JP2001324398A - 耐蝕型真空センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反応性ガスに対して耐性があり、また高品質
かつ量産性に優れた静電容量型真空センサを提供する。 【解決手段】 マイクロマシン技術によって作製される
静電容量型真空センサであって、耐蝕性を有するダイヤ
フラム電極を備えている耐蝕型真空センサによって課題
を解決した。また、前記耐蝕性を有するダイヤフラム電
極を、引っ張り応力を持った隔膜状のダイヤフラム電極
として形成することによって、圧力測定の正確さの向上
を図り、更に、前記耐蝕性を有するダイヤフラム電極の
固定電極に対向する側の表面に導電性薄膜を形成する、
あるいは導電性を向上させるための不純物を前記耐蝕性
を有するダイヤフラム電極内に混入させることによっ
て、前記耐蝕性を有するダイヤフラム電極と静電容量型
真空センサの固定電極との間の静電容量の変化を正確に
検知できるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は静電容量型真空セ
ンサに関し、特に、ダイヤフラム電極部が腐食作用のあ
る気体に対して優れた耐性を有し、長期に渡って安定し
た真空度の測定が可能な耐蝕性に優れた静電容量型真空
センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】電子部品や半導体製品を製造する過程に
おいては、真空装置内で薄膜を形成したり或いはエッチ
ングするプロセスは不可欠である。このとき、真空装置
内圧力は一定に保たれながらプロセスを進めるのが普通
であるが、真空装置内の圧力測定手段としては、気体の
種類に関係なく正確な圧力測定が可能な静電容量型真空
センサがしばしば用いられる。

【０００３】現在市販されている静電容量型真空センサ
の大半は機械加工によって製造されているが、マイクロ
マシン技術を用いて製造すればセンサの小型化、量産
化、さらには製造コストの低減が可能である。

【０００４】図３はマイクロマシン技術によって製造し
た従来の静電容量型真空センサの一例である。静電容量
型真空センサは上下面を貫通するように導電性配線１が
埋め込まれた絶縁性のガラス基板２と、両面に窪みが形
成されたシリコン基板３とを接合した構造になってい
る。

【０００５】シリコン基板３とガラス基板２で囲まれて
形成されている基準圧力空間４は高真空で封止されてい
るが、ゲッタ５は基準圧力空間４に連通してガラス基板
２に形成された窪みの中に配置され、基準圧力空間４内
部に残留しているガスを吸着して、この基準圧力空間４
を高真空に保つ働きをしている。

【０００６】シリコン基板３の上部表面にはボロン（ホ
ウ素）を２〜８μｍ程度の深さで拡散させたボロン拡散
シリコン層７が形成されている。一方、シリコン基板３
の下部表面は部分的にエッチングされて前記ボロン拡散
シリコン層７が露出され、これがダイヤフラム電極６に
なっている。つまり、ダイヤフラム電極６は厚さ２〜８
μｍのボロン拡散されたシリコンでできていることにな
る。

【０００７】真空センサ外部からこのダイヤフラム電極
６に気体圧力が加わると、その圧力に応じてダイヤフラ
ム電極６は変位して固定電極８とダイヤフラム電極６と
の間の静電容量が変化する。この静電容量の変化に対応
する電気信号を固定電極８と導電性配線１で接続されて
いる電極パッド９から取り出して信号処理することによ
り、真空センサ外部から加わる気体の圧力を測定するこ
とができる。

【０００８】図５（ａ）〜図５（ｅ）は、図３で説明し
たマイクロマシン技術によって製造した従来の静電容量
型真空センサの作製プロセスを説明する図である。

【０００９】まず、上部に溝が形成されているシリコン
基板３に熱酸化膜１０を形成し、シリコン基板３上部の
熱酸化膜１０をパターニングする（図５（ａ））。

【００１０】続いてシリコン基板３の上部表面にボロン
（ホウ素）を２〜８μｍの厚さで拡散させてボロン拡散
層７を形成する（図５（ｂ））。

【００１１】次に、シリコン基板３上部の熱酸化膜１０
を除去した後に、シリコン基板３下部の熱酸化膜１０を
パターニングする（図５（ｃ））。

【００１２】次に、導電性配線１によって互いに導通さ
れている電極パッド９と固定電極８とがそれぞれ上面及
び下面に形成されているガラス基板２と、上述の加工を
行ったシリコン基板３との間にゲッタ５を挿入して両基
板を真空雰囲気中で陽極接合すると内部に真空状態の基
準圧力空間４が形成された基板を形成することができる
（図５（ｄ））。

【００１３】この基板をエチレンジアミンピロカテコー
ル水溶液などのエッチング液に浸すとガラス基板２や熱
酸化膜１０は殆どエッチングされないが、シリコン基板
３の熱酸化膜１０で覆われていない部分は深さ方向にエ
ッチングが進みボロン拡散層７が露出する。またエチレ
ンジアミンピロカテコール水溶液はボロンを拡散したシ
リコンに対しても殆どエッチングが進まないために、ボ
ロン拡散シリコン層７が露出した時点でエッチングはほ
ぼ停止する。こうして、ボロン拡散シリコン層７からな
る厚さ２〜８μｍのダイヤフラム電極６を備えた静電容
量型真空センサを形成することができる（図５
（ｅ）））。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】半導体や電子部品を製
造するプロセスでは様々な種類のガスが使用されてい
る。前記プロセスで使用されるガスの中には、腐食作用
を有する反応ガスが含まれていることがあり、かかる腐
食作用を有する反応ガスによって静電容量型真空センサ
のダイヤフラム電極がダメージを受けると、安定的な圧
力測定を長期間にわたって行うことが困難になるという
問題点があった。

【００１５】特に、ドライエッチング装置ではフッ素系
の反応ガスを使用してシリコンを加工するプロセスが行
われることがある。そこで、シリコンダイヤフラム静電
容量型真空センサを用いてフッ素系ガス雰囲気の圧力を
測定する場合には、真空センサの要であるシリコンダイ
ヤフラム電極がフッ素系ガスによってエッチングされ、
真空センサが致命的なダメージを受けるという問題があ
った。

【００１６】本発明は、製品の小型化や優れた量産性を
発揮し得るマイクロマシン技術を用いて製造された静電
容量型真空センサであって、腐食作用を有する反応ガス
が半導体や電子部品を製造するプロセスにおいて使用さ
れている場合であっても、かかる腐食作用を有する反応
ガスに対して高い耐蝕性を有し、長期間に渡って安定し
た真空度の測定が可能な耐蝕型真空センサを提供するこ
とを目的としている。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、マイクロマシ
ン技術によって作製される静電容量型真空センサであっ
て、耐蝕性を有するダイヤフラム電極を備えている耐蝕
型真空センサによって前記課題を解決したのである。

【００１８】また、本発明は、前記耐蝕性を有するダイ
ヤフラム電極を、引っ張り応力を持った隔膜状のダイヤ
フラム電極として形成することにより、前記の耐蝕型真
空センサによる圧力測定の正確さの向上を図ったもので
ある。

【００１９】更に、本発明は、前記耐蝕性を有するダイ
ヤフラム電極がその材質などに起因して、導電性の低い
ものとなる場合に対処すべく、前記耐蝕性を有するダイ
ヤフラム電極の固定電極に対向する側の表面に導電性薄
膜を形成する、あるいは導電性を向上させるための不純
物を前記耐蝕性を有するダイヤフラム電極内に混入させ
ることによって、前記耐蝕性を有するダイヤフラム電極
と固定電極との間の静電容量の変化を正確に検知できる
ようにしたものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明は、弾性を有するダイヤフ
ラム電極と剛性構造の固定電極とが内部の空間を隔てて
互いに対向して配置され、外部から加わる気体圧力の変
化に応じて前記ダイヤフラム電極が変形することによ
り、前記ダイヤフラム電極と固定電極との間の静電容量
が変化することを利用して前記気体圧力を測定する原理
の静電容量型真空センサに関するものである。

【００２１】本発明の耐蝕型真空センサは、マイクロマ
シン技術によって作製されており、且つそのダイヤフラ
ム電極が耐蝕性を有していることを特徴としている。

【００２２】ここで、耐蝕性を有するとは、腐食作用を
有するガスに対して耐性を有することをいう。

【００２３】前記の耐蝕性を有するダイヤフラム電極
は、化学的に安定な材質によってダイヤフラム電極を形
成することによって実現できる。例えば、静電容量型真
空センサの要であるダイヤフラム電極がシリコンダイヤ
フラム電極であるシリコンダイヤフラム静電容量型真空
センサが、反応ガスとしてフッ素ガスのように、フッ素
ラジカルなどのハロゲン系ラジカルを生成する反応ガス
が使用される真空装置などの圧力測定用に用いられる場
合、耐蝕性を有するダイヤフラム電極は、化学的に安定
な材質として、フッ素ラジカルなどのハロゲン系ラジカ
ルに対して高い耐性を有する炭化シリコンやアルミナ、
あるいは窒化アルミニウムを用いて形成することができ
る。

【００２４】本発明の耐蝕型真空センサは、マイクロマ
シン技術によって作製されているので、均一に、精度良
く製品製造を行うことができ、製品の小型化や量産に適
している。

【００２５】また、静電容量型真空センサの要となるダ
イヤフラム電極が化学的に安定な材質によって形成され
ているので、腐食作用を有する反応ガスが半導体や電子
部品を製造するプロセスにおいて使用されている場合で
あっても、かかる腐食作用を有する反応ガスによってダ
イヤフラム電極がダメージを被るおそれが少なく、長期
間に渡って安定した真空度の測定を行うことができる。

【００２６】前記の本発明の耐蝕型真空センサにおい
て、耐蝕性を有するダイヤフラム電極は、引っ張り応力
を持った隔膜状のダイヤフラム電極として形成しておく
ことが望ましい。

【００２７】このようにすれば、耐蝕性を有するダイヤ
フラム電極が隔膜状に形成されたときに、その引っ張り
応力によって、平坦な状態を維持することができ、正確
な圧力測定を行うことができる。

【００２８】なお、耐蝕性を有するダイヤフラム電極
を、引っ張り応力を持った隔膜状のダイヤフラム電極と
して形成するのは、ダイヤフラム電極を構成する部材の
表面側（すなわち、固定電極に対向する側）に耐蝕性を
有する材質からなる隔膜状ダイヤフラム電極形成用の薄
膜を化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、蒸着法、スパッタ
法などによって堆積させる際の、使用するガス種、温
度、供給電力、成膜時間（処理時間）などを制御し、少
なくとも、堆積される薄膜の中に圧縮応力が生じないよ
うな条件の下で、成膜を行うことによって実現すること
ができる。

【００２９】前記の本発明の耐蝕型真空センサにおいて
は、導電性向上のための不純物、例えば、ボロンやリン
を混入して耐蝕性を有するダイヤフラム電極を形成した
り、耐蝕性を有するダイヤフラム電極の固定電極と対向
する面の上に導電性薄膜を形成し、耐蝕性を有する隔膜
状ダイヤフラム電極と当該導電性薄膜とによってダイヤ
フラム電極を構成することが好ましい。

【００３０】このようにすれば、耐蝕性を有するダイヤ
フラム電極を形成する材質に起因して、あるいはダイヤ
フラム電極を構成する部材の表面側（すなわち、固定電
極に対向する側）に耐蝕性を有する材質からなる隔膜状
ダイヤフラム電極形成用の薄膜を化学的気相成長法（Ｃ
ＶＤ法）やスパッタリング法などによって堆積させる際
の成長条件に起因して、耐蝕性を有するダイヤフラム電
極が導電性の低いものとなってしまい、その結果、固定
電極とダイヤフラム電極との間の静電容量の変化が正確
に検知できなくなることを防止することができる。

【００３１】

【実施例】本発明の好ましい実施例を図１に基づいて説
明する。

【００３２】図１にある本発明の耐蝕型真空センサは、
半導体製造プロセス技術を応用したマイクロマシン技術
によって作製されたものであり、図１中のガラス基板２
とシリコン基板３を張り合わせた構造体とからなる真空
センサの大きさは数ｍｍ〜数１０ｍｍ、厚さは１ｍｍ程
度である。

【００３３】絶縁性のガラス基板２の上面と下面にはそ
れぞれ固定電極８、電極パッド９が形成されており、両
者を導通する導電性配線１がガラス基板２の上下面を貫
通するように埋め込まれている。一方、シリコン基板３
は、上下両面に窪みが形成された単結晶のシリコン基板
であり、ガラス基板２とシリコン基板３が真空雰囲気中
で張り合わせ接合されることによってその内側に形成さ
れた基準圧力空間４が真空封止されている。

【００３４】なお、ガラス基板２には基準圧力空間４に
連通する溝が設けられており、この溝の中に配置されて
いるゲッタ５によって基準圧力空間４内部に残留してい
るガスが吸着され、基準圧力空間４は常に高真空に保た
れている。

【００３５】シリコン基板３のガラス基板２側表面上に
は厚さ２〜８μｍの炭化シリコン層１１が化学的気相成
長法によって形成されており、前記シリコン基板３は炭
化シリコン層１１が形成されている面と反対の面に部分
的に深い溝が形成されて前記炭化シリコン層１１が露出
されている。つまりこの露出した炭化シリコン層１１
が、厚さが２〜８μｍの、弾性を有するダイヤフラム電
極６となっている。

【００３６】炭化シリコン層１１上の固定電極８に対向
した部分には、図１図示のように、金属などの導電性薄
膜１２を形成することができる。この導電性薄膜１２の
一部は、ガラス基板２内部を貫通する導電性配線１に接
しており、ガラス基板２の上面の電極パッド９に電気的
に導通されている。

【００３７】炭化シリコン層１１を化学的気相成長法に
よってシリコン基板３のガラス基板２側表面上に形成す
る際の成長条件によっては炭化シリコン層１１の導電性
が低くなる場合がある。このような場合、炭化シリコン
層１１のみでは電極として利用することが困難になるの
で、導電性薄膜１２によって確実に炭化シリコン層１１
の変位量を検知できるようにしたものである。

【００３８】前記のように、炭化シリコン層１１上の固
定電極８に対向した部分に金属などの導電性薄膜１２を
形成した場合、炭化シリコン層１１とその上に形成され
た導電性薄膜１２とによってダイヤフラム電極６が構成
されることになる。

【００３９】ここで真空センサ外部の圧力が変動して、
例えば、図１でダイヤフラム電極６の下側に位置するこ
とになる真空装置に連通する領域の圧力が変動すると、
その圧力の変動に応じてダイヤフラム電極６が変位し、
ダイヤフラム電極６を構成する導電性薄膜１２と固定電
極８との間の静電容量が変化する。この静電容量の変化
に応じた電気信号を電極パッド９から取り出して信号処
理することにより、真空センサ外部から加わる気体の圧
力を測定することができる。

【００４０】本実施例の耐蝕型真空センサにおいて、圧
力測定の要となるダイヤフラム電極６の反応ガスに接触
する部分、すなわち、図１においてダイヤフラム電極６
の下側を構成している炭化シリコン層１１は、化学的に
安定な材質である炭化シリコンで形成されているため、
腐食作用を有する反応ガス、例えば、ドライエッチング
装置においてシリコンを加工するプロセスに使用される
フッ素系の反応ガスに対しても強い耐性を発揮する。そ
こで、本発明の耐蝕型真空センサによれば、反応ガスか
らのダメージを受けることなく、長期間にわたって、安
定した圧力測定が可能である。

【００４１】図４（ａ）乃至図４（ｆ）は、図１を用い
て説明した本発明の耐蝕型真空センサを製造するプロセ
スを説明するための図である。図１図示の本発明の耐蝕
型真空センサは、マイクロマシン技術によって、以下の
ように製造される。

【００４２】上部に溝を形成したシリコン基板３に熱酸
化膜１０を形成し、シリコン基板３上部の熱酸化膜１０
をパターニングする（図４（ａ））。

【００４３】続いて、シリコン基板３上部に炭化シリコ
ン層１１を２〜８μｍの厚さで化学的気相成長法によっ
て形成する（図４（ｂ））。この際、ガス流量や温度、
化学量論的組成比を制御することによって炭化シリコン
膜の応力を制御し、炭化シリコン膜の応力が僅かに引っ
張り応力となる条件で成膜を行う。

【００４４】続いて、シリコン基板３上部の熱酸化膜１
０を除去した後にシリコン基板３下部の熱酸化膜１０を
パターニングする（図４（ｃ））。

【００４５】次に、炭化シリコン層１１の上面の一部に
金属製の導電性薄膜１２を形成する（図４（ｄ））。

【００４６】上面に電極パッド９、下面に固定電極８が
形成され、両者を導通する導電性配線１が埋め込まれて
いるガラス基板２と、図４（ａ）〜図４（ｄ）の加工を
施した炭化シリコン層１１付きのシリコン基板３との間
にゲッタ５を挿入して真空雰囲気中で両者を陽極接合
し、内部に真空状態の基準圧力空間４が形成された基板
を形成する（図４（ｅ））。

【００４７】この基板を水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶
液などのエッチング液に浸すと、ガラス基板２や熱酸化
膜１０は殆どエッチングされず、シリコン基板３のシリ
コンが露出した部分のみが深さ方向にエッチングされ、
やがてシリコン基板３の裏側（図４（ｅ）中、シリコン
基板３の下側）がエッチングされて、炭化シリコン層１
１が露出する。しかし、水酸化カリウム水溶液は炭化シ
リコン層１１に対しても殆どエッチングが進まないため
に、炭化シリコン層１１が露出した時点でエッチングは
ほぼ停止する。こうして、厚さ２〜８μｍの炭化シリコ
ン層１１とその上面に形成されている導電性薄膜１２と
からなるダイヤフラム電極６を持った本発明の耐蝕型真
空センサを製造することができる（図４（ｆ））。

【００４８】前記の図４（ｂ）の工程で説明したよう
に、炭化シリコン層１１は引っ張り応力となる条件で成
膜されているために、図４（ｆ）図示の状態のように隔
膜状になってダイヤフラム電極６を構成するときになっ
ても平坦な状態が保たれている。これによって正確な圧
力測定を行うことのできるダイヤフラム電極６を実現す
ることができる。

【００４９】すなわち、例えば、炭化シリコン層１１が
圧縮応力となる条件で成膜されたとすれば、炭化シリコ
ン層１１が図４（ｆ）図示の状態のように隔膜状になっ
てダイヤフラム電極６を構成するときに、たわみが発生
して平坦性を失い、真空センサ外部から気体圧力が加わ
っていないにもかかわらずダイヤフラム電極が勝手に変
位することが起こり、正確な圧力測定が行えなくなるお
それがある。しかし、図１図示の本発明の耐蝕型真空セ
ンサにおいては、前記のように、ダイヤフラム電極６を
構成する炭化シリコン層１１が引っ張り応力を持った隔
膜状に形成されているので、このようなことが未然に防
止される。

【００５０】図２は、炭化シリコン層１３の上に導電性
薄膜を形成しない場合であっても、炭化シリコン層１３
の変位量を確実に検知できる本発明の耐蝕型真空センサ
の実施例を示すものである。

【００５１】この実施例においては、図４（ｂ）の工程
で説明した炭化シリコン層１３を成膜するときに、通常
の半導体を製造する際に採用されている方法のように、
炭化シリコン膜中にボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）などの不
純物を混入させ、形成された炭化シリコン層１３自体が
高い導電性を有するようにしている。すなわち、導電性
を高めるための不純物（例えば、ボロンやリンなど）が
混入され、それ自体が高い導電性を有している炭化シリ
コン層１３からなるダイヤフラム電極１４を形成したも
のである。

【００５２】このようにすれば、炭化シリコン層１３の
上に導電性薄膜を形成しなくても、また、炭化シリコン
層１１の材質や、炭化シリコン層１１を化学的気相成長
法によってシリコン基板３のガラス基板２側表面上に形
成する際の成長条件に左右されることなく、導電性が良
好で、その変位量を確実に検知できるダイヤフラム電極
１４を形成することができる。

【００５３】なお、本実施例においては化学的に安定な
材質として炭化シリコン層を化学的気相成長法によって
形成する例を示したが、アルミナ、ダイヤモンド、窒化
アルミニウムあるいは窒化ホウ素などを材料として、弾
性を有するダイヤフラム電極となる薄膜を溶射やスパッ
タ、蒸着法などによって形成することも可能である。

【００５４】例えば、ダイヤフラム電極１４を窒化アル
ミニウムで構成する場合には、反応性スパッタリング法
を用いることができる。反応性スパッタリング法は、タ
ーゲットとなる材料と真空装置内に導入したガスを反応
させながら成膜する方法であるが、窒化アルミニウムを
成膜する場合には、アルミニウムをターゲット材にし、
チャンバ内に窒素ガスを導入してスパッタリングするこ
とによって実現可能である。

【００５５】これらのターゲット材やガスは、一般の半
導体プロセスで通常用いられているものである。しかも
成膜時の基板温度が５００℃以下であって、前述した炭
化シリコン膜を化学的気相成長法によって成膜する場合
に比べて低温ですむので、簡便なプロセスで、耐蝕性を
有する膜を形成することができるという特徴がある。

【００５６】以上、本発明の好ましい実施例を添付図面
を参照して説明したが、本発明はかかる実施例に限定さ
れるものではなく、特許請求の範囲の記載から把握され
る技術的範囲において種々の態様に変更可能である。

【００５７】

【発明の効果】本発明は弾性を有するダイヤフラム電極
を化学的に安定な材質、例えば、炭化シリコンやアルミ
ナもしくは窒化アルミニウムなどで形成することによ
り、圧力を測定する気体が腐蝕性を有する反応ガス、例
えば、フッ素ガスのように、フッ素ラジカルなどのハロ
ゲン系ラジカルを生成する反応ガスであっても、ダイヤ
フラム電極は腐蝕作用によって致命的なダメージを受け
ることなく、長期に渡って安定かつ正確な圧力測定を行
うことができる。

【００５８】また、真空センサをマイクロマシン技術に
よって製造することにより、均一に精度良く製品製造を
行うことができる。

【００５９】更に、マイクロマシン技術の特徴である製
品の小型化や優れた量産性などの長所を保持したまま、
従来のシリコンダイヤフラム静電容量型真空センサ製造
プロセスの一部を変更するだけで耐蝕性に優れた真空セ
ンサの製造が可能であるため、従来の真空センサ製造プ
ロセスから本発明の真空センサ製造プロセスに変更する
ための費用を低く抑えることができるなどの効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を表す図。

【図２】本発明の他の実施例を表す図。

【図３】従来例を表す図。

【図４】図１に図示した本発明の耐蝕型真空センサを製
造するための工程を表す図であって、（ａ）はシリコン
基板に熱酸化膜が形成され、上部の熱酸化膜がパターニ
ングされた状態を表す図、（ｂ）はシリコン基板の上部
に炭化シリコン層が形成された状態を表す図、（ｃ）は
シリコン基板の上部の熱酸化膜が除去され、下部の熱酸
化膜がパターニングされた状態を表す図、（ｄ）は炭化
シリコン層の上に導電性薄膜が形成された状態を表す
図、（ｅ）はガラス基板とシリコン基板とが接合された
状態を表す図、（ｆ）は作製された本発明の耐蝕型真空
センサを表す図。

【図５】従来の静電容量型真空センサをマイクロマシン
技術によって製造するための工程を表す図であって、
（ａ）はシリコン基板に熱酸化膜が形成され、上部の熱
酸化膜がパターニングされた状態を表す図、（ｂ）はシ
リコン基板の上部にボロン拡散層が形成された状態を表
す図、（ｃ）はシリコン基板の上部の熱酸化膜が除去さ
れ、下部の熱酸化膜がパターニングされた状態を表す
図、（ｄ）はガラス基板とシリコン基板とが接合された
状態を表す図、（ｅ）は作製された従来の静電容量型真
空センサを表す図。

【符号の説明】

１ ： 導電性配線 ２ ： ガラス基板 ３ ： シリコン基板 ４ ： 基準圧力空間 ５ ： ゲッタ ６ ： ダイヤフラム電極 ７ ： ボロン拡散シリコン層 ８ ： 固定電極 ９ ： 電極パッド １０ ： 熱酸化膜 １１ ： 炭化シリコン層 １２ ： 導電性薄膜 １３ ： 不純物が混入された炭化シリコン層 １４ ： ダイヤフラム電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江刺 正喜 宮城県仙台市太白区八木山南１丁目11番地 ９ Ｆターム(参考） 2F055 AA31 BB08 CC02 DD05 EE25 FF38 GG01 4M112 AA01 BA07 CA03 CA05 DA06 DA18 EA03 EA08 EA13 FA08 FA11

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 弾性を有するダイヤフラム電極と剛性構
   造の固定電極とが内部の空間を隔てて互いに対向して配
   置され、外部から加わる気体圧力の変化に応じて前記ダ
   イヤフラム電極が変形することにより、前記ダイヤフラ
   ム電極と固定電極との間の静電容量が変化することを利
   用して前記気体圧力を測定する原理の静電容量型真空セ
   ンサにおいて、前記静電容量型真空センサはマイクロマ
   シン技術によって作製されており、且つ前記ダイヤフラ
   ム電極が耐蝕性を有することを特徴とする耐蝕型真空セ
   ンサ。
2. 【請求項２】 耐蝕性を有するダイヤフラム電極は、引
   っ張り応力を持った隔膜状のダイヤフラム電極として形
   成されていることを特徴とする請求項１記載の耐蝕型真
   空センサ。
3. 【請求項３】 耐蝕性を有するダイヤフラム電極は、導
   電性向上のための不純物が混入されて形成されているこ
   とを特徴とする請求項１又は２記載の耐蝕型真空セン
   サ。
4. 【請求項４】 耐蝕性を有するダイヤフラム電極の前記
   固定電極と対向した面の上に導電性薄膜が形成されてい
   ることを特徴とする請求項１又は２記載の耐蝕型真空セ
   ンサ。
5. 【請求項５】 耐蝕性を有するダイヤフラム電極は、炭
   化シリコン又はアルミナもしくは窒化アルミニウムによ
   って形成されていることを特徴とする請求項１乃至４の
   いずれか一項記載の耐蝕型真空センサ。