或多個電子組件包含一或多個處理器122。舉例而言，一或多個處理器122可經組態以接收來自電子殼體104之一或多個感測器之一或多個量測參數。在實施例中，電子殼體104之一或多個電子組件包含通信電路系統124。在實施例中，電子殼體104之一或多個電子組件包含用於儲存用於一或多個處理器122之程式指令及/或從一或多個感測器接收之量測參數之一記憶體媒體126 (例如，記憶體)。
本文中應注意，電子殼體104之一或多個電子組件可包含此項技術中已知之任何電子組件，包含(但不限於)一類比轉數位轉換器。
在實施例中，電子殼體104通信耦合至一遠端資料系統130。在實施例中，電子殼體104將複數個量測參數傳輸至遠端資料系統130。
一或多個處理器122可包含此項技術中已知之任何處理器或處理元件。出於本發明之目的，術語「處理器」或「處理元件」可被廣泛定義為涵蓋具有一或多個處理或邏輯元件之任何裝置。在此意義上，一或多個處理器122可包含經組態以執行演算法及/或指令(例如，儲存於記憶體中之程式指令)的任何裝置。應認知，可藉由一單個處理器或替代地多個處理器實行貫穿本發明描述之步驟。
記憶體媒體126可包含此項技術中已知之適於儲存可由相關聯之一或多個處理器122執行之程式指令的任何儲存媒體。舉例而言，記憶體媒體126可包含一非暫時性記憶體媒體。藉由另一實例，記憶體媒體126可包含(但不限於)一唯讀記憶體(ROM)、一隨機存取記憶體(RAM)、一固態硬碟及類似者。應進一步注意，記憶體媒體126可與一或多個處理器122容置於一共同控制器外殼中。在實施例中，記憶體媒體126相對於一或多個處理器122之實體位置遠端地定位。例如，一或多個處理器122可存取可透過一網路(例如，網際網路、內部網路及類似者)存取之一遠端記憶體(例如，伺服器)。
在實施例中，電子殼體104內之一或多個組件可通信耦合至一或多個感測器128。舉例而言，電子殼體104之組件可經由一或多個有線連接(例如，導線、互連件或類似者)耦合至一或多個感測器128。在實施例中，電子殼體104之一或多個電子組件可經組態以從一或多個感測器128擷取一或多個量測參數。例如，電子殼體104之一或多個處理器122可從一或多個感測器擷取一或多個量測參數。一或多個量測參數可包含(但不限於)來自一溫度感測器(例如，熱電偶)之電壓(或其他信號)、來自一壓力感測器之電壓(或其他信號)、來自一輻射感測器之電壓(或其他信號)、來自一化學感測器之電壓(或其他信號)及類似者。
圖6繪示根據本發明之一或多項實施例之用於減輕程序條件感測裝置之熱誘發應力以便擴展程序條件感測裝置之操作參數之一方法600之一流程圖。本文中應注意，方法600之步驟可全部或部分藉由裝置100實施。然而，應進一步認知，方法600不限於裝置100，此係因為額外或替代設備級實施例可實行方法600之全部或部分步驟。
在一步驟602中，將一電子殼體經由一浮動連接固定至一基板。舉例而言，一浮動連接(例如，浮動連接總成112)可包含一或多個腿部106及一或多個腳部108。例如，電子殼體104可經由一或多個腿部106及一或多個腳部108機械耦合至基板102。
在一步驟604中，將電子殼體固定至腿部。舉例而言，電子殼體104可經由固定區段202、頂蓋204及底蓋206機械耦合至一腿部106。例如，固定區段202可行進穿過電子殼體104之一部分。另外，頂蓋204及底蓋206可將電子殼體104固定於固定區段202之任一側上，如圖2中繪示。在另一例項中，固定區段202可經定尺寸以在腿部106與電子殼體104之內部通道114之一內壁之間提供一間隙208。本文中應注意，間隙208可能夠減輕在腿部106 (例如，固定區段202、頂蓋204及底蓋206)與電子殼體104之間之介面101處之熱應力。
在一步驟606中，將腳部固定至基板。舉例而言，一腳部108可經由一黏著劑固定至基板102。藉由另一實例，可藉由一保持器110進一步固定一或多個腳部108之腳部。例如，保持器110可在一或多個腳部108橫向上方，且與其或其等重疊，如圖3中繪示。在另一例項中，保持器110可允許保持器110與腳部108之間之一間隙302。本文中應注意，間隙302可能夠減輕在腳部108 (例如，腳部108及保持器110)與基板102之間之介面103處之熱應力。
熟習此項技術者將認知，本文中描述之組件操作、裝置、物件及隨附其等之論述為概念清晰起見而被用作實例，且考慮各種組態修改。因此，如在本文中使用，所闡述之特定範例及隨附論述旨在表示其等之更一般類別。一般言之，任何特定範例之使用旨在表示其類別，且未包含特定組件、裝置及物件不應被視為限制性。
熟習此項技術者將瞭解，存在可藉由其等實現本文中描述之程序及/或系統及/或其他技術之各種工具(例如，硬體、軟體及/或韌體)，且較佳工具將隨其中部署程序及/或系統及/或其他技術之背景內容而變化。舉例而言，若一實施者判定速度及準確性最重要，則實施者可選擇一主要硬體及/或韌體工具；替代地，若靈活性最重要，則實施者可選擇一主要軟體實施方案；或，又再次替代地，實施者可選擇硬體、軟體及/或韌體之某一組合。因此，存在藉由其等可實現本文中描述之程序及/或裝置及/或其他技術之數個可能工具，其等本質上皆不優於另一者，此係因為任何待利用之工具係取決於其中將部署工具之背景內容及實施者之特定關注點(例如，速度、靈活性或可預測性) (其等之任一者可變化)之一選擇。
呈現先前描述以使一般技術者能夠製造並使用如在一特定應用及其要求之背景內容中提供之本發明。如本文中使用，諸如「頂部」、「底部」、「上方」、「下方」、「上」、「朝上」、「下」、「向下」及「朝下」之方向性術語意欲為描述之目的而提供相對位置，且並旨在指定一絕對參考系。熟習此項技術者將明白對所描述實施例之各種修改，且本文中定義之一般原理可應用於其他實施例。因此，本發明並旨在限於所展示及描述之特定實施例，而是應符合與本文中揭示之原理及新穎特徵一致之最廣範疇。
關於本文中對實質上任何複數及/或單數術語之使用，熟習此項技術者可在適合於背景內容及/或應用時從複數轉變為單數及/或從單數轉變為複數。為清楚起見，未在本文中明確闡述各種單數/複數置換。
本文中描述之全部方法可包含將方法實施例之一或多個步驟的結果儲存於記憶體中。結果可包含本文中描述之結果之任一者，且可以此項技術中已知之任何方式儲存。記憶體可包含本文中描述之任何記憶體或此項技術中已知之任何其他適合儲存媒體。在結果已被儲存之後，結果可在記憶體中被存取，且由本文中所描述之方法或系統實施例之任一者使用、經格式化用於顯示給一使用者、由另一軟體模組、方法或系統使用及類似者。此外，結果可「永久地」、「半永久地」、「暫時地」儲存或儲存達某一時間段。舉例而言，記憶體可為隨機存取記憶體(RAM)，且結果可能不一定無限期地保存於記憶體中。
應進一步考慮，上文描述之方法之實施例之各者可包含本文中描述之(若干)任何其他方法的(若干)任何其他步驟。另外，上文描述之方法之實施例之各者可由本文中描述之系統的任一者執行。
本文中描述之標的物有時繪示含於其他組件內或與其他組件連接之不同組件。應瞭解，此等所描繪之架構僅為例示性的，且事實上可實施達成相同功能性之許多其他架構。在一概念意義上，用以達成相同功能性之組件的任何配置經有效「相關聯」，使得達成所要功能性。因此，在本文中經組合以達成一特定功能性之任何兩個組件可被視為彼此「相關聯」，使得達成所要功能性，而無關於架構或中間組件。同樣地，如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為彼此「連接」或「耦合」以達成所要功能性，且能夠如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為「可耦合」至彼此以達成所要功能性。可耦合之特定實例包含但不限於可實體配接及/或實體互動之組件，及/或可無線互動及/或無線互動之組件，及/或邏輯互動及/或可邏輯互動之組件。
此外，應瞭解，本發明係由隨附發明申請專利範圍定義。本領域技術者將瞭解，一般而言，在本文中及尤其是在隨附發明申請專利範圍(例如，隨附發明申請專利範圍之主體)中使用之術語一般意欲為「開放性」術語(例如，術語「包含(including)」應被解釋為「包含但不限於」，術語「具有」應被解釋為「至少具有」，術語「包含」應被解釋為「包含但不限於」，及類似者)。本領域技術者進一步將瞭解，若預期一特定數目個介紹請求項敘述，則此一意圖將明確敘述於請求項中，且在不存在此敘述之情況下不存在此意圖。例如，為幫助理解，下文隨附發明申請專利範圍可含有介紹性片語「至少一個」及「一或多個」之使用以介紹請求項敘述。然而，不應將此等片語之使用解釋為暗示藉由不定冠詞「一」或「一個」介紹一請求項敘述將含有此介紹請求項敘述之任何特定請求項限制於僅含有一個此敘述之發明，甚至在相同請求項包含介紹性片語「一或多個」或「至少一個」及諸如「一」或「一個」之不定冠詞時亦係如此(例如，「一」或「一個」通常應被解釋為意謂「至少一個」或「一或多個」)；用於介紹請求項敘述之定冠詞的使用同樣如此。另外，即使明確敘述一特定數目個介紹請求項敘述，熟習此項技術者仍將認知，此敘述通常應被解釋為意謂至少所敘述數目(例如，不具有其他修飾語之單純敘述「兩個敘述」通常意謂至少兩個敘述或兩個或更多個敘述)。此外，在其中使用類似於「A、B及C等之至少一者」之一慣例之彼等例項中，一般而言，於熟習此項技術者將理解該慣例之意義上預期此一構造(例如，「具有A、B及C之至少一者之一系統」將包含但不限於僅具有A、僅具有B、僅具有C、同時具有A及B、同時具有A及C、同時具有B及C及/或同時具有A、B及C及類似者之系統)。在其中使用類似於「A、B或C之至少一者及類似者」之一慣例之彼等例項中，一般而言，於熟習此項技術者將理解該慣例之意義上預期此一構造(例如，「具有A、B或C之至少一者之一系統」將包含但不限於僅具有A、僅具有B、僅具有C、同時具有A及B、同時具有A及C、同時具有B及C及/或同時具有A、B及C及類似者之系統)。熟習此項技術者將進一步理解，事實上呈現兩個或多於兩個替代術語之任何轉折性字詞及/或片語(不管在描述、發明申請專利範圍或圖式中)應被理解為考慮包含術語之一者、術語之任一者或兩個術語的可能性。例如，片語「A或B」將被理解為包含「A」或「B」或「A及B」之可能性。
據信，將藉由前文描述理解本發明及其許多伴隨優勢，且將明白，在不脫離所揭示之標的物或不犧牲全部其重大優勢之情況下可對組件之形式、構造及配置做出各種改變。所描述形式僅為解釋性，且下列發明申請專利範圍旨在涵蓋及包含此等改變。此外，應瞭解，本發明係由隨附發明申請專利範圍定義。
100:程序條件感測裝置
101:腿部-殼體介面
102:基板
103:腳部-基板介面
104:電子殼體
106:腿部
108:腳部
110:保持器
112:浮動連接總成
114:內部通道
120:電源
122:處理器
124:通信電路系統
126:記憶體媒體
128:感測器
130:遠端資料系統
202:固定區段
204:頂蓋
206:底蓋
208:間隙
302:間隙
600:方法
602:步驟
604:步驟
606:步驟
藉由參考附圖，熟習此項技術者可更佳地理解本發明之許多優點。
圖1繪示根據本發明之一或多項實施例之一程序條件感測設備之一簡化橫截面視圖。
圖2繪示根據本發明之一或多項實施例之一程序條件感測設備之一簡化橫截面視圖。
圖3繪示根據本發明之一或多項實施例之一程序條件感測設備之一簡化橫截面視圖。
圖4係繪示根據本發明之一或多項實施例之程序條件感測設備之資料收集之一時間-溫度圖表。
圖5繪示根據本發明之一或多項實施例之電子殼體之一或多個電子組件之一簡化方塊圖。
圖6繪示描繪根據本發明之一或多項實施例之用於擴展程序條件感測設備之操作參數之一方法之一流程圖。
100:程序條件感測裝置
102:基板
104:電子殼體
106:腿部
108:腳部
112:浮動連接總成
114:內部通道
202:固定區段
204:頂蓋
206:底蓋
208:間隙
Claims (21)
- 一種程序條件感測設備，其包括： 一基板； 一電子殼體，其中一或多個電子組件經安置於該電子殼體內；及 一浮動連接總成，其經組態以將該電子殼體機械地耦合至該基板，其中該浮動連接總成包含一腿部及一腳部，其中該腿部或腳部之至少一者經配置以減輕一或多個介面之間的熱應力，其中該一或多個介面包括一腿部-殼體介面或一腳部-基板介面之至少一者。
- 如請求項1之設備，其中該腿部包括一固定區段、一頂蓋及一底蓋，其中該固定區段行進穿過該電子殼體之一部分，且其中該頂蓋及底蓋將該電子殼體固定至該固定區段，其中該固定區段經定大小以在該固定區段與該電子殼體之一內部通道壁之間提供一間隙，其中該間隙減輕該腿部-殼體介面處的熱應力。
- 如請求項2之設備，其中該頂蓋及該底蓋在沿該固定區段之一垂直方向上固定該電子殼體。
- 如請求項2之設備，其中該腿部經機器加工以將該底蓋及該固定區段形成為一單件。
- 如請求項4之設備，其中該頂蓋經焊接至該固定區段。
- 如請求項2之設備，其中該頂蓋及該底蓋經焊接至該固定區段。
- 如請求項2之設備，其中該間隙係介於0.01與1.5毫米之間。
- 如請求項2之設備，其中該腳部係經由一黏著劑固定至該基板。
- 如請求項1之設備，其中該浮動連接總成包含一保持器，其中該保持器經配置以在沿該基板之表面之一方向上與該腳部重疊，且其中該保持器經配置以在垂直於該基板之該表面之一方向上於該腳部與該保持器之間提供一間隙，其中該間隙減輕該腳部-基板介面處的熱應力。
- 如請求項9之設備，其中該間隙係介於0.01與1.5毫米之間。
- 如請求項9之設備，其中該保持器係經由一黏著劑固定至該基板。
- 如請求項9之設備，其中該保持器經整合至該基板中。
- 如請求項9之設備，其中該保持器具有與該基板之一熱膨脹係數大致匹配之一熱膨脹係數。
- 如請求項1之設備，其中該電子殼體之該一或多個電子組件包括： 一或多個處理器，其中該一或多個處理器經組態以接收來自一或多個感測器的一或多個量測參數； 通信電路系統； 記憶體；及 一電源。
- 一種程序條件感測設備，其包括： 一基板； 一電子殼體，其中一或多個電子組件經安置於該電子殼體內；及 一浮動連接總成，其經組態以將該電子殼體機械地耦合至該基板，其中該浮動連接總成包含一腿部及一腳部，其中該腿部及腳部經配置以減輕一腿部-殼體介面與一腳部-基板介面之間的熱應力， 其中該腿部包括一固定區段、一頂蓋及一底蓋，其中該固定區段行進穿過該電子殼體之一部分且其中該頂蓋及底蓋將該電子殼體固定至該固定區段，其中該固定區段經定大小以在該固定區段與該電子殼體之一內部通道壁之間提供一間隙，其中該間隙減輕該腿部-殼體介面處的熱應力， 其中該浮動連接總成包含一保持器，其中該保持器經配置以在沿該基板之表面之一方向上與該腳部重疊，且其中該保持器經配置以在垂直於該基板之該表面之一方向上於該腳部與該保持器之間提供一間隙，其中該間隙減輕該腳部-基板介面處的熱應力。
- 如請求項15之設備，其中該腳部係經由一黏著劑固定至該基板。
- 如請求項15之設備，其中該保持器係經由一黏著劑固定至該基板。
- 如請求項15之設備，其中該保持器經整合至該基板中。
- 如請求項15之設備，其中該保持器具有與該基板之一熱膨脹係數大致匹配之一熱膨脹係數。
- 如請求項15之設備，其中該電子殼體之該一或多個電子組件包括： 一或多個處理器，其中該一或多個處理器經組態以接收來自一或多個感測器的一或多個量測參數； 通信電路系統； 記憶體；及 一電源。
- 一種方法，其包括： 提供一基板； 經由一浮動連接總成將一電子殼體固定至該基板，該浮動連接總成經組態以將該電子殼體機械地耦合至該基板，其中該浮動連接總成包含一腿部及一腳部，其中該腿部及腳部經配置以減輕一腿部-殼體介面與一腳部-基板介面之間的熱應力； 將該電子殼體固定至該腿部，其中該腿部包括一固定區段、一頂蓋及一底蓋，其中該固定區段行進穿過該電子殼體之一部分且其中該頂蓋及底蓋將該電子殼體固定至該固定區段，其中該固定區段經定大小以在該固定區段與該電子殼體之一內部通道壁之間提供一間隙，其中該間隙減輕該腿部-殼體介面處的熱應力；及 將該腳部固定至該基板，其中該浮動連接總成包含一保持器，其中該保持器經配置以在沿該基板之表面之一方向上與該腳部重疊，且其中該保持器經配置以在垂直於該基板之該表面之一方向上於該腳部與該保持器之間提供一間隙，其中該間隙減輕該腳部-基板介面處的熱應力。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/243,203 US11688614B2 (en) | 2021-04-28 | 2021-04-28 | Mitigating thermal expansion mismatch in temperature probe construction apparatus and method |
| US17/243,203 | 2021-04-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202303104A true TW202303104A (zh) | 2023-01-16 |
Family
ID=83807800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111116133A TW202303104A (zh) | 2021-04-28 | 2022-04-28 | 減輕溫度探針構造設備及方法中之熱膨脹失配 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11688614B2 (zh) |
| JP (1) | JP2024517052A (zh) |
| KR (1) | KR20230175188A (zh) |
| CN (1) | CN116941024A (zh) |
| TW (1) | TW202303104A (zh) |
| WO (1) | WO2022232077A1 (zh) |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1070744A (en) * | 1978-01-24 | 1980-01-29 | Edward J. Voitas | Drill bushings pump seals and similar articles and method of making same |
| US7757574B2 (en) | 2002-01-24 | 2010-07-20 | Kla-Tencor Corporation | Process condition sensing wafer and data analysis system |
| US6889568B2 (en) | 2002-01-24 | 2005-05-10 | Sensarray Corporation | Process condition sensing wafer and data analysis system |
| US7026175B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-04-11 | Applied Materials, Inc. | High throughput measurement of via defects in interconnects |
| US8604361B2 (en) | 2005-12-13 | 2013-12-10 | Kla-Tencor Corporation | Component package for maintaining safe operating temperature of components |
| ES2663098T3 (es) | 2010-09-13 | 2018-04-11 | Pst Sensors (Pty) Limited | Método de producción de un sensor de temperatura impreso |
| WO2014194077A2 (en) | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for measuring heat flux |
| US9823121B2 (en) | 2014-10-14 | 2017-11-21 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for measuring radiation and temperature exposure of wafers along a fabrication process line |
| CN204461157U (zh) * | 2014-12-31 | 2015-07-08 | 天津华赛尔传热设备有限公司 | 全焊接板式浮头换热器 |
| US11569138B2 (en) | 2015-06-16 | 2023-01-31 | Kla Corporation | System and method for monitoring parameters of a semiconductor factory automation system |
| US20180313697A1 (en) | 2015-10-19 | 2018-11-01 | Novena Tec Inc. | Process monitoring device |
| US11150140B2 (en) * | 2016-02-02 | 2021-10-19 | Kla Corporation | Instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications |
| US10460966B2 (en) * | 2016-06-15 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Encapsulated instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications |
| CN206815206U (zh) * | 2017-06-05 | 2017-12-29 | 北京中合福源人居环境科技有限公司 | 一种隔声屏障 |
| US10900843B2 (en) | 2018-06-05 | 2021-01-26 | Kla Corporation | In-situ temperature sensing substrate, system, and method |
-
2021
- 2021-04-28 US US17/243,203 patent/US11688614B2/en active Active
-
2022
- 2022-04-26 KR KR1020237032845A patent/KR20230175188A/ko unknown
- 2022-04-26 JP JP2023550617A patent/JP2024517052A/ja active Pending
- 2022-04-26 CN CN202280017624.7A patent/CN116941024A/zh active Pending
- 2022-04-26 WO PCT/US2022/026241 patent/WO2022232077A1/en active Application Filing
- 2022-04-28 TW TW111116133A patent/TW202303104A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230175188A (ko) | 2023-12-29 |
| JP2024517052A (ja) | 2024-04-19 |
| US20220351989A1 (en) | 2022-11-03 |
| WO2022232077A1 (en) | 2022-11-03 |
| CN116941024A (zh) | 2023-10-24 |
| US11688614B2 (en) | 2023-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI751172B (zh) | 用於獲取高溫製程應用中之量測參數之裝置及方法 | |
| US10763141B2 (en) | Non-contact temperature calibration tool for a substrate support and method of using the same | |
| JP5043426B2 (ja) | 処理条件検知ウェハおよびデータ分析システム | |
| CN108604559B (zh) | 在高温过程应用中用于获取测量参数的经检测衬底设备 | |
| US11784071B2 (en) | Process temperature measurement device fabrication techniques and methods of calibration and data interpolation of the same | |
| TW202303104A (zh) | 減輕溫度探針構造設備及方法中之熱膨脹失配 | |
| JP5229241B2 (ja) | 半導体製造装置における測温素子取り付け構造 | |
| CN102560681B (zh) | 测温装置及扩散炉 | |
| JP2009218301A (ja) | 温度測定装置、載置台構造及び熱処理装置 | |
| KR100413646B1 (ko) | 온도검출소자 | |
| US20220223441A1 (en) | Process condition sensing apparatus | |
| JP3603059B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| TWI828239B (zh) | 一種化學氣相沉積裝置的溫度校準和控制方法 | |
| JP3874042B2 (ja) | 温度センサの支持装置 | |
| JP2004119788A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000068224A (ja) | 基板熱処理装置 | |
| Meyer et al. | ITS-90 Traceable Calibration of Radiometers using Wire/Thin-Film Thermocouples in the NIST RTP Tool: Experimental Procedures and Results | |
| JP2005277005A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR20060008491A (ko) | 반도체 제조 장치 | |
| KR20060025001A (ko) | 서셉터 구조체 |