JPS61176832A

JPS61176832A - トランスジユーサ・インサート、その製造方法、および機械的変動測定センサ

Info

Publication number: JPS61176832A
Application number: JP61013597A
Authority: JP
Inventors: ハンス　コンラツト　ゾンデルゲル; ルト　カルドララ; アルフレツト　ヴエンゲル; ハンス　ウルリツヒ　バウムガルトネル
Original assignee: KURISUTARU INSUTORUMENTE AG
Current assignee: KURISUTARU INSUTORUMENTE AG
Priority date: 1985-01-28
Filing date: 1986-01-24
Publication date: 1986-08-08
Also published as: DE3563479D1; US4691575A; ATE35321T1; EP0189492A1; EP0189492B1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、トランスジューサ・インサート、そのトラン
スジューサ・インサートを製造する方法、そのトランス
ジューサ・インサートを用いて機械的変動を測定するセ
ンサに関するものである。

本発明は、一般には、外側から加えられた力の変化を抵
抗またはキャパシタンスの変化に変換し、それに対応す
る電気信号を発生する電気機械式センサに関するもので
ある。

（発明が解決しようとする問題点）一般的に言えば、この種のセンサを測定点に設置するこ
とができる空間は狭＜、シたがって、最近では、小型お
よび高感度が特徴の半導体センサの使用が好まれている
。この種のセンサは、使用場所における困難な環境条件
、たとえば非常な高温や低温、必然的に生じる温度変動
、高湿度、侵食性媒体、一様な高い放射能をもった放射
線、電場、磁場にさらされる可能性がある。また、振動
や衝撃による特有の問題も起る。半導体技術で一般的に
使われているように、細い金線を使用するボール・ボン
ド法やエツジ・ボンド法は、振動や衝撃を受けると、そ
れらの接続部が疲労による割れや破壊を起すことがあっ
て、故障し易い。第１図〜第３図は、そのような従来の
ポンディング技術の例であり、これについて後で説明す
る。

また、米国特許第３．８３８．３７９号、同第３．６５
４．５７９号、同第４．４１２．２０３号、同第４．４
５４．７７１号には、半導体素子と測定信号を取り出す
ワイヤまたはロッド状導体要素とを用いた型式のトラン
スジューサ・インサートが開示されている。

欧州特許出願第００２４９４６号には、キャパシタンス
・トランスジユーサとバッチ処理技術を使用するその製
造方法が記載されている。トランスジユーサは、キャパ
シタンスを形成する導電性電極面を有するガラス部と半
導体部とで構成されている。

ガラス部には、複数の穴が貫通しており、穴は、導電性
物質の膜で被覆されており、半導体部とガラス部の導電
性電極面との単なる接触により両者の間の電気的接続が
なされている。このような接続は、強度的に劣っており
、衝撃や振動応力にさらされると、早期に疲労し易い。

もう１つの欠点は、完成した製品で接合部の質を簡単に
検査できないことである。

（問題点を解決するための手段）本発明の目的は、半導体材料を用いた改良型トランスジ
ューサ・インサートを提供し、既存の半導体センサに伴
う問題点を解決することである。

詳しく述べると本発明の第１の目的は振動や襲撃を含む
環境の影響をほとんど受けない、前述型式のトランスジ
ューサ・インサートを提供することである。

第２の目的は、特に安価に製造することができる、前述
型式のトランスジューサ・インサートを提供することで
ある。第３の目的は、前述型式のトランスジューサ・イ
ンサートを大量生産するのに最も適した方法を提供する
ことである。第４の目的は、前述型式のトランスジュー
サ・インサートに基づく改良型半導体センサを提供する
ことである。

本発明によるトランスジューサ・インサートは、測定信
号を発生する力応答型センサ手段をもつ測定ダイヤフラ
ムと接続接点とを有する半導体部と、その半導体部が取
り付けられる絶縁材料のベース部と、測定信号を取り出
す導体手段とで構成されている。前記導体手段は、ベー
ス部を貫通し導電層で被覆されたチャンネルから成って
いる。前記導電層と接続接点とは、組み合わされた両者
の隣接する部分に選択的に付着された絶縁性物質によっ
て電気的に接続されている。

上記型式のトランスジューサ・インサートを製造する本
発明による方法は、（ａ）　　それぞれが力応答型センサをもつ測定ダイヤ
フラムと接続接点とを有する複数の測定ダイヤフラム部
分が形成された半導体材料の板を準備すること、（ハ）絶縁材料のベース部に、前記半導体板のダイヤフ
ラム部分の接続接点の数と配列に対応するチャンネルを
形成すること、（ｃ）　　ベース板のチャンネルを導電性材料で被覆す
ること、（６）それぞれのチャンネルとダイヤプラム部分の接続
接点とが組み合わさるように半導体板とベース板とを接
合すること、（ｅ）　　ダイヤフラム部分の接続接点とチャンネルの
導電層とを、両者の隣接する部分に導電性物質を接着す
ることにより電気的に接続すること、（ｆ）　　ベース
板と半導体板で構成されたウェーハ構造を、それぞれが
力応答型センサ手段をもつダイヤフラムとセンサ手段が
発生した信号を取り出す手段とを備えた、多数の独立し
たトランスジューサ・インサートに分割すること、の諸
ステップに特徴がある。

ベース板の多数の凹部は、二つの板を接合する前に、た
とえばエツチング技術と用いて形成することができる。

接続接点と導電層とは、熱圧接装置、たとえば超音波装
置をチャンネルの中に挿入し、チャンネルの導電層から
材料を移動させ、移動させた材料をキャパシタプレート
または抵抗路の接続接点の近くに押し付け、可塑化し、
それを導電層と接続接点に接着することにより、電気的
に接続される。

代りの方法として、接続接点に隣接する導電層にハンダ
を置き、チャンネル内に挿入したハンダこてでハンダを
溶かし、それを接続接点に付着させることによって、両
者を接続することもできる。

別の代りの方法として、導電性接着剤ディスペンサをチ
ャンネルに挿入し、接続接点と導電層の隣接する部分に
接着剤を塗布し、硬化させるやり方も考えられる。もし
所望ならば、ベース板のチャンネルに挿入することがで
きる多頭式ディスペンサ装置を用いて、きわめて経済的
に、かつ１工程で、導電層と接続接点との間に、多数の
“有効な接合部、すなわち、確実に制御して配置される
、すなわち施される接合部を生じさせることができる。

また、本発明は、測定信号を発生する力応答型センサ手
段をもつ測定ダイヤフラムと接続接点とを有する半導体
部と、半導体部が取り付けられる絶縁性材料のベース部
と、測定信号を取り出すための導体手段とで構成された
トランスジューサ・インサートを備えたセンサを提供す
る。前記導体手段は、ベース部を貫通し、導電層で被覆
されたチャンネルから成り、導電層と接続接点とは、両
者の隣接する部分に接着された導電性物質で電気的に接
続されており、センサは、トランスジューサ・インサー
トを収納するハウジングを有し、ノＸウジングの支持板
にはトランスジューサ・インサートの導電性チャンネル
に挿入される接触要素が設けられている。

（従来技術の詳細な説明）次に、第１図〜第３図を参照して、現在の技術水準を説
明する。第１図は、既存の、よく使用される型式の半導
体トランスジューサを示す。このトランスジューサは、
半導体部１に空胴３を設けることによって形成されたダ
イヤフラム部分２を有し、空胴の反対側に面しているそ
の表面には、たとえばひずみ検出電気抵抗路４またはキ
ャパシタ・プレート、すなわち電極が貼り付けられてい
る。空胴３は、通例、機械加工もしくはエッチングで作
られる。半導体部１は、ガラスなどの絶縁材料でできた
ベース部６の上に金ハンダまたはガラスハンダ５でハン
ダ付けされる。半導体部１とベース部６から成る組立体
は、金ハンダまたはガラスハンダ７でハウジングの底板
８に取り付けられている。対応する接続接点すなわち接
続面１２を介して測定信号を取り出すために、抵抗路４
またはキャパシタ・プレートは、ガラス絶縁体１０で底
板８に固定された導体９に、金線１１で接続されている
。相対圧力を測定する場合には、相対圧力、すなわち比
較圧力を空胴に伝えるため、ボア１３をセンサに設ける
ことができる。実測定圧力は、ハウジングの管路１４を
介してトランスジューサ・インサートに作用する。金線
１１を除いて、ガラス絶縁体１０も金ハンダ５．７も機
能不良になりやすい部分である。ガラス絶縁体１０は、
簡単に割れるし、ハンダ５．７は絶対圧力センサに必要
な洩れを防止する気密性を有していないこと、が多い。

第２図は、別の既存型式の半導体トランスジューサ・イ
ンサートを示す。この場合には、半導体部１５は、各面
がラップ加工された平らな表面で陽極接合１７により管
状ベース部１６に取り付けられている。陽極接合１７は
、完全に気密であり、中間接合膜がなく、材質自体がイ
オン移行による接合部を形成するので、高レベルの強度
と非常に良好な寸法安定性を有している。管を使用する
こ゛とにより、空胴の形式を省略することができる。

測定信号は、実際に、前述した型式の金線に比べて太く
、かつ折れにくいワイヤ１８を介して伝えられるが、ワ
イヤ１８は生産上の問題があり、また接着剤２０で固定
しなければならない。

第３図は、第３の既存型式のトランスジューサを示す。

第１図の型式の場合には、圧力媒体は半導体部の抵抗路
４に直接触れる。このことは、拡散層が非常に薄く、腐
食で抵抗路が破壊してしまうことがあるので、都合が悪
い。これに対し、第３図の実施例の半導体１ｓ２１は、
逆になっている。

すなわち、圧力媒体は、空１１１ｉｉ３の側でダイヤフ
ラム２２に作用し、また拡散抵抗路２３はその反対側に
ある。したがって、抵抗路は圧力媒体に接触することが
ない。しかし、ここでも、問題のある金線２５が使用さ
れており、また、ブラシ２６と絶縁体２７は第１図の構
造の場合よりも製作が困難である。

既存型式のトランスジューサのもう１つの欠点は、たと
えば、米国特許第３．３３５．３８１号明細書に記載さ
れているように、ダイヤフラム２には過負荷保護に備え
た制限装置がないことである。ダイヤフラムの撓み制限
装置は、比較的複雑で、高価な補助装置を使用した場合
には、圧力センサに欠かせない付加装置である。以下述
べるように、ダイヤプラムの撓み制限装置は、それほど
の追加費用を要せずに、本発明により得ることができる
。

（本発明の好ましい実施例の説明）第４図と第５図は、本発明によるトランスジューサ・イ
ンサートの実施例を示す。これは、圧力センサ用のトラ
ンスジューサ・インサートである。

しかも、それほどの修正をせずに、力センサまたは加速
度センサとして使用することが可能である。

本発明によるトランスジューサ・インサートの半導体部
３１の一つの面に設けられた凹部２９によって、測定ダ
イヤフラム部分３０が形成されている。凹部２９は、適
当な方体、たとえばエツチングまたは機械的切除によっ
て作ることができる。

凹部２９は、六角形、六角形、または第１５図に示すよ
うな他の適当な形状にすることができる。

拡散抵抗路３４は、凹部２９の反対側の測定ダイヤフラ
ム部分３０に貼り付けられている。したがって、抵抗路
３４は、圧力媒体にはさらされない。

半導体部３１は、単結晶シリコンから成るものが好まし
く、ガラスなど適当な絶縁材料から成るベース部３６に
陽極接合３５で取り付けられることが好ましい。

本発明により、ベース部３６には、円に沿って配置され
た多数の、たとえば６個の円筒状チャンネル３７が貫通
している。ベース部３６には、円の中心点に中央突起を
設けることが好ましい。これについては、後で詳しく検
討する。

第４図かられかるように、ベースＢ３６の上部には凹部
３３がある。凹Ｂ３３の周囲に、チャンネル３７が接し
て開いている。この凹部３３により、測定ダイヤフラム
部分３０は、自由に動くことが可能である。

第６図は、実例として環状凹部３３と開口チャンネル３
７が設けられたガラス製ベース部３６の平面図である。

凹部の中心部の表面は、ストップ３２を形成しており、
過大な撓みを生じさせる測定圧力が加わると、測定ダイ
ヤフラム部分３０はこのストップ３２に当る。

本発明により、各チャンネル３７は、抵抗路３４から測
定信号を伝えるために使われる導電層、すなわち導電膜
３８を有する。導電層３８は、半導体部３１の抵抗路３
４のすぐ近くまで達している。接続接点、すなわち接触
面３９は、抵抗路３４の連結体の役目をし、導電タブ４
０の形で凹部３３に沿って延びている導電層３８の狭い
延長部の近くに配置されている。

第７図は、下から見た半導体部３１を示し、抵抗路３４
と接続接点３９の配列と、ベース部分３６を貫通するチ
ャンネル３７（点線で示す）の位置と配列が図示されて
いる。導電タブ４０を除き、凹８８３３から、金属導電
面をなくすことができる。

第８図と第９図は、導電タブ４０、つまり導電層３８と
抵抗路３４の接続接点３９とを接続する方法を示す。半
導体部３１とベース部３６との間に好ましい陽極接合を
行なったあと、コーナ・ドロップ法と呼ばれる本発明の
好ましい方法により、少量の導電性接着剤４３がディス
ペンサ装置４２のノズルから導電タブ４０と対応する接
続接点３９０間に本質上直角に注入される。上述の接合
の代りに、前記個所にハンダ付けや熱圧接その他の適当
な接合を施すことができる。導電層３８、つまり導電タ
ブ４０は、たとえばチャンネル３７の下部に、金、イン
ジウムまたは錫の電着部５２を付着させて、若干増量す
ることができる。第９図の点線は、電着部５２の初期形
状を示す。電着８５２は、ソノトロード（ｓｏｎｏｔｒ
ｏｄｅ）またはハンダこて４４の機能をもちチャンネル
３７に挿入すことができる超音波装置またはホットバー
によって、隅へ運ばれ、そこに押しつけられ、金の熱圧
接またはハンダの溶融によって接合部４５になる。

狭い場所には、小面積のほぼ先がとがった陽極を用い、
導電層３８つまり導電タブ４０からの距離を選択するこ
とによって、金属を電気メッキすることができる。

本発明による接続方法を用いれば、全ての電気回路は非
常にしっかり固定されるので、振動や衝撃による影響を
受けない。拡散抵抗路３４は、測定ダイヤフラム３０の
圧力媒体が加わる側の反対側にあり、したがって、圧力
媒体による影響を受けない。第１図の従来型式のトラン
スジユーサとは対照的に、過度に敏感で破損の危険があ
るガラス・ブツシユは存在せず、また半導体部とベース
部とを接合するハンダ付は接合は、剥離の危険が少ない
陽極接合で置き換えられている。

本発明の別の重要な利点は、トランスジューサ・インサ
ートを製造するとき、伝統的構造の場合よりもバッチ処
理で多くの工程を実行できることである。第１図の構造
において、バッチ法に従って製造できるのは、半導体部
１だけである。抵抗路３４や接続接点、それらの接合部
の拡散、空調の加工、保護用酸化シリコン膜の被覆加工
は、多数のトランスジユーサ・ユニットについて、たと
えば直径７６１１１のウェーハについて、まさに１工程
で同時に実行することが可能である。これらの処理が終
ったあと、ウェーハを分割すれば、個々のトランスジユ
ーサができる。このあと、ボンディング、ハンダ付け、
排気、密封を含む独立した製造工程を用いて、トランス
ジューサ・インサートの以後の製造工程が行なわれる。

これに対し、本発明によれば、第１１図と第１２図に示
すように、トランスジューサ・インサートのベース部３
６もバッチ法によってベース板４６から作ることができ
る。たとえば、２００個のトランスジューサ・インサー
トの場合、１個のエツチング操作でベース部４６に凹部
３３を加工することが可能である。全てのユニットのチ
ャンネル３７も、エツチング操作で形成することが可能
である。全てのチャンネルは、１回の化学処理操作でそ
の内側を金属化して、導電層３８を生成することが可能
である。

測定ダイヤフラム部分３０の制限装置となる中央部分３
２を有する凹部３３の形成は、２段階で行なうことが好
ましい。たとえば、以下のように、２段階エツチング操
作を実施することができる。

（１）半導体板に陽極接合されるベース板の全区域を写
真印刷技術でマスクする、（２）測定ダイヤプラム部分の最大許容撓みに相当する
深さｄまで１回目のエツチングをする、（３）　　スト
ップ面３２を写真印刷技術でマスクする、（４）凹部３
３の完成深さＴまで２回目のエツチングをする、（５）　　エツチング・マスクを除去する。

半導体板とベース板との陽極接合は、中間層を必要でな
いから、測定ダイヤフラム部分３０とストップ面３２間
のすきまは、ベース板４６、つまり半導体板３１の全表
面にわたって正確に意図した距離ｄに保たれる。第１０
図は、陽極接合ふよび分割を行なう前のベース板４６の
形状を示す。

最後に、このようにして準備されたベース板４６と半導
体板３１は、陽極酸化で接合されたあと、たとえば全部
または数個のチャンネル３７に同時に挿入することが可
能な多頭式ソノトロード（ｍｕｌｔｉｓｏｎｏｔｒｏｄ
ｅ）　を用いて抵抗路と導電層３８とが熱圧接される。

製作したウェーハを線４７に沿って分割すれば（第１１
図、第１２図参照）、第４図のトランスジューサ・イン
サートが出来上り、センサのハウジングに取り付ける準
備ができる。

第１４図と第１５図は１つの可能な取付形式を示す。ト
ランスジューサ・インサート４８は、マスチック５０と
封入コンパウンド５１でセンサのハウジングの中に取り
付けられ、シールされる。

センサの取付開口を通って圧力媒体が洩れるのを防止す
るため、たとえば、ＯＩＪング６２が適当な仕方で設置
される。

トランスジューサ・インサート４８０半導体部３１は、
中央補強部５３を持っていることに注目されたい、しか
し、これは必ずしも必要でなく、たとえば第４図には図
示されていないが、センサの感度および較正曲線の直線
性を高める作用をする。

接触ピン４１は、トランスジューサ・インサート４８０
チヤンネル３７にはまることによって、チャンネル３７
の導電層３８と接触する。接触ピン４１は、封入コンパ
ウンド５６でセンサ・ハウジング内に固定された電子部
品５５を有する電子回路基板５４から突き出している。

したがって、トランスジューサ・インサートと電子回路
とは、非常に簡単に接続することが可能である。

第１３図は、別の実施例を示す。この場合には、トラン
スジューサ・インサート４８は、接着ポンド５８を用い
て板５７の上面に取り付けられる。

チャンネル３７の導電層３８に接触する接触タブ６０ま
たは接触コイル６１は、板５７の絶縁性ブツシュ５９に
よって固定されている。また、内側が金属化されたチャ
ンネル３７は、たとえばハンダ付けされた、あるいは接
着されたワイヤ、ネジ結合等の他の接触も可能である。

組立て作業は、本発明によるチャンネル導電層のおかげ
で省くことができる。また、上述の接点は、振動に鈍感
であるから、より確実である。そのほか、接触抵抗も従
来よりかなり小さい。

以上、好ましい諸実施例について発明を説明したが、発
明はそれらに限定されるものではなく、以上の説明に基
づいてこの分野の専門家が思い浮べる諸修正も含んでい
るものと理解されたい。記述した、いわゆるコーナ・ド
ロップ法は、接着、ハンダ付け、熱圧接を含むほか、特
に言及しなかった、同じもしくは似たような効果をもつ
他の全ての接合方法、たとえば溶解やろう付けを含んで
いる。また、特許請求の範囲で特に言及していなくても
、図示し、説明した、新規な細部構造は、本発明に包含
される。

【図面の簡単な説明】

第１図から第３図は、種々の既存形式の半導体トランス
ジューサ・インサートの断面図、第４図は、本発明によ
るトランスジューサ・インサートの斜視断面図、第５図は、第４図のトランスジューサ・インサートの断
面図、第６図は、第４図と第５図に示したトランスジューサ・
インサートのベース部の平面図、第７図は、第４図と第
５図に示したトランスジューサ・インサートの半導体部
の底面図、第８図と第９図は、本発明により修正された
トランスジューサ・インサートの部分断面図であって、
キャパシタプレートまたは抵抗路の接続接点をチャンネ
ルの導電層に接続する異なる方法を説明する図、第１０図は、ベース部分の断面図であって、トランスジ
ューサ・インサートに凹部を作る方法を説明する図、第１１図と第１２図は、ベース板の断面図と平面図であ
って、本発明による多数のトランスジューサ・インサー
トを同時に製作する方法を説明する図、第１３図は、センサに取り付けた場合の本発明によるト
ランスジューサ・インサートの断面図、第１４図は、本
発明による修正されたトランスジューサ・インサートを
有する圧力センサの断面図、第１５図は、第１４図のセンサの平面図である。１・・・・・・半導体部、２・旧・・ダイヤフラム部分
、３・・・・・・空胴、４・・・・・・ひずみ検出電気
抵抗路、５・・・・・・金ハンダまたはガラス・ハンダ
、６・・・・・・ベース部、７・・・・・・金ハンダま
たはガラス・ハンダ、８・・・・・・ハウジング底板、
９・・・・・・導体、１０・・・・・・ガラス絶縁体、
１１・・・・・・金線、１２・・・・・・接続接点（接
続面）、１３・・・・・・ボア、１４・・・・・・管路
、１５・・・・・・半導体部、１６・・・・・・管状ベ
ース部、１７・・・・・・陽極接合、１８・・・・・・
ワイヤ、２０・・・・・・接着剤、２１・・・・・・半
導体部、２２・・・・・・ダイヤフラム部分、２３・・
・・・・拡散抵抗路、２５・・・・・・金線、２６・・
・・・・ブツシュ、２７・・・・・・絶縁体、２９・・
・・・・凹部、３０・・・・・・測定ダイヤフラム部分
、３１・・・・・・半導体部、３２・・・・・・中央突
起（ストップ）、３３・・・・・・凹部、３４・・・・
・・拡散抵抗路、３５・・・・・・陽極接合、３６・・
・・・・ベース部、３７・・・・・・円筒形チャンネル
、３８・・・・・・導電層、３９・・・・・・接続接点
（接触面）、４０・・・・・・導電タブ、４１・・・・
・・接触ピン、４２・・・・・・ディスペンサ装置、４
３・・・・・・導電性接着剤、４４・・・・・・ソノト
ロードまたはハンダこて、４５・・・・・・接合部、４
６・・・・・・ベース板、４７・・・・・・線、４８・
・・・・・トランスジューサ・インサート、５０・・・
・・・マスチック、５１・・・・・・封入コンパウンド
、５２・・・・・・電着部、５３・・・・・・中央補強
部、５４・・・・・・電子回路基板、５５・・・・・・
電子部品、５６・・・・・・封入コンパウンド、５７・
・・・・・板、５８・・・・・・接着ボンド、５９・・
・・・・絶縁ブツシュ、６０・・・・・・接触タブ、６
１・・・・・・接触コイル。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）測定信号を発生する力応答型センサ手段をもつ測
定ダイヤフラムと接続接点とを有する半導体部、前記半導体部が取り付けられる絶縁材料のベース部と、測定信号を取り出すための導体手段、とで構成されたト
ランスジューサ・インサートであって、前記導体手段は
、前記ベース部を貫通し、導電層で被覆されたチャンネ
ルから成り、前記導電層と前記接続接点とは、両者の隣
接する部分に選択的に接着された導電性物質によって電
気的に接続されていることを特徴とするトランスジュー
サ・インサート。
（２）前記チャンネルの軸線は、前記半導体部とベース
部間の接合面に対し本質上直角に延びていることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載のトランスジュー
サ・インサート。
（３）前記接続接点に近い、それぞれの前記導電層の少
なくとも一部分は、前記接続接点に対し本質上直角であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項または第
（２）項記載のトランスジューサ・インサート。
（４）前記測定ダイヤフラムの真下のベース部に凹部が
設けられており、前記導電層は前記凹部の周囲壁に沿っ
て前記接続接点まで延びている導電タブの形をした延長
部を有していることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項から第（３）項のいずれかに記載のトランスジュー
サ・インサート。
（５）前記凹部は、中央に突起があり、前記測定ダイヤ
フラムの撓みがある量を越えると前記測定ダイヤフラム
が前記突起に当たるようになっていることを特徴とする
特許請求の範囲第（４）項記載のトランスジューサ・イ
ンサート。
（６）前記測定ダイヤフラムは、厚さが増した中央部分
を有することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項か
ら第（５）項のいずれかに記載のトランスジューサ・イ
ンサート。
（７）前記測定ダイヤフラムは、前記センサ手段と接続
接点が設けられた側の反対側にある半導体部の凹部によ
って形成されることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項から第（６）項のいずれかに記載のトランスジュー
サ・インサート。
（８）前記半導体部は、シリコン材料から成り、前記ベ
ース部は、ガラス材料から成ることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項から第（７）項のいずれかに記載の
トランスジューサ・インサート。
（９）前記半導体母体が、前記ベース部に陽極接合され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項から
第（８）項のいずれかに記載のトランスジューサ・イン
サート。
（１０）前記接続接点と前記タブ状延長部とは、両者の
隣接する部分に選択的に接着された限られた量の導電性
物質によって電気的に接続されていることを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載のトランスジューサ・インサ
ート。
（１１）（ａ）それぞれが力応答型センサ手段をもつ測
定ダイヤフラムと接続接点とを有する複数の測定ダイヤ
フラム部分が形成された半導体材料の板を準備すること
、（ｂ）絶縁材料のベース板に、前記半導体板のダイヤフ
ラム部分の接続接点の数と配列に対応するチャンネルを
形成すること、（ｃ）前記ベース板のチャンネルを導電性材料で被覆す
ること、（ｄ）それぞれのチャンネルとダイヤフラム部分の接続
接点とが組み合わさるように、前記半導体板と前記ベー
ス板とを接合すること、（ｅ）前記ダイヤフラム部分の接続接点と前記チャンネ
ルの導電層とを、両者の隣接する部分に導電性物質を接
着することによって電気的に接続すること、（ｆ）前記ベース板と前記半導体板から成るウェーハ構
造を多数の独立したトランスジューサ・インサートに分
割し、それぞれが、力応答型センサ手段をもつダイヤフ
ラムと、そのセンサ手段が発生した測定信号を取り出す
手段とを備えたトランスジューサ・インサートにするこ
と、の諸ステップから成ることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の半導体トランスジューサ・インサート
の製造方法。
（１２）ベース板と半導体板とを接合する前記ステップ
に先立って、半導体板のダイヤフラムの数と配列に対応
する凹部を前記ベース板に形成するステップを含んでい
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１１）項記載の
方法。
（１３）前記最初のステップにおいて、前記凹部を中間
の深さｄまで形成し、そのあと中央領域を除き、完成深
さＴまで形成することにより、各凹部に深さｄの中央隆
起領域を形成することを特徴とする特許請求の範囲第（
１２）項記載の方法。
（１４）チャンネルの導電層を接続接点に接続する前記
ステップは、チャンネルに熱圧接装置を挿入すること、
チャンネルの導電層から材料を移動させること、移動さ
せた材料を接続接点の近くに圧入すること、移動させた
材料を可塑化すること、可塑化した材料を導電層と接続
接点に付着させること、の諸ステップから成ることを特
徴とする特許請求の範囲第（１１）項から第（１３）項
のいずれかに記載の方法。
（１５）前記の移動させた材料は、接続接点に近い導電
層上の金属電着物であることを特徴とする特許請求の範
囲第（１４）項記載の方法。
（１６）チャンネルの導電層を接続接点に接続する前記
ステップは、接続接点に近い導電層上にハンダを付ける
こと、前記ハンダを溶かすこと、溶けたハンダを、チャ
ンネルに挿入したハンダこてで接続接点に付着させるこ
と、の諸ステップから成ることを特徴とする特許請求の
範囲第（１１）項から第（１３）項のいずれかに記載の
方法。
（１７）チャンネルの導電層を接続接点に接続する前記
ステップは、チャンネルに導電性接着剤を分配するディ
スペンサ装置を挿入すること、接続接点と導電層の隣接
する部分に接着剤を塗布すること、接着剤をそのまま硬
化させること、の諸ステップから成ることを特徴とする
特許請求の範囲第（１１）項から第（１３）項のいずれ
かに記載の方法。
（１８）導電層と接続接点間の多数の接合は、多頭式装
置を用いて同時に行なわれることを特徴とする特許請求
の範囲第（１１）項から第（１７）項のいずれかに記載
の方法。
（１９）特許請求の範囲第（１）項記載のトランスジュ
ーサ・インサートと、前記トランスジューサ・インサー
トを収容し、前記トランスジューサ・インサートの導電
性チャンネルに挿入されるようになっている接触要素を
もつ支持板を備えたハウジングとで構成されたセンサ。