JPH10209469A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH10209469A JPH10209469A JP1355897A JP1355897A JPH10209469A JP H10209469 A JPH10209469 A JP H10209469A JP 1355897 A JP1355897 A JP 1355897A JP 1355897 A JP1355897 A JP 1355897A JP H10209469 A JPH10209469 A JP H10209469A
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- semiconductor
- semiconductor pressure
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化を可能とした半導体圧力センサを提供
する。 【解決手段】 半導体シリコン基板にダイアフラム１１
となる薄肉部と支持部１４となる厚肉部を形成し、ダイ
アフラム１１の表面側にピエゾ抵抗１２及び表面電極１
３を形成してなる半導体圧力センサチップ１と、外部回
路を形成した基板８とを有し、半導体圧力センサチップ
１の表面電極１３と基板８の電極８２とをボンディング
ワイヤ４で接続してなる半導体圧力センサにおいて、圧
力導入部７１とフランジ部７２とを有する圧力導入管７
を、フランジ部７２の裏面と支持部１４の下面とを接合
することにより装着し、基板８には、圧力導入部７１が
挿入できる挿入孔８１を形成し、圧力導入部７１を挿入
孔８１に挿入し、フランジ部７２の表面と基板８の表面
とを接合するようにし、圧力導入部７１を介して、ダイ
アフラム１１に圧力が導入されるようにした。
する。 【解決手段】 半導体シリコン基板にダイアフラム１１
となる薄肉部と支持部１４となる厚肉部を形成し、ダイ
アフラム１１の表面側にピエゾ抵抗１２及び表面電極１
３を形成してなる半導体圧力センサチップ１と、外部回
路を形成した基板８とを有し、半導体圧力センサチップ
１の表面電極１３と基板８の電極８２とをボンディング
ワイヤ４で接続してなる半導体圧力センサにおいて、圧
力導入部７１とフランジ部７２とを有する圧力導入管７
を、フランジ部７２の裏面と支持部１４の下面とを接合
することにより装着し、基板８には、圧力導入部７１が
挿入できる挿入孔８１を形成し、圧力導入部７１を挿入
孔８１に挿入し、フランジ部７２の表面と基板８の表面
とを接合するようにし、圧力導入部７１を介して、ダイ
アフラム１１に圧力が導入されるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板にダイ
アフラムを形成してなる半導体圧力センサに関するもの
である。
アフラムを形成してなる半導体圧力センサに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体圧力センサは、検知したい圧力を
シリコン薄膜で構成されたダイアフラムのシリコン薄膜
に歪みとして伝え、ダイアフラム上に形成されたピエゾ
抵抗の抵抗値を変化させ、この変化を電気信号として検
出することにより、圧力を検出するものである。
シリコン薄膜で構成されたダイアフラムのシリコン薄膜
に歪みとして伝え、ダイアフラム上に形成されたピエゾ
抵抗の抵抗値を変化させ、この変化を電気信号として検
出することにより、圧力を検出するものである。
【０００３】この種の半導体圧力センサは、図２（ａ）
に示すように、半導体シリコン基板の裏面側をエッチン
グすることによりダイアフラムを形成してなした半導体
センサチップ１を、台座２を介して、圧力導入管３１を
有する専用のパッケージ３に接着材２１によりダイボン
ドし、半導体センサチップ１の表面電極とパッケージ３
のパッド間をボンディングワイヤ４により接続する。さ
らに、半導体センサチップ１の上にゲル状の樹脂である
レジン５を塗布し、パッケージ３に蓋３２をする。ま
た、パッケージ３は、両側に端子３３を設けたＤＩＬ
（Ｄｕａｌ−Ｉｎ−Ｌｉｎｅ）タイプであり、図２
（ｂ）のように、半導体圧力センサの駆動や制御を行う
外部回路を実装した基板６に半田６１により実装するこ
とで、半導体圧力センサが構成される。
に示すように、半導体シリコン基板の裏面側をエッチン
グすることによりダイアフラムを形成してなした半導体
センサチップ１を、台座２を介して、圧力導入管３１を
有する専用のパッケージ３に接着材２１によりダイボン
ドし、半導体センサチップ１の表面電極とパッケージ３
のパッド間をボンディングワイヤ４により接続する。さ
らに、半導体センサチップ１の上にゲル状の樹脂である
レジン５を塗布し、パッケージ３に蓋３２をする。ま
た、パッケージ３は、両側に端子３３を設けたＤＩＬ
（Ｄｕａｌ−Ｉｎ−Ｌｉｎｅ）タイプであり、図２
（ｂ）のように、半導体圧力センサの駆動や制御を行う
外部回路を実装した基板６に半田６１により実装するこ
とで、半導体圧力センサが構成される。
【０００４】なお、図２（ｂ）の例では、圧力導入管３
１と端子３３とが逆方向を向いているが、同方向を向く
ような構成のものもある。
１と端子３３とが逆方向を向いているが、同方向を向く
ような構成のものもある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような半導体圧力センサにあっては、パッケージ３の大
きさによりセンサ全体の大きさが支配され、外部回路の
部品のレイアウトにしか自由度がないので、小型化でき
るサイズに限界があった。
ような半導体圧力センサにあっては、パッケージ３の大
きさによりセンサ全体の大きさが支配され、外部回路の
部品のレイアウトにしか自由度がないので、小型化でき
るサイズに限界があった。
【０００６】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、小型化を可能とした半
導体圧力センサを提供することにある。
あり、その目的とするところは、小型化を可能とした半
導体圧力センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体圧
力センサは、半導体シリコン基板にダイアフラムとなる
薄肉部と支持部となる厚肉部を形成し、該ダイアフラム
の表面側にピエゾ抵抗及び表面電極を形成してなる半導
体圧力センサチップと、外部回路を形成した基板とを有
し、前記半導体圧力センサチップの表面電極と前記基板
の電極とをボンディングワイヤで接続してなる半導体圧
力センサにおいて、圧力導入部とフランジ部とを有する
圧力導入管を、前記フランジ部の裏面と前記支持部の下
面とを接合することにより装着し、前記基板には、前記
圧力導入部が挿入できる挿入孔を形成し、前記圧力導入
部を前記挿入孔に挿入し、前記フランジ部の表面と前記
基板の表面とを接合するようにし、前記圧力導入部を介
して、前記ダイアフラムに圧力が導入されるようにした
ことを特徴とするものである。
力センサは、半導体シリコン基板にダイアフラムとなる
薄肉部と支持部となる厚肉部を形成し、該ダイアフラム
の表面側にピエゾ抵抗及び表面電極を形成してなる半導
体圧力センサチップと、外部回路を形成した基板とを有
し、前記半導体圧力センサチップの表面電極と前記基板
の電極とをボンディングワイヤで接続してなる半導体圧
力センサにおいて、圧力導入部とフランジ部とを有する
圧力導入管を、前記フランジ部の裏面と前記支持部の下
面とを接合することにより装着し、前記基板には、前記
圧力導入部が挿入できる挿入孔を形成し、前記圧力導入
部を前記挿入孔に挿入し、前記フランジ部の表面と前記
基板の表面とを接合するようにし、前記圧力導入部を介
して、前記ダイアフラムに圧力が導入されるようにした
ことを特徴とするものである。
【０００８】請求項２記載の半導体圧力センサは、請求
項１記載の発明において、前記圧力導入管をプラスチッ
クにより形成し、前記圧力導入管のフランジ部の裏面と
前記半導体圧力センサチップの支持部の下面とを接着材
により接着したことを特徴とするものである。
項１記載の発明において、前記圧力導入管をプラスチッ
クにより形成し、前記圧力導入管のフランジ部の裏面と
前記半導体圧力センサチップの支持部の下面とを接着材
により接着したことを特徴とするものである。
【０００９】請求項３記載の半導体圧力センサは、請求
項１記載の発明において、前記圧力導入管をガラスによ
り形成し、前記圧力導入管のフランジ部の裏面と前記半
導体圧力センサチップの支持部の下面とを陽極接合させ
たことを特徴とするものである。
項１記載の発明において、前記圧力導入管をガラスによ
り形成し、前記圧力導入管のフランジ部の裏面と前記半
導体圧力センサチップの支持部の下面とを陽極接合させ
たことを特徴とするものである。
【００１０】請求項４記載の半導体圧力センサは、請求
項１乃至請求項３記載の発明において、前記基板の表面
側において、前記半導体圧力センサチップ及びボンディ
ングワイヤを覆うようにゲル状樹脂を塗布したことを特
徴とするものである。
項１乃至請求項３記載の発明において、前記基板の表面
側において、前記半導体圧力センサチップ及びボンディ
ングワイヤを覆うようにゲル状樹脂を塗布したことを特
徴とするものである。
【００１１】請求項５記載の半導体圧力センサは、請求
項１乃至請求項３記載の発明において、１端部の開口が
前記半導体圧力センサチップの表面電極の内側で且つ前
記ダイアフラムより外側となるように形成された基準圧
力導入管を前記半導体圧力センサチップの表面側に装着
し、基準圧力が前記基準圧力導入管を介して前記ダイア
フラムに印加されるようにするとともに、前記基準圧力
導入管の他端部が埋もれず、前記半導体圧力センサチッ
プ及びボンディングワイヤを覆うように熱硬化性樹脂を
塗布したことを特徴とするものである。て、
項１乃至請求項３記載の発明において、１端部の開口が
前記半導体圧力センサチップの表面電極の内側で且つ前
記ダイアフラムより外側となるように形成された基準圧
力導入管を前記半導体圧力センサチップの表面側に装着
し、基準圧力が前記基準圧力導入管を介して前記ダイア
フラムに印加されるようにするとともに、前記基準圧力
導入管の他端部が埋もれず、前記半導体圧力センサチッ
プ及びボンディングワイヤを覆うように熱硬化性樹脂を
塗布したことを特徴とするものである。て、
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係る半導体圧力センサの製造方法を示す製造工
程図であり、図１（ｆ）には完成した半導体圧力センサ
が示される。
を図面に基づき説明する。図１は、本発明の実施の形態
の一例に係る半導体圧力センサの製造方法を示す製造工
程図であり、図１（ｆ）には完成した半導体圧力センサ
が示される。
【００１３】本実施形態の半導体圧力センサの製造方法
は、まず、図１（ａ）に示すように、半導体シリコン基
板の裏面を異方性エッチングすることにより、数〜数十
μｍの厚さの薄肉部を形成しダイアフラム１１とし、表
面側には、ピエゾ抵抗となる熱拡散層１２及び表面電極
１３を形成することにより、半導体圧力センサチップ１
を形成する。なお、半導体シリコン基板の厚肉部は支持
部１４となる。
は、まず、図１（ａ）に示すように、半導体シリコン基
板の裏面を異方性エッチングすることにより、数〜数十
μｍの厚さの薄肉部を形成しダイアフラム１１とし、表
面側には、ピエゾ抵抗となる熱拡散層１２及び表面電極
１３を形成することにより、半導体圧力センサチップ１
を形成する。なお、半導体シリコン基板の厚肉部は支持
部１４となる。
【００１４】次に、図１（ｂ）に示すように、圧力導入
部７１とフランジ部７２とを有する圧力導入管７を、フ
ランジ部７２の裏面と半導体圧力センサチップ１の支持
部１４の下面１５とを接合することにより、半導体圧力
センサチップ１に装着する。フランジ部７２の大きさは
半導体圧力センサチップ１の寸法と同程度の大きさを有
する。ここで、圧力導入管７をプラスチックで形成した
場合には、圧力導入部７１と半導体圧力センサチップ１
との前記接合は、接着材により行い、圧力導入管７をガ
ラスで形成した場合には、圧力導入部７１と半導体圧力
センサチップ１との前記接合は、陽極接合による共有結
合にて行う。なお、圧力導入部７１には、圧力を導入す
るための導入孔７３が形成されており、導入孔７３を介
してダイアフラム１１に圧力が導入されるようになって
いる。
部７１とフランジ部７２とを有する圧力導入管７を、フ
ランジ部７２の裏面と半導体圧力センサチップ１の支持
部１４の下面１５とを接合することにより、半導体圧力
センサチップ１に装着する。フランジ部７２の大きさは
半導体圧力センサチップ１の寸法と同程度の大きさを有
する。ここで、圧力導入管７をプラスチックで形成した
場合には、圧力導入部７１と半導体圧力センサチップ１
との前記接合は、接着材により行い、圧力導入管７をガ
ラスで形成した場合には、圧力導入部７１と半導体圧力
センサチップ１との前記接合は、陽極接合による共有結
合にて行う。なお、圧力導入部７１には、圧力を導入す
るための導入孔７３が形成されており、導入孔７３を介
してダイアフラム１１に圧力が導入されるようになって
いる。
【００１５】次に、図１（ｃ）に示すように、圧力導入
部７１が挿入できる挿入孔８１を有する外部回路用の基
板８を形成し、挿入孔８１に圧力導入部７１を挿入し、
基板８の表面とフランジ部７２の表面７４とを接着材７
５により接着する。
部７１が挿入できる挿入孔８１を有する外部回路用の基
板８を形成し、挿入孔８１に圧力導入部７１を挿入し、
基板８の表面とフランジ部７２の表面７４とを接着材７
５により接着する。
【００１６】次に、図１（ｄ）に示すように、１端部の
開口９１が半導体圧力センサチップ１の表面電極１３の
内側で且つダイアフラム１１より外側となるように形成
された基準圧力導入管９を表面電極１３に当たらないよ
うに半導体圧力センサチップ１の表面側に装着する。基
準圧力導入管９は、基準圧力（例えば、大気圧）が基準
圧力導入管９を介してダイアフラム１１に印加されるよ
うにするためのものである。基準圧力導入管９は例えば
プラスチック製でよい。次に、図１（ｅ）に示すよう
に、基板８上のパッド（電極）８２と半導体圧力センサ
チップ１上の表面電極１３とを金製のボンディングワイ
ヤ４で接続する。
開口９１が半導体圧力センサチップ１の表面電極１３の
内側で且つダイアフラム１１より外側となるように形成
された基準圧力導入管９を表面電極１３に当たらないよ
うに半導体圧力センサチップ１の表面側に装着する。基
準圧力導入管９は、基準圧力（例えば、大気圧）が基準
圧力導入管９を介してダイアフラム１１に印加されるよ
うにするためのものである。基準圧力導入管９は例えば
プラスチック製でよい。次に、図１（ｅ）に示すよう
に、基板８上のパッド（電極）８２と半導体圧力センサ
チップ１上の表面電極１３とを金製のボンディングワイ
ヤ４で接続する。
【００１７】次に、図１（ｆ）に示すように、半導体圧
力センサチップ１の表面電極１３や基板８上のパッド８
２及びボンディングワイヤ４を湿気等から保護するため
に、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂１０を半導体圧力セ
ンサチップ１とボンディングワイヤ４を覆うように載せ
る。ここで、熱硬化性樹脂１０は、基準圧を導入するた
めの基準圧力導入管９の開放端９２が塞がらないように
しておく。半導体圧力センサチップ１を硬い熱硬化性樹
脂１０で覆うようにしても、基準圧力導入管９により、
ダイアフラム１１の表面側が大気圧等の基準圧に保たれ
るので、ダイアフラム１１の裏面に圧力が印加された場
合に、熱硬化性樹脂１０がダイアフラム１１の歪みに影
響を及ぼすことはない。
力センサチップ１の表面電極１３や基板８上のパッド８
２及びボンディングワイヤ４を湿気等から保護するため
に、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂１０を半導体圧力セ
ンサチップ１とボンディングワイヤ４を覆うように載せ
る。ここで、熱硬化性樹脂１０は、基準圧を導入するた
めの基準圧力導入管９の開放端９２が塞がらないように
しておく。半導体圧力センサチップ１を硬い熱硬化性樹
脂１０で覆うようにしても、基準圧力導入管９により、
ダイアフラム１１の表面側が大気圧等の基準圧に保たれ
るので、ダイアフラム１１の裏面に圧力が印加された場
合に、熱硬化性樹脂１０がダイアフラム１１の歪みに影
響を及ぼすことはない。
【００１８】なお、本実施形態では、基準圧力導入管９
を用いることにより、半導体圧力センサチップ１を硬い
熱硬化性樹脂１０で覆うようにしても、熱硬化性樹脂１
０がダイアフラム１１の歪みに影響を及ぼすことはない
ようにしたが、熱硬化性樹脂１０の替わりに、ゲル状の
レジンを使用すれば、基準圧力導入管９をなくして、レ
ジンが半導体圧力センサチップ１の表面を直接覆って
も、ダイアフラム１１の裏面に圧力が印加された場合
に、ダイアフラム１１の歪みへの影響を小さくすること
ができる。
を用いることにより、半導体圧力センサチップ１を硬い
熱硬化性樹脂１０で覆うようにしても、熱硬化性樹脂１
０がダイアフラム１１の歪みに影響を及ぼすことはない
ようにしたが、熱硬化性樹脂１０の替わりに、ゲル状の
レジンを使用すれば、基準圧力導入管９をなくして、レ
ジンが半導体圧力センサチップ１の表面を直接覆って
も、ダイアフラム１１の裏面に圧力が印加された場合
に、ダイアフラム１１の歪みへの影響を小さくすること
ができる。
【００１９】以上の実施形態によれば、半導体圧力セン
サチップ１と同サイズのフランジ部７２を有する圧力導
入管７のフランジ部７２の裏面に半導体圧力センサチッ
プ１の支持部１４の下面１５を接合し、さらに、圧力導
入部７１を基板８の挿入孔８１に挿入し、フランジ部７
２と基板８とを接合するようにしたので、従来例として
示した圧力導入管３１を有したパッケージ３を使用する
場合と比較して、半導体圧力センサチップ１より大きな
形状となるパッケージ３を使用する必要がなくなり、半
導体圧力センサ全体を小型化できるのである。
サチップ１と同サイズのフランジ部７２を有する圧力導
入管７のフランジ部７２の裏面に半導体圧力センサチッ
プ１の支持部１４の下面１５を接合し、さらに、圧力導
入部７１を基板８の挿入孔８１に挿入し、フランジ部７
２と基板８とを接合するようにしたので、従来例として
示した圧力導入管３１を有したパッケージ３を使用する
場合と比較して、半導体圧力センサチップ１より大きな
形状となるパッケージ３を使用する必要がなくなり、半
導体圧力センサ全体を小型化できるのである。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、請求項１乃至請求項３記
載の発明によれば、半導体シリコン基板にダイアフラム
となる薄肉部と支持部となる厚肉部を形成し、該ダイア
フラムの表面側にピエゾ抵抗及び表面電極を形成してな
る半導体圧力センサチップと、外部回路を形成した基板
とを有し、前記半導体圧力センサチップの表面電極と前
記基板の電極とをボンディングワイヤで接続してなる半
導体圧力センサにおいて、圧力導入部とフランジ部とを
有する圧力導入管を、前記フランジ部の裏面と前記支持
部の下面とを接合することにより装着し、前記基板に
は、前記圧力導入部が挿入できる挿入孔を形成し、前記
圧力導入部を前記挿入孔に挿入し、前記フランジ部の表
面と前記基板の表面とを接合するようにし、前記圧力導
入部を介して、前記ダイアフラムに圧力が導入されるよ
うにしたので、半導体圧力センサチップの基板への実装
面積が低減でき、小型化を可能とした半導体圧力センサ
が提供できた。
載の発明によれば、半導体シリコン基板にダイアフラム
となる薄肉部と支持部となる厚肉部を形成し、該ダイア
フラムの表面側にピエゾ抵抗及び表面電極を形成してな
る半導体圧力センサチップと、外部回路を形成した基板
とを有し、前記半導体圧力センサチップの表面電極と前
記基板の電極とをボンディングワイヤで接続してなる半
導体圧力センサにおいて、圧力導入部とフランジ部とを
有する圧力導入管を、前記フランジ部の裏面と前記支持
部の下面とを接合することにより装着し、前記基板に
は、前記圧力導入部が挿入できる挿入孔を形成し、前記
圧力導入部を前記挿入孔に挿入し、前記フランジ部の表
面と前記基板の表面とを接合するようにし、前記圧力導
入部を介して、前記ダイアフラムに圧力が導入されるよ
うにしたので、半導体圧力センサチップの基板への実装
面積が低減でき、小型化を可能とした半導体圧力センサ
が提供できた。
【００２１】請求項４記載の発明によれば、請求項１乃
至請求項３記載の発明において、前記基板の表面側にお
いて、前記半導体圧力センサチップ及びボンディングワ
イヤを覆うようにゲル状樹脂を塗布すれば、ゲル状樹脂
により、基板上のパッドやボンディングワイヤ等を湿気
等から保護することができる。
至請求項３記載の発明において、前記基板の表面側にお
いて、前記半導体圧力センサチップ及びボンディングワ
イヤを覆うようにゲル状樹脂を塗布すれば、ゲル状樹脂
により、基板上のパッドやボンディングワイヤ等を湿気
等から保護することができる。
【００２２】請求項５記載の発明によれば、請求項１乃
至請求項３記載の発明において、１端部の開口が前記半
導体圧力センサチップの表面電極の内側で且つ前記ダイ
アフラムより外側となるように形成された基準圧力導入
管を前記半導体圧力センサチップの表面側に装着し、基
準圧力が前記基準圧力導入管を介して前記ダイアフラム
に印加されるようにするとともに、前記基準圧力導入管
の他端部が埋もれず、前記半導体圧力センサチップ及び
ボンディングワイヤを覆うように熱硬化性樹脂を塗布す
るようにすれば、熱硬化性樹脂により基板上のパッドや
ボンディングワイヤ等を湿気等から保護するとともに、
基準圧力導入管により、ダイアフラムの表面側が大気圧
等の基準圧に保たれるので、ダイアフラムの裏面に圧力
が印加された場合に、熱硬化性樹脂がダイアフラムの歪
みに影響を及ぼすことはないのである。
至請求項３記載の発明において、１端部の開口が前記半
導体圧力センサチップの表面電極の内側で且つ前記ダイ
アフラムより外側となるように形成された基準圧力導入
管を前記半導体圧力センサチップの表面側に装着し、基
準圧力が前記基準圧力導入管を介して前記ダイアフラム
に印加されるようにするとともに、前記基準圧力導入管
の他端部が埋もれず、前記半導体圧力センサチップ及び
ボンディングワイヤを覆うように熱硬化性樹脂を塗布す
るようにすれば、熱硬化性樹脂により基板上のパッドや
ボンディングワイヤ等を湿気等から保護するとともに、
基準圧力導入管により、ダイアフラムの表面側が大気圧
等の基準圧に保たれるので、ダイアフラムの裏面に圧力
が印加された場合に、熱硬化性樹脂がダイアフラムの歪
みに影響を及ぼすことはないのである。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサの
製造方法を示す製造工程図である。
製造方法を示す製造工程図である。
【図２】従来例に係る半導体圧力センサの断面状態を示
す模式図である。
す模式図である。
１ 半導体圧力センサチップ ２ 台座 ３ パッケージ ４ ボンディングワイヤ ５ レジン ６ 基板 ７ 圧力導入管 ８ 基板 ９ 基準圧力導入管 １０ 熱硬化性樹脂 １１ ダイアフラム １２ 熱拡散層（ピエゾ抵抗） １３ 表面電極 １４ 支持部 １５ 下面 ７１ 圧力導入部 ７２ フランジ部 ７３ 導入孔 ７４ 表面 ８１ 挿入孔 ８２ パッド（電極） ９１ 開口 ９２ 開放端
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体シリコン基板にダイアフラムとな
る薄肉部と支持部となる厚肉部を形成し、該ダイアフラ
ムの表面側にピエゾ抵抗及び表面電極を形成してなる半
導体圧力センサチップと、外部回路を形成した基板とを
有し、前記半導体圧力センサチップの表面電極と前記基
板の電極とをボンディングワイヤで接続してなる半導体
圧力センサにおいて、圧力導入部とフランジ部とを有す
る圧力導入管を、前記フランジ部の裏面と前記支持部の
下面とを接合することにより装着し、前記基板には、前
記圧力導入部が挿入できる挿入孔を形成し、前記圧力導
入部を前記挿入孔に挿入し、前記フランジ部の表面と前
記基板の表面とを接合するようにし、前記圧力導入部を
介して、前記ダイアフラムに圧力が導入されるようにし
たことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 前記圧力導入管をプラスチックにより形
成し、前記圧力導入管のフランジ部の裏面と前記半導体
圧力センサチップの支持部の下面とを接着材により接着
したことを特徴とする請求項１記載の半導体圧力セン
サ。 - 【請求項３】 前記圧力導入管をガラスにより形成し、
前記圧力導入管のフランジ部の裏面と前記半導体圧力セ
ンサチップの支持部の下面とを陽極接合させたことを特
徴とする請求項１記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項４】 前記基板の表面側において、前記半導体
圧力センサチップ及びボンディングワイヤを覆うように
ゲル状樹脂を塗布したことを特徴とする請求項１乃至請
求項３記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項５】 １端部の開口が前記半導体圧力センサチ
ップの表面電極の内側で且つ前記ダイアフラムより外側
となるように形成された基準圧力導入管を前記半導体圧
力センサチップの表面側に装着し、基準圧力が前記基準
圧力導入管を介して前記ダイアフラムに印加されるよう
にするとともに、前記基準圧力導入管の他端部が埋もれ
ず、前記半導体圧力センサチップ及びボンディングワイ
ヤを覆うように熱硬化性樹脂を塗布したことを特徴とす
る請求項１乃至請求項３記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1355897A JPH10209469A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1355897A JPH10209469A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209469A true JPH10209469A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11836512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1355897A Pending JPH10209469A (ja) | 1997-01-28 | 1997-01-28 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209469A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6401542B1 (en) | 2000-01-24 | 2002-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensing semiconductor device comprising a semiconductor chip which has a diaphragm formed with piezoresistance |
| JP2008513699A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | ノルスク・ヒドロ・アーエスアー | 管等の状態を測定するセンサ又はプローブの配置構造 |
| JP2014085299A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| JP2014085206A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| CN105149935A (zh) * | 2015-10-08 | 2015-12-16 | 苏州市海神达机械科技有限公司 | 一种法兰定位器 |
-
1997
- 1997-01-28 JP JP1355897A patent/JPH10209469A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6401542B1 (en) | 2000-01-24 | 2002-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pressure sensing semiconductor device comprising a semiconductor chip which has a diaphragm formed with piezoresistance |
| JP2008513699A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | ノルスク・ヒドロ・アーエスアー | 管等の状態を測定するセンサ又はプローブの配置構造 |
| JP2014085206A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| JP2014085299A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Denso Corp | 圧力センサ装置およびその製造方法 |
| CN105149935A (zh) * | 2015-10-08 | 2015-12-16 | 苏州市海神达机械科技有限公司 | 一种法兰定位器 |
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