JPH09119875A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体圧力センサの低コスト化、小型化を図
る。 【解決手段】 圧力を応力に変換するダイヤフラム部９
ｂが形成された圧力センサチップ９と、圧力センサチッ
プ９を実装するリードフレーム１０と、封止樹脂パッケ
ージ１１とを備え、ダイヤフラム部９ｂの表面が、封止
樹脂パッケージ１１の外側にその一部が露出するシリコ
ーンジャンクションコーティングレジン１２によって覆
われ、リードフレーム１０に形成された貫通孔１０ｃ及
び封止樹脂パッケージ１１に形成された圧力導入孔１１
ａを介して凹部９ａの空間が封止樹脂パッケージ１１の
外側の空間に連通するように構成されている。
る。 【解決手段】 圧力を応力に変換するダイヤフラム部９
ｂが形成された圧力センサチップ９と、圧力センサチッ
プ９を実装するリードフレーム１０と、封止樹脂パッケ
ージ１１とを備え、ダイヤフラム部９ｂの表面が、封止
樹脂パッケージ１１の外側にその一部が露出するシリコ
ーンジャンクションコーティングレジン１２によって覆
われ、リードフレーム１０に形成された貫通孔１０ｃ及
び封止樹脂パッケージ１１に形成された圧力導入孔１１
ａを介して凹部９ａの空間が封止樹脂パッケージ１１の
外側の空間に連通するように構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ピエゾ抵抗効果を
利用した半導体圧力センサに関するものである。
利用した半導体圧力センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１３の断面図に基づいて従来の半導体
圧力センサの一例について説明する。図で、１はシリコ
ン単結晶で構成された略平板状の圧力センサチップで、
圧力センサチップ１の裏面側には凹部１ａが形成され、
凹部１ａの上方には、印加された圧力を応力に変換する
ダイヤフラム部１ｂが形成されている。また、圧力セン
サチップ１には、拡散歪みゲージ（図示省略）が形成さ
れており、ピエゾ抵抗効果によりダイヤフラム部１ｂの
応力の変化を電気抵抗の変化に変換するように構成され
ている。
圧力センサの一例について説明する。図で、１はシリコ
ン単結晶で構成された略平板状の圧力センサチップで、
圧力センサチップ１の裏面側には凹部１ａが形成され、
凹部１ａの上方には、印加された圧力を応力に変換する
ダイヤフラム部１ｂが形成されている。また、圧力セン
サチップ１には、拡散歪みゲージ（図示省略）が形成さ
れており、ピエゾ抵抗効果によりダイヤフラム部１ｂの
応力の変化を電気抵抗の変化に変換するように構成され
ている。
【０００３】２は高価なＰＰＳ（ポリフェニレンサルフ
ァイド樹脂）やＬＣＰ（芳香族液晶ポリエステル樹脂）
等のモールド樹脂で構成された、凹状のチップ収納部２
ａ内に圧力センサチップ１を実装するパッケージ（プリ
モールドパッケージ）で、チップ収納部２ａの底面に
は、その中空部分が外部の被測定圧力をセンサ内部に導
入するための圧力導入孔２ｂとなるパイプ部２ｃが形成
されている。圧力センサチップ１は、圧力導入孔２ｂ
の、封止樹脂パッケージ２の内部側の開口を塞ぐように
接着剤３によって封止樹脂パッケージ２に実装されてい
る。
ァイド樹脂）やＬＣＰ（芳香族液晶ポリエステル樹脂）
等のモールド樹脂で構成された、凹状のチップ収納部２
ａ内に圧力センサチップ１を実装するパッケージ（プリ
モールドパッケージ）で、チップ収納部２ａの底面に
は、その中空部分が外部の被測定圧力をセンサ内部に導
入するための圧力導入孔２ｂとなるパイプ部２ｃが形成
されている。圧力センサチップ１は、圧力導入孔２ｂ
の、封止樹脂パッケージ２の内部側の開口を塞ぐように
接着剤３によって封止樹脂パッケージ２に実装されてい
る。
【０００４】また、封止樹脂パッケージ２は、外部接続
用端子４と一体に成形されており、複数の外部接続用端
子４の一端は、ボンディングワイヤ５によって圧力セン
サチップ１の表面に形成された電極パッド６とそれぞれ
接続されており、他端は封止樹脂パッケージ２の側面部
から外側に露出するよう構成されている。さらに、７は
圧力センサチップ１の表面を覆うシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジン、８はチップ収納部２ａを密閉
する蓋である。封止樹脂パッケージ２の構成材料として
ＰＰＳやＬＣＰを用いるのは、ボンディングワイヤ５が
金ワイヤである場合、ワイヤボンディング時に 150〜 2
00℃に加熱するので耐熱性が必要なためである。
用端子４と一体に成形されており、複数の外部接続用端
子４の一端は、ボンディングワイヤ５によって圧力セン
サチップ１の表面に形成された電極パッド６とそれぞれ
接続されており、他端は封止樹脂パッケージ２の側面部
から外側に露出するよう構成されている。さらに、７は
圧力センサチップ１の表面を覆うシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジン、８はチップ収納部２ａを密閉
する蓋である。封止樹脂パッケージ２の構成材料として
ＰＰＳやＬＣＰを用いるのは、ボンディングワイヤ５が
金ワイヤである場合、ワイヤボンディング時に 150〜 2
00℃に加熱するので耐熱性が必要なためである。
【０００５】図１３に示すように構成することによっ
て、圧力センサチップ１に形成されたダイヤフラム部１
ｂの表面側に印加されるチップ収納部２ａ内の圧力と、
封止樹脂パッケージ２の外部から圧力導入孔２ｂを介し
てダイヤフラム部１ｂの裏面側に印加される圧力との差
圧に応じてダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、
その応力に応じたピエゾ抵抗の抵抗値を外部接続用端子
４から取り出すことができ圧力を測定することができ
る。
て、圧力センサチップ１に形成されたダイヤフラム部１
ｂの表面側に印加されるチップ収納部２ａ内の圧力と、
封止樹脂パッケージ２の外部から圧力導入孔２ｂを介し
てダイヤフラム部１ｂの裏面側に印加される圧力との差
圧に応じてダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、
その応力に応じたピエゾ抵抗の抵抗値を外部接続用端子
４から取り出すことができ圧力を測定することができ
る。
【０００６】図１３に示す半導体圧力センサの製造方法
の一例について説明する。まず、リードフレーム等の形
態で供給される外部接続用端子４を同時成形した封止樹
脂パッケージ２のチップ収納部２ａに、圧力センサチッ
プ１を接着（ダイボンド）し、圧力センサチップ１に形
成された電極パッド６と外部接続用端子４をAuワイヤ等
のボンディングワイヤ５で電気的に接続する。その後、
圧力センサチップ１の表面保護のため、シリコーンジャ
ンクションコーティングレジン７で圧力センサチップ１
の表面を被覆し、封止樹脂パッケージ２のチップ収納部
２ａの開口に蓋８を接着する。
の一例について説明する。まず、リードフレーム等の形
態で供給される外部接続用端子４を同時成形した封止樹
脂パッケージ２のチップ収納部２ａに、圧力センサチッ
プ１を接着（ダイボンド）し、圧力センサチップ１に形
成された電極パッド６と外部接続用端子４をAuワイヤ等
のボンディングワイヤ５で電気的に接続する。その後、
圧力センサチップ１の表面保護のため、シリコーンジャ
ンクションコーティングレジン７で圧力センサチップ１
の表面を被覆し、封止樹脂パッケージ２のチップ収納部
２ａの開口に蓋８を接着する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図１３に示した半導体
圧力センサでは、封止樹脂パッケージ２の内部に実装し
た圧力センサチップ１の機械的保護のため、蓋８を封止
樹脂パッケージ２に取付けなければならないため、その
分、部品コスト及び組み立てコストが高くなるという問
題点があった。
圧力センサでは、封止樹脂パッケージ２の内部に実装し
た圧力センサチップ１の機械的保護のため、蓋８を封止
樹脂パッケージ２に取付けなければならないため、その
分、部品コスト及び組み立てコストが高くなるという問
題点があった。
【０００８】また、封止樹脂パッケージ２の内部に配置
された、圧力センサチップ１及び外部接続用端子４をボ
ンディングワイヤ５により接続する必要があるが、ボン
ディングワイヤ５としてAuワイヤを用いた場合、ワイヤ
ボンダーのツールであるキャピラリが移動する範囲を確
保するために、蓋８を取付けるチップ収納部２ａの開口
部分を大きくする必要があり封止樹脂パッケージ２の外
形寸法が大きくなるという問題点があった。
された、圧力センサチップ１及び外部接続用端子４をボ
ンディングワイヤ５により接続する必要があるが、ボン
ディングワイヤ５としてAuワイヤを用いた場合、ワイヤ
ボンダーのツールであるキャピラリが移動する範囲を確
保するために、蓋８を取付けるチップ収納部２ａの開口
部分を大きくする必要があり封止樹脂パッケージ２の外
形寸法が大きくなるという問題点があった。
【０００９】さらに、封止樹脂パッケージ２への外部接
続用端子４の接合強度を確保するため、外部接続用端子
４が貫通する、封止樹脂パッケージ２の側壁部分の幅を
大きくする必要があり、図１３に示すような、外部接続
用端子４と一体成形したパッケージ（プリモールドパッ
ケージ）では小型化を図ることが困難であった。
続用端子４の接合強度を確保するため、外部接続用端子
４が貫通する、封止樹脂パッケージ２の側壁部分の幅を
大きくする必要があり、図１３に示すような、外部接続
用端子４と一体成形したパッケージ（プリモールドパッ
ケージ）では小型化を図ることが困難であった。
【００１０】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、低コストで小型化が図れ
る半導体圧力センサの構造を提供することにある。
で、その目的とするところは、低コストで小型化が図れ
る半導体圧力センサの構造を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の半導体圧力センサは、裏面側に凹部
が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に変換する
ダイヤフラム部が形成された圧力センサチップと、その
圧力センサチップを実装するリードフレームと、封止樹
脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部の表面が、
前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出するシ
リコーンジャンクションコーティングレジンによって覆
われ、前記リードフレームに形成された貫通孔及び前記
封止樹脂パッケージに形成された圧力導入孔を介して前
記凹部の空間が前記封止樹脂パッケージの外側の空間に
連通するように構成されていることを特徴とするもので
ある。
め、請求項１記載の半導体圧力センサは、裏面側に凹部
が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に変換する
ダイヤフラム部が形成された圧力センサチップと、その
圧力センサチップを実装するリードフレームと、封止樹
脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部の表面が、
前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出するシ
リコーンジャンクションコーティングレジンによって覆
われ、前記リードフレームに形成された貫通孔及び前記
封止樹脂パッケージに形成された圧力導入孔を介して前
記凹部の空間が前記封止樹脂パッケージの外側の空間に
連通するように構成されていることを特徴とするもので
ある。
【００１２】つまり、請求項１記載の半導体圧力センサ
は、リードフレーム上に実装した圧力センサチップを封
止樹脂にて封止したもので、リードフレームの圧力セン
サチップ実装位置に貫通孔を形成し、その貫通孔に繋が
る圧力導入孔を、封止樹脂パッケージに形成して、貫通
孔及び圧力導入孔を介して圧力センサチップのダイヤフ
ラム部の裏面側に所定圧力が印加されるように構成する
と共に、封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出す
るシリコーンジャンクションコーティングレジンを介し
て、ダイヤフラム部の表面側に別の圧力が印加されるよ
うに構成したものである。
は、リードフレーム上に実装した圧力センサチップを封
止樹脂にて封止したもので、リードフレームの圧力セン
サチップ実装位置に貫通孔を形成し、その貫通孔に繋が
る圧力導入孔を、封止樹脂パッケージに形成して、貫通
孔及び圧力導入孔を介して圧力センサチップのダイヤフ
ラム部の裏面側に所定圧力が印加されるように構成する
と共に、封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出す
るシリコーンジャンクションコーティングレジンを介し
て、ダイヤフラム部の表面側に別の圧力が印加されるよ
うに構成したものである。
【００１３】請求項２記載の半導体圧力センサは、裏面
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを実装するリードフレーム
と、封止樹脂パッケージとを備え、シリコーンジャンク
ションコーティングレジンによって前記ダイヤフラム部
の表面が覆われ、前記圧力センサチップの前記凹部の空
間に繋がる第１貫通孔が前記リードフレームに形成さ
れ、前記第１貫通孔に繋がる第１圧力導入孔が前記封止
樹脂パッケージに形成されていると共に、前記シリコー
ンジャンクションコーティングレジンが充填された空間
に繋がる第２貫通孔が前記リードフレームに形成され、
前記第２貫通孔に繋がる第２圧力導入孔が前記封止樹脂
パッケージに形成されていることを特徴とするものであ
る。
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを実装するリードフレーム
と、封止樹脂パッケージとを備え、シリコーンジャンク
ションコーティングレジンによって前記ダイヤフラム部
の表面が覆われ、前記圧力センサチップの前記凹部の空
間に繋がる第１貫通孔が前記リードフレームに形成さ
れ、前記第１貫通孔に繋がる第１圧力導入孔が前記封止
樹脂パッケージに形成されていると共に、前記シリコー
ンジャンクションコーティングレジンが充填された空間
に繋がる第２貫通孔が前記リードフレームに形成され、
前記第２貫通孔に繋がる第２圧力導入孔が前記封止樹脂
パッケージに形成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１４】つまり、請求項２記載の半導体圧力センサ
は、リードフレーム上に実装した圧力センサチップを封
止樹脂にて封止したもので、リードフレームの圧力セン
サチップ実装位置に第１貫通孔を形成し、その第１貫通
孔に繋がる第１圧力導入孔を、封止樹脂パッケージに形
成して、第１貫通孔及び第１圧力導入孔を介して圧力セ
ンサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加
されるように構成すると共に、ダイヤフラム部の表面側
の面を保護するシリコーンジャンクションコーティング
レジンが充填された空間に繋がる第２貫通孔を、リード
フレームの圧力センサチップ実装位置の近傍に形成し、
その第２貫通孔に繋がる第２圧力導入孔を、封止樹脂パ
ッケージに形成して、第２圧力導入孔及び第２貫通孔及
びシリコーンジャンクションコーティングレジンを介し
て圧力センサチップのダイヤフラム部の表面側に別の圧
力が印加されるように構成したものである。
は、リードフレーム上に実装した圧力センサチップを封
止樹脂にて封止したもので、リードフレームの圧力セン
サチップ実装位置に第１貫通孔を形成し、その第１貫通
孔に繋がる第１圧力導入孔を、封止樹脂パッケージに形
成して、第１貫通孔及び第１圧力導入孔を介して圧力セ
ンサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加
されるように構成すると共に、ダイヤフラム部の表面側
の面を保護するシリコーンジャンクションコーティング
レジンが充填された空間に繋がる第２貫通孔を、リード
フレームの圧力センサチップ実装位置の近傍に形成し、
その第２貫通孔に繋がる第２圧力導入孔を、封止樹脂パ
ッケージに形成して、第２圧力導入孔及び第２貫通孔及
びシリコーンジャンクションコーティングレジンを介し
て圧力センサチップのダイヤフラム部の表面側に別の圧
力が印加されるように構成したものである。
【００１５】請求項３記載の半導体圧力センサは、裏面
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを実装するリードフレーム
と、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部
の表面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が
露出するシリコーンジャンクションコーティングレジン
によって覆われ、前記圧力センサチップの前記凹部の内
部の空間に繋がる貫通孔が前記リードフレームに形成さ
れ、一端が前記封止樹脂パッケージの外側に露出するパ
イプが前記貫通孔に接続されていることを特徴とするも
のである。
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを実装するリードフレーム
と、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部
の表面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が
露出するシリコーンジャンクションコーティングレジン
によって覆われ、前記圧力センサチップの前記凹部の内
部の空間に繋がる貫通孔が前記リードフレームに形成さ
れ、一端が前記封止樹脂パッケージの外側に露出するパ
イプが前記貫通孔に接続されていることを特徴とするも
のである。
【００１６】つまり、請求項３記載の半導体圧力センサ
は、リードフレームの圧力センサチップ実装位置に貫通
孔を形成し、その貫通孔に予めパイプを接続して、その
貫通孔を塞ぐように圧力センサチップを実装し封止樹脂
にて封止したものであり、貫通孔及びパイプを介して圧
力センサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が
印加され、封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出
するシリコーンジャンクションコーティングレジンを介
して、ダイヤフラム部の表面側に所定圧力が印加される
ように構成したものである。
は、リードフレームの圧力センサチップ実装位置に貫通
孔を形成し、その貫通孔に予めパイプを接続して、その
貫通孔を塞ぐように圧力センサチップを実装し封止樹脂
にて封止したものであり、貫通孔及びパイプを介して圧
力センサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が
印加され、封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出
するシリコーンジャンクションコーティングレジンを介
して、ダイヤフラム部の表面側に所定圧力が印加される
ように構成したものである。
【００１７】請求項４記載の半導体圧力センサは、裏面
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを実装するリードフレーム
と、封止樹脂パッケージとを備え、シリコーンジャンク
ションコーティングレジンによって前記ダイヤフラム部
の表面が覆われており、前記圧力センサチップの前記凹
部の空間に繋がる第１貫通孔が前記リードフレームに形
成され、一端が前記封止樹脂パッケージの外側に露出す
る第１パイプが前記第１貫通孔に接続されていると共
に、前記シリコーンジャンクションコーティングレジン
が充填された空間に繋がる第２貫通孔が前記リードフレ
ームに形成され、一端が前記封止樹脂パッケージの外側
に露出する第２パイプが前記第２貫通孔に接続されてい
ることを特徴とするものである。
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを実装するリードフレーム
と、封止樹脂パッケージとを備え、シリコーンジャンク
ションコーティングレジンによって前記ダイヤフラム部
の表面が覆われており、前記圧力センサチップの前記凹
部の空間に繋がる第１貫通孔が前記リードフレームに形
成され、一端が前記封止樹脂パッケージの外側に露出す
る第１パイプが前記第１貫通孔に接続されていると共
に、前記シリコーンジャンクションコーティングレジン
が充填された空間に繋がる第２貫通孔が前記リードフレ
ームに形成され、一端が前記封止樹脂パッケージの外側
に露出する第２パイプが前記第２貫通孔に接続されてい
ることを特徴とするものである。
【００１８】つまり、請求項４記載の半導体圧力センサ
は、リードフレームの圧力センサチップ実装位置に第１
貫通孔を形成し、その第１貫通孔に第１パイプを接続
し、ダイヤフラム部の表面側の面を保護するシリコーン
ジャンクションコーティングレジンが充填された空間に
繋がる第２貫通孔を、リードフレームの圧力センサチッ
プ実装位置の近傍に形成し、第１貫通孔を塞ぐように圧
力センサチップを実装し、全体を封止樹脂にて封止した
ものであり、第１貫通孔及び第１パイプを介して圧力セ
ンサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加
されると共に、第２貫通孔及び第２パイプを介して、圧
力センサチップのダイヤフラム部の表面側に別の圧力が
印加されるように構成したものである。
は、リードフレームの圧力センサチップ実装位置に第１
貫通孔を形成し、その第１貫通孔に第１パイプを接続
し、ダイヤフラム部の表面側の面を保護するシリコーン
ジャンクションコーティングレジンが充填された空間に
繋がる第２貫通孔を、リードフレームの圧力センサチッ
プ実装位置の近傍に形成し、第１貫通孔を塞ぐように圧
力センサチップを実装し、全体を封止樹脂にて封止した
ものであり、第１貫通孔及び第１パイプを介して圧力セ
ンサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加
されると共に、第２貫通孔及び第２パイプを介して、圧
力センサチップのダイヤフラム部の表面側に別の圧力が
印加されるように構成したものである。
【００１９】請求項５記載の半導体圧力センサは、裏面
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを支持して前記凹部の内部の
空間を密閉する台座と、その台座を支持するリードフレ
ームと、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラ
ム部の表面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一
部が露出するシリコーンジャンクションコーティングレ
ジンによって覆われていることを特徴とするものであ
る。
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを支持して前記凹部の内部の
空間を密閉する台座と、その台座を支持するリードフレ
ームと、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラ
ム部の表面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一
部が露出するシリコーンジャンクションコーティングレ
ジンによって覆われていることを特徴とするものであ
る。
【００２０】つまり、請求項５記載の半導体圧力センサ
は、圧力センサチップと、その圧力センサチップを支持
する台座間に、例えば、その内部空間を略真空とした圧
力基準室を設け、台座をリードフレームに実装（ダイ付
け）し、圧力センサチップの表面を、封止樹脂パッケー
ジの外側にその一部が露出するシリコーンジャンクショ
ンコーティングレジンで覆い、全体を封止樹脂で封止
し、シリコーンジャンクションコーティングレジンを介
して、ダイヤフラム部の表面側に被測定圧力が印加され
るように構成したものである。
は、圧力センサチップと、その圧力センサチップを支持
する台座間に、例えば、その内部空間を略真空とした圧
力基準室を設け、台座をリードフレームに実装（ダイ付
け）し、圧力センサチップの表面を、封止樹脂パッケー
ジの外側にその一部が露出するシリコーンジャンクショ
ンコーティングレジンで覆い、全体を封止樹脂で封止
し、シリコーンジャンクションコーティングレジンを介
して、ダイヤフラム部の表面側に被測定圧力が印加され
るように構成したものである。
【００２１】請求項６記載の半導体圧力センサは、裏面
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを支持して前記凹部の内部の
空間を密閉する台座と、その台座を支持するリードフレ
ームと、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラ
ム部の表面が、シリコーンジャンクションコーティング
レジンによって覆われ、前記シリコーンジャンクション
コーティングレジンが充填された空間がパイプを介して
前記封止樹脂パッケージの外側の空間に連通するように
構成されていることを特徴とするものである。
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを支持して前記凹部の内部の
空間を密閉する台座と、その台座を支持するリードフレ
ームと、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラ
ム部の表面が、シリコーンジャンクションコーティング
レジンによって覆われ、前記シリコーンジャンクション
コーティングレジンが充填された空間がパイプを介して
前記封止樹脂パッケージの外側の空間に連通するように
構成されていることを特徴とするものである。
【００２２】つまり、請求項６記載の半導体圧力センサ
は、圧力センサチップと、その圧力センサチップを支持
する台座間に、例えば、その内部圧力を略真空とした圧
力基準室を設け、台座をリードフレームに実装（ダイ付
け）し、圧力センサチップの表面及びその周辺のリード
フレーム上を、シリコーンジャンクションコーティング
レジンで覆い、そのシリコーンジャンクションコーティ
ングレジン中にパイプの一端を固定した後、封止樹脂で
全体を封止し、パイプ及びシリコーンジャンクションコ
ーティングレジンを介して、ダイヤフラム部の表面側に
被測定圧力が印加されるように構成したものである。
は、圧力センサチップと、その圧力センサチップを支持
する台座間に、例えば、その内部圧力を略真空とした圧
力基準室を設け、台座をリードフレームに実装（ダイ付
け）し、圧力センサチップの表面及びその周辺のリード
フレーム上を、シリコーンジャンクションコーティング
レジンで覆い、そのシリコーンジャンクションコーティ
ングレジン中にパイプの一端を固定した後、封止樹脂で
全体を封止し、パイプ及びシリコーンジャンクションコ
ーティングレジンを介して、ダイヤフラム部の表面側に
被測定圧力が印加されるように構成したものである。
【００２３】請求項７記載の半導体圧力センサは、裏面
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを支持して前記凹部の内部の
空間を密閉するリードフレームと、封止樹脂パッケージ
とを備え、前記ダイヤフラム部の表面が、前記封止樹脂
パッケージの外側にその一部が露出するシリコーンジャ
ンクションコーティングレジンによって覆われているこ
とを特徴とするものである。
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを支持して前記凹部の内部の
空間を密閉するリードフレームと、封止樹脂パッケージ
とを備え、前記ダイヤフラム部の表面が、前記封止樹脂
パッケージの外側にその一部が露出するシリコーンジャ
ンクションコーティングレジンによって覆われているこ
とを特徴とするものである。
【００２４】つまり、請求項７記載の半導体圧力センサ
は、圧力センサチップをリードフレームのダイ付け部
に、例えば、陽極接合法により実装（ダイ付け）し、圧
力センサチップとリードフレームのダイ付け部間に、例
えば、その内部空間を略真空とした圧力基準室を形成
し、圧力センサチップの表面をシリコーンジャンクショ
ンコーティングレジンで被覆し、そのシリコーンジャン
クションコーティングレジンの一部が封止樹脂パッケー
ジの外側に露出するように全体を封止樹脂で封止し、シ
リコーンジャンクションコーティングレジンを介して、
ダイヤフラム部の表面側に被測定圧力が印加されるよう
に構成したものである。
は、圧力センサチップをリードフレームのダイ付け部
に、例えば、陽極接合法により実装（ダイ付け）し、圧
力センサチップとリードフレームのダイ付け部間に、例
えば、その内部空間を略真空とした圧力基準室を形成
し、圧力センサチップの表面をシリコーンジャンクショ
ンコーティングレジンで被覆し、そのシリコーンジャン
クションコーティングレジンの一部が封止樹脂パッケー
ジの外側に露出するように全体を封止樹脂で封止し、シ
リコーンジャンクションコーティングレジンを介して、
ダイヤフラム部の表面側に被測定圧力が印加されるよう
に構成したものである。
【００２５】請求項８記載の半導体圧力センサは、裏面
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを実装するリードフレーム
と、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部
の表面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が
露出するシリコーンジャンクションコーティングレジン
によって覆われ、一方の開口が前記圧力センサチップの
前記凹部の内部の空間に繋がる貫通孔が前記リードフレ
ームに形成され、前記貫通孔の他方の開口及びその開口
の周辺の前記リードフレームの面が前記封止樹脂パッケ
ージの外側に露出するように構成され、その露出した前
記リードフレームに、前記貫通孔に繋がるパイプが接続
されていることを特徴とするものである。
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップを実装するリードフレーム
と、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部
の表面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が
露出するシリコーンジャンクションコーティングレジン
によって覆われ、一方の開口が前記圧力センサチップの
前記凹部の内部の空間に繋がる貫通孔が前記リードフレ
ームに形成され、前記貫通孔の他方の開口及びその開口
の周辺の前記リードフレームの面が前記封止樹脂パッケ
ージの外側に露出するように構成され、その露出した前
記リードフレームに、前記貫通孔に繋がるパイプが接続
されていることを特徴とするものである。
【００２６】つまり、請求項８記載の半導体圧力センサ
は、リードフレームの圧力センサチップ実装位置に貫通
孔を形成し、その貫通孔の一方の開口を塞ぐように圧力
センサチップをリードフレームに実装し、圧力センサチ
ップの表面をシリコーンジャンクションコーティングレ
ジンで被覆し、シリコーンジャンクションコーティング
レジンの一部、及び、貫通孔の他方の開口、及び、その
開口周辺とが封止樹脂パッケージの外側に露出するよう
に全体を封止樹脂で封止し、露出した開口周辺のリード
フレームにパイプを接合してそのパイプが貫通孔に繋が
るように構成して、貫通孔及びパイプを介して圧力セン
サチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加さ
れ、シリコーンジャンクションコーティングレジンを介
してダイヤフラム部の表面側に別の圧力が印加されるよ
うに構成したものである。
は、リードフレームの圧力センサチップ実装位置に貫通
孔を形成し、その貫通孔の一方の開口を塞ぐように圧力
センサチップをリードフレームに実装し、圧力センサチ
ップの表面をシリコーンジャンクションコーティングレ
ジンで被覆し、シリコーンジャンクションコーティング
レジンの一部、及び、貫通孔の他方の開口、及び、その
開口周辺とが封止樹脂パッケージの外側に露出するよう
に全体を封止樹脂で封止し、露出した開口周辺のリード
フレームにパイプを接合してそのパイプが貫通孔に繋が
るように構成して、貫通孔及びパイプを介して圧力セン
サチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加さ
れ、シリコーンジャンクションコーティングレジンを介
してダイヤフラム部の表面側に別の圧力が印加されるよ
うに構成したものである。
【００２７】請求項９記載の半導体圧力センサは、裏面
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップ及び他の部品を実装する回路
基板と、その回路基板を支持するリードフレームと、封
止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部の表面
が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出す
るシリコーンジャンクションコーティングレジンによっ
て覆われ、前記回路基板に形成された基板側貫通孔及び
前記リードフレームに形成された貫通孔及びその貫通孔
に接続されたパイプを介して前記凹部の内部の空間が前
記封止樹脂パッケージの外側の空間に連通するように構
成されていることを特徴とするものである。
側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力に
変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
と、その圧力センサチップ及び他の部品を実装する回路
基板と、その回路基板を支持するリードフレームと、封
止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部の表面
が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出す
るシリコーンジャンクションコーティングレジンによっ
て覆われ、前記回路基板に形成された基板側貫通孔及び
前記リードフレームに形成された貫通孔及びその貫通孔
に接続されたパイプを介して前記凹部の内部の空間が前
記封止樹脂パッケージの外側の空間に連通するように構
成されていることを特徴とするものである。
【００２８】つまり、請求項９記載の半導体圧力センサ
は、圧力センサチップ、その他の部品（コンデンサ、抵
抗等のチップ部品、ＩＣ等）が実装された回路基板をリ
ードフレームのダイ付け部上に接着等により実装し、全
体を封止樹脂で封止したもので、回路基板に形成された
基板側貫通孔、及び、リードフレームに形成された貫通
孔、及び、貫通孔に接続されたパイプとを介して圧力セ
ンサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加
され、ダイヤフラム部の表面側を覆い、封止樹脂パッケ
ージの外側にその一部が露出するシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジンを介してダイヤフラム部の表面
側に別の圧力が印加されるように構成したものである。
は、圧力センサチップ、その他の部品（コンデンサ、抵
抗等のチップ部品、ＩＣ等）が実装された回路基板をリ
ードフレームのダイ付け部上に接着等により実装し、全
体を封止樹脂で封止したもので、回路基板に形成された
基板側貫通孔、及び、リードフレームに形成された貫通
孔、及び、貫通孔に接続されたパイプとを介して圧力セ
ンサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が印加
され、ダイヤフラム部の表面側を覆い、封止樹脂パッケ
ージの外側にその一部が露出するシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジンを介してダイヤフラム部の表面
側に別の圧力が印加されるように構成したものである。
【００２９】請求項１０記載の半導体圧力センサは、裏
面側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力
に変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチッ
プと、その圧力センサチップ及び他の部品を実装する回
路基板と、その回路基板を支持するリードフレームと、
封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部の表
面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出
するシリコーンジャンクションコーティングレジンによ
って覆われ、前記回路基板に取り付けられた、前記凹部
の内部の空間と前記封止樹脂パッケージの外側の空間を
繋ぐパイプが、前記リードフレームに形成されたパイプ
位置決め孔に挿通され、前記回路基板に取り付けられた
位置決めピンが前記リードフレームに形成されたピン位
置決め孔に挿通されていることを特徴とするものであ
る。
面側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力
に変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチッ
プと、その圧力センサチップ及び他の部品を実装する回
路基板と、その回路基板を支持するリードフレームと、
封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部の表
面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出
するシリコーンジャンクションコーティングレジンによ
って覆われ、前記回路基板に取り付けられた、前記凹部
の内部の空間と前記封止樹脂パッケージの外側の空間を
繋ぐパイプが、前記リードフレームに形成されたパイプ
位置決め孔に挿通され、前記回路基板に取り付けられた
位置決めピンが前記リードフレームに形成されたピン位
置決め孔に挿通されていることを特徴とするものであ
る。
【００３０】つまり、請求項１０記載の半導体圧力セン
サは、圧力センサチップ、その他の部品（コンデンサ、
抵抗等のチップ部品、ＩＣ等）が実装された回路基板を
リードフレームのダイ付け部上に配置し、全体を封止樹
脂で封止したもので、例えば、回路基板の圧力センサチ
ップ実装位置に貫通孔を形成し、その貫通孔にパイプを
取付け、回路基板の他の位置に位置決めピン（または、
突起）を形成すると共に、回路基板に、パイプ及び位置
決めピンをそれぞれ挿通させる、パイプ位置決め孔及び
ピン位置決め孔を形成し、パイプ及び位置決めピンを、
それぞれ、パイプ位置決め孔及びピン位置決め孔に挿通
させて、回路基板をリードフレームのダイ付け部上に位
置決めし、全体を封止樹脂で封止したものである。これ
により、パイプを介して圧力センサチップのダイヤフラ
ム部の裏面側に所定圧力が印加され、ダイヤフラム部の
表面側を覆い、封止樹脂パッケージの外側にその一部が
露出するシリコーンジャンクションコーティングレジン
を介してダイヤフラム部の表面側に別の圧力が印加され
る。
サは、圧力センサチップ、その他の部品（コンデンサ、
抵抗等のチップ部品、ＩＣ等）が実装された回路基板を
リードフレームのダイ付け部上に配置し、全体を封止樹
脂で封止したもので、例えば、回路基板の圧力センサチ
ップ実装位置に貫通孔を形成し、その貫通孔にパイプを
取付け、回路基板の他の位置に位置決めピン（または、
突起）を形成すると共に、回路基板に、パイプ及び位置
決めピンをそれぞれ挿通させる、パイプ位置決め孔及び
ピン位置決め孔を形成し、パイプ及び位置決めピンを、
それぞれ、パイプ位置決め孔及びピン位置決め孔に挿通
させて、回路基板をリードフレームのダイ付け部上に位
置決めし、全体を封止樹脂で封止したものである。これ
により、パイプを介して圧力センサチップのダイヤフラ
ム部の裏面側に所定圧力が印加され、ダイヤフラム部の
表面側を覆い、封止樹脂パッケージの外側にその一部が
露出するシリコーンジャンクションコーティングレジン
を介してダイヤフラム部の表面側に別の圧力が印加され
る。
【００３１】請求項１１記載の半導体圧力センサは、裏
面側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力
に変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチッ
プと、その圧力センサチップ及び他の部品を実装する回
路基板と、その回路基板を支持するリードフレームと、
封止樹脂パッケージと、前記リードフレームに形成され
た貫通孔に挿通され、一端に形成されたフランジ部が前
記回路基板と前記リードフレームに挟まれるパイプとを
備え、そのパイプを介して前記凹部の内部の空間と前記
封止樹脂パッケージの外側の空間が連通するように構成
されていると共に、前記ダイヤフラム部の表面が、前記
封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出するシリコ
ーンジャンクションコーティングレジンによって覆われ
ていることを特徴とするものである。
面側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力
に変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチッ
プと、その圧力センサチップ及び他の部品を実装する回
路基板と、その回路基板を支持するリードフレームと、
封止樹脂パッケージと、前記リードフレームに形成され
た貫通孔に挿通され、一端に形成されたフランジ部が前
記回路基板と前記リードフレームに挟まれるパイプとを
備え、そのパイプを介して前記凹部の内部の空間と前記
封止樹脂パッケージの外側の空間が連通するように構成
されていると共に、前記ダイヤフラム部の表面が、前記
封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出するシリコ
ーンジャンクションコーティングレジンによって覆われ
ていることを特徴とするものである。
【００３２】つまり、請求項１１記載の半導体圧力セン
サは、圧力センサチップ、その他の部品（コンデンサ、
抵抗等のチップ部品、ＩＣ等）が実装された回路基板を
リードフレームのダイ付け部上に接着等により実装し、
全体を封止樹脂で封止したもので、一端にフランジ部を
形成したパイプを用い、そのパイプをリードフレームに
形成した貫通孔に挿通させ、パイプのフランジ部を回路
基板とリードフレームの間に挟み、接着剤で回路基板を
リードフレームに固定した後、全体を封止樹脂で封止
し、パイプを介して圧力センサチップのダイヤフラム部
の裏面側に所定圧力が印加され、ダイヤフラム部の表面
側を覆い、封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出
するシリコーンジャンクションコーティングレジンを介
してダイヤフラム部の表面側に別の圧力が印加されるよ
うに構成したものである。
サは、圧力センサチップ、その他の部品（コンデンサ、
抵抗等のチップ部品、ＩＣ等）が実装された回路基板を
リードフレームのダイ付け部上に接着等により実装し、
全体を封止樹脂で封止したもので、一端にフランジ部を
形成したパイプを用い、そのパイプをリードフレームに
形成した貫通孔に挿通させ、パイプのフランジ部を回路
基板とリードフレームの間に挟み、接着剤で回路基板を
リードフレームに固定した後、全体を封止樹脂で封止
し、パイプを介して圧力センサチップのダイヤフラム部
の裏面側に所定圧力が印加され、ダイヤフラム部の表面
側を覆い、封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出
するシリコーンジャンクションコーティングレジンを介
してダイヤフラム部の表面側に別の圧力が印加されるよ
うに構成したものである。
【００３３】請求項１２記載の半導体圧力センサは、裏
面側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力
に変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチッ
プと、その圧力センサチップ及び他の部品を実装する回
路基板と、その回路基板を支持するリードフレームと、
前記回路基板に取り付けられ少なくとも前記圧力センサ
チップを覆う蓋と、その蓋の内部に充填されたシリコー
ンジャンクションコーティングレジンと、封止樹脂パッ
ケージとを備え、前記回路基板に形成された基板側第１
貫通孔に接続され前記リードフレームに形成された第１
貫通孔に挿通された第１パイプを介して、前記凹部の内
部の空間が前記封止樹脂パッケージの外側の空間に挿通
され、前記回路基板に形成された基板側第２貫通孔に接
続され前記リードフレームに形成された第２貫通孔に挿
通された第２パイプを介して、前記シリコーンジャンク
ションコーティングレジンが充填された空間が前記封止
樹脂パッケージの外側の空間に連通するように構成され
ていることを特徴とするものである。
面側に凹部が形成され、その凹部の上方に、圧力を応力
に変換するダイヤフラム部が形成された圧力センサチッ
プと、その圧力センサチップ及び他の部品を実装する回
路基板と、その回路基板を支持するリードフレームと、
前記回路基板に取り付けられ少なくとも前記圧力センサ
チップを覆う蓋と、その蓋の内部に充填されたシリコー
ンジャンクションコーティングレジンと、封止樹脂パッ
ケージとを備え、前記回路基板に形成された基板側第１
貫通孔に接続され前記リードフレームに形成された第１
貫通孔に挿通された第１パイプを介して、前記凹部の内
部の空間が前記封止樹脂パッケージの外側の空間に挿通
され、前記回路基板に形成された基板側第２貫通孔に接
続され前記リードフレームに形成された第２貫通孔に挿
通された第２パイプを介して、前記シリコーンジャンク
ションコーティングレジンが充填された空間が前記封止
樹脂パッケージの外側の空間に連通するように構成され
ていることを特徴とするものである。
【００３４】つまり、請求項１２記載の半導体圧力セン
サは、圧力センサチップ、その他の部品（コンデンサ、
抵抗等のチップ部品、ＩＣ等）を回路基板に実装し、少
なくとも圧力センサチップを蓋で覆って封止し、蓋の内
部にシリコーンジャンクションコーティングレジンを充
填し、圧力センサチップに形成した凹部に通じる基板側
第１貫通孔に第１パイプを接続すると共に、蓋によって
密閉される空間に通じる基板側第２貫通孔に第２パイプ
を接続し、基板側第１貫通孔及び第１パイプを介して圧
力センサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が
印加され、第２パイプ及び基板側第２貫通孔及びシリコ
ーンジャンクションコーティングレジンを介してダイヤ
フラム部の表面側に別の圧力が印加されるように構成し
たものである。
サは、圧力センサチップ、その他の部品（コンデンサ、
抵抗等のチップ部品、ＩＣ等）を回路基板に実装し、少
なくとも圧力センサチップを蓋で覆って封止し、蓋の内
部にシリコーンジャンクションコーティングレジンを充
填し、圧力センサチップに形成した凹部に通じる基板側
第１貫通孔に第１パイプを接続すると共に、蓋によって
密閉される空間に通じる基板側第２貫通孔に第２パイプ
を接続し、基板側第１貫通孔及び第１パイプを介して圧
力センサチップのダイヤフラム部の裏面側に所定圧力が
印加され、第２パイプ及び基板側第２貫通孔及びシリコ
ーンジャンクションコーティングレジンを介してダイヤ
フラム部の表面側に別の圧力が印加されるように構成し
たものである。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図１の断面図に基づいて本
発明の半導体圧力センサの一実施形態について説明す
る。図で、９はシリコン単結晶で構成された略平板状の
圧力センサチップで、圧力センサチップ９の裏面側には
凹部９ａが形成され、凹部９ａの上方には、印加された
圧力を応力に変換するダイヤフラム部９ｂが形成されて
いる。また、圧力センサチップ９には、拡散歪みゲージ
（図示省略）が形成されており、ピエゾ抵抗効果により
ダイヤフラム部９ｂに発生した応力を電気抵抗に変換す
るように構成されている。
発明の半導体圧力センサの一実施形態について説明す
る。図で、９はシリコン単結晶で構成された略平板状の
圧力センサチップで、圧力センサチップ９の裏面側には
凹部９ａが形成され、凹部９ａの上方には、印加された
圧力を応力に変換するダイヤフラム部９ｂが形成されて
いる。また、圧力センサチップ９には、拡散歪みゲージ
（図示省略）が形成されており、ピエゾ抵抗効果により
ダイヤフラム部９ｂに発生した応力を電気抵抗に変換す
るように構成されている。
【００３６】１０は圧力センサチップ９を実装するリー
ドフレーム、１１は圧力センサチップ９及びリードフレ
ーム１０を封止する樹脂製のパッケージ（封止樹脂パッ
ケージ）である。１２はダイヤフラム部９ｂの表面を覆
う、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジンで、その一部が封止樹脂パッケ
ージ１１の外側に露出するように構成されている。シリ
コーンジャンクションコーティングレジンは、通常、応
力緩和、耐湿性向上のためのＩＣ等の表面コート材とし
て用いられているものである。図１に示す半導体圧力セ
ンサの場合、シリコーンジャンクションコーティングレ
ジンとしては、比較的柔らかい、ゴム状またはゲル状の
タイプのものを用いる。１３は、リードフレーム１０の
外部接続用端子１０ａと圧力センサチップ９の表面側に
形成された電極パッド１４を接続する、AuまたはAl等で
構成されたボンディングワイヤである。
ドフレーム、１１は圧力センサチップ９及びリードフレ
ーム１０を封止する樹脂製のパッケージ（封止樹脂パッ
ケージ）である。１２はダイヤフラム部９ｂの表面を覆
う、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジンで、その一部が封止樹脂パッケ
ージ１１の外側に露出するように構成されている。シリ
コーンジャンクションコーティングレジンは、通常、応
力緩和、耐湿性向上のためのＩＣ等の表面コート材とし
て用いられているものである。図１に示す半導体圧力セ
ンサの場合、シリコーンジャンクションコーティングレ
ジンとしては、比較的柔らかい、ゴム状またはゲル状の
タイプのものを用いる。１３は、リードフレーム１０の
外部接続用端子１０ａと圧力センサチップ９の表面側に
形成された電極パッド１４を接続する、AuまたはAl等で
構成されたボンディングワイヤである。
【００３７】また、リードフレーム１０のダイ付け部１
０ｂの圧力センサチップ実装位置には、貫通孔１０ｃが
形成されており、圧力センサチップ９はこの貫通孔１０
ｃを塞ぐように、シリコーンまたはエポキシ等の接着剤
１５によってリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに
固定されている。さらに、封止樹脂パッケージ１１に
は、貫通孔１０ｃに繋がるように圧力導入孔１１ａが形
成されている。
０ｂの圧力センサチップ実装位置には、貫通孔１０ｃが
形成されており、圧力センサチップ９はこの貫通孔１０
ｃを塞ぐように、シリコーンまたはエポキシ等の接着剤
１５によってリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに
固定されている。さらに、封止樹脂パッケージ１１に
は、貫通孔１０ｃに繋がるように圧力導入孔１１ａが形
成されている。
【００３８】図１に示す圧力センサチップは、大気圧を
基準として圧力を測定するもので、図１に示すように構
成し、圧力導入孔１１ａに、チューブ等を接続してその
チューブ等を介して被測定圧力が半導体圧力センサの内
部に導入されるように構成すれば、シリコーンジャンク
ションコーティングレジン１２を介して圧力センサチッ
プ９のダイヤフラム部９ｂの表面側には、基準圧力であ
る大気圧が印加され、圧力導入孔１１ａに接続されたチ
ューブ及び封止樹脂パッケージ１１に形成された圧力導
入孔１１ａ及びリードフレーム１０に形成された貫通孔
１０ｃを介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に被測定圧
力が印加され、基準圧力である大気圧との差圧に応じて
ダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、その応力に
応じたピエゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１０の外部
接続用端子１０ａから取り出して圧力を測定することが
できる。
基準として圧力を測定するもので、図１に示すように構
成し、圧力導入孔１１ａに、チューブ等を接続してその
チューブ等を介して被測定圧力が半導体圧力センサの内
部に導入されるように構成すれば、シリコーンジャンク
ションコーティングレジン１２を介して圧力センサチッ
プ９のダイヤフラム部９ｂの表面側には、基準圧力であ
る大気圧が印加され、圧力導入孔１１ａに接続されたチ
ューブ及び封止樹脂パッケージ１１に形成された圧力導
入孔１１ａ及びリードフレーム１０に形成された貫通孔
１０ｃを介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に被測定圧
力が印加され、基準圧力である大気圧との差圧に応じて
ダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、その応力に
応じたピエゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１０の外部
接続用端子１０ａから取り出して圧力を測定することが
できる。
【００３９】図１に示す半導体圧力センサの製造方法の
一実施形態について説明する。まず、圧力センサチップ
９をリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに接着し、
ボンディングワイヤ１３によってリードフレーム１０の
外部接続用端子１０ａと圧力センサチップ９の電極パッ
ド１４とを接続する。次に、圧力センサチップ９の表面
をシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
（例えば、ゲル状のシリコーン樹脂）で被覆する。
一実施形態について説明する。まず、圧力センサチップ
９をリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに接着し、
ボンディングワイヤ１３によってリードフレーム１０の
外部接続用端子１０ａと圧力センサチップ９の電極パッ
ド１４とを接続する。次に、圧力センサチップ９の表面
をシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
（例えば、ゲル状のシリコーン樹脂）で被覆する。
【００４０】次に、圧力センサチップ９を実装したリー
ドフレーム１０をモールド封止用金型内にセットする。
ここで、金型の下型に、リードフレーム１０の貫通孔１
０ｃの径より少し大きい略円筒形のピンを設けておき、
そのピンの先端が、貫通孔１０ｃの裏面側の開口を塞ぐ
ようにピン位置を調整しておく。モールド封止時、モー
ルド封止に用いる封止樹脂（熱硬化性のエポキシ樹脂
等、一般に成形温度は170 〜190 ℃である）が、ピンと
リードフレーム１０との隙間に流れ込み、リードフレー
ム１０の貫通孔１０ｃを塞がないように注意する。この
ための工夫は色々あるが、例えば、モールド封止前に、
貫通孔１０ｃをプラスチックまたは金属等で構成された
薄い板または膜で塞いでおき、モールド封止後に、ドリ
ルによる穿孔、レーザ焼切り、薬品溶解等の方法によっ
て、薄い板または膜に開口を形成する方法がある。ま
た、予め、貫通孔１０ｃの裏面側開口の周囲に離型剤を
塗布しておき、モールド封止するようにしてもよいが、
その方法は特に限定されない。
ドフレーム１０をモールド封止用金型内にセットする。
ここで、金型の下型に、リードフレーム１０の貫通孔１
０ｃの径より少し大きい略円筒形のピンを設けておき、
そのピンの先端が、貫通孔１０ｃの裏面側の開口を塞ぐ
ようにピン位置を調整しておく。モールド封止時、モー
ルド封止に用いる封止樹脂（熱硬化性のエポキシ樹脂
等、一般に成形温度は170 〜190 ℃である）が、ピンと
リードフレーム１０との隙間に流れ込み、リードフレー
ム１０の貫通孔１０ｃを塞がないように注意する。この
ための工夫は色々あるが、例えば、モールド封止前に、
貫通孔１０ｃをプラスチックまたは金属等で構成された
薄い板または膜で塞いでおき、モールド封止後に、ドリ
ルによる穿孔、レーザ焼切り、薬品溶解等の方法によっ
て、薄い板または膜に開口を形成する方法がある。ま
た、予め、貫通孔１０ｃの裏面側開口の周囲に離型剤を
塗布しておき、モールド封止するようにしてもよいが、
その方法は特に限定されない。
【００４１】圧力センサチップ９の表面を被覆したシリ
コーンジャンクションコーティングレジン１２は、モー
ルド封止した後、その一部が封止樹脂パッケージ１１の
外側に露出していなければならないが、例えば、これは
金型の上型に、シリコーンジャンクションコーティング
レジン１２に接する、または、シリコーンジャンクショ
ンコーティングレジン１２中にわずかに入り込むように
位置を調整したピンを設けておけばよい。これにより、
モールド封止後に、シリコーンジャンクションコーティ
ングレジン１２の一部が封止樹脂パッケージ１１の外側
に露出するようになる。
コーンジャンクションコーティングレジン１２は、モー
ルド封止した後、その一部が封止樹脂パッケージ１１の
外側に露出していなければならないが、例えば、これは
金型の上型に、シリコーンジャンクションコーティング
レジン１２に接する、または、シリコーンジャンクショ
ンコーティングレジン１２中にわずかに入り込むように
位置を調整したピンを設けておけばよい。これにより、
モールド封止後に、シリコーンジャンクションコーティ
ングレジン１２の一部が封止樹脂パッケージ１１の外側
に露出するようになる。
【００４２】リードフレーム１０は、42アロイ、コバー
ル、銅系合金等の材料で構成され、ボンディングワイヤ
を接続するために、表面にAu，Agめっき等が施されてい
る。但し、リードフレーム１０の材料は特に限定される
ものではない。リードフレーム１０の外部接続用端子１
０ａの、封止樹脂パッケージ１１の外側に突出した部分
は、上方または下方方向に屈曲した形状、または、ガル
ウィング状やＪベンド状等の形状に加工され、プリント
配線基板上に形成した配線パターンと半田等により接続
される。
ル、銅系合金等の材料で構成され、ボンディングワイヤ
を接続するために、表面にAu，Agめっき等が施されてい
る。但し、リードフレーム１０の材料は特に限定される
ものではない。リードフレーム１０の外部接続用端子１
０ａの、封止樹脂パッケージ１１の外側に突出した部分
は、上方または下方方向に屈曲した形状、または、ガル
ウィング状やＪベンド状等の形状に加工され、プリント
配線基板上に形成した配線パターンと半田等により接続
される。
【００４３】図２の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサの異なる実施形態について説明する。但し、図
１に示した構成と同等構成については同符号を付すこと
とし詳細な説明を省略することとする。図に示す半導体
圧力センサの場合、リードフレーム１０のダイ付け部１
０ｂには、封止樹脂パッケージ１１に形成された第１圧
力導入孔１１ａ及び第２圧力導入孔１１ｂにそれぞれ繋
がる、第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１０ｄが形成さ
れており、圧力センサチップ９は、接着剤１５によって
第１貫通孔１０ｃの表面側開口を塞ぐようにリードフレ
ーム１０のダイ付け部１０ｂに実装されている。
力センサの異なる実施形態について説明する。但し、図
１に示した構成と同等構成については同符号を付すこと
とし詳細な説明を省略することとする。図に示す半導体
圧力センサの場合、リードフレーム１０のダイ付け部１
０ｂには、封止樹脂パッケージ１１に形成された第１圧
力導入孔１１ａ及び第２圧力導入孔１１ｂにそれぞれ繋
がる、第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１０ｄが形成さ
れており、圧力センサチップ９は、接着剤１５によって
第１貫通孔１０ｃの表面側開口を塞ぐようにリードフレ
ーム１０のダイ付け部１０ｂに実装されている。
【００４４】また、圧力センサチップ９の表面、及び、
第２貫通孔１０ｄの表面側開口を含む、圧力センサチッ
プ９周辺のダイ付け部１０ｂの表面が、ゲル状のシリコ
ーン樹脂等で構成されるシリコーンジャンクションコー
ティングレジン１２でグローブトップ状に覆われてお
り、第２貫通孔１０ｄの箇所でリードフレーム１０の裏
面側にシリコーンジャンクションコーティングレジン１
２が露出するように構成されている。
第２貫通孔１０ｄの表面側開口を含む、圧力センサチッ
プ９周辺のダイ付け部１０ｂの表面が、ゲル状のシリコ
ーン樹脂等で構成されるシリコーンジャンクションコー
ティングレジン１２でグローブトップ状に覆われてお
り、第２貫通孔１０ｄの箇所でリードフレーム１０の裏
面側にシリコーンジャンクションコーティングレジン１
２が露出するように構成されている。
【００４５】図２に示すように構成し、第１圧力導入孔
１１ａに、チューブ等を接続してそのチューブによって
被測定圧力が半導体圧力センサ内に導入されるように構
成する。これにより、第２圧力導入孔１１ｂ及び第２貫
通孔１０ｄ及びシリコーンジャンクションコーティング
レジン１２を介して、圧力センサチップ９のダイヤフラ
ム部９ｂの表面側には、基準圧力である大気圧が印加さ
れ、第１圧力導入孔１１ａに接続されたチューブ及び第
１貫通孔１０ｃを介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に
被測定圧力が印加され、基準圧力である大気圧との差圧
に応じてダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、そ
の応力に応じたピエゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１
０の外部接続用端子１０ａから取り出すことができ圧力
を測定することができる。図２に示す半導体圧力センサ
の製造方法の一実施形態について説明する。圧力センサ
チップ９をリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに接
着し、ボンディングワイヤ１３によってリードフレーム
１０の外部接続用端子１０ａと圧力センサチップ９の電
極パッド１４とを接続し、圧力センサチップ９の表面及
びその周辺のダイ付け部１０ｂの表面を、シリコーンジ
ャンクションコーティングレジン１２でポッティングし
グローブトップ状に覆う。この場合、第２貫通孔１０ｄ
からシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
がリードフレーム１０の裏面側に流れ出さないよう注意
する。この対策としては、シリコーンジャンクションコ
ーティングレジン１２を、約 100〜 150℃、30分〜90分
程度の条件で熱硬化させる前に、予め、第２貫通孔１０
ｄの裏面側開口に、テフロンコーティング等を施したピ
ン等を差し込んでおき、シリコーンジャンクションコー
ティングレジン１２の硬化後にそのピン等を取り外す方
法、または、第２貫通孔１０ｄを小さくして、シリコー
ンジャンクションコーティングレジン１２の表面張力に
より、第２貫通孔１０ｄからリードフレーム１０の裏面
側にシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
が流れ出さないように構成する方法等がある。
１１ａに、チューブ等を接続してそのチューブによって
被測定圧力が半導体圧力センサ内に導入されるように構
成する。これにより、第２圧力導入孔１１ｂ及び第２貫
通孔１０ｄ及びシリコーンジャンクションコーティング
レジン１２を介して、圧力センサチップ９のダイヤフラ
ム部９ｂの表面側には、基準圧力である大気圧が印加さ
れ、第１圧力導入孔１１ａに接続されたチューブ及び第
１貫通孔１０ｃを介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に
被測定圧力が印加され、基準圧力である大気圧との差圧
に応じてダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、そ
の応力に応じたピエゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１
０の外部接続用端子１０ａから取り出すことができ圧力
を測定することができる。図２に示す半導体圧力センサ
の製造方法の一実施形態について説明する。圧力センサ
チップ９をリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに接
着し、ボンディングワイヤ１３によってリードフレーム
１０の外部接続用端子１０ａと圧力センサチップ９の電
極パッド１４とを接続し、圧力センサチップ９の表面及
びその周辺のダイ付け部１０ｂの表面を、シリコーンジ
ャンクションコーティングレジン１２でポッティングし
グローブトップ状に覆う。この場合、第２貫通孔１０ｄ
からシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
がリードフレーム１０の裏面側に流れ出さないよう注意
する。この対策としては、シリコーンジャンクションコ
ーティングレジン１２を、約 100〜 150℃、30分〜90分
程度の条件で熱硬化させる前に、予め、第２貫通孔１０
ｄの裏面側開口に、テフロンコーティング等を施したピ
ン等を差し込んでおき、シリコーンジャンクションコー
ティングレジン１２の硬化後にそのピン等を取り外す方
法、または、第２貫通孔１０ｄを小さくして、シリコー
ンジャンクションコーティングレジン１２の表面張力に
より、第２貫通孔１０ｄからリードフレーム１０の裏面
側にシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
が流れ出さないように構成する方法等がある。
【００４６】次に、圧力センサチップ９を実装したリー
ドフレーム１０をモールド封止用金型内にセットし、エ
ポキシ樹脂等でモールド封止（トランスファ成形）す
る。ここで、金型の下型に、リードフレーム１０の第１
貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１０ｄのそれぞれの径より
少し大きい略円筒形のピンをそれぞれ設けておき、それ
らのピンの先端が、第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１
０ｄの裏面側の開口を塞ぐようにピン位置を調整してモ
ールド封止する。
ドフレーム１０をモールド封止用金型内にセットし、エ
ポキシ樹脂等でモールド封止（トランスファ成形）す
る。ここで、金型の下型に、リードフレーム１０の第１
貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１０ｄのそれぞれの径より
少し大きい略円筒形のピンをそれぞれ設けておき、それ
らのピンの先端が、第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１
０ｄの裏面側の開口を塞ぐようにピン位置を調整してモ
ールド封止する。
【００４７】図３の断面図に基づいて本発明のさらに異
なる実施形態について説明する。図３に示す半導体圧力
センサは、図１に示した半導体圧力センサに対して、予
め、リードフレーム１０の圧力センサチップ９の実装位
置に形成した貫通孔１０ｃに、一端が封止樹脂パッケー
ジ１１の外側に露出する金属製のパイプ１６を接続して
モールド封止した点が異なるものである。パイプ１６を
リードフレーム１０に接続するには、パイプ１６をかし
める、溶接する、高温半田（融点が約 220℃）により半
田付けする、エポキシ系接着剤で接着する等の方法があ
るが特に限定されるものではない。
なる実施形態について説明する。図３に示す半導体圧力
センサは、図１に示した半導体圧力センサに対して、予
め、リードフレーム１０の圧力センサチップ９の実装位
置に形成した貫通孔１０ｃに、一端が封止樹脂パッケー
ジ１１の外側に露出する金属製のパイプ１６を接続して
モールド封止した点が異なるものである。パイプ１６を
リードフレーム１０に接続するには、パイプ１６をかし
める、溶接する、高温半田（融点が約 220℃）により半
田付けする、エポキシ系接着剤で接着する等の方法があ
るが特に限定されるものではない。
【００４８】図３に示す半導体圧力センサの製造方法の
一実施形態について説明する。まず、圧力センサチップ
９をリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂにダイボン
ドし、圧力センサチップ９に形成された電極パッド１４
とリードフレーム１０の外部接続用端子１０ａをボンデ
ィングワイヤ１３により接続する。その後、圧力センサ
チップ９の表面をゲル状のシリコーン樹脂等のシリコー
ンジャンクションコーティングレジン１２で被覆してト
ランスファーモールド成形を行う。この場合、パイプ１
６の先端部分と、シリコーンジャンクションコーティン
グレジン１２の一部が、封止樹脂パッケージ１１の外側
に露出するように構成する。図３に示すように構成し、
パイプ１６にチューブ等を接続し、空気または液体等を
媒体として、チューブ及びパイプ１６を介して被測定圧
力をダイヤフラム部９ｂの裏面側に印加することによっ
て、シリコーンジャンクションコーティングレジン１２
を介してダイヤフラム部９ｂの表面側に印加される大気
圧を基準圧力とした圧力測定が可能となる。
一実施形態について説明する。まず、圧力センサチップ
９をリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂにダイボン
ドし、圧力センサチップ９に形成された電極パッド１４
とリードフレーム１０の外部接続用端子１０ａをボンデ
ィングワイヤ１３により接続する。その後、圧力センサ
チップ９の表面をゲル状のシリコーン樹脂等のシリコー
ンジャンクションコーティングレジン１２で被覆してト
ランスファーモールド成形を行う。この場合、パイプ１
６の先端部分と、シリコーンジャンクションコーティン
グレジン１２の一部が、封止樹脂パッケージ１１の外側
に露出するように構成する。図３に示すように構成し、
パイプ１６にチューブ等を接続し、空気または液体等を
媒体として、チューブ及びパイプ１６を介して被測定圧
力をダイヤフラム部９ｂの裏面側に印加することによっ
て、シリコーンジャンクションコーティングレジン１２
を介してダイヤフラム部９ｂの表面側に印加される大気
圧を基準圧力とした圧力測定が可能となる。
【００４９】図４の断面図に基づいて本発明のさらに異
なる実施形態について説明する。図に示す半導体圧力セ
ンサは、図２に示した半導体圧力センサに対して、予
め、リードフレーム１０に形成した、第１貫通孔１０ｃ
及び第２貫通孔１０ｄに、それぞれ、一端が封止樹脂パ
ッケージ１１の外側に露出する金属製の、第１パイプ１
７及び第２パイプ１８を接続してモールド封止した点が
異なるものである。第１パイプ１７及び第２パイプ１８
をリードフレーム１０に接続するには、第１パイプ１７
及び第２パイプ１８をかしめる、溶接する、高温半田
（融点が約 220℃）により半田付けする、エポキシ系接
着剤で接着する等の方法があるが特に限定されるもので
はない。
なる実施形態について説明する。図に示す半導体圧力セ
ンサは、図２に示した半導体圧力センサに対して、予
め、リードフレーム１０に形成した、第１貫通孔１０ｃ
及び第２貫通孔１０ｄに、それぞれ、一端が封止樹脂パ
ッケージ１１の外側に露出する金属製の、第１パイプ１
７及び第２パイプ１８を接続してモールド封止した点が
異なるものである。第１パイプ１７及び第２パイプ１８
をリードフレーム１０に接続するには、第１パイプ１７
及び第２パイプ１８をかしめる、溶接する、高温半田
（融点が約 220℃）により半田付けする、エポキシ系接
着剤で接着する等の方法があるが特に限定されるもので
はない。
【００５０】図４に示す半導体圧力センサの製造方法の
一実施形態について説明する。まず、リードフレーム１
０に形成した第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１０ｄ
に、それぞれ、第１パイプ１７及び第２パイプ１８を接
続して、リードフレーム１０の裏面側に第１パイプ１７
及び第２パイプ１８が突出するように構成する。次に、
第１貫通孔１０ｃの表面側開口を塞ぐように、圧力セン
サチップ９をリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに
ダイボンドし、圧力センサチップ９に形成された電極パ
ッド１４と外部接続用端子１０ａをボンディングワイヤ
１３により接続する。その後、圧力センサチップ９の表
面、及び、その周辺のダイ付け部１０ｂの表面（第２貫
通孔１０ｄの表面側開口を含む）を、ゲル状のシリコー
ン樹脂等のシリコーンジャンクションコーティングレジ
ン１２で被覆してトランスファーモールド成形を行う。
この場合、シリコーンジャンクションコーティングレジ
ン１２が、第２パイプ１８から封止樹脂パッケージ１１
の外側に流れ出さないように、封止樹脂パッケージ１１
の外側に露出する第２パイプ１８の開口を塞いだ状態で
モールド封止する。
一実施形態について説明する。まず、リードフレーム１
０に形成した第１貫通孔１０ｃ及び第２貫通孔１０ｄ
に、それぞれ、第１パイプ１７及び第２パイプ１８を接
続して、リードフレーム１０の裏面側に第１パイプ１７
及び第２パイプ１８が突出するように構成する。次に、
第１貫通孔１０ｃの表面側開口を塞ぐように、圧力セン
サチップ９をリードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに
ダイボンドし、圧力センサチップ９に形成された電極パ
ッド１４と外部接続用端子１０ａをボンディングワイヤ
１３により接続する。その後、圧力センサチップ９の表
面、及び、その周辺のダイ付け部１０ｂの表面（第２貫
通孔１０ｄの表面側開口を含む）を、ゲル状のシリコー
ン樹脂等のシリコーンジャンクションコーティングレジ
ン１２で被覆してトランスファーモールド成形を行う。
この場合、シリコーンジャンクションコーティングレジ
ン１２が、第２パイプ１８から封止樹脂パッケージ１１
の外側に流れ出さないように、封止樹脂パッケージ１１
の外側に露出する第２パイプ１８の開口を塞いだ状態で
モールド封止する。
【００５１】図５の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
に示す半導体圧力センサは、略真空の圧力基準室を形成
した絶対圧型の半導体圧力センサである。図で、１９は
圧力センサチップ９を実装するガラス等（例えば、パイ
レックスガラス＃７７４０（コーニング（株）製））で
構成された略平板状の台座で、略真空下で、陽極接合に
よって圧力センサチップ９の凹部９ａを塞ぐように圧力
センサチップ９と接合されている。これにより、凹部９
ａは略真空の圧力基準室となっている。また、圧力セン
サチップ９を実装した台座１９がリードフレーム１０の
ダイ付け部１０ｂに接着剤１５によって固定されてい
る。さらに、圧力センサチップ９の表面を覆うシリコー
ンジャンクションコーティングレジン１２の一部が封止
樹脂パッケージ１１の外側に露出するように構成されて
いる。図５に示すように構成し、シリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジン１２を介して圧力センサチップ
９のダイヤフラム部９ｂの表面側に被測定圧力を印加す
ることによって絶対圧力を測定することが可能となる。
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
に示す半導体圧力センサは、略真空の圧力基準室を形成
した絶対圧型の半導体圧力センサである。図で、１９は
圧力センサチップ９を実装するガラス等（例えば、パイ
レックスガラス＃７７４０（コーニング（株）製））で
構成された略平板状の台座で、略真空下で、陽極接合に
よって圧力センサチップ９の凹部９ａを塞ぐように圧力
センサチップ９と接合されている。これにより、凹部９
ａは略真空の圧力基準室となっている。また、圧力セン
サチップ９を実装した台座１９がリードフレーム１０の
ダイ付け部１０ｂに接着剤１５によって固定されてい
る。さらに、圧力センサチップ９の表面を覆うシリコー
ンジャンクションコーティングレジン１２の一部が封止
樹脂パッケージ１１の外側に露出するように構成されて
いる。図５に示すように構成し、シリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジン１２を介して圧力センサチップ
９のダイヤフラム部９ｂの表面側に被測定圧力を印加す
ることによって絶対圧力を測定することが可能となる。
【００５２】図５に示す半導体圧力センサの製造方法の
一実施形態について説明する。まず、略真空下で、陽極
接合によって圧力センサチップ９の凹部９ａを塞ぐよう
に台座１９を圧力センサチップ９に接合する。次に、圧
力センサチップ９を実装した台座１９をリードフレーム
１０のダイ付け部１０ｂに接着剤１５により接着する。
次に、ボンディングワイヤ１３によって圧力センサチッ
プ９に形成された電極パッド１４とリードフレーム１０
の外部接続用端子１０ａを接続した後、圧力センサチッ
プ９の表面をシリコーンジャンクションコーティングレ
ジン１２によって覆う。最後に、トランスファーモール
ド成形を行い全体を封止する。この時、圧力センサチッ
プ９を被覆したシリコーンジャンクションコーティング
レジン１２の一部が、封止樹脂パッケージ１０の外側に
露出するように構成する。
一実施形態について説明する。まず、略真空下で、陽極
接合によって圧力センサチップ９の凹部９ａを塞ぐよう
に台座１９を圧力センサチップ９に接合する。次に、圧
力センサチップ９を実装した台座１９をリードフレーム
１０のダイ付け部１０ｂに接着剤１５により接着する。
次に、ボンディングワイヤ１３によって圧力センサチッ
プ９に形成された電極パッド１４とリードフレーム１０
の外部接続用端子１０ａを接続した後、圧力センサチッ
プ９の表面をシリコーンジャンクションコーティングレ
ジン１２によって覆う。最後に、トランスファーモール
ド成形を行い全体を封止する。この時、圧力センサチッ
プ９を被覆したシリコーンジャンクションコーティング
レジン１２の一部が、封止樹脂パッケージ１０の外側に
露出するように構成する。
【００５３】図６の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
に示す半導体圧力センサは、図５に示した半導体圧力セ
ンサに対して、パイプ２０及びシリコーンジャンクショ
ンコーティングレジン１２を介して圧力センサチップ９
に被測定圧力が伝達されるように構成したものである。
シリコーンジャンクションコーティングレジン１２は、
圧力センサチップ９の表面、及び、その周辺のダイ付け
部１０ｂの表面を覆うように塗布されており、パイプ２
０の一端がシリコーンジャンクションコーティングレジ
ン１２中に差し込まれた構成となっている。パイプ２０
の他端は、封止樹脂パッケージ１１の外側に露出した構
成となっている。このように構成し、チューブ等をパイ
プ２０に接続して被測定圧力をパイプ２０の内部に印加
することによって、シリコーンジャンクションコーティ
ングレジン１２を介して被測定圧力がダイヤフラム部９
ｂの表面側に印加されるので絶対圧力を測定することが
できる。
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
に示す半導体圧力センサは、図５に示した半導体圧力セ
ンサに対して、パイプ２０及びシリコーンジャンクショ
ンコーティングレジン１２を介して圧力センサチップ９
に被測定圧力が伝達されるように構成したものである。
シリコーンジャンクションコーティングレジン１２は、
圧力センサチップ９の表面、及び、その周辺のダイ付け
部１０ｂの表面を覆うように塗布されており、パイプ２
０の一端がシリコーンジャンクションコーティングレジ
ン１２中に差し込まれた構成となっている。パイプ２０
の他端は、封止樹脂パッケージ１１の外側に露出した構
成となっている。このように構成し、チューブ等をパイ
プ２０に接続して被測定圧力をパイプ２０の内部に印加
することによって、シリコーンジャンクションコーティ
ングレジン１２を介して被測定圧力がダイヤフラム部９
ｂの表面側に印加されるので絶対圧力を測定することが
できる。
【００５４】図６に示した半導体圧力センサの製造方法
の一実施形態について説明する。まず、真空下で、陽極
接合によって圧力センサチップ９の凹部９ａを塞ぐよう
に台座１９を圧力センサチップ９に接合する。次に、圧
力センサチップ９を実装した台座１９をリードフレーム
１０のダイ付け部１０ｂに接着剤１５により接着する。
次に、ボンディングワイヤ１３によって圧力センサチッ
プ９に形成された電極パッド１４とリードフレーム１０
の外部接続用端子１０ａを接続した後、圧力センサチッ
プ９の表面、及び、その周辺のダイ付け部１０ｂの表面
をシリコーンジャンクションコーティングレジン１２に
よって覆う。次に、シリコーンジャンクションコーティ
ングレジン１２中にパイプ２０を差し込み、インサート
成形する。この時、パイプ２０の先端部分が封止樹脂パ
ッケージ１１の外側に露出するように構成する。このよ
うに構成し、チューブ等をパイプ２０に接続して被測定
圧力をパイプ２０の内部に印加することによって、シリ
コーンジャンクションコーティングレジン１２を介して
被測定圧力がダイヤフラム部９ｂの表面側に印加される
ので絶対圧力を測定することができる。
の一実施形態について説明する。まず、真空下で、陽極
接合によって圧力センサチップ９の凹部９ａを塞ぐよう
に台座１９を圧力センサチップ９に接合する。次に、圧
力センサチップ９を実装した台座１９をリードフレーム
１０のダイ付け部１０ｂに接着剤１５により接着する。
次に、ボンディングワイヤ１３によって圧力センサチッ
プ９に形成された電極パッド１４とリードフレーム１０
の外部接続用端子１０ａを接続した後、圧力センサチッ
プ９の表面、及び、その周辺のダイ付け部１０ｂの表面
をシリコーンジャンクションコーティングレジン１２に
よって覆う。次に、シリコーンジャンクションコーティ
ングレジン１２中にパイプ２０を差し込み、インサート
成形する。この時、パイプ２０の先端部分が封止樹脂パ
ッケージ１１の外側に露出するように構成する。このよ
うに構成し、チューブ等をパイプ２０に接続して被測定
圧力をパイプ２０の内部に印加することによって、シリ
コーンジャンクションコーティングレジン１２を介して
被測定圧力がダイヤフラム部９ｂの表面側に印加される
ので絶対圧力を測定することができる。
【００５５】図７の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
に示す半導体圧力センサは、図５に示した半導体圧力セ
ンサに対して、台座１９を介さずに、圧力センサチップ
９を直接リードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに実装
したものであるため、構造の詳細な説明を省略し製造方
法の一実施形態について説明することとする。
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
に示す半導体圧力センサは、図５に示した半導体圧力セ
ンサに対して、台座１９を介さずに、圧力センサチップ
９を直接リードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに実装
したものであるため、構造の詳細な説明を省略し製造方
法の一実施形態について説明することとする。
【００５６】まず、圧力センサチップ９を、略真空下
で、リードフレーム１０のダイ付け部１０ｂの表面に直
接陽極接合により接合する。これにより、凹部９ａが密
閉されて圧力センサチップ９とリードフレーム１０間に
略真空の圧力基準室が形成される。リードフレーム１０
の材料は、圧力センサチップ９の材料（シリコン）の熱
膨張係数に近いコバール等を用いる。その後、ボンディ
ングワイヤ１３により圧力センサチップ９の表面に形成
した電極パッド１４とリードフレーム１０の外部接続用
端子１０ａを接続し、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリ
コーンジャンクションコーティングレジン１２で圧力セ
ンサチップ９の表面を被覆し、トランスファーモールド
成形を行う。ここで、圧力センサチップ９の表面を被覆
したシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
の一部が、封止樹脂パッケージ１１の外側に露出するよ
うに成形する。
で、リードフレーム１０のダイ付け部１０ｂの表面に直
接陽極接合により接合する。これにより、凹部９ａが密
閉されて圧力センサチップ９とリードフレーム１０間に
略真空の圧力基準室が形成される。リードフレーム１０
の材料は、圧力センサチップ９の材料（シリコン）の熱
膨張係数に近いコバール等を用いる。その後、ボンディ
ングワイヤ１３により圧力センサチップ９の表面に形成
した電極パッド１４とリードフレーム１０の外部接続用
端子１０ａを接続し、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリ
コーンジャンクションコーティングレジン１２で圧力セ
ンサチップ９の表面を被覆し、トランスファーモールド
成形を行う。ここで、圧力センサチップ９の表面を被覆
したシリコーンジャンクションコーティングレジン１２
の一部が、封止樹脂パッケージ１１の外側に露出するよ
うに成形する。
【００５７】図８の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
に示す半導体圧力センサは、図１に示した半導体圧力セ
ンサに対して、封止樹脂パッケージ１１に形成した圧力
導入孔１１ａの代わりにパイプ２１を用いて圧力センサ
チップ９のダイヤフラム部９ｂの裏面側に所定の圧力が
印加されるように構成したものであり、貫通孔１０ｃの
裏面側開口の周囲のダイ付け部１０ｂの部分が封止樹脂
パッケージ１１の外側に露出しており、その露出したダ
イ付け部１０ｂにパイプ２１が接合されている。パイプ
２１は、リードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに形成
された貫通孔１０ｃを介して、圧力センサチップ９の凹
部９ａの空間に接続されている。
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
に示す半導体圧力センサは、図１に示した半導体圧力セ
ンサに対して、封止樹脂パッケージ１１に形成した圧力
導入孔１１ａの代わりにパイプ２１を用いて圧力センサ
チップ９のダイヤフラム部９ｂの裏面側に所定の圧力が
印加されるように構成したものであり、貫通孔１０ｃの
裏面側開口の周囲のダイ付け部１０ｂの部分が封止樹脂
パッケージ１１の外側に露出しており、その露出したダ
イ付け部１０ｂにパイプ２１が接合されている。パイプ
２１は、リードフレーム１０のダイ付け部１０ｂに形成
された貫通孔１０ｃを介して、圧力センサチップ９の凹
部９ａの空間に接続されている。
【００５８】次に、製造方法の一実施形態について説明
する。まず、リードフレーム１０の圧力センサチップ９
実装位置に形成した貫通孔１０ｃの表面側開口を塞ぐよ
うに、圧力センサチップ９をリードフレーム１０のダイ
付け部１０ｂに接着した後、ワイヤボンディングを行
い、圧力センサチップ９の表面をシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジン１２で覆い、貫通孔１０ｃの裏
面側開口及びその周囲のダイ付け部１０ｂが封止樹脂パ
ッケージ１１の外側に露出するように成形する。成形
後、パイプ２１をリードフレーム９の貫通孔１０ｃの裏
面側開口の位置に合わせて半田またはガラス等でダイ付
け部１０ｂに接合する。パイプ２１は金属製で、リード
フレーム１０のダイ付け部１０ｂと金属的に接合できる
ので、その接合部分が堅固であり、接着剤とは異なり、
腐食性ガス（プロパン、ブタン等）の圧力を測定する場
合でも、パイプ２１とダイ付け部１０ｂの接合部分が腐
食され、強度劣化による破損が起こることがない。ま
た、パイプ２１をモールド封止後に接合すれば良いの
で、圧力センサチップ９のリードフレーム１０へのダイ
ボンド工程、ワイヤボンド工程及びシリコーンジャンク
ションコーティングレジン１２の被覆工程が容易に行
え、設備等を改造せずに、従来のリードフレームの搬送
設備を用いて製造することができる。
する。まず、リードフレーム１０の圧力センサチップ９
実装位置に形成した貫通孔１０ｃの表面側開口を塞ぐよ
うに、圧力センサチップ９をリードフレーム１０のダイ
付け部１０ｂに接着した後、ワイヤボンディングを行
い、圧力センサチップ９の表面をシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジン１２で覆い、貫通孔１０ｃの裏
面側開口及びその周囲のダイ付け部１０ｂが封止樹脂パ
ッケージ１１の外側に露出するように成形する。成形
後、パイプ２１をリードフレーム９の貫通孔１０ｃの裏
面側開口の位置に合わせて半田またはガラス等でダイ付
け部１０ｂに接合する。パイプ２１は金属製で、リード
フレーム１０のダイ付け部１０ｂと金属的に接合できる
ので、その接合部分が堅固であり、接着剤とは異なり、
腐食性ガス（プロパン、ブタン等）の圧力を測定する場
合でも、パイプ２１とダイ付け部１０ｂの接合部分が腐
食され、強度劣化による破損が起こることがない。ま
た、パイプ２１をモールド封止後に接合すれば良いの
で、圧力センサチップ９のリードフレーム１０へのダイ
ボンド工程、ワイヤボンド工程及びシリコーンジャンク
ションコーティングレジン１２の被覆工程が容易に行
え、設備等を改造せずに、従来のリードフレームの搬送
設備を用いて製造することができる。
【００５９】図８に示すように構成し、パイプ２１に、
チューブ等（図示省略）を接続してそのチューブ及びパ
イプ２１によって被測定圧力が半導体圧力センサ内に導
入されるように構成すれば、シリコーンジャンクション
コーティングレジン１２を介して圧力センサチップ９の
ダイヤフラム部９ｂの表面側には、基準圧力である大気
圧が印加され、パイプ２１に接続されたチューブ及びパ
イプ２１を介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に被測定
圧力が印加され、基準圧力である大気圧との差圧に応じ
てダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、その応力
に応じたピエゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１０の外
部接続用端子１０ａから取り出すことができ圧力を測定
することができる。
チューブ等（図示省略）を接続してそのチューブ及びパ
イプ２１によって被測定圧力が半導体圧力センサ内に導
入されるように構成すれば、シリコーンジャンクション
コーティングレジン１２を介して圧力センサチップ９の
ダイヤフラム部９ｂの表面側には、基準圧力である大気
圧が印加され、パイプ２１に接続されたチューブ及びパ
イプ２１を介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に被測定
圧力が印加され、基準圧力である大気圧との差圧に応じ
てダイヤフラム部１ｂに応力が発生するので、その応力
に応じたピエゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１０の外
部接続用端子１０ａから取り出すことができ圧力を測定
することができる。
【００６０】図９の断面図に基づいて本発明の半導体圧
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
で、２２は回路基板で、その表面には、圧力センサチッ
プ９と、コンデンサ、抵抗等のチップ部品２３、及び、
オペアンプ等のＩＣ２４が実装されている。回路基板２
２は、樹脂（エポキシ、フェノール、ポリイミドその
他）、または、セラミック（アルミナ、窒化アルミその
他）で構成されており、リードフレーム１０に接着剤１
５により接着されている。この回路基板２２は、片面基
板に限定されず、両面基板、または、多層基板で構成し
てもよい。回路基板２２の圧力センサチップ９の実装位
置には、基板側貫通孔２２ａが形成されており、圧力セ
ンサチップ９は、この基板側貫通孔２２ａの表面側開口
を塞ぐように回路基板２２に接着されている。圧力セン
サチップ９に形成された電極パッド１４はボンディング
ワイヤ１３によって回路基板２２の表面に形成された電
極パッド（図示省略）と接続されており、圧力センサチ
ップ９の表面はシリコーンジャンクションコーティング
レジン１２によって覆われている。
力センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
で、２２は回路基板で、その表面には、圧力センサチッ
プ９と、コンデンサ、抵抗等のチップ部品２３、及び、
オペアンプ等のＩＣ２４が実装されている。回路基板２
２は、樹脂（エポキシ、フェノール、ポリイミドその
他）、または、セラミック（アルミナ、窒化アルミその
他）で構成されており、リードフレーム１０に接着剤１
５により接着されている。この回路基板２２は、片面基
板に限定されず、両面基板、または、多層基板で構成し
てもよい。回路基板２２の圧力センサチップ９の実装位
置には、基板側貫通孔２２ａが形成されており、圧力セ
ンサチップ９は、この基板側貫通孔２２ａの表面側開口
を塞ぐように回路基板２２に接着されている。圧力セン
サチップ９に形成された電極パッド１４はボンディング
ワイヤ１３によって回路基板２２の表面に形成された電
極パッド（図示省略）と接続されており、圧力センサチ
ップ９の表面はシリコーンジャンクションコーティング
レジン１２によって覆われている。
【００６１】また、リードフレーム１１にも、基板側貫
通孔２２ａに繋がる貫通孔１０ｃが形成されており、貫
通孔１０ｃの裏面側開口にはパイプ２５が接続されてい
る。さらに、シリコーンジャンクションコーティングレ
ジン１２の一部、及び、パイプ２５の一端が、封止樹脂
パッケージ１１の外側に露出するようにモールド封止さ
れている。
通孔２２ａに繋がる貫通孔１０ｃが形成されており、貫
通孔１０ｃの裏面側開口にはパイプ２５が接続されてい
る。さらに、シリコーンジャンクションコーティングレ
ジン１２の一部、及び、パイプ２５の一端が、封止樹脂
パッケージ１１の外側に露出するようにモールド封止さ
れている。
【００６２】回路基板２２とリードフレーム１１との電
気的接続は、エポキシ、シリコーン樹脂等を主材とした
導電性接着剤、または、高融点半田（例えば、融点が 2
20℃程度の、モールド封止温度より融点が高い半田、Sn
-3.5%Ag 半田等）、または、ボンディングワイヤを介し
て行えばよいが特に限定されるものではない。
気的接続は、エポキシ、シリコーン樹脂等を主材とした
導電性接着剤、または、高融点半田（例えば、融点が 2
20℃程度の、モールド封止温度より融点が高い半田、Sn
-3.5%Ag 半田等）、または、ボンディングワイヤを介し
て行えばよいが特に限定されるものではない。
【００６３】図９に示すように構成し、パイプ２５に、
チューブ等を接続してそのチューブ及びパイプ２５によ
って被測定圧力が半導体圧力センサ内に導入されるよう
に構成すれば、シリコーンジャンクションコーティング
レジン１２を介して圧力センサチップ９のダイヤフラム
部９ｂの表面側には、基準圧力である大気圧が印加さ
れ、パイプ２５に接続されたチューブ及びパイプ２５を
介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に被測定圧力が印加
され、基準圧力である大気圧との差圧に応じてダイヤフ
ラム部１ｂに応力が発生するので、その応力に応じたピ
エゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１０の外部接続用端
子１０ａから取り出すことができ圧力を測定することが
できる。
チューブ等を接続してそのチューブ及びパイプ２５によ
って被測定圧力が半導体圧力センサ内に導入されるよう
に構成すれば、シリコーンジャンクションコーティング
レジン１２を介して圧力センサチップ９のダイヤフラム
部９ｂの表面側には、基準圧力である大気圧が印加さ
れ、パイプ２５に接続されたチューブ及びパイプ２５を
介してダイヤフラム部９ｂの裏面側に被測定圧力が印加
され、基準圧力である大気圧との差圧に応じてダイヤフ
ラム部１ｂに応力が発生するので、その応力に応じたピ
エゾ抵抗の抵抗値をリードフレーム１０の外部接続用端
子１０ａから取り出すことができ圧力を測定することが
できる。
【００６４】図１０の断面図に基づいて本発明の半導体
圧力センサのさらに異なる実施形態について説明する。
但し、図９に示した構成と同等構成については説明を省
略する。圧力センサチップ９、チップ部品２３、ＩＣ２
４が実装された回路基板２２の、圧力センサチップ９の
実装位置には、基板側貫通孔２２ａが形成されており、
その基板側貫通孔２２ａには、金属製のパイプ２６が、
回路基板２２の裏面側に突出するように取り付けられて
いる。また、回路基板２２の別の位置には、回路基板２
２の裏面側に突出する位置決めピン２７が取り付けられ
ている。一方、リードフレーム１０には、回路基板２２
に取り付けた、パイプ２６及び位置決めピン２７をそれ
ぞれ挿通させる、パイプ位置決め孔１０ｅ及びピン位置
決め孔１０ｆが形成されており、これらの構成によっ
て、回路基板２２は、リードフレーム１０の所定の位置
に容易に位置決めされることになる。
圧力センサのさらに異なる実施形態について説明する。
但し、図９に示した構成と同等構成については説明を省
略する。圧力センサチップ９、チップ部品２３、ＩＣ２
４が実装された回路基板２２の、圧力センサチップ９の
実装位置には、基板側貫通孔２２ａが形成されており、
その基板側貫通孔２２ａには、金属製のパイプ２６が、
回路基板２２の裏面側に突出するように取り付けられて
いる。また、回路基板２２の別の位置には、回路基板２
２の裏面側に突出する位置決めピン２７が取り付けられ
ている。一方、リードフレーム１０には、回路基板２２
に取り付けた、パイプ２６及び位置決めピン２７をそれ
ぞれ挿通させる、パイプ位置決め孔１０ｅ及びピン位置
決め孔１０ｆが形成されており、これらの構成によっ
て、回路基板２２は、リードフレーム１０の所定の位置
に容易に位置決めされることになる。
【００６５】図１０に示す半導体圧力センサの製造方法
の一実施形態について説明する。まず、基板側貫通孔２
２ａ及び位置決めピン２７を形成し、パイプ２６を、回
路基板２２の裏面側に突出するように、基板側貫通孔２
２ａに取り付ける。次に、圧力センサチップ９等を回路
基板２２上に実装し、ワイヤボンド工程、圧力センサチ
ップ９の表面へのシリコーンジャンクションコーティン
グレジン１２の塗布工程を行う。次に、パイプ位置決め
孔１０ｅ及びピン位置決め孔１０ｆに、それぞれ、パイ
プ２６及び位置決めピン２７を挿通させて、リードフレ
ーム１０上に回路基板２２を配置する。その後、シリコ
ーンジャンクションコーティングレジン１２の一部及び
パイプ２６が封止樹脂パッケージ１１の外側に露出する
ように全体をモールド封止する。
の一実施形態について説明する。まず、基板側貫通孔２
２ａ及び位置決めピン２７を形成し、パイプ２６を、回
路基板２２の裏面側に突出するように、基板側貫通孔２
２ａに取り付ける。次に、圧力センサチップ９等を回路
基板２２上に実装し、ワイヤボンド工程、圧力センサチ
ップ９の表面へのシリコーンジャンクションコーティン
グレジン１２の塗布工程を行う。次に、パイプ位置決め
孔１０ｅ及びピン位置決め孔１０ｆに、それぞれ、パイ
プ２６及び位置決めピン２７を挿通させて、リードフレ
ーム１０上に回路基板２２を配置する。その後、シリコ
ーンジャンクションコーティングレジン１２の一部及び
パイプ２６が封止樹脂パッケージ１１の外側に露出する
ように全体をモールド封止する。
【００６６】図１１の断面図に基づいて本発明の半導体
圧力センサのさらに異なる実施形態について説明する。
図９に示した半導体圧力センサでは、パイプ２５をリー
ドフレーム１０の裏面側に取り付けていたが、図に示す
半導体圧力センサは、一端にフランジ部２８ａを形成し
たパイプ２８のフランジ部２８ａを、回路基板２２とリ
ードフレーム１０で挟むようにしてパイプ２８を固定し
たものである。
圧力センサのさらに異なる実施形態について説明する。
図９に示した半導体圧力センサでは、パイプ２５をリー
ドフレーム１０の裏面側に取り付けていたが、図に示す
半導体圧力センサは、一端にフランジ部２８ａを形成し
たパイプ２８のフランジ部２８ａを、回路基板２２とリ
ードフレーム１０で挟むようにしてパイプ２８を固定し
たものである。
【００６７】圧力センサチップ９、チップ部品２３、Ｉ
Ｃ２４を実装した回路基板２２の、圧力センサチップ９
の実装位置には基板側貫通孔２２ａが形成されている。
一方、リードフレーム１０には、基板側貫通孔２２ａに
対応した位置に貫通孔１０ｇが形成されており、その貫
通孔１０ｇにパイプ２８を挿通させた状態で、パイプ２
８の一端に形成したフランジ部２８ａを収納する、凹状
のフランジ収納部１０ｈが形成されている。
Ｃ２４を実装した回路基板２２の、圧力センサチップ９
の実装位置には基板側貫通孔２２ａが形成されている。
一方、リードフレーム１０には、基板側貫通孔２２ａに
対応した位置に貫通孔１０ｇが形成されており、その貫
通孔１０ｇにパイプ２８を挿通させた状態で、パイプ２
８の一端に形成したフランジ部２８ａを収納する、凹状
のフランジ収納部１０ｈが形成されている。
【００６８】次に、図１１に示す半導体圧力センサの製
造方法の一実施形態について説明する。まず、基板側貫
通孔２２ａを形成した回路基板２２に、圧力センサチッ
プ９等を実装し、ワイヤボンド工程、圧力センサチップ
９の表面へのシリコーンジャンクションコーティングレ
ジン１２の塗布工程を行う。次に、リードフレーム１０
に形成したフランジ収納部１０ｈにパイプ２８のフラン
ジ部２８ａが収納されるように、リードフレーム１０に
形成した貫通孔１０ｇにパイプ２８を挿通させ、回路基
板２２をリードフレーム１０に接着剤１５によって接着
する。これにより、パイプ２８も固定する。最後に、シ
リコーンジャンクションコーティングレジン１２の一部
及びパイプ２８が封止樹脂パッケージ１１の外側に露出
するように全体をモールド封止する。
造方法の一実施形態について説明する。まず、基板側貫
通孔２２ａを形成した回路基板２２に、圧力センサチッ
プ９等を実装し、ワイヤボンド工程、圧力センサチップ
９の表面へのシリコーンジャンクションコーティングレ
ジン１２の塗布工程を行う。次に、リードフレーム１０
に形成したフランジ収納部１０ｈにパイプ２８のフラン
ジ部２８ａが収納されるように、リードフレーム１０に
形成した貫通孔１０ｇにパイプ２８を挿通させ、回路基
板２２をリードフレーム１０に接着剤１５によって接着
する。これにより、パイプ２８も固定する。最後に、シ
リコーンジャンクションコーティングレジン１２の一部
及びパイプ２８が封止樹脂パッケージ１１の外側に露出
するように全体をモールド封止する。
【００６９】図１２の断面図に基づいて本発明の半導体
圧力センサのさらに異なる実施形態について説明する。
圧力センサチップ９、チップ部品２３、ＩＣ２４が実装
された回路基板２２は、リードフレーム１０に接着固定
されている。また、回路基板２２の圧力センサチップ９
の実装位置には、基板側第１貫通孔２２ｂが形成されて
おり、その基板側第１貫通孔２２ｂには、裏面側に突出
する第１パイプ２９が接続されている。また、回路基板
２２の別の位置には、基板側第２貫通孔２２ｃが形成さ
れており、その基板側第２貫通孔２２ｃには、裏面側に
突出する第２パイプ３０が接続されている。
圧力センサのさらに異なる実施形態について説明する。
圧力センサチップ９、チップ部品２３、ＩＣ２４が実装
された回路基板２２は、リードフレーム１０に接着固定
されている。また、回路基板２２の圧力センサチップ９
の実装位置には、基板側第１貫通孔２２ｂが形成されて
おり、その基板側第１貫通孔２２ｂには、裏面側に突出
する第１パイプ２９が接続されている。また、回路基板
２２の別の位置には、基板側第２貫通孔２２ｃが形成さ
れており、その基板側第２貫通孔２２ｃには、裏面側に
突出する第２パイプ３０が接続されている。
【００７０】一方、リードフレーム１０には、基板側第
１貫通孔２２ｂ及び基板側第２貫通孔２２ｃに対応した
位置にそれぞれ第１貫通孔１０ｉ及び第２貫通孔１０ｊ
が形成されており、第１パイプ２９、第２パイプ３０が
それぞれ挿通されている。また、回路基板２２の表面に
は、圧力センサチップ９等の実装部品を覆う金属製の蓋
３１が接着剤３２によって接着されており、蓋３１の内
部には、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリコーンジャン
クションコーティングレジン１２が充填されている。こ
のように構成することによって、第１パイプ２９を介し
て圧力センサチップ９のダイヤフラム部９ｂの裏面側に
一方の圧力を印加し、第２パイプ３０及びシリコーンジ
ャンクションコーティングレジン１２を介して圧力セン
サチップ９のダイヤフラム部９ｂの表面側に別の圧力を
印加することができる。
１貫通孔２２ｂ及び基板側第２貫通孔２２ｃに対応した
位置にそれぞれ第１貫通孔１０ｉ及び第２貫通孔１０ｊ
が形成されており、第１パイプ２９、第２パイプ３０が
それぞれ挿通されている。また、回路基板２２の表面に
は、圧力センサチップ９等の実装部品を覆う金属製の蓋
３１が接着剤３２によって接着されており、蓋３１の内
部には、ゲル状のシリコーン樹脂等のシリコーンジャン
クションコーティングレジン１２が充填されている。こ
のように構成することによって、第１パイプ２９を介し
て圧力センサチップ９のダイヤフラム部９ｂの裏面側に
一方の圧力を印加し、第２パイプ３０及びシリコーンジ
ャンクションコーティングレジン１２を介して圧力セン
サチップ９のダイヤフラム部９ｂの表面側に別の圧力を
印加することができる。
【００７１】図１２に示す半導体圧力センサの製造方法
の一実施形態について説明する。まず、回路基板２２に
圧力センサチップ９等の部品を実装し、ワイヤボンド工
程、パイプ取付け工程を行い、回路基板２２をリードフ
レーム１０に接着する。その後、蓋３１を回路基板２２
に接着し、回路基板２２に取り付けた第２パイプ３０か
らゲル状のシリコーン樹脂等のシリコーンジャンクショ
ンコーティングレジン１２を流し込み、蓋３１の内部に
充填する。このとき、回路基板２２を上下面逆にして第
２パイプ３０からシリコーンジャンクションコーティン
グレジン１２を流し込み熱硬化させる。その後、全体を
モールド封止し、第１パイプ２９及び第２パイプ３０の
それぞれの一端が封止樹脂パッケージ１１から外側に突
出した構造とする。
の一実施形態について説明する。まず、回路基板２２に
圧力センサチップ９等の部品を実装し、ワイヤボンド工
程、パイプ取付け工程を行い、回路基板２２をリードフ
レーム１０に接着する。その後、蓋３１を回路基板２２
に接着し、回路基板２２に取り付けた第２パイプ３０か
らゲル状のシリコーン樹脂等のシリコーンジャンクショ
ンコーティングレジン１２を流し込み、蓋３１の内部に
充填する。このとき、回路基板２２を上下面逆にして第
２パイプ３０からシリコーンジャンクションコーティン
グレジン１２を流し込み熱硬化させる。その後、全体を
モールド封止し、第１パイプ２９及び第２パイプ３０の
それぞれの一端が封止樹脂パッケージ１１から外側に突
出した構造とする。
【００７２】なお、本発明の半導体圧力センサは、以上
に説明した実施形態に限定されない。また、各実施形態
に示した構成を組み合わせて構成してもよい。
に説明した実施形態に限定されない。また、各実施形態
に示した構成を組み合わせて構成してもよい。
【００７３】
【発明の効果】本発明の半導体圧力センサは以上に説明
したように、圧力センサチップをリードフレームまたは
リードフレームに実装した回路基板上に実装し、その全
体を低圧トランスファーモールド成形で封止する構造と
したので、量産に適し、実装工程が容易な、プリモール
ドパッケージを用いた場合の蓋付け工程が不要な構造を
実現することができる。
したように、圧力センサチップをリードフレームまたは
リードフレームに実装した回路基板上に実装し、その全
体を低圧トランスファーモールド成形で封止する構造と
したので、量産に適し、実装工程が容易な、プリモール
ドパッケージを用いた場合の蓋付け工程が不要な構造を
実現することができる。
【００７４】また、圧力センサチップは圧力導入孔また
はパイプ等からその内部に圧力を導入するが、それらの
構成の周囲がモールド封止されているため、機械的衝撃
に対しての耐久性が高いという特徴を有する。また、コ
ストについても、プリモールドパッケージを用いた場合
に必要な蓋のコスト及び実装コストが削減できると共
に、ワイヤボンディング工程での耐熱性を確保するため
に高価なＰＰＳやＬＣＰなどの成形材料を用いる必要が
なく、最終工程でモールド封止するので、半導体用のモ
ールドレジンのうち、一般的によく用いられる安価なＤ
−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノール硬
化剤をベースにしたモールドレジン等が使用できるので
よりコスト低減が図れる。
はパイプ等からその内部に圧力を導入するが、それらの
構成の周囲がモールド封止されているため、機械的衝撃
に対しての耐久性が高いという特徴を有する。また、コ
ストについても、プリモールドパッケージを用いた場合
に必要な蓋のコスト及び実装コストが削減できると共
に、ワイヤボンディング工程での耐熱性を確保するため
に高価なＰＰＳやＬＣＰなどの成形材料を用いる必要が
なく、最終工程でモールド封止するので、半導体用のモ
ールドレジンのうち、一般的によく用いられる安価なＤ
−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノール硬
化剤をベースにしたモールドレジン等が使用できるので
よりコスト低減が図れる。
【００７５】さらに、従来、ワイヤボンディング時にワ
イヤボンダーのキャピラリの先端部分がプリモールドパ
ッケージの内部に入るようにプリモールドパッケージの
開口部を大きくしなければならなかったが、このような
制限も無くなり、パッケージとリードフレームとの接合
強度を確保するためにパッケージの側面を肉厚にする必
要もなくなるので、パッケージ内に無駄なスペースがで
きず非常に小型化を図ることができる。
イヤボンダーのキャピラリの先端部分がプリモールドパ
ッケージの内部に入るようにプリモールドパッケージの
開口部を大きくしなければならなかったが、このような
制限も無くなり、パッケージとリードフレームとの接合
強度を確保するためにパッケージの側面を肉厚にする必
要もなくなるので、パッケージ内に無駄なスペースがで
きず非常に小型化を図ることができる。
【図１】本発明の半導体圧力センサの一実施形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の半導体圧力センサの異なる実施形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図４】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図５】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図６】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図７】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図８】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図９】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図１０】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実
施形態を示す断面図である。
施形態を示す断面図である。
【図１１】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実
施形態を示す断面図である。
施形態を示す断面図である。
【図１２】本発明の半導体圧力センサのさらに異なる実
施形態を示す断面図である。
施形態を示す断面図である。
【図１３】従来の半導体圧力センサの一例を示す断面図
である。
である。
９ 圧力センサチッ
プ ９ａ 凹部 ９ｂ ダイヤフラム部 １０ リードフレーム １０ｃ，１０ｇ 貫通孔 １０ｃ，１０ｉ 第１貫通孔 １０ｄ，１０ｊ 第２貫通孔 １０ｅ パイプ位置決め
孔 １０ｆ ピン位置決め孔 １１ 封止樹脂パッケ
ージ １１ａ 圧力導入孔 １１ａ 第１圧力導入孔 １１ｂ 第２圧力導入孔 １２ シリコーンジャ
ンクションコーティングレジン １６，２０，２１，２５，２６，２８ パイプ １９ 台座 ２２ 回路基板 ２２ａ 基板側貫通孔 ２２ｂ 基板側第１貫通
孔 ２２ｃ 基板側第２貫通
孔 ２７ 位置決めピン ２８ａ フランジ部 ２９ 第１パイプ ３０ 第２パイプ ３１ 蓋
プ ９ａ 凹部 ９ｂ ダイヤフラム部 １０ リードフレーム １０ｃ，１０ｇ 貫通孔 １０ｃ，１０ｉ 第１貫通孔 １０ｄ，１０ｊ 第２貫通孔 １０ｅ パイプ位置決め
孔 １０ｆ ピン位置決め孔 １１ 封止樹脂パッケ
ージ １１ａ 圧力導入孔 １１ａ 第１圧力導入孔 １１ｂ 第２圧力導入孔 １２ シリコーンジャ
ンクションコーティングレジン １６，２０，２１，２５，２６，２８ パイプ １９ 台座 ２２ 回路基板 ２２ａ 基板側貫通孔 ２２ｂ 基板側第１貫通
孔 ２２ｃ 基板側第２貫通
孔 ２７ 位置決めピン ２８ａ フランジ部 ２９ 第１パイプ ３０ 第２パイプ ３１ 蓋
Claims (12)
- 【請求項１】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップを実装す
るリードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、前
記ダイヤフラム部の表面が、前記封止樹脂パッケージの
外側にその一部が露出するシリコーンジャンクションコ
ーティングレジンによって覆われ、前記リードフレーム
に形成された貫通孔及び前記封止樹脂パッケージに形成
された圧力導入孔を介して前記凹部の空間が前記封止樹
脂パッケージの外側の空間に連通するように構成されて
いることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップを実装す
るリードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、シ
リコーンジャンクションコーティングレジンによって前
記ダイヤフラム部の表面が覆われ、前記圧力センサチッ
プの前記凹部の空間に繋がる第１貫通孔が前記リードフ
レームに形成され、前記第１貫通孔に繋がる第１圧力導
入孔が前記封止樹脂パッケージに形成されていると共
に、前記シリコーンジャンクションコーティングレジン
が充填された空間に繋がる第２貫通孔が前記リードフレ
ームに形成され、前記第２貫通孔に繋がる第２圧力導入
孔が前記封止樹脂パッケージに形成されていることを特
徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップを実装す
るリードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、前
記ダイヤフラム部の表面が、前記封止樹脂パッケージの
外側にその一部が露出するシリコーンジャンクションコ
ーティングレジンによって覆われ、前記圧力センサチッ
プの前記凹部の内部の空間に繋がる貫通孔が前記リード
フレームに形成され、一端が前記封止樹脂パッケージの
外側に露出するパイプが前記貫通孔に接続されているこ
とを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項４】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップを実装す
るリードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、シ
リコーンジャンクションコーティングレジンによって前
記ダイヤフラム部の表面が覆われており、前記圧力セン
サチップの前記凹部の空間に繋がる第１貫通孔が前記リ
ードフレームに形成され、一端が前記封止樹脂パッケー
ジの外側に露出する第１パイプが前記第１貫通孔に接続
されていると共に、前記シリコーンジャンクションコー
ティングレジンが充填された空間に繋がる第２貫通孔が
前記リードフレームに形成され、一端が前記封止樹脂パ
ッケージの外側に露出する第２パイプが前記第２貫通孔
に接続されていることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項５】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップを支持し
て前記凹部の内部の空間を密閉する台座と、その台座を
支持するリードフレームと、封止樹脂パッケージとを備
え、前記ダイヤフラム部の表面が、前記封止樹脂パッケ
ージの外側にその一部が露出するシリコーンジャンクシ
ョンコーティングレジンによって覆われていることを特
徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項６】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップを支持し
て前記凹部の内部の空間を密閉する台座と、その台座を
支持するリードフレームと、封止樹脂パッケージとを備
え、前記ダイヤフラム部の表面が、シリコーンジャンク
ションコーティングレジンによって覆われ、前記シリコ
ーンジャンクションコーティングレジンが充填された空
間がパイプを介して前記封止樹脂パッケージの外側の空
間に連通するように構成されていることを特徴とする半
導体圧力センサ。 - 【請求項７】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップを支持し
て前記凹部の内部の空間を密閉するリードフレームと、
封止樹脂パッケージとを備え、前記ダイヤフラム部の表
面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一部が露出
するシリコーンジャンクションコーティングレジンによ
って覆われていることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項８】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップを実装す
るリードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、前
記ダイヤフラム部の表面が、前記封止樹脂パッケージの
外側にその一部が露出するシリコーンジャンクションコ
ーティングレジンによって覆われ、一方の開口が前記圧
力センサチップの前記凹部の内部の空間に繋がる貫通孔
が前記リードフレームに形成され、前記貫通孔の他方の
開口及びその開口の周辺の前記リードフレームの面が前
記封止樹脂パッケージの外側に露出するように構成さ
れ、その露出した前記リードフレームに、前記貫通孔に
繋がるパイプが接続されていることを特徴とする半導体
圧力センサ。 - 【請求項９】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の上
方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成され
た圧力センサチップと、その圧力センサチップ及び他の
部品を実装する回路基板と、その回路基板を支持するリ
ードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、前記ダ
イヤフラム部の表面が、前記封止樹脂パッケージの外側
にその一部が露出するシリコーンジャンクションコーテ
ィングレジンによって覆われ、前記回路基板に形成され
た基板側貫通孔及び前記リードフレームに形成された貫
通孔及びその貫通孔に接続されたパイプを介して前記凹
部の内部の空間が前記封止樹脂パッケージの外側の空間
に連通するように構成されていることを特徴とする半導
体圧力センサ。 - 【請求項１０】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の
上方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成さ
れた圧力センサチップと、その圧力センサチップ及び他
の部品を実装する回路基板と、その回路基板を支持する
リードフレームと、封止樹脂パッケージとを備え、前記
ダイヤフラム部の表面が、前記封止樹脂パッケージの外
側にその一部が露出するシリコーンジャンクションコー
ティングレジンによって覆われ、前記回路基板に取り付
けられた、前記凹部の内部の空間と前記封止樹脂パッケ
ージの外側の空間を繋ぐパイプが、前記リードフレーム
に形成されたパイプ位置決め孔に挿通され、前記回路基
板に取り付けられた位置決めピンが前記リードフレーム
に形成されたピン位置決め孔に挿通されていることを特
徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項１１】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の
上方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成さ
れた圧力センサチップと、その圧力センサチップ及び他
の部品を実装する回路基板と、その回路基板を支持する
リードフレームと、封止樹脂パッケージと、前記リード
フレームに形成された貫通孔に挿通され、一端に形成さ
れたフランジ部が前記回路基板と前記リードフレームに
挟まれるパイプとを備え、そのパイプを介して前記凹部
の内部の空間と前記封止樹脂パッケージの外側の空間が
連通するように構成されていると共に、前記ダイヤフラ
ム部の表面が、前記封止樹脂パッケージの外側にその一
部が露出するシリコーンジャンクションコーティングレ
ジンによって覆われていることを特徴とする半導体圧力
センサ。 - 【請求項１２】 裏面側に凹部が形成され、その凹部の
上方に、圧力を応力に変換するダイヤフラム部が形成さ
れた圧力センサチップと、その圧力センサチップ及び他
の部品を実装する回路基板と、その回路基板を支持する
リードフレームと、前記回路基板に取り付けられ少なく
とも前記圧力センサチップを覆う蓋と、その蓋の内部に
充填されたシリコーンジャンクションコーティングレジ
ンと、封止樹脂パッケージとを備え、前記回路基板に形
成された基板側第１貫通孔に接続され前記リードフレー
ムに形成された第１貫通孔に挿通された第１パイプを介
して、前記凹部の内部の空間が前記封止樹脂パッケージ
の外側の空間に挿通され、前記回路基板に形成された基
板側第２貫通孔に接続され前記リードフレームに形成さ
れた第２貫通孔に挿通された第２パイプを介して、前記
シリコーンジャンクションコーティングレジンが充填さ
れた空間が前記封止樹脂パッケージの外側の空間に連通
するように構成されていることを特徴とする半導体圧力
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27818295A JP3374620B2 (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27818295A JP3374620B2 (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09119875A true JPH09119875A (ja) | 1997-05-06 |
| JP3374620B2 JP3374620B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=17593737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27818295A Expired - Fee Related JP3374620B2 (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3374620B2 (ja) |
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1995
- 1995-10-25 JP JP27818295A patent/JP3374620B2/ja not_active Expired - Fee Related
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