JP2002039887A - 半導体力学量センサおよびその製造方法 - Google Patents

半導体力学量センサおよびその製造方法

Info

Publication number
JP2002039887A
JP2002039887A JP2000224094A JP2000224094A JP2002039887A JP 2002039887 A JP2002039887 A JP 2002039887A JP 2000224094 A JP2000224094 A JP 2000224094A JP 2000224094 A JP2000224094 A JP 2000224094A JP 2002039887 A JP2002039887 A JP 2002039887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
sensor chip
sensor
fixed
gel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000224094A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaaki Tanaka
昌明 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2000224094A priority Critical patent/JP2002039887A/ja
Publication of JP2002039887A publication Critical patent/JP2002039887A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 センサチップをパッケージ内に固定する圧力
センサにおいて、接着剤に起因する不具合の発生を防止
する。 【解決手段】 センサチップ11をパッケージ10内に
固定した半導体力学量センサであって、パッケージ内に
はセンサチップ全体を覆うようにゲル15を充填し、セ
ンサチップはパッケージから離間して固定する。これに
より、センサチップ11をパッケージ10内に固定する
際に、接着剤を用いることなくパッケージ10から遊離
させた状態で固定することができ、接着剤に起因する不
良発生を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、センサチップをハ
ウジング内に配置する半導体力学量センサおよびその製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体圧力センサにおいて、接着
剤によりセンサチップをパッケージ内に固定するように
したものがある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】接着剤の種類は多種多
様であり、それぞれ硬化条件も異なる。このため、接着
剤の硬化不良によるセンサチップのはがれ、あるいは接
着剤の硬化収縮時に発生する応力による圧力センサの特
性不良や精度低下が生ずるといった問題がある。
【0004】本発明は、上記問題点に鑑み、センサチッ
プをパッケージ内に固定する圧力センサにおいて、接着
剤に起因する不具合の発生を防止することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明では、センサチップ(11)
をパッケージ(10)内に固定した半導体力学量センサ
であって、パッケージ内にはセンサチップ全体を覆うよ
うにゲル(15)が充填されており、センサチップはパ
ッケージから離間して配置されていることを特徴として
いる。
【0006】これにより、センサチップ(11)をパッ
ケージ(10)内に固定する際に、接着剤を用いること
なくパッケージ(10)から遊離させた状態で固定する
ことができ、接着剤に起因する不良発生を防止すること
ができる。
【0007】また、請求項2に記載の発明では、センサ
チップ(11)をパッケージ(10)内に固定した半導
体圧力センサを製造する方法であって、パッケージ内に
センサチップを仮固定する工程と、パッケージ内にセン
サチップ全体を覆うようにゲル(15)を充填する工程
とを備えることを特徴としている。
【0008】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すも
のである。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した実施形態
について図1、図2に基づいて説明する。図1は半導体
圧力センサ(半導体力学量センサ)の断面構成を示し、
図2は半導体圧力センサの製造工程を示している。
【0010】図1に示すように、本実施形態の半導体圧
力センサは、パッケージ10内にセンサチップ11が固
定されている。センサチップ11は、パッケージ10と
は接触していない遊離状態でゲル15によって固定され
ている。パッケージ10には、ワイヤボンディング時に
センサチップ11を真空吸引して仮固定するための吸引
口10aが形成されている。吸引口10aは、エキスパ
ンダ14にてシールされている。
【0011】センサチップ11は、シリコン基板を用い
て構成されている。センサチップ11には、図示しない
ダイヤフラム、ピエゾ抵抗、配線が設けられている。配
線からワイヤ13にて、外部回路と電気的に接続されて
いる。センサチップ11では、圧力測定媒体の圧力によ
るダイヤフラムの変位に応じてピエゾ抵抗の抵抗値が変
化し、圧力測定媒体の圧力を検出することができる。
【0012】センサチップ11は、圧力測定特性を安定
させるために補助部材である台座12に固定されてい
る。台座12はガラスから構成されており、陽極接合法
によりセンサチップ11と接合されている。
【0013】パッケージ10の内部には、センサチップ
11全体およびワイヤ13を覆うようにゲル15が充填
されている。ゲル15としては、シリコン系ゲルやフロ
ロシリコン系ゲルを用いることができる。ゲル15は、
センサチップ11をパッケージ10内に固定するととも
に、センサチップ11およびワイヤ13の保護も兼ねて
いる。
【0014】上記構成の半導体圧力センサでは、図1中
上方より圧力測定媒体からの圧力をゲル15表面に受け
ると、ゲル15を介して圧力がセンサチップ11に伝わ
る。センサチップ11では図示しないダイヤフラム、ピ
エゾ抵抗により圧力が電気信号に変換され、ワイヤ13
を介して外部に出力される。
【0015】以下、上記構成の半導体圧力センサの製造
方法について図2に基づいて説明する。まず、台座12
に接合されたセンサチップ11を用意し、これをパッケ
ージ10に形成された吸引口10aから真空吸引するこ
とで、パッケージ10内の底面に仮固定する(図2
(a))。この仮固定された状態で、ワイヤボンディン
グが行われる(図2(b))。
【0016】ワイヤボンディング終了後、吸引口10a
からセンサチップ11の吸引を解除するとともに、吸引
口10aをエキスパンダ14によりシールする(図2
(c))。このときセンサチップ11は、ワイヤ13の
みでパッケージ10内に固定されている。センサチップ
11は、吸引解除されるとワイヤ13の弾性によりパッ
ケージ10の底面から浮き上がり、センサチップ11と
パッケージ10底面との間に隙間が形成され、センサチ
ップ11は遊離状態となる。
【0017】次に、パッケージ10内にゲル15が注入
(塗布)される(図2(d))。このとき、ゲル15に
よってワイヤ13を切断しないように、ゲル15はゆっ
くりと充填される。ゲル15は、センサチップ11およ
びワイヤ13を覆うまで注入される。その後、ゲル15
を硬化させて半導体圧力センサが完成する。
【0018】以上、本実施形態の半導体圧力センサの構
成であれば、センサチップ11をパッケージ10内に固
定する際、接着剤を用いることなくゲル15によってパ
ッケージ10から遊離させた状態で固定しているので、
接着剤に起因する不良発生を防止することができる。
【0019】(他の実施形態)なお、上記実施形態で
は、本発明を半導体圧力センサに適用したが、これに限
らず、センサチップをパッケージに固定する力学量セン
サであれば適用でき、例えば同様の構成を有する加速度
センサにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】上記実施形態の力学量センサの断面図である。
【図2】図1の力学量センサの製造方法を示す工程図で
ある。
【符号の説明】
10…パッケージ、11…センサチップ、12…台座、
13…ワイヤ、14…エキスパンダ、15…ゲル。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 センサチップ(11)をパッケージ(1
    0)内に固定した半導体力学量センサであって、 前記パッケージ内には前記センサチップ全体を覆うよう
    にゲル(15)が充填されており、前記センサチップは
    前記パッケージから離間して配置されていることを特徴
    とする半導体力学量センサ。
  2. 【請求項2】 センサチップ(11)をパッケージ(1
    0)内に固定した半導体圧力センサを製造する方法であ
    って、 前記パッケージ内に前記センサチップを仮固定する工程
    と、 前記パッケージ内に前記センサチップ全体を覆うように
    ゲル(15)を充填する工程とを備えることを特徴とす
    る半導体圧力センサの製造方法。
JP2000224094A 2000-07-25 2000-07-25 半導体力学量センサおよびその製造方法 Pending JP2002039887A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000224094A JP2002039887A (ja) 2000-07-25 2000-07-25 半導体力学量センサおよびその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000224094A JP2002039887A (ja) 2000-07-25 2000-07-25 半導体力学量センサおよびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002039887A true JP2002039887A (ja) 2002-02-06

Family

ID=18718112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000224094A Pending JP2002039887A (ja) 2000-07-25 2000-07-25 半導体力学量センサおよびその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002039887A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006011753A1 (de) * 2006-03-13 2007-09-20 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Sensorgehäuse und Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2009031541A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Alps Electric Co., Ltd. 素子実装モジュール及びその製造方法
JP2009537802A (ja) * 2006-05-16 2009-10-29 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 振動の入力が低減されたチップケーシング
US7749797B2 (en) 2004-09-07 2010-07-06 Infineon Technologies Ag Semiconductor device having a sensor chip, and method for producing the same
JP2016003994A (ja) * 2014-06-18 2016-01-12 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、高度計、電子機器および移動体
JP2018048965A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7749797B2 (en) 2004-09-07 2010-07-06 Infineon Technologies Ag Semiconductor device having a sensor chip, and method for producing the same
DE102006011753A1 (de) * 2006-03-13 2007-09-20 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Sensorgehäuse und Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben
US7964954B2 (en) 2006-03-13 2011-06-21 Infineon Technologies Ag Integrated circuit having a semiconductor sensor device with embedded column-like spacers
DE102006011753B4 (de) * 2006-03-13 2021-01-28 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil, Verfahren zur Herstellung eines Nutzens und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersensorbauteilen
JP2009537802A (ja) * 2006-05-16 2009-10-29 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 振動の入力が低減されたチップケーシング
WO2009031541A1 (ja) * 2007-09-06 2009-03-12 Alps Electric Co., Ltd. 素子実装モジュール及びその製造方法
JP2016003994A (ja) * 2014-06-18 2016-01-12 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、高度計、電子機器および移動体
JP2018048965A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ
WO2018055953A1 (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社鷺宮製作所 圧力センサ
CN109716087A (zh) * 2016-09-23 2019-05-03 株式会社鹭宫制作所 压力传感器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4165360B2 (ja) 力学量センサ
US9986354B2 (en) Pre-mold for a microphone assembly and method of producing the same
JP2000356561A (ja) 半導体歪みセンサ
JPH0875580A (ja) 半導体圧力センサ
JP2005210131A (ja) 半導体チップをパッケージングする方法および半導体チップ構造
JPH05291590A (ja) 半導体圧力センサ
JPH10170380A (ja) 半導体センサ装置
JPH11295172A (ja) 半導体圧力センサ
US5828116A (en) Semiconductor device with bonded wires
US5444286A (en) Packaged semiconductor pressure sensor including lead supports within the package
JP2002039887A (ja) 半導体力学量センサおよびその製造方法
JPH11126865A (ja) 半導体素子および製造方法
CN110945645B (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
JP4269487B2 (ja) 圧力センサの製造方法
JPH10274583A (ja) 半導体圧力センサ
CN216559442U (zh) 低封装应力的mems压阻式压力传感器芯片
JPH10332505A (ja) 半導体圧力センサ
JPH08114622A (ja) フルモールド実装型加速度センサ
JP2695643B2 (ja) 圧力センサユニットの製造方法
JP3593397B2 (ja) 半導体圧力センサ
JPH10209469A (ja) 半導体圧力センサ
JPH10132677A (ja) 圧力センサ
JPH09189629A (ja) 絶対圧センサ
JPH10274582A (ja) 半導体圧力センサ
JPH10274584A (ja) 半導体圧力センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060906

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20081119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081202

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090108

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090310