JP3697862B2 - 圧力検出装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力を検出する圧力検出装置に関し、例えば車両における燃料噴射装置の燃料圧やブレーキ装置のブレーキオイル圧等の高圧を検出するのに用いて好適なるものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種の圧力検出装置としては、特開昭62−73131号公報に示されるものがある。
このものは、圧力導入孔の終端が薄肉部となっているセンシングボディをハウジング内に収納し、センシングボディの薄肉部に固定したセンサチップにより薄肉部の変位を検出するとともに、このセンサチップからの電気信号を回路基板にて信号処理するようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、上記した構成において、回路基板として、表面及び内層に導電性のペーストを印刷形成した積層セラミック基板を有して構成し、この回路基板をハウジング内に収納して固定することが考えられる。この場合、回路基板はセンサチップとワイヤボンディング等によって電気接続されるので、回路基板の位置決めが重要となる。また、回路基板上の取り出し電極とコネクタターミナルとを電気溶接等により電気接続する場合にも回路基板の位置決めが重要になる。
【0004】
しかしながら、積層セラミック基板においては、積層ばらつきや印刷焼成ずれによる配線ばらつきがあり、回路基板を固定する際の位置決め精度が悪くなるという問題がある。
本発明は上記問題に鑑みたもので、回路基板の位置決め精度を良好にすることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1、2に記載の発明においては、積層セラミック基板(7a)によって回路基板(7)を構成し、積層セラミック基板(7a)のうちの1層を他の層より外形を大きくし、この外形が大きい層を用いて回路基板(7)をハウジング部(1)内に収納するときの位置決めに用いるようにしたことを特徴としている。
【0006】
この場合、その位置決め精度は、外形が大きい層の寸法ばらつきのみで決まるため、積層セラミック基板(7a)を高精度に位置決めすることができる。
請求項3に記載の発明においては、積層セラミック基板(7a)のうち外形が大きくなっている層は、他の層より内径が小さくなっていることを特徴としている。これによって、回路基板(7)とハウジング部(1)の間および回路基板(7)とセンシングボディ部(2)の間の位置決めを精度よく行うことができる。
【0007】
請求項4に記載の発明においては、積層セラミック基板(7a)の最上層(7a1 )を他の層(7a2 〜7a4 )より外形を大きくしたことを特徴としている。
回路基板(7)を接着剤(13)によりハウジング部(1)に接着固定するときに、ハウジング部(1)の内壁(1e)と積層セラミック基板(7a)の間を接着剤(13)がはい上がり、接着剤(13)が積層セラミック基板(7a)の表面に付着するという問題が生じるが、最上層(7a1 )の外形を他の層(7a2 〜7a4 )より大きくすることによって、接着剤(13)のはい上がりを防止することができ、上記した問題をなくすことができる。
【0008】
請求項5に記載の発明においては、積層セラミック基板(7a)のうちの1層を他の層より内径を小さくし、この内径が小さい層を用いて、回路基板(7)をセンシングボディ部(2)の回りのハウジング部(1)の上面に固定するときの位置決めに用いるようにしたことを特徴としている。
従って、この発明においても、位置決め精度が内径が小さい層の寸法ばらつきのみで決まるため、回路基板(7)とセンシングボディ部(2)の間の位置決めを精度よく行うことができる。
【0009】
なお、上記した括弧内の符号は、後述する実施形態記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。
図1に、本発明の一実施形態を示す圧力検出装置の断面構造を示す。この圧力検出装置は、車両における燃料噴射装置の燃料圧やブレーキ装置のブレーキオイル圧等の高圧(例えば20MPa)の流体の圧力を測定するものである。
【0011】
図において、ハウジング1は、耐食性が良好で溶接可能な金属(例えばSUS430)で構成されており、ねじ山1aを有し、図示しない被検出体(例えば、燃料配管)にねじ締めで固定されるようになっている。
センシングボディ2は、熱膨張率が小さい低熱膨張率金属(例えばコバール等の線熱膨張係数がシリコンに近い材質のもの)で構成され、内側に圧力導入孔2aを有し、その終端に受圧用ダイヤフラムをなす肉薄部2bが形成されている。図2に、センシングボディ2の外観形状を示す。センシングボディ2は、円筒形状をしており、その端部すなわち下端開口周縁部には段差部2cが形成されている。
【0012】
このセンシングボディ2は、ハウジング1の内側空洞部に圧入され、段差部2cとハウジング1の開口縁(端部)1bとが突き合わされ、その部分が電気溶接等によって密着固定される。このようにして、センシングボディ2がハウジング1内に組付け固定され、ボディ部が構成される。
また、ハウジング1には、ねじ山1aの内側空洞部に段差部1bが形成されてているため、センシングボディ2がハウジング1内に組付け固定されたとき、ハウジング1とセンシングボディ2の間に、環状の隙間3が形成される。この隙間3により、ハウジング1を被検出体に固定したときに生じる応力がセンサチップ4に伝達するのを阻止することができる。
【0013】
センシングボディ2における薄肉部2bの上面、すなわち圧力導入側と反対側の面には、センサチップ4が、絶縁体である低融点ガラス5により接合されている。図3に、センシングボディ2の先端部分の断面斜視図を示す。図に示すように、N型単結晶のシリコン基板41に4つのP型の拡散ゲージ(歪ゲージ)42a〜42dが形成されてセンサチップ4が構成されており、薄肉部2bの変位に応じた電気信号を出力する。
【0014】
センシングボディ2の先端部の周囲には、図1に示すように、回路基板7が配置されている。この回路基板7は、センサチップ4からの電気信号を増幅して出力する増幅回路(センサの感度調整を行う調整回路を含む)などの回路部を有しており、積層セラミック基板7a、回路チップ7b、およびポスト7cから構成されている。
【0015】
積層セラミック基板7aは、表面及び内層に導電性のペーストを印刷し焼成して形成されたもので、接着剤によりハウジング1に固定されている。回路チップ7bは、積層セラミック基板7a上に実装され、ワイヤにより積層セラミック基板7aの導電性ペーストを焼成してなる導電体(配線の一部領域)と電気的に接続されている。ポスト7cは、外部との電気接続を行うための取り出し電極となるもので、例えば42アロイにて構成されており、ろう付け等によりセラミック積層基板7a上に接合されている。
【0016】
図4に、積層セラミック基板7aおよびポスト7cの構成を示す。(a)は上面図、(b)は(a)のA−A断面図である。
積層セラミック基板7aは、例えば4層のセラミック基板7a1 〜7a4 が積層して構成されており、最上層のセラミック基板7a1 の上にポスト7cが接合されている。このポスト7cは、電源線用、出力信号線用、接地線用の3本で構成されている。また、図に示すように最上層のセラミック基板7a1 は、外形が他の層7a2 〜7a4 より大きくなっており(φD>φd)、また内径が他の層7a2 〜7a4 より小さくなっている(φA>φa)。
【0017】
積層セラミック基板7aは、図1に示すように、センサチップ4がハウジング1内に挿入されて組付けられたとき、センサチップ4とハウジング1の間に形成されるスペースに収納固定されるが、このときの位置決めに最上層のセラミック基板7a1 が利用される。すなわち、最上層のセラミック基板7a1 の外形によりハウジング1の内壁1eとの間で位置決めを行い、また内側部分でセンサチップ4との間の位置決めを行う。この場合、その位置決め精度は、最上層のセラミック基板7a1 の寸法ばらつきのみで決まり、各層の印刷焼成すれによるばらつきを無視することができるので、積層セラミック基板7aを高精度に位置決めすることができる。
【0018】
このセラミック基板7aの表面に形成された導電体とセンサチップ4とは、図1に示すように、隙間3を跨いでワイヤ8(例えばφ30〜50μmのAl線)により電気的に接続されている。
また、センシングボディ2および積層セラミック基板7の上面(センサチップ4およびワイヤ8の上を含む)には、腐食防止のためにコーティング材(例えばシリコーンゲル)9によりコーティングが施されている。
【0019】
セラミック積層基板7aに接合されたポスト7cは、ターミナルアッセンブリ10のコネクタターミナル10aと電気溶接等で接続されている。このターミナルアッセンブリ10は、コネクタターミナル10aをPPS等の樹脂でインサート成形したものである。そして、ターミナルアッセンブリ10と、PPS等の樹脂で成形されたコネクタケース11は、Oリング12を介しハウジング1のかしめ部1dでハウジング1にかしめ固定されている。
【0020】
上記したセンサチップ4および回路基板7における回路部の電気結線図を図5に示す。歪ゲージ42a〜42dは、図に示すようにブリッジ回路を構成している。回路基板7における回路部は、ブリッジ回路からの電気信号を増幅する増幅回路71の他、ブリッジ回路に電源供給を行う電源回路72を有している。そして、歪ゲージ42a〜42dにより構成されるブリッジ回路は、薄肉部2bに加わる圧力に応じた電気信号を増幅回路71に出力し、増幅回路71は、その信号を増幅して、圧力に応じた電気信号を外部に出力する。
【0021】
図6に、図1に示す主要部品の分解断面図を示し、図7乃至図10にそれらを組付けて圧力検出装置を製造する工程を示す。なお、図7乃至図10に示す各工程図において、(a)は上面図、(b)は断面図を示す。
〔図7の工程〕
まず、センシングボディ2にペースト状のガラス5を印刷しセンサチップ4を焼成により接合する。次に、ハウジング1をセンシングボディ2にかぶせ、センシングボディ2をハウジング1内に圧入し、ハウジング1の端部1bとセンシングボディ2の段差部2cとを突き合わせ、その突き合わせ部を電気溶接等で密着固定する。
〔図8の工程〕
次に、センシングボディ2の回りのハウジング1の上面に接着剤をスタンプ等により薄く均一に塗布し、その上に、回路チップ7bが実装された積層セラミック基板7aをセットして接着を行う。そして、積層セラミック基板7aの導電体とセンサチップ4、回路チップ7bをワイヤ8により超音波ボンディングして電気接続する。この後、コーティング材9によりコーティングを施す。
〔図9の工程〕
次に、ターミナルアッセンブリ10のコネクタターミナル10aと積層セラミック基板7のポスト7aを合わせ、電気溶接等で接合する。
〔図10の工程〕
この後、コネクタケース11とOリング12をハウジング1にセットし、ハウジング1のかしめ部1dをかしめることにより、コネクタケース11とハウジング1の内部をシールし固定する。このようにして図1に示す圧力検出装置が構成される。
【0022】
なお、上記した図8の工程において、図11に示すように、ハウジング1の上面に接着剤13を塗布して、その上に積層セラミック基板7aを接着固定するとき、接着剤13がハウジング1の内壁1eをはい上がり、それが積層セラミック基板7aの表面に付着すると回路チップ7bなどのワイヤボンディングがうまくできなくなるが、本実施形態では、積層セラミック基板7aにおける最上層のセラミック基板7a1 の外形を他の層7a2 〜7a4 より大きくしているので、接着剤13のはい上がりを防止し、上記した問題をなくすことができる。
【0023】
上記した実施形態では、最上層のセラミック基板7a1 の外形を大きくし内径を小さくしているが、接着剤13のはい上がりという問題等がなければ図12(a)、(b)に示すように最上層以外の他の1つの層の外形を大きくし内径を小さくするようにしてもよい。また、1つの層の外形および内径の両方を他の層と異なるようにしなくても十分な位置決め精度がでるのであれば、そのうちのいずれか一方のみとしてもよい。
【0024】
また、上記実施形態では、ハウジング1とセンシングボディ2を別体にて構成するものを示したが、図13に示すように、ハウジング1とセンシングボディ2を一体にて構成したものであってもよい。
また、センサチップ4としては、上記実施形態で示すような半導体式のものに限らず、センシングボディ2の上に絶縁膜を介して金属の歪ゲージを蒸着等で形成したものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態にかかる圧力検出装置の断面図である。
【図2】センシングボディ2の外観形状を示す図である。
【図3】センシングボディ2とセンサチップ4の構成を示す部分断面斜視図である。
【図4】積層セラミック基板7aとポスト7cの構成を示す図である。
【図5】センサチップ4および回路基板7における増幅回路の電気結線図である。
【図6】図1に示す主要部品の分解断面図である。
【図7】図1に示す圧力検出装置を製造する工程を示す図である。
【図8】図7に続く工程を示す図である。
【図9】図8に続く工程を示す図である。
【図10】図9に続く工程を示す図である。
【図11】積層セラミック基板7aにおける最上層のセラミック基板7a1 の外形を他の層7a2 〜7a4 より大きくした場合の効果を説明するための説明図である。
【図12】積層セラミック基板7aの他の構成を示す図である。
【図13】本発明の他の実施形態にかかる圧力検出装置の断面図である。
【符号の説明】
1…ハウジング、2…センシングボディ、2a…圧力導入孔、2b…肉薄部、
3…隙間、4…センサチップ、5…低融点ガラス、7…回路基板、
7a…積層セラミック基板、8…ワイヤ、9…コーティング材、
10…ターミナルアッセンブリ、10a…コネクタターミナル、
11…コネクタケース、12…Oリング。
Claims (5)
- 内側に圧力導入孔(2a)を有しその終端が薄肉部(2b)となっているセンシングボディ部(2)と、このセンシングボディ部(2)の外側にあって被検出体に取り付けられるハウジング部(1)とを有するボディ部材(1、2)と、
前記薄肉部(2b)の圧力導入側と反対側に固定され前記薄肉部(2b)の変位に応じた電気信号を出力するセンサチップ(4)と、
前記ハウジング部(1)内にその内壁(1e)との間で位置決めされて収納固定されており、前記センサチップ(4)とワイヤ(8)により電気接続されて前記センサチップ(4)からの電気信号を信号処理する回路基板(7)とを備え、
前記回路基板(7)は、積層セラミック基板(7a)を有して構成されており、そのうちの1層が他の層より外形が大きくなっていることを特徴とする圧力検出装置。 - 前記センシングボディ部(2)は先端が筒状のものであって、前記回路基板(7)は、前記センシングボディ部(2)の回りの前記ハウジング部(1)の上面に固定されていることを特徴とする請求項1に記載の圧力検出装置。
- 前記外形が大きくなっている層は、他の層より内径が小さくなっていることを特徴とする請求項1又2に記載の圧力検出装置。
- 前記回路基板(7)は接着剤(13)により前記ハウジング部(1)に接着固定されており、前記積層セラミック基板(7a)の最上層(7a1 )が他の層(7a2 〜7a4 )より外形が大きくなっていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の圧力検出装置。
- 内側に圧力導入孔(2a)を有しその終端が薄肉部(2b)となっているセンシングボディ部(2)と、このセンシングボディ部(2)の外側にあって被検出体に取り付けられるハウジング部(1)とを有するボディ部材(1、2)と、
前記薄肉部(2b)の圧力導入側と反対側に固定され前記薄肉部(2b)の変位に応じた電気信号を出力するセンサチップ(4)と、
前記センシングボディ部(2)の回りの前記ハウジング部(1)の上面に固定されており、前記センサチップ(4)とワイヤ(8)により電気接続されて前記センサチップ(4)からの電気信号を信号処理する回路基板(7)とを備え、
前記回路基板(7)は、積層セラミック基板(7a)を有して構成されており、そのうちの1層が他の層より内径が小さくなっていることを特徴とする圧力検出装置。
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