JP2000356561A - 半導体歪みセンサ - Google Patents

半導体歪みセンサ

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JP2000356561A JP2000052163A JP2000052163A JP2000356561A JP 2000356561 A JP2000356561 A JP 2000356561A JP 2000052163 A JP2000052163 A JP 2000052163A JP 2000052163 A JP2000052163 A JP 2000052163A JP 2000356561 A JP2000356561 A JP 2000356561A
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誠一郎 石王
Ineo Toyoda
稲男 豊田
Yasutoshi Suzuki
康利 鈴木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂製のパッケージ部材に固定されたリード
フレームに、歪み信号検出用のセンサチップを搭載して
なる半導体歪みセンサにおいて、パッケージ部材のクリ
ープ応力を、センサチップに伝わりにくくする。 【解決手段】 シリコンよりなるセンサチップ１０は、
樹脂よりなるパッケージ部材３０に支持されたリードフ
レーム２０の素子搭載部２１における一面２０ａ側に搭
載され、圧力等の印加時に発生する歪みに基づく電気信
号をワイヤ５０を介して外部に出力可能となっている。
リードフレーム２０における素子搭載部２１の他面２０
ｂのうちセンサチップ１０搭載領域の直下部全域と、パ
ッケージ部材３０とは、パッケージ部材３０に形成され
た空間部３１を介して非接触状態になっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂製のパッケー
ジ部材に固定されたリードフレームにセンサ素子（セン
サチップ）を搭載してなる半導体歪みセンサに関し、例
えば、自動車用の吸気圧センサやブレーキ圧センサ等の
高圧センサに用いて好適である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種の半導体歪みセンサと
しては、例えば、特開平９−６１２７１号公報や特開平
５−１７２６７４号公報に記載のものが提案されてい
る。これらのものは、樹脂材料よりなるパッケージ部材
によって表裏両面を包み込むようにモールドされたリー
ドフレームに、外力（圧力や加速度）印加時の歪みを電
気信号に変換可能なシリコンよりなるセンサ素子（セン
サチップ）を樹脂接着剤を用いて搭載した構造を有して
いる。
【０００３】そして、例えば圧力検出用のものにおいて
は、センサ素子に被検出体からの圧力（例えば、自動車
エンジンの吸気圧やブレーキ圧等）が印加されると、セ
ンサ素子に歪みが生じ、センサ素子からはこの歪みに基
づく電気信号（以下、歪み信号という）が出力される。
このセンサ素子からの出力はボンディングワイヤにより
リードフレームから外部に出力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来構造において
は、センサ特性を確保すべくセンサ素子に印加される熱
応力を低減するために、センサ素子、リードフレーム及
びパッケージ部材の熱膨張係数を近似させた構造が取ら
れている。しかしながら、本発明者等の検討によれば、
このような構造であっても、低温と高温とを繰り返す冷
熱サイクル等によりセンサ特性が初期性能から変動して
しまう現象、いわゆる熱ヒステリシスが発生するという
問題があることがわかった。
【０００５】図７は、この熱ヒステリシスの説明図とし
ての模式的なグラフであり、横軸に時間（グラフ中、一
点鎖線図示）、左縦軸にセンサ出力（歪み信号、グラフ
中、実線図示）、右縦軸にデバイス温度を示す。
【０００６】熱ヒステリシスとは、図７に示す様に、初
期の室温（例えば２５℃）におけるセンサ出力と、熱履
歴後（例えば１２０℃の高温とした後）の室温における
センサ出力との差であり、この熱履歴後の室温における
センサ出力が時間軸で変動する現象である。
【０００７】本発明者等の検討によれば、この現象は、
次のような原因により発生する。即ち、パッケージ部材
でリードフレームをモールドする時の初期応力や部材間
の熱膨張係数差が、熱履歴により歪みとして発生し、パ
ッケージ部材を構成する樹脂にクリープを引き起こす。
そして、熱履歴後のセンサ素子においては初期とは異な
り、パッケージ部材のクリープ変形に伴って発生する応
力（以下、クリープ応力という）が印加されるため、セ
ンサ素子の出力（歪み信号）特性が変化し熱ヒステリシ
スが発生するのである。
【０００８】また、センサ素子とリードフレームとが樹
脂接着剤を介して固定されている場合には、パッケージ
部材のクリープ応力が、この接着剤にも作用し、接着剤
を構成する樹脂にもクリープを引き起こす。この接着剤
のクリープ応力も、センサ素子に影響を与える。
【０００９】また、パッケージ部材を構成する樹脂に発
生するクリープ応力によるセンサ特性の変動という問題
は、樹脂製のパッケージ部材に、歪み信号検出用のセン
サ素子を収納し搭載した半導体歪みセンサ一般に、起こ
りうる問題である。
【００１０】本発明は上記問題に鑑み、樹脂製のパッケ
ージ部材に、歪み信号検出用のセンサ素子を搭載してな
る半導体歪みセンサにおいて、パッケージ部材のクリー
プ応力によるセンサ素子への影響を抑制することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１〜請求項５の発
明は、上記従来公報に記載の半導体歪みセンサにおいて
は、リードフレームのセンサ素子搭載面とは反対側の面
のうち、センサ素子搭載領域の直下部分の全領域に樹脂
が接触した形でモールドがなされているため、上記クリ
ープ応力が直にリードフレーム上のセンサ素子に作用し
やすくなっていることに着目してなされたものである。
【００１２】即ち、請求項１に記載の発明では、樹脂製
のパッケージ部材（３０）で支持されたリードフレーム
（２０）の一面（２０ａ）側に、半導体よりなる歪み信
号検出用のセンサ素子（１０）を搭載してなる半導体歪
みセンサにおいて、該リードフレームの他面（２０ｂ）
のうち該センサ素子の搭載領域に対応する部位の少なく
とも一部と、該パッケージ部材とを、該パッケージ部材
に形成された空間部（３１〜３５）を介して非接触状態
としたことを特徴としている。
【００１３】本発明では、リードフレームにおいてセン
サ素子が搭載された一面とは反対側の他面において、セ
ンサ素子搭載領域に対応する部位の少なくとも一部が、
空間部の存在によって、樹脂であるパッケージ部材に接
触していない状態となるため、パッケージ部材にクリー
プが発生しても、そのクリープ応力をセンサ素子に伝わ
りにくくすることができる。よって、パッケージ部材の
クリープ応力によるセンサ素子への影響を抑制すること
ができる。
【００１４】ここで、請求項２記載の発明のように、空
間部（３１〜３５）を、リードフレーム（２０）の他面
（２０ｂ）のうちセンサ素子（１０）の搭載領域に対応
する部位の全域と、パッケージ部材（３０）とが非接触
状態になるように形成すれば、上記クリープ応力を、よ
りセンサ素子に伝わりにくくでき、請求項１の発明の効
果を高いレベルで実現できる。
【００１５】また、請求項３記載の発明のように、セン
サ素子（１０）が接着剤（４０）を介してリードフレー
ム（２０）に接着されている場合、該接着剤として、ヤ
ング率が１０ＭＰａ以下の樹脂接着剤を用いれば、該接
着剤においてクリープを発生しにくくできる。
【００１６】また、請求項４及び請求項５記載の発明の
ように、センサ素子（１０）、リードフレーム（２０）
及びパッケージ部材（３０）における熱膨張係数の関係
を、規定すれば、センサ素子にかかる熱応力を小さくで
きるという効果もある。
【００１７】また、請求項６〜請求項９の発明は、樹脂
よりなるパッケージ部材と、このパッケージ部材に収納
され、半導体よりなり、外力が印加されたとき歪みを発
生するとともに該歪みに基づく電気信号を出力するセン
サ素子とを備える半導体歪みセンサに係るものである。
【００１８】即ち、本発明においては、センサ素子（８
０）は、パッケージ部材（６０）を構成する樹脂材料よ
りも熱膨張係数が該センサ素子に近い材料よりなる素子
搭載用部材（９０）を介して、該パッケージ部材に搭載
されていることを特徴としている。
【００１９】それによれば、センサ素子とパッケージ部
材との間に、パッケージ部材よりもセンサ素子に熱膨張
係数が近い素子搭載用部材が介在するから、センサ素子
とパッケージ部材との熱膨張計数の差に起因して発生す
る熱応力を抑制でき、パッケージ部材にクリープが発生
しにくくできる。よって、パッケージ部材のクリープ応
力によるセンサ素子への影響を抑制することができる。
【００２０】ここで、請求項７の発明のように、パッケ
ージ部材（６０）において、センサ素子（８０）の搭載
領域に対応する部位を、他の部位よりも薄肉化された薄
肉部（６６）とすれば、この薄肉部で発生するクリープ
応力を比較的小さいものとできるため、パッケージ部材
のクリープ応力によるセンサ素子への影響を、よりいっ
そう抑制することができる。
【００２１】また、請求項８の発明のように、パッケー
ジ部材（６０）に、センサ素子（８０）の電気信号を外
部に出力可能な信号出力用部材（６５）を一体に形成し
た場合、素子搭載用部材（９０）を、この信号出力用部
材と同一部材よりなるものとすれば、素子搭載用部材と
信号出力用部材とを同時に加工できる等、センサが作り
やすくなるというメリットがある。
【００２２】さらに、請求項９の発明では、信号出力用
部材（６５）を、パッケージ部材（６０）の内面に設け
てセンサ素子（８０）とワイヤボンディングされたもの
とし、パッケージ部材における信号出力用部材が設けら
れている内面の周囲に、該内面より凹んだ凹部（６３）
を形成し、この凹部の底面（６４）に素子搭載用部材
（９０）を設けたことを特徴としている。
【００２３】それによれば、素子搭載用部材と信号出力
用部材のワイヤボンディング部とは、凹部の深さに対応
して段違いの高さに配置された構成となる。ここで、凹
部の深さを調整することで、素子搭載用部材上のセンサ
素子と信号出力用部材のワイヤボンディング部との高さ
を近くできるため、ワイヤボンディングがしやすくなる
というメリットがある。
【００２４】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。
【００２５】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１は本実施形
態に係る半導体歪みセンサ１００の全体構成を示す平面
図、図２は図１中のＡ−Ａ断面図である。本半導体歪み
センサ１００は、例えば、自動車エンジンの吸気系統に
設置されて吸気圧を検出する吸気圧センサに適用され
る。該吸気系統への設置は、例えば、吸気系統のパイプ
と連通して接続可能なケースに収納される等によりなさ
れる。
【００２６】センサチップ（本発明のセンサ素子）１０
は、キャビティが形成されたシリコン基板１１と他のシ
リコン基板１２とが酸化膜を介して接合された半導体基
板であり、その内部に上記キャビティ部分を空間とする
圧力基準室１３が形成されている。この圧力基準室１３
は、例えば減圧容器内にて上記接合を行うことにより１
ｋＰａ以下の一定圧力に保たれている。
【００２７】本例のセンサチップ１０は、シリコン基板
１１のうち圧力基準室１３に対応した部分に形成された
ダイヤフラム１４に、ブリッジ回路を構成するようにゲ
ージ抵抗（図示せず）が形成されており、ダイヤフラム
１４が吸気圧等の外力を受けたときに歪み変形し、その
歪み変形を上記ブリッジ回路を介して電気信号として出
力できるようになっている。
【００２８】リードフレーム２０は、例えば４２アロイ
（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）の板材を用いて型抜きにより
成形されたもので、パッケージ部材３０に形成された凹
部から露出する素子搭載部２１及びリード部２２と、リ
ード部２２と導通しつつパッケージ部材３０の外周囲に
引き出された端子部２３とを備える。そして、エポキシ
系樹脂等により型成形されたパッケージ部材３０によっ
て、一面（図２にて上側）２０ａとその反対側の面であ
る他面２０ｂとを包み込むように一体化されて支持され
ている。
【００２９】素子搭載部２１は、センサチップ１０が搭
載可能な面積を有するプレート状のもので、上記一面２
０ａ側において、センサチップ１０が接着剤４０を介し
て接着固定されている。接着剤４０としては、接着剤４
０自体の熱履歴等によるクリープの発生を抑制するため
に、１０ＭＰａ以下の低ヤング率の樹脂接着剤（例えば
シリコン系の接着剤）を採用している。
【００３０】リード部２２は、センサチップ１０の上記
ブリッジ回路とワイヤ５０を介して電気的に接続されて
おり、端子部２３は、適当な配線部材を介して外部回路
（例えば車両のＥＣＵ等）と電気的に接続されるもので
ある。このように、センサチップ１０からの上記電気信
号は、ワイヤ５０、リード部２２、端子部２３を介して
外部に出力可能な形態となっている。
【００３１】図３にリードフレーム２０における素子搭
載部２１近傍の形状の一例を示す。図３中の破線は、上
述した素子搭載部２１及びリード部２２を露出させるた
めのパッケージ部材３０の凹部外形を示すものである。
素子搭載部２１はリード部２２からつながる部分に、吊
りピン部２４によって連結されており、リードフレーム
２０の各部２１〜２４は一体化されている。
【００３２】ここで、本実施形態では、リードフレーム
２０の他面２０ｂのうちセンサチップ１０の搭載領域に
対応する部位（図２ではセンサチップ１０の直下に位置
する他面２０ｂ）の全域が露出するように、パッケージ
部材３０に開口部（本発明の空間部）３１が形成された
独自の構成としている。この開口部３１を介して、リー
ドフレーム２０における他面２０ｂのうちセンサチップ
１０の直下に位置する全領域は、パッケージ部材３０と
非接触状態になっている。
【００３３】そして、素子搭載部２１は、図２に示す様
に、素子搭載部２１におけるセンサチップ１０の搭載領
域の外側に位置する周縁部をパッケージ部材３０に支持
されている。なお、リードフレーム２０の素子搭載部２
１に相当する他面２０ｂの全域が開口部３１により露出
した形となっても、素子搭載部２１は吊りピン２４を介
してパッケージ部材３０に支持されているため、問題は
ない。
【００３４】かかる半導体歪みセンサ１００は、パッケ
ージ部材３０に対応した形状を有する型の内部にリード
フレーム２０を固定した後、樹脂を充填することによ
り、図４に示す様なパッケージ部材３０とリードフレー
ム２０とが一体化された構造体を得て、この構造体に対
して、接着剤４０を用いて素子搭載部２１にセンサチッ
プ１０を固定し、ワイヤボンディング等によりワイヤ５
０の結線を行うことで製造できる。
【００３５】ところで、本実施形態によれば、開口部３
１においては、リードフレーム２０の他面２０ｂはパッ
ケージ部材３０と非接触状態になっているため、例え
ば、上記の熱履歴等により、パッケージ部材３０にクリ
ープが発生しても、そのクリープ変形に伴って発生する
応力（クリープ応力）をセンサチップ１０に伝わりにく
くすることができる。
【００３６】そのため、パッケージ部材３０のクリープ
応力による接着剤４０のクリープも発生しにくくなり、
上記の熱ヒステリシスを低減し、冷熱サイクルにさらさ
れても常に安定したセンサ出力（初期性能）を実現する
半導体歪みセンサを提供できる。
【００３７】なお、図２に示す例では、開口部（空間
部）３１は、センサチップ１０の直下に位置するリード
フレーム２０の他面２０ｂの全域が露出するように形成
されているが、本発明の空間部は図５（ａ）〜（ｄ）の
各変形例に示す様な形状であってもよい。
【００３８】本発明の空間部として図５（ａ）に示す開
口部３２及び図５（ｂ）に示す内部空間３３は、センサ
チップ１０の直下に位置する他面２０ｂの一部がパッケ
ージ部材３０と非接触状態になるように形成されてい
る。また、図５（ｃ）に示す様に、本発明の空間部は開
口部３２と内部空間３３とを組み合わせたものでも良
い。更に、センサチップ１０の直下に位置する他面２０
ｂの全域が露出するように形成された空間部としては、
図５（ｄ）に示すような内部空間３４であってもよい。
【００３９】これらの空間部３２〜３４もパッケージ部
材３０の型成形によって形成することができ、それによ
って、パッケージ部材３０のクリープ応力をセンサチッ
プ１０に伝わりにくくすることができる。ただし、図２
に示す開口部３１や図５（ｄ）に示す内部空間３４のよ
うに、センサチップ１０の直下に位置する他面２０ｂの
全域がパッケージ部材３０と非接触となるようにした方
が、一部を非接触とする場合よりも、パッケージ部材３
０との接触面積が小さく、上記クリープ応力をよりセン
サチップ１０に伝わりにくくできる。
【００４０】また、本実施形態によれば、センサチップ
１０をリードフレーム２０の素子搭載部２１に接着固定
する接着剤４０として、１０ＭＰａ以下の低ヤング率の
樹脂接着剤を採用しているから、接着剤４０自体の熱履
歴等によるクリープの発生を抑制することができる。
【００４１】また、本実施形態では、シリコン（熱膨張
係数：２〜３×１０-6／℃）よりなるセンサチップ１０
に対して、例えば、リードフレーム２０を４２アロイ
（熱膨張係数：４〜５×１０-6／℃）、パッケージ部材
３０をエポキシ樹脂（熱膨張係数：１２〜１４×１０-6
／℃）とし、部材１０、２０、３０間の熱膨張係数の関
係を、該センサ素子、該リードフレーム、該パッケージ
部材の順に大きくすることにより、センサチップ１０に
かかる熱応力を小さくできる。
【００４２】ここで、互いに隣接する部材１０、２０、
３０間の熱膨張係数の差は、センサの仕様等によっても
異なるが、小さい方が好ましく、例えば１×１０-5／℃
未満あることが好ましく、１×１０-6／℃未満あること
がより好ましい。
【００４３】（第２実施形態）図６に本発明の第２実施
形態に係る半導体歪みセンサ２００の概略断面を示す。
本半導体歪みセンサ２００は、例えば、車両のブレーキ
圧やエンジンの燃料噴射圧等を検出する高圧型センサと
して適用されるものである。
【００４４】より具体的には、本センサ２００は、例え
ば図６の上方側にて、シールダイヤフラムを有するハウ
ジング部材（図示せず）をパッケージ部材３０に組付
け、該シールダイヤフラムとパッケージ部材３０との間
でセンサチップ１０を気密封止するもの、いわゆるシー
ルダイヤフラム型の圧力検出装置に適用できる。
【００４５】図６に示す半導体歪みセンサ２００におい
ては、リードフレーム２０のリード部２２が途中で折り
曲げられてパッケージ部材３０の内部から外部まで伸び
ている。このリード部２２は、外部回路等と電気的に接
続するためのコネクタピンとして機能する。
【００４６】そして、リードフレーム２０の他面２０ｂ
のうちセンサチップ１０の搭載領域に対応する部位（図
６ではセンサチップ１０の直下に位置する他面２０ｂ）
の全域が露出するように、パッケージ部材３０の内部に
内部空間（本発明の空間部）３５が形成されている。こ
の内部空間３５を介して、リードフレーム２０における
他面２０ｂのうちセンサチップ１０の直下に位置する全
領域は、パッケージ部材３０と非接触状態になってい
る。
【００４７】なお、この内部空間３５を図６中の下方に
延ばして開口部とした形としても良い。そして、本実施
形態においても、上記第１実施形態と同様に、パッケー
ジ部材３０からのクリープ応力をセンサチップ１０に伝
えにくくできる。
【００４８】（第３実施形態）図８に、本発明の第３実
施形態に係る半導体歪みセンサ３００の概略断面を示
す。本センサ３００も、例えば、上記した吸気圧センサ
等に適用される。６０は、パッケージ部材としての樹脂
製のコネクタケースであり、本例ではＰＰＳ（ポリフェ
ニレンサルファイド）をモールド成形したものである。
【００４９】また、このコネクタケース６０には、例え
ば樹脂等よりなるハウジングケース７０が組み付けられ
て一体化されている。ハウジングケース７０は、被測定
体（例えば、エンジンの吸気配管）へ取り付けられるも
のであり、被測定体とのシールを行うためのＯリング７
１と、被測定体から圧力（例えば吸気圧）を導入するた
めの圧力導入孔７２とを有する。
【００５０】両ケース６０、７０の組付は、本例では、
コネクタケース６０に形成された凹部６１へハウジング
ケース７０に形成された凸部としての接合部７３を挿入
し、この凹部６１内へ接着剤６２を充填することによ
り、両ケース６０、７０を固定するようになっている。
【００５１】ここで、組み付けられた両ケース６０、７
０により、センサチップ（本発明のセンサ素子）８０が
収納される空間部８１が形成される。この空間部８１
は、ハウジングケース７０の圧力導入孔７２と連通して
おり、外部から圧力導入孔７２を介して測定圧力が導入
されるところである。また、この空間部８１は、上記接
着剤６２により封止されている。
【００５２】この空間部８１を区画するコネクタケース
６０の内面には、チップ収納用凹部６３が形成されてお
り、このチップ収納用凹部６３内に、本実施形態のセン
サチップ８０が収納されている。本実施形態のセンサチ
ップ８０は、ピエゾ抵抗効果を利用したもので、シリコ
ン基板の上面にセンシング部としてのダイヤフラム８０
ａ及び図示しないゲージ抵抗（拡散抵抗）などを備えた
構成となっている。そして、外力が印加されたときダイ
ヤフラム８０ａに歪みを発生するとともに該歪みに基づ
く電気信号を出力するようになっている。
【００５３】このセンサチップ８０は、センサチップ８
０を構成するシリコン基板と熱膨張係数が近似したガラ
ス台座８２に接合されて支持されている。また、チップ
収納用凹部６３の底面６４には、素子搭載用部材として
のプレート９０が固定されている。
【００５４】このプレート９０は、コネクタケース６０
を構成する樹脂材料（本例ではＰＰＳ）よりも熱膨張係
数がセンサチップ（本例では単結晶シリコン）８０に近
い材料（本例では４２アロイ）よりなる。そして、プレ
ート９０上には、樹脂等の接着剤９１を介して、ガラス
台座８２が接着されている。このように、センサチップ
８０は、ガラス台座８２、接着剤９１、プレート９０を
介して、チップ収納用凹部６３の底面６４に固定支持さ
れている。
【００５５】また、コネクタケース６０は、センサ３０
０と外部配線部材との電気的接続を行う機能を有するも
のであり、接続端子としてのターミナル（本発明の信号
出力用部材）６５が、インサート成形により、一体化し
ている。このターミナル６５の一端側６５ａは外部配線
部材と接続される側であり、他端６５ｂ側は、ワイヤボ
ンディングにより形成されたワイヤ８３により、センサ
チップ８０と電気的に接続されている。
【００５６】ここで、プレート９０とターミナル６５と
は、同一部材（本例では４２アロイ）とすることが好ま
しい。例えば、ターミナル６５をリードフレームのリー
ド部、プレート９０をリードフレームのアイランド部
（素子搭載部）とすれば良い。両者６５、９０を同一部
材とすれば、例えば、コネクタケース６０にプレート９
０とターミナル６５を形成する際に、同一のリードフレ
ームをインサート成形すれば、同時に両者６５、９０を
形成することができる。
【００５７】このように、プレート９０とターミナル６
５とを同一部材とすれば、センサ３００の製造プロセス
上、あるいは、構成の簡素化といった面で有利である。
なお、両者６５、９０は別部材であっても、勿論良い。
この場合、プレート９０は、コネクタケース６０にイン
サート成形されたものでも良いし、コネクタケース６０
の成形後に、チップ収納用凹部６３の底面６４に貼り付
けたものでも良い。
【００５８】また、本実施形態では、チップ収納用凹部
６３は、ターミナル６５の他端６５ｂが設けられている
コネクタケース６０の内面よりも凹んでいる。従って、
この凹部６３の底面６４に固定されたプレート９０は、
ターミナル６５の他端（ワイヤボンディング部）６５ｂ
とは、高さが段違いになった配置となる。このような段
違い構成とすることで、図８に示す様に、センサチップ
８０とターミナル６５の他端６５ｂとの高さを近くで
き、ワイヤボンディングがしやすくなっている。
【００５９】さらに、チップ収納用凹部６３、センサチ
ップ８０上、及び、ワイヤボンディング部分は、シリコ
ンゲルやフッ素ゲル等の保護用ゲル８４にて埋められて
封止されている。これにより、センサチップ８０及びワ
イヤ８３の保護、電気的な絶縁性の確保、並びに防食な
どが図られている。この保護用ゲル８４は例えば、図示
の形状に塗布した後、熱硬化処理を行うことで形成され
る。
【００６０】また、コネクタケース６０において、セン
サチップ８０の搭載領域に対応する部位、即ち、チップ
収納用凹部６３に対応する部位は、図８に示す様に、周
囲部位よりも凹んでおり、肉厚が薄肉化された薄肉部６
６を形成している。これにより、薄肉部６６で発生する
クリープ応力は、薄肉部６６の周囲の厚肉部分に比較的
して小さいものとできる。
【００６１】かかる構成を有する半導体歪みセンサ３０
０においては、被測定体からの測定圧力（例えばエンジ
ンの吸気圧）を、ハウジングケース７０の圧力導入孔７
２から空間部８１へ導入する。導入された圧力は、ゲル
８４を介して、センサチップ８０のダイヤフラム８０ａ
に伝達され、信号出力（抵抗変化）が発生する。この出
力（電気信号）をワイヤ８３から、ターミナル６５へ導
く。そして、ターミナル６５から外部に圧力信号を導出
し、外部回路にて信号処理して圧力を求めるようになっ
ている。
【００６２】以上のように、本実施形態によれば、樹脂
よりなるコネクタケース（パッケージ部材）６０内に、
半導体よりなる歪み信号発生可能な電気信号を出力する
センサチップ（センサ素子）８０を収納してなる半導体
歪みセンサ３００において、センサチップ８０を、コネ
クタケース６０を構成する樹脂材料よりも熱膨張係数が
センサチップ８０に近い材料よりなるプレート（素子搭
載用部材）９０を介して、コネクタケース６０に搭載し
たことを主たる特徴としている。
【００６３】それによって、センサチップ８０とコネク
タケース６０との間に、コネクタケース６０よりもセン
サチップ８０に熱膨張係数が近いプレート９０が介在す
るから、センサチップ８０とコネクタケース６０との熱
膨張係数の差に起因してコネクタケース６０に発生する
熱応力を抑制でき、コネクタケース６０にクリープが発
生しにくくできる。そのため、コネクタケース６０のク
リープ応力によるセンサチップ８０への影響を抑制する
ことができる。
【００６４】ちなみに、本例のセンサチップ８０、ガラ
ス台座８２、接着剤９１、プレート９０、及びコネクタ
ケース６０のヤング率、線膨張係数を示しておく。セン
サチップ８０を構成するシリコン（Ｓｉ）では、ヤング
率は、＜１１０＞方向で１７２００ｋｇｆ／ｍｍ2、＜
１００＞方向で１３３００ｋｇｆ／ｍｍ2であり、線膨
張係数は２．４×１０-6／℃である。また、ガラス台座
８２を構成するガラスでは、ヤング率は６０８０ｋｇｆ
／ｍｍ2であり、線膨張係数は２．６×１０-6／℃であ
る。
【００６５】接着剤９１を構成する樹脂では、ヤング率
は１５ｋｇｆ／ｍｍ2であり、線膨張係数は２．７×１
０-6／℃であり、プレート９０を構成する４２アロイで
は、ヤング率は１４８００ｋｇｆ／ｍｍ2であり、線膨
張係数は４．３×１０-6／℃である。そして、コネクタ
ケース６０を構成するＰＰＳでは、ヤング率は８９０ｋ
ｇｆ／ｍｍ2であり、線膨張係数は１０．０×１０-6／
℃である。こうして、本例では、上記したコネクタケー
ス６０のクリープ応力によるセンサチップ８０への影響
の抑制効果を実現している。
【００６６】また、本実施形態によれば、コネクタケー
ス６０において、センサチップ８０の搭載領域に対応す
る部位に、薄肉部６６を形成している。そのため、薄肉
部６６で発生するクリープ応力を、薄肉部６６の周囲の
厚肉部分に比較的して小さいものとでき、上記したコネ
クタケース６０のクリープ応力によるセンサチップ８０
への影響の抑制効果を、いっそう高いレベルにて実現す
ることができる。
【００６７】また、上述したが、本実施形態の好ましい
形態として、プレート９０とターミナル６５とを同一部
材よりなるものとした場合、両者６５、９０を同時に加
工できる等、センサが作りやすくなるというメリットが
ある。さらに、プレート９０とターミナル６５のワイヤ
ボンディング部とを、チップ収納用凹部６３の深さに対
応して段違いの高さに配置したことにより、ワイヤボン
ディングがしやすくなるというメリットについては、上
述の通りである。
【００６８】（他の実施形態）なお、上記第１及び第２
実施形態においてパッケージ部材３０は、成形型を用い
てリードフレーム２０と一体成形することで作られる
が、リードフレームとして、素子搭載部が別体となって
いるものを用いた場合、リードフレームの素子搭載部以
外の部分とともに別途一体成形されたパッケージ部材３
０を用意し、空間部３０〜３５に対応するように素子搭
載部２１を接着等によってパッケージ部材３０に固定す
るようにしても良い。
【００６９】また、本発明におけるセンサ素子として
は、上記センサチップ１０以外にも、半導体よりなり、
外力が印加されたとき歪みを発生するとともに該歪みに
基づく信号を出力するものであれば良く、種々のゲージ
素子や感圧素子が採用可能である。
【００７０】また、本発明の半導体歪みセンサは、上記
の吸気圧センサ等、外力としての圧力を検出する圧力検
出用センサ以外にも、外力としての加速度により発生す
る歪みを検出するセンサ素子を備えた加速度センサ等、
種々の外力（力学量）による歪みに基づいて検出を行う
ものに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体歪みセンサ
を示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ断面図である。
【図３】リードフレームの詳細形状の一例を示す図であ
る。
【図４】パッケージ部材とリードフレームとが一体化さ
れた構造体を示す図である。
【図５】本発明の空間部の変形例を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る半導体歪みセンサ
を示す概略断面図である。
【図７】センサ出力における熱ヒステリシスの説明図で
ある。
【図８】本発明の第３実施形態に係る半導体歪みセンサ
を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０、８０…センサチップ、２０…リードフレーム、２
０ａ…リードフレームの一面、２０ｂ…リードフレーム
の他面、３０…パッケージ部材、３１、３２…パッケー
ジ部材の開口部、３３、３４、３５…パッケージ部材の
内部空間、４０…接着剤、６０…コネクタケース、６３
…チップ収納用凹部、６４…チップ収納用凹部の底面、
６５…ターミナル、６６…コネクタケースの薄肉部、９
０…プレート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 康利 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 2F055 AA22 BB20 CC02 DD05 EE13 FF01 FF11 GG01 GG12 GG25 4M112 AA01 BA01 CA13 CA16 DA18 EA02 EA13 EA14 FA04 FA11 GA01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体よりなり、外力が印加されたとき
    歪みを発生するとともに該歪みに基づく電気信号を出力
    するセンサ素子（１０）と、 前記電気信号を外部に出力可能な形態で一面（２０ａ）
    側に前記センサ素子が搭載されたリードフレーム（２
    ０）と、 樹脂材料よりなり、前記リードフレームを支持するパッ
    ケージ部材（３０）とを備える半導体歪みセンサにおい
    て、 前記リードフレームの他面（２０ｂ）のうち前記センサ
    素子の搭載領域に対応する部位の少なくとも一部と、前
    記パッケージ部材とは、前記パッケージ部材に形成され
    た空間部（３１〜３５）を介して非接触状態になってい
    ることを特徴とする半導体歪みセンサ。
  2. 【請求項２】 前記空間部（３１〜３５）は、前記リー
    ドフレーム（２０）の前記他面（２０ｂ）のうち前記セ
    ンサ素子（１０）の搭載領域に対応する部位の全域と、
    前記パッケージ部材（３０）とが非接触状態になるよう
    に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半
    導体歪みセンサ。
  3. 【請求項３】 前記センサ素子（１０）は接着剤（４
    ０）を介して前記リードフレーム（２０）に接着されて
    おり、この接着剤は、ヤング率が１０ＭＰａ以下の樹脂
    接着剤よりなることを特徴とする請求項１または２に記
    載の半導体歪みセンサ。
  4. 【請求項４】 前記センサ素子（１０）、前記リードフ
    レーム（２０）及び前記パッケージ部材（３０）におけ
    る熱膨張係数の関係は、前記センサ素子、前記リードフ
    レーム、前記パッケージ部材の順に大きくなっているこ
    とを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載
    の半導体歪みセンサ。
  5. 【請求項５】 前記リードフレーム（２０）は４２アロ
    イよりなり、前記パッケージ部材（３０）はエポキシ系
    樹脂よりなることを特徴とする請求項４に記載の半導体
    歪みセンサ。
  6. 【請求項６】 樹脂よりなるパッケージ部材（６０）
    と、 このパッケージ部材に収納され、半導体よりなり、外力
    が印加されたとき歪みを発生するとともに該歪みに基づ
    く電気信号を出力するセンサ素子（８０）とを備える半
    導体歪みセンサにおいて、 前記センサ素子は、前記パッケージ部材を構成する樹脂
    材料よりも熱膨張係数が前記センサ素子に近い材料より
    なる素子搭載用部材（９０）を介して、前記パッケージ
    部材に搭載されていることを特徴とする半導体歪みセン
    サ。
  7. 【請求項７】 前記パッケージ部材（６０）において、
    前記センサ素子（８０）の搭載領域に対応する部位は、
    他の部位よりも薄肉化された薄肉部（６６）となってい
    ることを特徴とする請求項６に記載の半導体歪みセン
    サ。
  8. 【請求項８】 前記パッケージ部材（６０）には、前記
    センサ素子（８０）の前記電気信号を外部に出力可能な
    信号出力用部材（６５）が一体に形成されており、 前記素子搭載用部材（９０）は、この信号出力用部材と
    同一部材よりなるものであることを特徴とする請求項６
    または７に記載の半導体歪みセンサ。
  9. 【請求項９】 前記信号出力用部材（６５）は、前記パ
    ッケージ部材（６０）の内面に設けられて前記センサ素
    子（８０）とワイヤボンディングされており、 前記パッケージ部材における前記信号出力用部材が設け
    られている内面の周囲には、該内面より凹んだ凹部（６
    ３）が形成されており、 この凹部の底面（６４）に前記素子搭載用部材（９０）
    が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の半
    導体歪みセンサ。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002310827A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Denso Corp 圧力センサ
JP2005265587A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Favess Co Ltd トルク検出装置
JP2008002994A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Denso Corp 半導体式圧力センサおよびその製造方法
JP2008070230A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Hitachi Ltd 物理量検出装置
JP2009036639A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Denso Corp センサ装置
JP2009052988A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 圧力センサ
JP2012150121A (ja) * 2012-03-12 2012-08-09 Panasonic Corp 圧力センサ
JP2013512422A (ja) * 2009-11-26 2013-04-11 コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法
US8796572B2 (en) 2009-07-14 2014-08-05 Mitsubishi Electric Corporation Vehicle condition detection device and method for manufacturing the same
JP2016045049A (ja) * 2014-08-21 2016-04-04 株式会社テージーケー 圧力センサモジュール及び圧力センサモジュールの製造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10134586A1 (de) * 2001-07-17 2003-02-06 Siemens Ag Sensoreinrichtung zum Erfassen einer Dehnungsbeanspruchung
JP2004340891A (ja) * 2003-05-19 2004-12-02 Mitsubishi Electric Corp 圧力センサ装置
DE10331967A1 (de) * 2003-07-15 2005-02-03 Robert Bosch Gmbh Sensoreinrichtung
US20050123783A1 (en) * 2003-07-31 2005-06-09 Gregory Otto J. Composite used for thermal spray instrumentation and method for making the same
US20050115329A1 (en) * 2003-10-23 2005-06-02 Gregory Otto J. High temperature strain gages
WO2005112140A2 (en) * 2004-04-12 2005-11-24 The Board Of Governors For Higher Education, State Of Rhode Island And Providence Plantations Thin film ceramic thermocouples
DE102004058815A1 (de) * 2004-12-07 2006-06-08 Robert Bosch Gmbh Chipmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4683618B2 (ja) * 2005-02-10 2011-05-18 キヤノンアネルバ株式会社 隔膜型圧力センサ及びその製造方法
KR100708989B1 (ko) * 2005-08-02 2007-04-18 미츠비시덴키 가부시키가이샤 반도체 압력 센서
JP4249193B2 (ja) * 2006-02-20 2009-04-02 三菱電機株式会社 半導体圧力センサ装置
JP4699418B2 (ja) * 2007-04-19 2011-06-08 株式会社デンソー 圧力センサ
US8191426B2 (en) * 2007-06-05 2012-06-05 Board Of Governors For Higher Education, State Of Rhode Island And Providence Plantations Low TCR nanocomposite strain gages
EP2090873B1 (en) * 2008-02-14 2011-06-01 Elmos Advanced Packaging B.V. Integrated circuit package
DE102012215285A1 (de) * 2012-08-29 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse, elektronische Baugruppe, Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Baugruppe
FR3000205B1 (fr) * 2012-12-21 2015-07-31 Michelin & Cie Capteur de pression perfectionne a boitier etanche
ITUB20154017A1 (it) * 2015-09-30 2017-03-30 St Microelectronics Srl Dispositivo incapsulato di materiale semiconduttore a ridotta sensibilita' nei confronti di stress termo-meccanici
JP6315025B2 (ja) * 2016-04-26 2018-04-25 株式会社デンソー 物理量センサおよびその製造方法
JP2021071305A (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 ミネベアミツミ株式会社 力覚センサ装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04258176A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
JPH05172674A (ja) 1991-11-26 1993-07-09 Hitachi Ltd 検出装置
US5333505A (en) * 1992-01-13 1994-08-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor pressure sensor for use at high temperature and pressure and method of manufacturing same
AU5417096A (en) * 1995-02-24 1996-09-11 Lucas Novasensor Pressure sensor with transducer mounted on a metal base
JPH0961271A (ja) * 1995-08-29 1997-03-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体式センサ及びその製造方法
US5948991A (en) * 1996-12-09 1999-09-07 Denso Corporation Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip
JPH10197374A (ja) 1997-01-14 1998-07-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体センサ
JPH1123613A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Tokai Rika Co Ltd ダイアフラム式センサチップを利用したセンサ
JPH1130559A (ja) * 1997-07-10 1999-02-02 Fuji Koki Corp 圧力センサ
US5986316A (en) 1997-11-26 1999-11-16 Denso Corporation Semiconductor type physical quantity sensor

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002310827A (ja) * 2001-04-11 2002-10-23 Denso Corp 圧力センサ
JP2005265587A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Favess Co Ltd トルク検出装置
JP4656851B2 (ja) * 2004-03-18 2011-03-23 株式会社ジェイテクト トルク検出装置
JP2008002994A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Denso Corp 半導体式圧力センサおよびその製造方法
JP2008070230A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Hitachi Ltd 物理量検出装置
JP2009036639A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Denso Corp センサ装置
JP2009052988A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Panasonic Electric Works Co Ltd 圧力センサ
US8796572B2 (en) 2009-07-14 2014-08-05 Mitsubishi Electric Corporation Vehicle condition detection device and method for manufacturing the same
JP2013512422A (ja) * 2009-11-26 2013-04-11 コンチネンタル オートモーティヴ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング センサモジュールおよびセンサモジュールの製造方法
JP2012150121A (ja) * 2012-03-12 2012-08-09 Panasonic Corp 圧力センサ
JP2016045049A (ja) * 2014-08-21 2016-04-04 株式会社テージーケー 圧力センサモジュール及び圧力センサモジュールの製造方法

Also Published As

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