JP4683618B2 - 隔膜型圧力センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
静電容量型圧力センサは、例えば図6の模式的断面図に示すように、容量電極11が形成された第1のガラス基板10と、ダイヤフラム21が形成されたシリコン基板20と、通気口31が形成された第2のガラス基板30とが、接合された構造を有し、ダイヤフラム21の両側に圧力基準室1と圧力測定室2とが形成されている。圧力基準室1には、例えば非蒸発型ゲッタ3が配置され、内部を真空に保持している。
しかし、図6に示した構造の静電容量型圧力センサでは、これらの高度の要求には十分対応しきれなくなり、特に環境温度の変動に伴う測定誤差等が顕著な問題となってきた。さらに高感度センサの場合、感度を上げるために、ダイヤフラムを大きくしたり、又は薄くする必要があり、この結果環境温度の影響が一層大きくなり、測定精度がさらに低下してしまうという問題があった。
、前記第1の絶縁性基板及び第2の絶縁性基板の少なくとも一方の表面に、環境温度における熱膨張率が、貼り付けられる絶縁性基板の環境温度における熱膨張率よりも小さい板材を貼り付けたことを特徴とする。
さらに、前記板材は、前記絶縁性基板と環境温度付近の温度で貼り付けたことを特徴とする。
特に、前記導電性基板にはシリコンウエハ、前記第1及び第2の絶縁性基板には通常ガラス基板が用いられ、さらにガラスの材質としては熱膨張率がシリコンに近いものが好適に用いられる。
なお、本発明において、熱膨張率とは、0℃における基準値L0と所定温度での熱膨張量ΔL(=L−L0)との比(ΔL/L0)をいう。また、圧力センサの環境温度とは、圧力センサを使用する環境の温度であり、通常の半導体製造装置の場合20〜50℃程度であるが、本発明はこの温度範囲に限定されないことはいうまでもない。
以上の範囲とすることにより、ダイヤフラムに対する環境温度の影響はさらに抑えられ、環境温度が頻繁に変動する系であっても、より高精度な圧力測定が可能となる。
本発明の静電容量型圧力センサの一構成例を図1の模式的断面図に示す。図に示すように、静電容量型圧力センサは、容量電極11が形成された第1の絶縁性基板10と、ダイヤフラム21が形成された導電性基板20と、通気口31が形成された第2の絶縁性基板30と、からなる三層構造を有し、ダイヤフラム21の両側に圧力基準室1と圧力測定室2とが形成されている。圧力基準室1には、例えば非蒸発型ゲッタ3が配置され、内部を真空に保持している。さらに、本発明では、第1のガラス基板の表面上に、第1のガラス基板より熱膨張率の小さい板材(低膨張板材)40がで貼り付けられている。
本実施例では図1に示した構造を有する静電容量型圧力センサ(133Paセンサ)を作製し、温度特性を従来の圧力センサと比較した。
本実施例では、第1及び第2のガラス基板には、それぞれ11×11×0.7mm及び20×20×2mmのパイレックスガラスを用いた。シリコン基板の厚さは0.4mmであり、第1のガラス基板と同じ大きさである。なお、ダイヤフラムは4.2mm角で厚さを7μmとした。上述した方法により、まず従来構造の圧力センサを3つ作製した(試料1)。このうち、2つについては第1のガラス基板上にSY−Wガラス(試料2)及びクリアセラムZ(試料3)を貼り付けた。これらの板材は端子ピンをさけて貼り付けるためそれぞれ約8×8mm及び約7×7mmの大きさとし、厚さはそれぞれ2mm及び1.5mmとした。
なお、低膨張板材と第1のガラス基板との接着は、表面改質剤で表面処理した後に接着剤を用いて貼り付けた。表面改質剤及び接着剤には、東亜合成株式会社製ガラスプライマー及びアロンアルファ#201を用いた。センサは接着後1日放置した。
図4Aが示すように、温度が上昇すると相対静電容量の測定値は変化し、0Paでの値は増加するのに対し133Paでは減少することが分かる。また、図4B及び図4Cから、相対静電容量の変化量は第1のガラス基板に低膨張板材を貼り付けると減少し、板材の熱膨張率が小さいほど変化量が抑えられることが分かる。即ち、試料1の場合、133Paでの相対静電容量は30℃の温度変動に対し2.2pF変化するのに対し、試料2では1.7pF、試料3では0.14pFしか変化しないことが分かる。
また、クリアセラムを2枚重ねて貼り付けた試料も同様にして作製し、温度特性を調べたところ、スパン温度ドリフトがさらに改善される傾向にあることが確認された。
2 圧力測定室、
3 非蒸発型ゲッタ、
4 アダプタ、
5 O−リング、
6 押さえ板、
10 第1のガラス基板、
11 容量電極、
12,13 端子ピン
20 シリコン基板、
21 ダイヤフラム、
30 第2のガラス基板、
31 通気口、
40 低膨張板材。
Claims (5)
- 第1のガラス基板、ダイヤフラムを備えたシリコン基板及び通気口を備えた第2のガラス基板からなり、前記ダイヤフラムと前記第1のガラス基板及び前記通気口との間にそれぞれ圧力基準室及び圧力測定室を形成し、外部から前記通気口を通して前記圧力測定室に加わる圧力に応じて変位するダイヤフラムの変位量を計測して該圧力を求める隔膜型圧力センサにおいて、
前記第1のガラス基板及び第2のガラス基板の少なくとも一方の表面に、環境温度における熱膨張率が、貼り付けられるガラス基板及びシリコン基板の環境温度における熱膨張率よりも小さい板材を接着剤で貼り付けたことを特徴とする隔膜型圧力センサ。 - 前記板材は、前記ガラス基板と環境温度付近の温度で貼り付けたことを特徴とする請求項1に記載の隔膜型圧力センサ。
- 前記板材の前記環境温度における熱膨張率は、前記第1又は第2のガラス基板の該熱膨張率に対し1/5以下としたことを特徴とする請求項1又は2に記載の隔膜型圧力センサ。
- 前記第1及び第2のガラス基板並びに前記シリコン基板の前記環境温度における熱膨張率が20〜100ppmであり、前記板材の該熱膨張率は4ppm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の隔膜型圧力センサ。
- 容量電極を備えた第1のガラス基板、ダイヤフラムを備えたシリコン基板及び通気口を備えた第2のガラス基板からなり、前記ダイヤフラムと前記第1のガラス基板及び前記通気口との間にそれぞれ圧力基準室及び圧力測定室を形成し、外部から前記通気口を通して前記圧力測定室に加わる圧力に応じて変位するダイヤフラムの変位量を計測して該圧力を求める隔膜型圧力センサの製造方法において、
容量電極を形成した第1のガラス基板と圧力基準室用の凹部を形成したシリコン基板とを、前記凹部内に前記容量電極が収まるように重ね合わせて、陽極接合して、圧力基準室を形成する工程と、
前記シリコン基板を前記圧力基準室とは反対側からエッチングしてダイヤフラムを形成する工程と、
通気口を形成した第2のガラス基板と前記シリコン基板とを陽極接合して、圧力測定室を形成する工程と、
前記第1又は第2のガラス基板の少なくとも一方の表面に、環境温度における熱膨張率が、貼り付けられるガラス基板及びシリコン基板の環境温度における熱膨張率よりも小さい板材を接着剤で貼り付ける工程と、
を備えたことを特徴とする隔膜型圧力センサの製造方法。
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