JPH10332505A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH10332505A JPH10332505A JP14171397A JP14171397A JPH10332505A JP H10332505 A JPH10332505 A JP H10332505A JP 14171397 A JP14171397 A JP 14171397A JP 14171397 A JP14171397 A JP 14171397A JP H10332505 A JPH10332505 A JP H10332505A
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- Japan
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- pressure sensor
- semiconductor pressure
- sensor chip
- semiconductor
- chip
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低コストで、かつ、高圧にも耐え得る半導体
圧力センサを提供する。 【解決手段】 半導体圧力センサチップ１をガラス台座
２に陽極接合法等により接合し、ガラス台座２の半導体
圧力センサチップ１との接合面と異なる面側は、ゴム，
ゲル状のシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂等の低応力
の接着剤６により母基板３にダイボンディングされてい
る。また、母基板３には、ダイヤフラム１ａに連通する
大気開放孔３ａが形成されており、大気開放孔３ａの半
導体圧力センサチップ１実装面側にはテーパ３ｂが形成
されている。半導体圧力センサチップ１の電極は、母基
板３上に形成された回路パターン４にボンディングワイ
ヤ５を介して電気的に接続されている。また、半導体圧
力センサチップ１は、半導体圧力センサチップ１を収納
する凹部７ａと、凹部７ａ内に圧力を印加する圧力導入
孔７ｂとを有して成る樹脂モールドされたカバー７の凹
部７ａ内に収納されており、カバー７の凹部７ａにおけ
る開口側は接着剤６により母基板３上に接着されてい
る。
圧力センサを提供する。 【解決手段】 半導体圧力センサチップ１をガラス台座
２に陽極接合法等により接合し、ガラス台座２の半導体
圧力センサチップ１との接合面と異なる面側は、ゴム，
ゲル状のシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂等の低応力
の接着剤６により母基板３にダイボンディングされてい
る。また、母基板３には、ダイヤフラム１ａに連通する
大気開放孔３ａが形成されており、大気開放孔３ａの半
導体圧力センサチップ１実装面側にはテーパ３ｂが形成
されている。半導体圧力センサチップ１の電極は、母基
板３上に形成された回路パターン４にボンディングワイ
ヤ５を介して電気的に接続されている。また、半導体圧
力センサチップ１は、半導体圧力センサチップ１を収納
する凹部７ａと、凹部７ａ内に圧力を印加する圧力導入
孔７ｂとを有して成る樹脂モールドされたカバー７の凹
部７ａ内に収納されており、カバー７の凹部７ａにおけ
る開口側は接着剤６により母基板３上に接着されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来例に係る半導体圧力センサ
を母基板３上に実装した状態を示す略断面図である。図
で、半導体圧力センサは、半導体圧力センサチップ１を
ガラス台座２に陽極接合法等により接合し、樹脂モール
ドされたパッケージ本体９の底面の略中央に凹部９ａを
設け、そこにガラス台座２を接着剤６等によってマウン
トしたものである。パッケージ本体９の上部には、ガラ
ス台座２の略中央に形成された貫通孔２ａを通って半導
体圧力センサチップ１に連通する圧力導入孔９ｂが形成
されている。
を母基板３上に実装した状態を示す略断面図である。図
で、半導体圧力センサは、半導体圧力センサチップ１を
ガラス台座２に陽極接合法等により接合し、樹脂モール
ドされたパッケージ本体９の底面の略中央に凹部９ａを
設け、そこにガラス台座２を接着剤６等によってマウン
トしたものである。パッケージ本体９の上部には、ガラ
ス台座２の略中央に形成された貫通孔２ａを通って半導
体圧力センサチップ１に連通する圧力導入孔９ｂが形成
されている。
【０００３】また、パッケージ本体９の底面に形成され
た凹部９ａの開口は蓋体１０によって塞がれており、こ
れによって凹部９ａの内部は密閉性を高めた圧力基準室
１１となっている。
た凹部９ａの開口は蓋体１０によって塞がれており、こ
れによって凹部９ａの内部は密閉性を高めた圧力基準室
１１となっている。
【０００４】半導体圧力センサチップ１は、単結晶シリ
コン基板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム１ａ，歪みゲージ（図示せず）及
び電極（図示せず）を形成したもので、ピエゾ抵抗効果
により圧力の変化を電気抵抗の変化に変換して出力する
ものである。
コン基板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム１ａ，歪みゲージ（図示せず）及
び電極（図示せず）を形成したもので、ピエゾ抵抗効果
により圧力の変化を電気抵抗の変化に変換して出力する
ものである。
【０００５】半導体圧力センサチップ１に形成された電
極と、パッケージ本体９に一体成形されたリード１２と
は、Ａｕ線等のボンディングワイヤ５により接続され、
リード１２は、半導体圧力センサが実装される母基板３
上に形成された回路パターン（図示せず）との接続のた
め、リード１２となるリードフレームのダイバー切断
後、パッケージ本体９の側面から突出した部分の先端部
分が略垂直に下方に折り曲げられている。このリード１
２の先端部分は、母基板３上に実装されたソケット１３
に差し込まれる。これによって、半導体圧力センサは、
母基板３上に実装されるのである。
極と、パッケージ本体９に一体成形されたリード１２と
は、Ａｕ線等のボンディングワイヤ５により接続され、
リード１２は、半導体圧力センサが実装される母基板３
上に形成された回路パターン（図示せず）との接続のた
め、リード１２となるリードフレームのダイバー切断
後、パッケージ本体９の側面から突出した部分の先端部
分が略垂直に下方に折り曲げられている。このリード１
２の先端部分は、母基板３上に実装されたソケット１３
に差し込まれる。これによって、半導体圧力センサは、
母基板３上に実装されるのである。
【０００６】次に、図４に基づいて、従来の半導体圧力
センサの異なる例について説明する。図４は、従来例に
係る半導体圧力センサを母基板３上に実装した状態を示
す略断面図である。なお、説明の便宜上、図３に示した
構成と同一の箇所については同一符号を付して説明を省
略する。図４に示す例が、図３に示した例と異なる点
は、リードの形状及び実装の方法である。図４に示す例
では、パッケージ本体９の側面から突出するリード１４
は、斜め下方に折り曲げられ、更に、その先端部分は、
パッケージ本体９側とは反対の方向に略水平となるよう
に折り曲げられている。リード１４の形状に対応して母
基板３上には回路パターン４が形成され、半田１５によ
ってリード１４の先端部分と接合されている。
センサの異なる例について説明する。図４は、従来例に
係る半導体圧力センサを母基板３上に実装した状態を示
す略断面図である。なお、説明の便宜上、図３に示した
構成と同一の箇所については同一符号を付して説明を省
略する。図４に示す例が、図３に示した例と異なる点
は、リードの形状及び実装の方法である。図４に示す例
では、パッケージ本体９の側面から突出するリード１４
は、斜め下方に折り曲げられ、更に、その先端部分は、
パッケージ本体９側とは反対の方向に略水平となるよう
に折り曲げられている。リード１４の形状に対応して母
基板３上には回路パターン４が形成され、半田１５によ
ってリード１４の先端部分と接合されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な構成においては、半導体圧力センサチップ１をパッケ
ージ本体９に一度実装してから、その圧力センサを回路
パターン４が形成された母基板３上に実装していたの
で、組立工数も多くなりコストがかかっていた。
な構成においては、半導体圧力センサチップ１をパッケ
ージ本体９に一度実装してから、その圧力センサを回路
パターン４が形成された母基板３上に実装していたの
で、組立工数も多くなりコストがかかっていた。
【０００８】また、圧力印加方向が、半導体圧力センサ
チップ１の剥離方向となるので、使用圧力が高圧になっ
てくると、剥離し易くなるという問題があった。
チップ１の剥離方向となるので、使用圧力が高圧になっ
てくると、剥離し易くなるという問題があった。
【０００９】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、低コストで、かつ、
高圧にも耐え得る半導体圧力センサを提供することにあ
る。
であり、その目的とするところは、低コストで、かつ、
高圧にも耐え得る半導体圧力センサを提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
薄肉状のダイヤフラム及び電極を有して成る半導体圧力
センサチップと、該半導体圧力センサチップを収納する
凹部と該凹部に圧力を印加する圧力導入孔とを有して成
るカバーと、前記半導体圧力センサチップ及びカバーを
実装する、大気開放孔及び回路パターンを有して成る母
基板とを有して成り、前記電極はボンディングワイヤに
より前記回路パターンに電気的に接続され、前記大気開
放孔が前記ダイヤフラムに連通するように前記半導体圧
力センサチップが前記母基板上に実装され、前記ダイヤ
フラムの一方の面は前記大気開放孔により大気圧にさ
れ、他方の面に前記圧力導入孔から印加された圧力が導
入されるようにしたことを特徴とするものである。
薄肉状のダイヤフラム及び電極を有して成る半導体圧力
センサチップと、該半導体圧力センサチップを収納する
凹部と該凹部に圧力を印加する圧力導入孔とを有して成
るカバーと、前記半導体圧力センサチップ及びカバーを
実装する、大気開放孔及び回路パターンを有して成る母
基板とを有して成り、前記電極はボンディングワイヤに
より前記回路パターンに電気的に接続され、前記大気開
放孔が前記ダイヤフラムに連通するように前記半導体圧
力センサチップが前記母基板上に実装され、前記ダイヤ
フラムの一方の面は前記大気開放孔により大気圧にさ
れ、他方の面に前記圧力導入孔から印加された圧力が導
入されるようにしたことを特徴とするものである。
【００１１】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体圧力センサにおいて、前記凹部内にＩＣチップを収
納し、該ＩＣチップの電極をボンディングワイヤにより
前記母基板上に形成された回路パターンに電気的に接続
するようにしたことを特徴とするものである。
導体圧力センサにおいて、前記凹部内にＩＣチップを収
納し、該ＩＣチップの電極をボンディングワイヤにより
前記母基板上に形成された回路パターンに電気的に接続
するようにしたことを特徴とするものである。
【００１２】請求項３記載の発明は、請求項１または請
求項２記載の半導体圧力センサにおいて、前記半導体圧
力センサチップを前記母基板上に、略中央に貫通孔を有
して成るガラス台座を介して実装し、前記大気開放孔
が、前記貫通孔を介して前記ダイヤフラムに連通して成
ることを特徴とするものである。
求項２記載の半導体圧力センサにおいて、前記半導体圧
力センサチップを前記母基板上に、略中央に貫通孔を有
して成るガラス台座を介して実装し、前記大気開放孔
が、前記貫通孔を介して前記ダイヤフラムに連通して成
ることを特徴とするものである。
【００１３】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の半導体圧力センサにおいて、前記母基板の大
気開放孔における前記半導体圧力センサチップ実装側
に、テーパを形成するようにしたことを特徴とするもの
である。
項３記載の半導体圧力センサにおいて、前記母基板の大
気開放孔における前記半導体圧力センサチップ実装側
に、テーパを形成するようにしたことを特徴とするもの
である。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る半導体圧力センサを示す略断面図である。なお、
説明の便宜上、図３，図４に示す構成と同一の箇所には
同一符号を付して説明を省略する。半導体圧力センサチ
ップ１をガラス台座２に陽極接合法等により接合し、ガ
ラス台座２の半導体圧力センサチップ１との接合面と異
なる面側は、ゴム，ゲル状のシリコーン樹脂またはエポ
キシ樹脂等の低応力の接着剤６により母基板３にダイボ
ンディングされている。また、母基板３には、ダイヤフ
ラム１ａに連通する大気開放孔３ａが形成されており、
大気開放孔３ａの半導体圧力センサチップ１実装面側に
はテーパ３ｂが形成されている。
て図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る半導体圧力センサを示す略断面図である。なお、
説明の便宜上、図３，図４に示す構成と同一の箇所には
同一符号を付して説明を省略する。半導体圧力センサチ
ップ１をガラス台座２に陽極接合法等により接合し、ガ
ラス台座２の半導体圧力センサチップ１との接合面と異
なる面側は、ゴム，ゲル状のシリコーン樹脂またはエポ
キシ樹脂等の低応力の接着剤６により母基板３にダイボ
ンディングされている。また、母基板３には、ダイヤフ
ラム１ａに連通する大気開放孔３ａが形成されており、
大気開放孔３ａの半導体圧力センサチップ１実装面側に
はテーパ３ｂが形成されている。
【００１５】半導体圧力センサチップ１の電極（図示せ
ず）は、母基板３上に形成された回路パターン４にボン
ディングワイヤ５を介して電気的に接続されている。
ず）は、母基板３上に形成された回路パターン４にボン
ディングワイヤ５を介して電気的に接続されている。
【００１６】また、半導体圧力センサチップ１は、半導
体圧力センサチップ１を収納する凹部７ａと、凹部７ａ
内に圧力を印加する圧力導入孔７ｂとを有して成る樹脂
モールドされたカバー７の凹部７ａ内に収納されてお
り、カバー７の凹部７ａにおける開口側は接着剤６によ
り母基板３上に接着されている。
体圧力センサチップ１を収納する凹部７ａと、凹部７ａ
内に圧力を印加する圧力導入孔７ｂとを有して成る樹脂
モールドされたカバー７の凹部７ａ内に収納されてお
り、カバー７の凹部７ａにおける開口側は接着剤６によ
り母基板３上に接着されている。
【００１７】従って、本実施形態においては、従来のよ
うにパッケージ本体への半導体圧力センサチップ１の実
装工程を省略することができ、工程数が減らせてコスト
ダウンを図ることができる。
うにパッケージ本体への半導体圧力センサチップ１の実
装工程を省略することができ、工程数が減らせてコスト
ダウンを図ることができる。
【００１８】また、半導体圧力センサチップ１を母基板
３の方向に押すように圧力を印加しているので、圧力印
加により母基板３上にダイボンディングするための接着
剤６が剥がれることがなく、高圧用圧力センサとして使
用することができる。
３の方向に押すように圧力を印加しているので、圧力印
加により母基板３上にダイボンディングするための接着
剤６が剥がれることがなく、高圧用圧力センサとして使
用することができる。
【００１９】また、本実施形態においては、母基板３の
大気開放孔３ａにおけるガラス台座２の実装側には、テ
ーパ３ｂが形成されているので、接着剤６により大気開
放孔３ａが塞がれるのを防止することができる。
大気開放孔３ａにおけるガラス台座２の実装側には、テ
ーパ３ｂが形成されているので、接着剤６により大気開
放孔３ａが塞がれるのを防止することができる。
【００２０】なお、本実施形態においては、半導体圧力
センサチップ１にガラス台座２を接合するようにした
が、これに限定される必要はなく、半導体圧力センサチ
ップ１のみを母基板３上にダイボンディングするように
しても良く、これにより半導体圧力センサを薄型化する
ことができる。但し、ガラス台座２を介して母基板３上
に圧力センサチップ１をダイボンディングするようにす
れば、応力を緩和することができる。
センサチップ１にガラス台座２を接合するようにした
が、これに限定される必要はなく、半導体圧力センサチ
ップ１のみを母基板３上にダイボンディングするように
しても良く、これにより半導体圧力センサを薄型化する
ことができる。但し、ガラス台座２を介して母基板３上
に圧力センサチップ１をダイボンディングするようにす
れば、応力を緩和することができる。
【００２１】また、本実施形態においては、大気開放孔
３ａによりダイヤフラム１ａの一方の面側を大気圧にす
るようにしたが、これに限定される必要はなく、基準圧
を印加するようにしてもよい。
３ａによりダイヤフラム１ａの一方の面側を大気圧にす
るようにしたが、これに限定される必要はなく、基準圧
を印加するようにしてもよい。
【００２２】更に、本実施形態においては、カバー７の
凹部７ａ内に、半導体圧力センサチップ１のみを収納す
るようにしたが、これに限定される必要はなく、例えば
図２に示すように、温度補償用等のＩＣチップ８や、そ
の他多数のチップ（マルチチップ）を接着剤６により母
基板３上に実装し、ボンディングワイヤ５によりＩＣチ
ップ８の電極と回路パターン４とを接続するようにして
もよい。この場合、ＩＣチップ８を、半導体圧力センサ
チップ１を母基板３上に実装する際に同時に実装するこ
とができるので、工程数が増加することなく、コストの
低減を図ることができる。
凹部７ａ内に、半導体圧力センサチップ１のみを収納す
るようにしたが、これに限定される必要はなく、例えば
図２に示すように、温度補償用等のＩＣチップ８や、そ
の他多数のチップ（マルチチップ）を接着剤６により母
基板３上に実装し、ボンディングワイヤ５によりＩＣチ
ップ８の電極と回路パターン４とを接続するようにして
もよい。この場合、ＩＣチップ８を、半導体圧力センサ
チップ１を母基板３上に実装する際に同時に実装するこ
とができるので、工程数が増加することなく、コストの
低減を図ることができる。
【００２３】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、薄肉状のダイヤ
フラム及び電極を有して成る半導体圧力センサチップ
と、半導体圧力センサチップを収納する凹部と凹部に圧
力を印加する圧力導入孔とを有して成るカバーと、半導
体圧力センサチップ及びカバーを実装する、大気開放孔
及び回路パターンを有して成る母基板とを有して成り、
電極はボンディングワイヤにより回路パターンに電気的
に接続され、大気開放孔がダイヤフラムに連通するよう
に半導体圧力センサチップが母基板上に実装され、ダイ
ヤフラムの一方の面は大気開放孔により大気圧にされ、
他方の面に圧力導入孔から印加された圧力が導入される
ようにしたので、従来のようにパッケージ本体への半導
体圧力センサチップの実装工程を省略することができ、
工程数が減らせてコストダウンを図ることができ、半導
体圧力センサチップを母基板の方向に押すように圧力を
印加しているので、圧力印加により母基板から剥がれる
ことがなく、低コストで、かつ、高圧にも耐え得る半導
体圧力センサを提供することができた。
フラム及び電極を有して成る半導体圧力センサチップ
と、半導体圧力センサチップを収納する凹部と凹部に圧
力を印加する圧力導入孔とを有して成るカバーと、半導
体圧力センサチップ及びカバーを実装する、大気開放孔
及び回路パターンを有して成る母基板とを有して成り、
電極はボンディングワイヤにより回路パターンに電気的
に接続され、大気開放孔がダイヤフラムに連通するよう
に半導体圧力センサチップが母基板上に実装され、ダイ
ヤフラムの一方の面は大気開放孔により大気圧にされ、
他方の面に圧力導入孔から印加された圧力が導入される
ようにしたので、従来のようにパッケージ本体への半導
体圧力センサチップの実装工程を省略することができ、
工程数が減らせてコストダウンを図ることができ、半導
体圧力センサチップを母基板の方向に押すように圧力を
印加しているので、圧力印加により母基板から剥がれる
ことがなく、低コストで、かつ、高圧にも耐え得る半導
体圧力センサを提供することができた。
【００２４】請求項２記載の発明は、請求項１記載の半
導体圧力センサにおいて、凹部内にＩＣチップを収納
し、ＩＣチップの電極をボンディングワイヤにより母基
板上に形成された回路パターンに電気的に接続するよう
にしたので、半導体圧力センサチップとＩＣチップとの
同時実装が可能となり、工程の簡略化及びコストの低減
が図れる。
導体圧力センサにおいて、凹部内にＩＣチップを収納
し、ＩＣチップの電極をボンディングワイヤにより母基
板上に形成された回路パターンに電気的に接続するよう
にしたので、半導体圧力センサチップとＩＣチップとの
同時実装が可能となり、工程の簡略化及びコストの低減
が図れる。
【００２５】請求項３記載の発明は、請求項１または請
求項２記載の半導体圧力センサにおいて、半導体圧力セ
ンサチップを母基板上に、略中央に貫通孔を有して成る
ガラス台座を介して実装し、大気開放孔が、貫通孔を介
してダイヤフラムに連通して成るので、応力を緩和する
ことができる。
求項２記載の半導体圧力センサにおいて、半導体圧力セ
ンサチップを母基板上に、略中央に貫通孔を有して成る
ガラス台座を介して実装し、大気開放孔が、貫通孔を介
してダイヤフラムに連通して成るので、応力を緩和する
ことができる。
【００２６】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の半導体圧力センサにおいて、母基板の大気開
放孔における半導体圧力センサチップ実装側に、テーパ
を形成するようにしたので、接着剤等により半導体圧力
センサチップを母基板上に実装する際に、大気開放孔が
塞がれるのを防止することができる。
項３記載の半導体圧力センサにおいて、母基板の大気開
放孔における半導体圧力センサチップ実装側に、テーパ
を形成するようにしたので、接着剤等により半導体圧力
センサチップを母基板上に実装する際に、大気開放孔が
塞がれるのを防止することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサを
示す略断面図である。
示す略断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る半導体圧力センサ
を示す略断面図である。
を示す略断面図である。
【図３】従来例に係る半導体圧力センサを母基板上に実
装した状態を示す略断面図である。
装した状態を示す略断面図である。
【図４】従来例に係る半導体圧力センサを母基板上に実
装した状態を示す略断面図である。
装した状態を示す略断面図である。
１ 半導体圧力センサチップ １ａ ダイヤフラム ２ ガラス台座 ２ａ 貫通孔 ３ 母基板 ３ａ 大気開放孔 ３ｂ テーパ ４ 回路パターン ５ ボンディングワイヤ ６ 接着剤 ７ カバー ７ａ 凹部 ７ｂ 圧力導入孔 ８ ＩＣチップ ９ パッケージ本体 ９ａ 凹部 ９ｂ 圧力導入孔 １０ 蓋体 １１ 圧力基準室 １２ リード １３ ソケット １４ リード １５ 半田
Claims (4)
- 【請求項１】 薄肉状のダイヤフラム及び電極を有して
成る半導体圧力センサチップと、該半導体圧力センサチ
ップを収納する凹部と該凹部に圧力を印加する圧力導入
孔とを有して成るカバーと、前記半導体圧力センサチッ
プ及びカバーを実装する、大気開放孔及び回路パターン
を有して成る母基板とを有して成り、前記電極はボンデ
ィングワイヤにより前記回路パターンに電気的に接続さ
れ、前記大気開放孔が前記ダイヤフラムに連通するよう
に前記半導体圧力センサチップが前記母基板上に実装さ
れ、前記ダイヤフラムの一方の面は前記大気開放孔によ
り大気圧にされ、他方の面に前記圧力導入孔から印加さ
れた圧力が導入されるようにしたことを特徴とする半導
体圧力センサ。 - 【請求項２】 前記凹部内にＩＣチップを収納し、該Ｉ
Ｃチップの電極をボンディングワイヤにより前記母基板
上に形成された回路パターンに電気的に接続するように
したことを特徴とする請求項１記載の半導体圧力セン
サ。 - 【請求項３】 前記半導体圧力センサチップを前記母基
板上に、略中央に貫通孔を有して成るガラス台座を介し
て実装し、前記大気開放孔が、前記貫通孔を介して前記
ダイヤフラムに連通して成ることを特徴とする請求項１
または請求項２記載の半導体圧力センサ。 - 【請求項４】 前記母基板の大気開放孔における前記半
導体圧力センサチップ実装側に、テーパを形成するよう
にしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の半
導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14171397A JPH10332505A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14171397A JPH10332505A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10332505A true JPH10332505A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15298475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14171397A Pending JPH10332505A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10332505A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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